「OF GAN」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A GaN-based semiconductor layer 21 of the GaN-based semiconductor region 15 consists, e.g., of an n-type GaN-based semiconductor, wherein the n-type GaN-based semiconductor includes silicon.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体領域１５のＧａＮ系半導体層２１は例えばｎ型ＧａＮ系半導体からなり、ｎ型ＧａＮ系半導体にはシリコンが添加されている。 - 特許庁

The GaN layer 17 is grown on a principal surface 11b of the GaN wafer 11.例文帳に追加

ＧａＮ層１７はＧａＮウエハ１１の主面１１ｂ上に成長されている。 - 特許庁

In addition, the GaN layer 5 is formed, by laterally growing the portions of the GaN layer 3 exposed through the pinholes P as nucleus for growth, until the grown portions join to each other and the surfaces of the joints are planarized.例文帳に追加

また、GaN層５は、ピンホールＰから露出するGaN膜３を成長の核とする横方向の成長により合体し表面が平坦化されるまで成長させる。 - 特許庁

When a GaN layer containing Si is made to adjoin the surface of a sapphire substrate, the c-axis orientational distribution of the GaN layer becomes narrower, as compared with the case where Si is not substantially contained.例文帳に追加

また、サファイア基板面上にSiを含有するGaN層を隣接させると、Siが実質的に含有されていない場合に比べてGaN層のc軸配向性の分布は狭くなる。 - 特許庁

The learning of Gan Gen (Yen Yuan) was widely spread by his disciple, Ri Kyo, and was called the Gan Ri school. 例文帳に追加

顔元の学は弟子の李キョウによって喧伝され、顔李学派と呼ばれる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The GaN layer 17 is grown on a major surface 11b of the GaN wafer 11.例文帳に追加

ＧａＮ層１７はＧａＮウエハ１１の主面１１ｂ上に成長されている。 - 特許庁

The grid constant of the GaN layer 2 coincides with that of the GaN growth layer 3, and the GaN growth layer 3 is grown while succeeding the high crystallinity of the GaN layer 2 whereby the GaN growth layer 3, high in the crystallinity, is obtained.例文帳に追加

ＧａＮ層２とＧａＮ成長層３の格子定数が一致し、ＧａＮ成長層３はＧａＮ層２の高い結晶性を引き継いで成長するため、結晶性の高いＧａＮ成長層３が得られる。 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING LIGHT-EMITTING DEVICE, LIGHT-EMITTING DEVICE, METHOD FOR PRODUCTION OF GaN SUBSTRATE, AND GaN SUBSTRATE例文帳に追加

発光デバイスの製造方法、発光デバイス、ＧａＮ基板の製造方法およびＧａＮ基板 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GaN-BASED LIGHT EMITTING DIODE ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ系発光ダイオード素子の製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GAN-BASED LIGHT-EMITTING DIODE ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ系発光ダイオード素子の製造方法 - 特許庁

The guard ring 30 is made of a second-conductivity-type p-type GaN to the GaN layer 13.例文帳に追加

ガードリング３０は、ＧａＮ層１３とは第２導電型のｐ型ＧａＮからなる。 - 特許庁

To avoid absorption of light in a GaN layer in a light-emitting device using GaN.例文帳に追加

ＧａＮを用いた発光素子において、ＧａＮ層での光の吸収を抑制する。 - 特許庁

The GaN layer 17 forms a homojunction 19 with the major surface 11b of the GaN wafer 11.例文帳に追加

ＧａＮ層１７はＧａＮウエハ１１の主面１１ｂとホモ接合１９を成す。 - 特許庁

To reduce the dislocation density of GaN layers in a GaN compound semiconductor device.例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体装置において、ＧａＮ系層の転位密度を低減する。 - 特許庁

The GaN layer 17 forms a homojunction with the principal surface 11b of the GaN wafer 11.例文帳に追加

ＧａＮ層１７はＧａＮウエハ１１の主面１１ｂとホモ接合１９を成す。 - 特許庁

Thus, a GaN off substrate 25 with an off surface formed on the first GaN layer 4 is produced, and a second GaN layer is grown on the off surface of the first GaN layer 4.例文帳に追加

このようにして、第１ＧａＮ層４にオフ面が形成されたＧａＮオフ基板２５を作製し、第１ＧａＮ層４のオフ面に第２ＧａＮ層を成長させる。 - 特許庁

Particularly, the sapphire substrate separating step can prevent the surface of a GaN crystal from being damaged and can manufacture a more excellent vertical GaN light emitting diode.例文帳に追加

特に、本発明において提案したサファイア基板の分離工程はGaN結晶面のダメージを防止でき、より優れた垂直構造GaN発光ダイオードが製造できるとの利点がある。 - 特許庁

in the Chinese 'gan zhi' sexagenary cycle, the ninth of the ten celestial stems, called 'Mizunoto' in Japanese 例文帳に追加

十干の十番目の千である癸 - EDR日英対訳辞書

On a sapphire substrate 1, an undoped GaN buffer layer 2, n-type GaN layer 3, and p-type GaN layer 4 are formed in order, part of the region from the p-type GaN layer 4 to n-type GaN layer 3 is removed, and the n-type GaN layer 3 is exposed.例文帳に追加

サファイア基板１上にアンドープのＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮ層３およびｐ型ＧａＮ層４を順に形成し、ｐ型ＧａＮ層４からｎ型ＧａＮ層３までの一部領域を除去し、ｎ型ＧａＮ層３を露出させる。 - 特許庁

To provide a growth method of a GaN crystal capable of controlling the occurrence of cracks and growing a thick GaN crystal and a GaN crystal substrate.例文帳に追加

クラックの発生を抑制して厚いＧａＮ結晶を成長させることが可能なＧａＮ結晶の製造方法およびＧａＮ結晶基板を提供する。 - 特許庁

A two-dimensional electron gas is produced at the upper side of the undioped GaN layer 102, and the upper side functions as the channel layer of the field effect transistor.例文帳に追加

アンドープGaN層102上部には二次元電子ガスが発生しており、アンドープGaN層102上部は電界効果トランジスタのチャネル層として機能する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nitride semiconductor element by which the end face of a resonator of a GaN-based semiconductor laser can be stably formed.例文帳に追加

GaN系半導体レーザの共振器端面を安定に形成する製造方法を提供する。 - 特許庁

SiC, GaN SEMICONDUCTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THEM例文帳に追加

ＳｉＣ、ＧａＮ半導体及びその製造方法 - 特許庁

GaN-BASED LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

ＧａＮ系発光素子およびその製造方法 - 特許庁

To provide the GaN light emitting diode of a new structure that can improve the luminance and reliability of the diode.例文帳に追加

輝度及び素子の信頼性を向上させられる新たな構造のGaN発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

Then, a GaN layer 4, which contains magnesium as a dopant is laminated thereon at a lower pressure than the GaN layer 3, by which pits formed in the GaN layer 3 are filled with the GaN layer 4, and the surface of the GaN layer 4 becomes flat.例文帳に追加

次に、その上に、マグネシウムをドーパントとして含むＧａＮ層4をＧａＮ層3よりも低圧で積層させ、ＧａＮ層4によって、ＧａＮ層3に生じたピットを埋めてＧａＮ層4の表面を平坦にする。 - 特許庁

The semiconductor device is deposited on the substrate having a surface orientation of an angle of 0.05°or more different from a (0001) surface of GaN or AlN.例文帳に追加

半導体素子をGaNまたはAlNの(0001)面より0.05度以上角度の異なる面方位の基板上に堆積する。 - 特許庁

After that, polishing is performed to a part of the GaN film 2 which part is irradiated with the laser, the GaN film 2 is flattened, and a GaN wafer 21 is obtained.例文帳に追加

その後、ＧａＮ膜２のレーザを照射された部分に対し研磨を行い、ＧａＮ膜２を平らにしてＧａＮウェハ２１を得る。 - 特許庁

A method of manufacturing a GaN-based HEMT includes a step of growing at least one GaN-based semiconductor layer 30 onto the GaN thin film 10a of the GaN thin film bonded substrate 1.例文帳に追加

ＧａＮ系ＨＥＭＴの製造方法は、上記ＧａＮ薄膜貼り合わせ基板１のＧａＮ薄膜１０ａ上への少なくとも１層のＧａＮ系半導体層３０の成長工程を含む。 - 特許庁

The GaN crystal 550 is formed on the GaN crystal 530 and comprises a plurality of domains 540.例文帳に追加

ＧａＮ結晶５５０は、ＧａＮ結晶５３０上に形成され、複数のドメイン５４０からなる。 - 特許庁

The GaN crystal 550 is formed on the GaN crystal 530 and comprises a plurality of domains 540.例文帳に追加

ＧａＮ結晶５５０は、ＧａＮ結晶５３０上に形成され、複数のドメイン５４０からなる。 - 特許庁

The GaN layer 13 is removed for the depth of about 2 μm by dry etching and trapezoidal groove stripes are formed.例文帳に追加

GaN層13をドライエッチングにより深さ2μm程度除去し、台形状の溝ストライプを形成する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GALLIUM NITRIDE (GaN) COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL, AND GALLIUM NITRIDE (GaN) COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体結晶の製造方法及びＧａＮ系化合物半導体結晶 - 特許庁

The GaN layer 5 formed in such a way has a screw transition density lower than that of the GaN layer 2.例文帳に追加

このようにして形成されたＧａＮ層５は、ＧａＮ層２よりもスクリュー転位密度が低い。 - 特許庁

A specimen consisting of a p-GaN layer 1, an n-GaN layer 2 and a mask 3 is formed (Fig. 1a).例文帳に追加

ｐ−ＧａＮ層１、ｎ−ＧａＮ層２、マスク３からなる試料を作製する（図１ａ）。 - 特許庁

A GaN semiconductor layer is grown from the opening 112 of the mask 11 to obtain the GaN substrate.例文帳に追加

マスク１１の開口部１１２からＧａＮ半導体層を成長させ、ＧａＮ基板を得る。 - 特許庁

An n^--GaN layer 11 is regrown on the upper surface of the n^--GaN layer 11 and the upper surface of the p-GaN layer 13 by an MOCVD method.例文帳に追加

ｎ^- −ＧａＮ層１１の上面、および、ｐ−ＧａＮ層１３の上面に、ｎ^- −ＧａＮ層１１をＭＯＣＶＤ法により再成長させる。 - 特許庁

GAN-BASED SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING GAN-BASED SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT, EPITAXIAL WAFER, AND METHOD OF GROWING GAN-BASED SEMICONDUCTOR FILM例文帳に追加

ＧａＮ系半導体光素子、ＧａＮ系半導体光素子を作製する方法、エピタキシャルウエハ及びＧａＮ系半導体膜を成長する方法 - 特許庁

Upper part of the part where GaN 32 is grown epitaxially in the lateral direction may be a region where propagation of through dislocation in the GaN layer 31 is suppressed.例文帳に追加

このときGaN32が横方向エピタキシャル成長した部分の上部は、GaN層31が有する貫通転位の伝搬が抑制された領域とすることができる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DIODE例文帳に追加

ＧａＮ系半導体発光ダイオードの製造方法 - 特許庁

GAN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＧａＮ系半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF LATERALLY GROWING GaN WITH INDIUM DOPING例文帳に追加

Ｉｎドーピングを通したＧａＮ側面成長方法 - 特許庁

LIGHT-EMITTING DEVICE OF GaN GROUP, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＧａＮ基の発光装置及びその製造方法 - 特許庁

GaN-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＧａＮ系半導体素子およびその製造方法 - 特許庁

A GaN layer 31 is etched into an island shape of dot, stripe, lattice or the like to provide step differences, and a mask 4 is formed on the bottoms of the step differences to have such a thickness that the upper surface of the step differences are lower than the upper surface of the GaN layer 31.例文帳に追加

GaN層３１を点状、ストライプ状又は格子状等の島状態にエッチングして段差を設け、底部にその上面がGaN層３１の上面よりも低い位置となる厚さでマスク４を形成する。 - 特許庁