「OF GAN」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Then an etch pitch is formed on a crystal surface of GaN.例文帳に追加

すると、ＧａＮの結晶表面にエッチピットが形成される。 - 特許庁

TWO-WAY SWITCHING ELEMENT COMPOSED OF GaN COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体からなる双方向スイッチング素子 - 特許庁

To provide a light-emitting element of a GaN-based compound semiconductor.例文帳に追加

ＧａＮ系化合物の半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Thereby a plurality of two-dimensional nuclei 301 grow in the lateral direction to form a continuous GaN thin film 302 with a thickness of one molecular layer.例文帳に追加

これにより、複数の２次元核３０１が横方向成長して１分子層の厚さの連続的なGaN薄膜３０２となる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING TRANSLUCENT CONTACT PART IN P-TYPE GaN LAYER例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ層に透光性接触部を形成する方法 - 特許庁

METHOD OF GROWING GaN BY ORGANIC METAL VAPOR GROWTH METHOD例文帳に追加

有機金属気相成長法によるＧａＮの成膜方法 - 特許庁

On the other hand, a depletion layer is formed on the interface 4a of the channel layer 2 composed of n-GaN and a p-GaN region 4.例文帳に追加

一方、ｎ−ＧａＮから成るチャネル層２とｐ−ＧａＮ領域４との界面４ａには空乏層が形成される。 - 特許庁

To provide epitaxial growth of GaN which is capable of growing a good-quality GaN crystal on a GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上に良質のＧａＮ結晶を成長させることができるＧａＮのエピタキシャル成長を提供すること。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING UNDERLYING LAYER COMPOSED OF GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法、並びに、ＧａＮ系半導体発光素子及びその製造方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR GROWTH OF GaN BULK SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＮバルク単結晶の成長方法および成長装置 - 特許庁

It can be linked to bse, the assassination of indira gan...例文帳に追加

これはbse問題との繋がりも見いだせ インディラ・ガンディーの暗殺も... - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

"Gan" refers to the wishes of those among mankind who believe 'Namu' and Amida Buddha. 例文帳に追加

願とは、「南無」と阿弥陀仏に帰命する衆生の願い。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The gate insulating film 15 is formed on a wall surface 9 of the laminate structure part 3 to straddle the n-type GaN layer 5, the p-type GaN layer 6 and the n-type GaN layer 7.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１５は、ｎ型ＧａＮ層５、ｐ型ＧａＮ層６およびｎ型ＧａＮ層７に跨るように、積層構造部３の壁面９に形成されている。 - 特許庁

To provide a GaN substrate manufacturing method by which the variation of crystal axis in the surface is reduced, a GaN substrate, and a semiconductor device fabricated by using the GaN substrate.例文帳に追加

表面における結晶軸のばらつきが少ないＧａＮ基板の製造方法、ＧａＮ基板及びこのＧａＮ基板を用いて作製した半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a GaN semiconductor crystal base material which can grow a GaN crystal layer of not only InGaN but also GaN, AlGaN or the like in a high quality.例文帳に追加

ＩｎＧａＮのみならず、ＧａＮ、ＡｌＧａＮなどのＧａＮ系の結晶層を高品質に成長させ得るＧａＮ系半導体結晶基材を提供すること。 - 特許庁

Then the substrate is taken out of a reaction tube, and a self-standing GaN substrate 35 is obtained by removing the sapphire substrate 31, the GaN low-temperature buffer layer 32 and a portion of the GaN layer 33.例文帳に追加

次いでこの基板を反応管から取り出し、サファイア基板３１、ＧａＮ低温バッファ層３２およびＧａＮ層３３の一部を除去することにより自立ＧａＮ基板３５を得る。 - 特許庁

The growth method is to grow a GaN crystal 20 on a GaN seed crystal substrate 10 and involves a step to prepare a GaN seed crystal substrate 10 containing a first dopant which makes the coefficient of thermal expansion of the GaN seed crystal substrate 10 greater than that of the GaN crystal 20 and a step to grow a ≥1 mm thick GaN crystal 20 on the GaN seed crystal substrate 10.例文帳に追加

ＧａＮ種結晶基板１０上にＧａＮ結晶２０を成長させる方法であって、ＧａＮ種結晶基板１０の熱膨張係数がＧａＮ結晶２０に比べて大きくなるような第１のドーパントを含むＧａＮ種結晶基板１０を準備する工程と、ＧａＮ種結晶基板１０上に厚さ１ｍｍ以上のＧａＮ結晶２０を成長させる工程を含む。 - 特許庁

Then a GaN crystal 105 is grown on the GaN crystal 102 at a growth rate of 7 μm/h or less.例文帳に追加

次に、ＧａＮ結晶１０２上に７μｍ／ｈ以下の成長速度でＧａＮ結晶１０５を成長させた。 - 特許庁

To activate p-type impurities of a GaN-based semiconductor crystal layer doped with the p-type impurities by a simple method.例文帳に追加

ｐ型不純物をドープしたGaN系半導体結晶層のｐ型不純物の活性化を容易な方法で行う。 - 特許庁

Further, by raising the impurity concentration of the n-GaN layer 13 and the n-GaN layer 21, the on-resistance is made low.例文帳に追加

また、ｎ−ＧａＮ層１３とｎ−ＧａＮ層２１の不純物濃度を高くすることで、オン抵抗を低くしている。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor device 20 is a large element formed by forming a plurality of GaN-based HFET 10 on a silicon (111) substrate 1 and connecting electrodes of each of the GaN-based HFET 10 to each other via a multilayer wiring.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体デバイス２０は、シリコン（１１１）基板１上に、複数のＧａＮ系HFET１０を形成し、各ＧａＮ系HFET１０の電極同士を多層配線で連結して作製された大素子である。 - 特許庁

METHOD OF GROWING SiC OR GaN SINGLE CRYSTAL ON SUBSTRATE OF ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

電子素子基板上へのＳｉＣ又はＧａＮ単結晶の成長方法 - 特許庁

To prevent desorption of nitrogen atoms in GaN in dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングにおけるＧａＮ中の窒素原子の脱離を防止する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GaN CRYSTAL AND BASE MATERIAL FOR CRYSTAL GROWTH例文帳に追加

ＧａＮ系結晶の製造方法および結晶成長用基材 - 特許庁

GAN-BASED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＧａＮ系半導体基板、その製造方法および半導体素子 - 特許庁

GaN THIN FILM BONDED SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND GaN-BASED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＧａＮ薄膜貼り合わせ基板およびその製造方法、ならびにＧａＮ系高電子移動度トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

When ammonia (NH_3) and a gallium chloride (GaCl) are supplied, the epitaxial growth of a gallium nitride(GaN) 30 starts on the surface 10a of an Si substrate 10 (Fig. b).例文帳に追加

アンモニア(NH_3)と塩化ガリウム(GaCl)を供給すると、Si基板１０の面１０ａに窒化ガリウム(GaN)３０がエピタキシャル成長を開始する(b)。 - 特許庁

To obtain a gallium nitride (GaN) compound semiconductor of superior crystallinity.例文帳に追加

結晶性に優れた窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導体を得る。 - 特許庁

To provide a polishing method of GaN whereby an etch pit is hardly caused on the polishing face of a GaN crystal and an excellent polishing face can be obtained.例文帳に追加

ＧａＮ結晶の研磨面にエッチピットが発生しにくく、良好な研磨面が得られるＧａＮの研磨方法を提供すること。 - 特許庁

The base material preferably comprises one kind or a combination of two or more kinds selected from the group consisting of AlN, GaN, AlGaAs, SiC, InGaN and InGaAs as the constituent components.例文帳に追加

母体材料は、AlN、GaN、AlGaAs、SiC、InGaN、InGaAsの群から選ばれる１種、または２種以上の組み合わせを構成成分とすることが好ましい。 - 特許庁

SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND FABRICATION PROCESS OF GaN-BASED LED DEVICE例文帳に追加

単結晶基板およびＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法 - 特許庁

To provide a method for forming the end face of a resonator of a GaN-based violet laser, by cleaving the end face with a high yield.例文帳に追加

本発明は、GaN系紫色レーザの共振器端面をへき開で高歩留りで形成する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a GaN substrate by controlling its polarity.例文帳に追加

極性を制御してＧａＮ基板を作製する方法の提供 - 特許庁

GAN SUBSTRATE STORING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＧａＮ基板の保存方法、および半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

A substrate for epitaxial growth of GaN system semiconductor is prepared.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体をエピタキシャル成長できる基板を準備する。 - 特許庁

GAN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体発光素子及びその製造方法 - 特許庁

The respective end surfaces of the N-type GaN layer 6, the P-type GaN layer 7, and the N-type GaN layer 8 are defined as exposure surfaces 61, 71, 81 to be respectively exposed along a direction in parallel with the main surface 2A of the GaN film 2.例文帳に追加

また、Ｎ型ＧａＮ層６、Ｐ型ＧａＮ層７およびＮ型ＧａＮ層８の各端面は、それぞれＧａＮ膜２の主面２Ａに平行な方向に沿って露出する露出面６１、露出面７１および露出面８１となっている。 - 特許庁

A ratio of a wurtzite structure on the surface of the GaN layer 14 is reduced to 5% when a thickness of the GaN layer 16 is 200 μm and reduced to 1.5% when the thickness of the GaN layer 16 is 500 μm.例文帳に追加

ＧａＮ層１６の厚さが２００μｍでＧａＮ層１４の表面のウルツ鉱構造の割合が５％、ＧａＮ層１６の厚さが５００μｍでウルツ鉱構造の割合が１．５％まで低下した。 - 特許庁

The method for manufacturing a GaN single crystal substrate includes an ingot forming step of forming an ingot 64 of a GaN single crystal by growing an epitaxial layer 62 made of hexagonal GaN on the GaN single crystal using the GaN single crystal as a seed crystal, and a cutting step of cutting the ingot 64 into a plurality of sheets.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板の製造方法は、ＧａＮ単結晶を種結晶として当該ＧａＮ単結晶の上に六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層６２を成長させて、ＧａＮ単結晶のインゴット６４を形成するインゴット形成工程と、インゴット６４を複数枚に切断する切断工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The present compound GaN substrate 1 includes: a conductive GaN substrate 10 which has resistivity of less than 1 Ωcm; and a semi-insulating GaN layer 20 arranged on the conductive GaN substrate 10, which has resistivity of 1×10^4 Ωcm and over and a thickness of 5 μm and over.例文帳に追加

本複合ＧａＮ基板１は、比抵抗が１Ωｃｍ未満の導電性ＧａＮ基板１０と、導電性ＧａＮ基板１０上に配置された比抵抗が１×１０^4Ωｃｍ以上で厚さが５μｍ以上の半絶縁性ＧａＮ層２０と、を含む。 - 特許庁

In-plane tensile stress is produced on the p-GaN second contact layer by making the thickness of the p-GaN second contact layer less than a critical thickness, so that bandgap energy of the p-GaN second contact layer of the p-GaN second contact layer is reduced owing to the in-plane tensile stress.例文帳に追加

さらに、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層の膜厚を臨界膜厚未満とすることで、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層には面内引っ張り歪みが発生し、当該面内引っ張り歪みによってｐ−ＧａＮ第２コンタクト層のバンドギャップエネルギーが低減する。 - 特許庁

The support base 13 of the light emitting diode 11a consists of a hexagonal system GaN.例文帳に追加

発光ダイオード１１ａの支持基体１３は、六方晶系ＧａＮからなる。 - 特許庁

The GaN layer 16 to the upper surface of the SiC substrate 11 or a part of the substrate is removed.例文帳に追加

GaＮ層16をSiC基板11の上面まであるいは基板の一部を除去する。 - 特許庁

The orientation of each of the GaN substrates 27a-27c is indicated by the direction of orientation flat.例文帳に追加

各ＧａＮ基板２７ａ〜２７ｃの向き付けは、オリエンテーションフラットの向きにより示される。 - 特許庁

The semiconductor layer is composed of an n-type GaN layer (n-type semiconductor layer) 22 and a p-type GaN layer (p-type semiconductor layer) 23.例文帳に追加

この半導体層は、ｎ型ＧａＮ層（ｎ型半導体層）２２と、ｐ型ＧａＮ層（ｐ型半導体層）２３とからなる。 - 特許庁