「OF GAN」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Later, there was a series of unrest, such as the internal rift within the rebel army, struggle by the imperial army represented by Shinkei GAN and Kokei GAN, as well as reinforcement troops sent from the Uighurs. 例文帳に追加

その後、反乱軍側の内部分裂と顔真卿・顔杲卿たちに代表される勤皇軍の奮戦・ウイグルの援兵などがあった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

GAN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, LIGHT-EMITTING ELEMENT ASSEMBLY, LIGHT-EMITTING DEVICE, METHOD OF DRIVING GAN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND IMAGE DISPLAY APPARATUS例文帳に追加

ＧａＮ系半導体発光素子、発光素子組立体、発光装置、ＧａＮ系半導体発光素子の駆動方法、及び、画像表示装置 - 特許庁

To provide a simple and easy manufacturing method of GaN powder, and a nitride-based light-emitting element using GaN powder manufactured by the method.例文帳に追加

ＧａＮパウダーの簡便な製造方法及び当該方法で製造されたＧａＮパウダーを用いた窒化物系発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a novel GaN hetero junction transistor capable of achieving high output, high voltage resistance, high speed, high frequency and the like.例文帳に追加

本発明は、高出力、高耐圧、高速、高周波化などを達成し得る新規なGaN系ヘテロ接合トランジスタを提供することを目的とする。 - 特許庁

On the second principal plane 1a of the GaN substrate 1, a selection growth projecting portion 36 is formed by growing GaN.例文帳に追加

また、ＧａＮ基板１の第２の主表面１ａ上に、ＧａＮを成長させることにより選択成長凸部３６が形成されている。 - 特許庁

A regrowth GaN layer 6 is epitaxially grown, according to lateral growth method, from the surface of the GaN layer 3 exposed among the hexagonal patterns 5.例文帳に追加

六角形のパターン５の間に露出したＧａＮ層３の表面からラテラル成長法により再成長ＧａＮ層６を成長させる。 - 特許庁

An n-type GaN buffer layer 1 is used as a common semiconductor layer, and a plurality of the mesa regions M are formed on the GaN buffer layer 1.例文帳に追加

ｎ型のＧａＮバッファ層１を共通の半導体層として、このＧａＮバッファ層１上に、メサ領域Ｍが複数形成される。 - 特許庁

The light-emitting device includes a GaN substrate 1, and a light-emitting layer 4 containing InAlGaN quaternary mixed crystal on the first main surface of the GaN substrate 1.例文帳に追加

ＧａＮ基板１と、そのＧａＮ基板１の第１の主表面の側に、ＩｎＡｌＧａＮ４元混晶を含む発光層４とを備える。 - 特許庁

So, the crystallinity of a GaN layer 4 formed over it is good.例文帳に追加

よって、この上に形成されるＧａＮ層４の結晶性を良好にできる。 - 特許庁

GaN SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE AND DECIDING METHOD OF CLEAVAGE QUALITY THEREOF例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板の劈開性の判定方法とＧａＮ単結晶基板 - 特許庁

The dislocation density of the GaN self-supporting substrate 2 is 1×10^8 cm^-2 or less.例文帳に追加

ＧａＮ自立基板２の転位密度は、１×１０^8ｃｍ^-2以下である。 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR CREATION OF GaN-BASED LIGHT- EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ系発光素子作成装置およびＧａＮ系発光素子作成方法 - 特許庁

The manufacturing the GaN crystal having the off-axis angle of 0.1 to 25° is possible.例文帳に追加

０．１゜〜２５゜のオフ角をもつＧａＮ結晶を製造することができる。 - 特許庁

By such a process, a GaN crystal having an off-angle of 0.1 to 25° can be manufactured.例文帳に追加

０．１゜〜２５゜のオフ角をもつＧａＮ結晶を製造することができる。 - 特許庁

To enhance the reliability of a HEMT formed from GaN-based materials.例文帳に追加

ＧａＮ系の材料により形成されるＨＥＭＴの信頼性を高める。 - 特許庁

It is sometimes said to bring bad luck since the name of 'ganmodoki' could lead to 'gan' (cancer). 例文帳に追加

「がんもどき」の名称が「癌（がん）」につながり縁起が悪いとも言われる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Further, an insulation layer 9 is laminated on the other part of the p-Si layer 2, an n-GaN layer 10 and a p-GaN layer 11 are sequentially grown on the surface of the insulation layer 9 to produce a GaN pn diode which is used for a bulk region.例文帳に追加

また、ｐ−Ｓｉ層２の他の一部の上に絶縁層９を積層し、その表面にｎ−ＧａＮ層１０とｐ−ＧａＮ層１１を順次、成長させてＧａＮのｐｎダイオードを作製し、そこをバルク領域とする。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor device 2 includes: the above-described compound GaN substrate 1; and at least one layer of a group III nitride semiconductor layer 30 arranged on the semi-insulating GaN layer 20 of the compound GaN substrate 1.例文帳に追加

本ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス２は、上記の複合ＧａＮ基板１と、複合ＧａＮ基板１の半絶縁性ＧａＮ層２０上に配置された少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層３０と、を含む。 - 特許庁

In this manner, Mg concentration is larger as a result of the comparison of the Mg concentration and H_2 concentration contained in the p-type GaN layer (second layer) sandwiched between the n-type GaN layer (first layer) and the n-type GaN layer (third layer).例文帳に追加

このように、ｎ型ＧａＮ層（第１層）およびｎ型ＧａＮ層（第３層）に挟まれたｐ型ＧａＮ層（第２層）に含まれるＭｇ濃度とＨ_２濃度とを比較すると、Ｍｇ濃度の方が大きい値となっている。 - 特許庁

It is realized to form an electrode having the superior ohmic characteristic and high adhesion between the electrode and the backside of the GaN substrate by dry etching the backside of the GaN substrate, when the electrode is formed on the backside of the GaN substrate.例文帳に追加

ＧａＮ基板裏面に電極を形成する際に、ＧａＮ基板裏面をドライエッチング処理することによって、ＧａＮ基板裏面との間に良好なオーミック特性を有して、かつ密着性の高い電極を形成することが可能となる。 - 特許庁

Thereafter, a GaN single crystal is synthesized by evaporating Ga from the low temperature zone T_1, then forming a GaN forming gas by reacting the evaporated Ga with a nitrogen component in the gas, and allowing the GaN forming gas to reach the seed crystal or the substrate 13 of the GaN single crystal in the high temperature zone T_2.例文帳に追加

低温領域Ｔ_1からＧａを蒸発させ、その蒸発させたＧａをガス中の窒素成分と反応させてＧａＮ形成ガスを形成し、ＧａＮ形成ガスを高温領域Ｔ_2の種結晶またはＧａＮ単結晶の基板１３に到達させてＧａＮ単結晶を合成する。 - 特許庁

This LED uses a GaN nano rod 30 in which an n-type GaN nanorod 31, an InGaN quantum well 33, and a p-type GaN nano rod 35 are arranged continuously in the longitudinal direction, by inserting the InGaN quantum well 33 between the junction surfaces of the p-n junction GaN nanorods 31 and 35.例文帳に追加

ｐ-ｎ接合ＧａＮナノロッドのｐ-ｎ接合面にＩｎＧａＮ量子井戸(quantum well)を差し込んで、ｎ型ＧａＮナノロッド３１、ＩｎＧａＮ量子井戸３３、およびｐ型ＧａＮナノロッド３５がこの順に長手方向に連続してなるＧａＮナノロッド３０を用いる。 - 特許庁

The group III nitride-based compound semiconductor light-emitting element 100 has a sapphire substrate 10, an n-type GaN layer 11, an n-type AlGaN layer 12, a light-emitting layer 13 of GaN/InGaN multiple quantum well structure, a p-type AlGaN layer 14, a p-type GaN layer 15, and a p^+-type GaN layer 16.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０、ｎ型ＧａＮ層１１、ｎ型ＡｌＧａＮ層１２、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸構造の発光層１３、ｐ型ＡｌＧａＮ層１４、ｐ型ＧａＮ層１５、ｐ^+型ＧａＮ層１６を有する。 - 特許庁

An n-type GaN contact layer 2, a MQW active layer 3, and a p-type AlGaN clad layer 4 are sequentially formed on a GaN substrate 1 and an n-electrode 8 is also formed at the rear surface of the GaN substrate 1.例文帳に追加

ＧａＮ基板１上にｎ型ＧａＮコンタクト層２、ＭＱＷ活性層３、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層４が順に形成されており、ＧａＮ基板１の裏面にはｎ電極８が形成される。 - 特許庁

Since the etch pit is hardly caused on the polishing face of the GaN crystal and an excellent polishing face is obtained, an extremely excellent GaN film can be obtained by epitaxially growing a GaN film from the polishing face.例文帳に追加

これにより、ＧａＮ結晶の研磨面にエッチピットが発生しにくく、良好な研磨面が得られるため、この研磨面にＧａＮ膜をエピタキシャル成長させると、非常に良好なＧａＮ膜を得ることができる。 - 特許庁

On a side C of a sapphire substrate 1, an AlGaN first buffer layer 2, a GaN second buffer layer 3 and a first GaN layer 4 are grown sequentially, and the first GaN layer 4 on a line A-A in the figure is polished.例文帳に追加

サファイア基板１のＣ面上に、ＡｌＧａＮ第１バッファ層２、ＧａＮ第２バッファ層３および第１ＧａＮ層４を順に成長させ、図中のＡ−Ａ線上の第１ＧａＮ層４を研磨する。 - 特許庁

An n-type GaN layer is provided near a two-dimensional electronic channel which is formed at AlGaN/GaN heterojunction, and a drain electrode is simultaneously brought into contact with the AlGaN layer and the n-type GaN layer of the surface.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ接合に形成された二次元電子チャンネルの近くにｎ型ＧａＮ層を設け、さらにドレイン電極を表面のＡｌＧａＮ層及びｎ型ＧａＮ層に同時に接触させる。 - 特許庁

Most of the low-temperature GaN buffer layer 14 is covered with the second buffers 15, so that the low-temperature GaN buffer layer 14 is restrained from being evaporated, when the temperature rises, and the GaN semiconductor layer 16 is restrained from being dislocated.例文帳に追加

第２のバッファ体１５により低温ＧａＮバッファ層１４を大部分被覆するため、昇温時に低温ＧａＮバッファ層１４の蒸発を抑え、ＧａＮ半導体層１６の転位を抑制する。 - 特許庁

Since most of the low-temperature GaN buffer layer 14 is covered with the second buffers 15, so when the temperature rises, the low-temperature GaN buffer layer 14 is suppressed from being evaporated and the GaN semiconductor layer 16 is suppressed from being dislocated.例文帳に追加

第２のバッファ体１５により低温ＧａＮバッファ層１４を大部分被覆するため、昇温時に低温ＧａＮバッファ層１４の蒸発を抑え、ＧａＮ半導体層１６の転位を抑制する。 - 特許庁

The ratio of the thickness of the second GaN layer 111a to that of the second AlN layer 111a is 4 to 5.例文帳に追加

第２のＡｌＮ層１１１ａに対する第２のＡｌＮ層１１１ａの厚さの比は４〜５である。 - 特許庁

To improve the luminous efficiency of a GaN compound semiconductor regardless of the presence/absence of dislocation.例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体において、転位の存在にかかわらず発光効率を向上させる。 - 特許庁

To solve the problem that the influence of the crystallinity of an n-GaN substrate on the electric characteristic of a Schottky contact is unknown and that the necessity of the quality degree of the n-GaN substrate is not clear.例文帳に追加

ショットキ−接触の電気的特性にｎ−ＧａＮの結晶性がどのように影響するかは知られておらず、どの程度の品質のｎ−ＧａＮ基板が必要なのか明確になっていない。 - 特許庁

METHOD OF DRIVING GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, METHOD OF DRIVING GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT OF IMAGE DISPLAY DEVICE, METHOD OF DRIVING SURFACE TYPE LIGHT SOURCE DEVICE, AND METHOD OF DRIVING LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

ＧａＮ系半導体発光素子の駆動方法、画像表示装置におけるＧａＮ系半導体発光素子の駆動方法、面状光源装置の駆動方法、及び、発光装置の駆動方法 - 特許庁

To provide a method of controlling stress in GaN films deposited on silicon and silicon carbide substrates and to provide the GaN films generated therefrom.例文帳に追加

シリコンおよび炭化ケイ素基板上に堆積されたＧａＮフィルムにおける応力の制御方法、およびこれによって生成されたＧａＮフィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a GaN crystal small in the size of a reversed-polarity crystalline region and low in its density and to provide a GaN crystal substrate.例文帳に追加

極性反転結晶領域の大きさが小さくまたその密度が低いＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶基板を提供する。 - 特許庁

As the growth proceeds, the surface 10a of the sapphire substrate 10 is gradually covered with the GaN crystal 13, and finally, a flat GaN crystal 13 is formed (Fig.1(c)).例文帳に追加

成長が進むと、サファイア基板１０の表面１０ａはＧａＮ結晶１３に覆われていき、平坦なＧａＮ結晶１３が形成される（図１（ｃ））。 - 特許庁

The GaN-based MOSFET 10 has a gate insulating film 15 formed between an electron traveling layer 13 made of p-GaN and a gate electrode 18.例文帳に追加

ｐ−ＧａＮからなる電子走行層１３とゲート電極１８との間にゲート絶縁膜１５が形成されたＧａＮ系ＭＯＳＦＥＴ１０である。 - 特許庁

The n-type GaN-based semiconductor layer 15, an active layer 19 and the p-type GaN-based semiconductor layer 17 are arrayed in a direction of a normal axis Nx.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ系半導体層１５、活性層１９及びｐ型ＧａＮ系半導体層１７は法線軸Ｎｘの方向に配列されている。 - 特許庁

To provide a GaN-based semiconductor laser capable of achieving long lifetime at high temperature and in high light output operation by controlling internal stress.例文帳に追加

内部応力を制御することで、高温および高光出力動作においても長寿命化が可能なGaN系半導体レーザを提供すること。 - 特許庁

As the growth proceeds, the surface 10a of the sapphire substrate 10 is gradually covered with the GaN crystal 13, and a flat GaN crystal 13 is formed (Fig.1(d)).例文帳に追加

成長が進むと、サファイア基板１０の表面１０ａはＧａＮ結晶１３に覆われていき、平坦なＧａＮ結晶１３が形成される（図１（ｄ））。 - 特許庁

Growth of GaN semiconductor 12 is suspended to grow a SiN buffer body 14, and then another GaN semiconductor layer 16 is grown.例文帳に追加

ＧａＮ半導体層１２の成長を中断してＳｉＮバッファ体を１４を成長させ、その後再びＧａＮ半導体層１６を成長させる。 - 特許庁

Since the source electrode 6 is in ohmic contact with the buffer layer 2, the buffer layer 2 made of an n-GaN layer can be made to have the same potential as the source electrode 6.例文帳に追加

ソース電極６がバッファ層２とオーミック接触しているので、n-GaN層から成るバッファ層２をソース電極６と同電位にすることができる。 - 特許庁

A Ti/Al source drain electrode is formed on the n-type GaN and a recess, wherein a part of the n-type Al_0.25Ga_0.75N is exposed, is formed between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

n型GaN上にTi/Alソース・ドレイン電極が形成され、ソース電極とドレイン電極の間にｎ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ｎの一部が露出した凹部が形成されている。 - 特許庁

In a nitride semiconductor element 10 comprising a GaN film, a GaN layer 12 is formed on the surface of a ZnO substrate 11 which is flattened.例文帳に追加

ＧａＮ膜を有する窒化物半導体素子１０は、表面が平坦化されたＺｎＯ基板１１の表面上に、ＧａＮ層１２が形成される。 - 特許庁

To improve a laser characteristic of an integrated semiconductor laser element with a GaN series semiconductor laser element and a GaP series semiconductor laser element integrated, and to prolong its life time.例文帳に追加

GaN系半導体レーザ素子とGaP系半導体レーザ素子とを集積した集積型半導体レーザ素子のレーザ特性を向上し、かつ長寿命化を図る。 - 特許庁