「P-CM」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The carbon concentration of the p-type GaN-based semiconductor layer 17 is at least 2×10^16 cm^-3 and not more than 1×10^19 cm^-3.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系半導体層１７の炭素濃度は２×１０^１６ｃｍ^−３以上１×１０^１９ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

The pitches E.F of the markings 15 are larger than that P of the knots 12, are 30 cm or shorter and made the integer times of 5 cm.例文帳に追加

刻印１５のピッチＥ・Ｆは、節１２のピッチＰよりも大きく、且つ、３０ｃｍ以下で５ｃｍの整数倍にする。 - 特許庁

(2) Ceq=C+Mn/6+Si/24+Ni/40+Cr/5+Mo/4+V/14≥0.34; and (3) P_CM=C+Si/30+Mn/20+Cu/20+Ni/60+Cr/20+Mo/15+V/10+5B≥0.17.例文帳に追加

−{119.6Mn＋18.4Ni＋278.3Mo}＋{292.1Si＋142.6Cu＋2615.1Ｖ｝≦−80 …（１）Ｃeq=Ｃ＋Mn/６＋Si/24＋Ni/40＋Cr/５＋Mo/４＋Ｖ/14≧0.34 …（２）Ｐ_CM＝Ｃ＋Si/30＋Mn/20＋Cu/20＋Ni/60＋Cr/20＋Mo/15＋Ｖ/10＋５Ｂ≧0.17 …（３） - 特許庁

A p-side electrode 114 is formed over a p^+-GaAs contact layer 113 having a doping concentration of ≥1×10^18 cm^-3 and a p-AlGaAs second upper cladding layer 109 having a doping concentration of ≤1×10^17 cm^-3.例文帳に追加

ドーピング濃度が１×１０^18ｃｍ^-3以上のｐ^+-ＧaＡsコンタクト層１１３上およびドーピング濃度が１×１０^17ｃｍ^-3以下のｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９上にｐ側電極１１４を形成する。 - 特許庁

The impurity density of the p-type body regions 14 is 5×10^16 cm^-3 or more.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域１４における不純物密度は５×１０^１６ｃｍ^−３以上となっている。 - 特許庁

The helical protrusion 58a has a rising angle θ1 of about 63° and a pitch P of 30 cm.例文帳に追加

らせん状突起５８は、立ち上がり角度θ１が約６３°であり、ピッチＰは３０ｃｍである。 - 特許庁

At this time, the washing is preferably executed under such conditions under which p×t attains a range of 2,000 to 15,000 when the pressure of the pad is defined as p (g/cm2) and the washing time as t (sec).例文帳に追加

このとき、パッドの圧力をｐ(g/cm^2) 、洗浄時間をｔ(sec) としたとき、ｐ×ｔが２０００〜１５０００の範囲となる条件が望ましい。 - 特許庁

The p-type impurity density in the p-type body regions 4 is more than or equal to 5×10^16 cm^-3.例文帳に追加

そして、ｐ型ボディ領域４におけるｐ型不純物密度は５×１０^１６ｃｍ^−３以上である。 - 特許庁

The p-type GaN layer 12 is doped with p-type impurities, i.e., Mg (magnesium) and O (oxygen), by about 1×10^20 cm^-3 and 3×10^19 cm^-3, respectively.例文帳に追加

ここで、ｐ型ＧａＮ層１２は、ｐ型不純物のＭｇ（マグネシウム）とＯ（酸素）が、それぞれ、Ｍｇは１×１０^20ｃｍ^-3程度、Ｏ（酸素）は３×１０^19ｃｍ^-3程度ドーピングされている。 - 特許庁

Fiber occupation ratio (%) (A)=0.106×n×√(D)/(P-T), and n means the number of thread to be put in one reed, D means fineness (dtex) of polyhexamethylene adipamide, P means reed wire pitch (cm), and T means thickness (cm) of the reed wire.例文帳に追加

繊維占有率（％）(Ａ)＝０．１０６×ｎ×√（Ｄ）/（Ｐ−Ｔ）ｎ：筬1羽に入れる糸本数 、Ｄ：ポリヘキサメチレンアジパミドの繊度（ｄｔｅｘ）Ｐ：筬羽ピッチ（ｃｍ） 、Ｔ：筬羽厚（ｃｍ） - 特許庁

The yarn occupation index=0.106×n×√(D)/(P-T), wherein n is the number of yarns pulled in each dent; D is the fineness (dtex) of the polyhexamethylene adipamide yarn; P is a dent pitch (cm); T is a dent thickness (cm).例文帳に追加

繊維占有指数 ＝ ０．１０６×ｎ×√（Ｄ）/（Ｐ−Ｔ）ｎ：筬1羽に入れる糸引き込み本数Ｄ：ポリヘキサメチレンアジパミドの繊度（ｄｔｅｘ）Ｐ：筬羽ピッチ（ｃｍ）Ｔ：筬羽厚（ｃｍ） - 特許庁

The yarn occupation index=0.106×n×√(D)/(P-T), wherein n is the number of yarns pulled in each dent; D is the fineness (dtex) of the polyhexamethylene adipamide yarn; P is a dent pitch (cm); T is a dent thickness (cm).例文帳に追加

繊維占有指数 ＝ ０．１０６×ｎ×√（Ｄ）/（Ｐ−Ｔ）ｎ：筬1羽に入れる糸引き込み本数 Ｄ：ポリヘキサメチレンアジパミドの繊度（ｄｔｅｘ） Ｐ：筬羽ピッチ（ｃｍ） Ｔ：筬羽厚（ｃｍ） - 特許庁

Here, the impurity concentration of the P silicon substrate 3 is 1×10^16 cm^-3 or more (specific resistance is 1.5 Ω-cm or lower) when fixed to a ground electric potential while 1×10^15 cm^-3 or less (specific resistance is 15 Ω-cm or higher) in a floating state.例文帳に追加

ここで、Ｐシリコン基板３の不純物濃度は、グランド電位に固定されるときは１×１０^16ｃｍ^-3以上（比抵抗１．５Ω−ｃｍ以下）、フローティング状態にされるときは１×１０^15ｃｍ^-3以下（比抵抗１５Ω−ｃｍ以上）とする。 - 特許庁

When an image including the image of logo described in the pattern file is detected at a position P_Logo, the start position of the commercial is specified as a position P_S, and the end position is specified as a position P_E on the basis of the start position and end position of the commercial described in the pattern file.例文帳に追加

パターンファイルに記述されるロゴのイメージを含む画像が位置Ｐ_Logoで検出された場合、パターンファイルに記述されるCMの開始位置、終了位置に基づいて、CMの開始位置が位置Ｐ_S、終了位置が位置Ｐ_Eであると特定される。 - 特許庁

The p-type group III nitride semiconductor region 19 includes a first p-type gallium nitride-based semiconductor layer 21, and the oxygen concentration of the first p-type gallium nitride-based semiconductor layer 21 is 5×10^17 cm^-3 or less.例文帳に追加

ｐ型III族窒化物半導体領域１９は、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１を含み、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１の酸素濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

At the interface between a semiconductor layer 18, including P and a regrowth p-type semiconductor layer 22 formed above it, a p^+-type semiconductor layer 21 is formed that contains As and Ga, whose doping concentration is 5×10^18 cm^-3 or higher.例文帳に追加

Ｐを含む半導体層１８とその上に形成されたｐ型の再成長半導体層２２との界面に、ドーピング濃度が５×１０^18cm^-3以上であるＧaとＡsとを含むｐ^+型の半導体層２１を形成している。 - 特許庁

A p-SiC semiconductor single crystal containing as impurities 1×10^20 cm^-3 Al and 2×10^18 to 7×10^18 cm^-3 N is also provided.例文帳に追加

上記の方法により製造され、不純物として１×１０^20ｃｍ^-3のＡｌおよび２×１０^18〜７×１０^18ｃｍ^-3のＮを含有することを特徴とするｐ型ＳｉＣ半導体単結晶。 - 特許庁

The p-type GaN-based semiconductor layer 6 has an impurity concentration of ≤1×10^20 cm^-3, and the first n-type GaN-based semiconductor layer 4 has an impurity concentration of ≤1×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系半導体層６の不純物濃度は、１×１０^２０ ｃｍ^−３以下であり、第１ｎ型ＧａＮ系半導体層４の不純物濃度は１×１０^１８ｃｍ^−３以下に構成される。 - 特許庁

The p^+ region 25 is formed on the substrate, is of a second conductivity type different from the first conductivity type, and has an impurity concentration of 1×10^20 cm^-3 to 5×10^21 cm^-3 inclusive.例文帳に追加

ｐ^＋領域２５は、基板上に形成され、前記第１導電型とは異なる第２導電型の導電性不純物濃度が１×１０^２０ｃｍ^−３以上５×１０^２１ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

Preferably, impurity concentration of the p-type first doped layer 52 is set in the range of 5×10^16 cm^-3 to 3×10^17 cm^-3.例文帳に追加

好ましくは、ｐ型第１ドープ層５２の不純物濃度は、概ね５×１０^１６ｃｍ^−３以上３×１０^１７ｃｍ^−３以下となるようにする。 - 特許庁

The method for receiving the signal, which is transmitted over a pair of signal wires (P, N) is measuring a differential mode (DM) signal and is measuring a common mode (CM) signal and using both DM and CM to restore the original signal.例文帳に追加

一対の信号線（Ｐ、Ｎ）を介して伝送されるを受信する信号受信方法は、差動モード（ＤＭ）信号を検出し、ＤＭ及びＣＭを用いて同相モード（ＣＭ）信号を検出し、元の信号を再生する。 - 特許庁

[wherein, n is the number of yarns drug into one reed dent; D is the fineness (dtex) of the polyhexamethyleneadipamide fiber; P is the pitch (cm) of the reed dents; and T is the thickness (cm) of the reed dent].例文帳に追加

繊維占有指数 ＝ ０．１０６×ｎ×√（Ｄ）/（Ｐ−Ｔ）ｎ：筬1羽に入れる糸引き込み本数 Ｄ：ポリヘキサメチレンアジパミドの繊度（ｄｔｅｘ） Ｐ：筬羽ピッチ（ｃｍ） Ｔ：筬羽厚（ｃｍ） - 特許庁

The acceptor concentration N_a in the channel region 29 of the p-type body region 22 is no fewer than 1×10^16 cm^-3 nor more than 2×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域２２のチャネル領域２９におけるアクセプタ濃度Ｎ_ａは１×１０^１６ｃｍ^−３以上２×１０^１８ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

At this time, the concentration of P (phosphorus) is controlled to be lower than 1×10^16 atomicity cm^-3 in an interface with the window layer 27 of the nitride semiconductor laser device 10.例文帳に追加

このとき窒化物半導体レーザ素子１０の窓層２７との界面のＰ（リン）濃度は１×１０^16原子数・ｃｍ^-3以下であるものとする。 - 特許庁

Or, the electron transit layer contains an As or P of 1×10^19 to 5×10^20 cm^-3.例文帳に追加

または、前記電子走行層はＡｓまたはＰを１×１０^19ｃｍ^^-3以上、５×１０^20ｃｍ^-3以下含む。 - 特許庁

Carrier density of the diffraction grating 50 and the p-InP buried layer 52 is adjusted to 1×10^18 [cm^-3].例文帳に追加

回折格子５０及びｐ−ＩｎＰ埋め込み層５２のキャリア密度は、１×１０^18〔ｃｍ^-3〕になるように調節されている。 - 特許庁

The porous area P has communicating pores having a three-dimensional mesh structure, the air permeability of which is preferably 0.5 to 10×10^-3 cm^2.例文帳に追加

多孔質領域Ｐは、３次元網目構造の連通気孔を有し、その空気透過率は好ましくは０．５〜１０×１０^−３ｃｍ^２である。 - 特許庁

In some embodiments, the mean dislocation density of the p type layer of the active region is smaller than about 5×10^8 cm^-2.例文帳に追加

いくつかの実施形態では、活性領域のｐ型層の平均転位密度は、約５×１０^８ｃｍ^−２よりも小さい。 - 特許庁

The p-type InGaAs contact layer 14 has: a Be-doping concentration of ≥7×10^18 cm^-3; and a thickness of <300 nm.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４は、Ｂｅドーピング濃度が７×１０^１８ｃｍ^−３以上、厚みが３００ｎｍより薄い。 - 特許庁

In some embodiments, the average dislocation density of the p-type layer in the active region is lower than approximately 5×10^8 cm^-2.例文帳に追加

いくつかの実施形態では、活性領域のｐ型層の平均転位密度は、約５×１０^8ｃｍ^-2よりも小さい。 - 特許庁

For example, at least a surface region of a p-type well 12 is set to a boron concentration of ≤1E15 cm^-3.例文帳に追加

たとえば、ｐ型ウェル１２の少なくとも表面領域のボロン濃度が１Ｅ１５ｃｍ^-3以下となるように設定する。 - 特許庁

The carrier concentration near the pn junction of the low carrier concentration p type InP layer 26 is equal to or less than 5×10^17 cm^-3.例文帳に追加

低キャリア濃度ｐ型ＩｎＰ層２６のｐｎ接合近辺のキャリア濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

Resistivity p (Ω.cm) of a voltage base layer of a longitudinal semiconductor with a dielectric strength V_br (V) lies in the range such that -5.34+0.0316 V_bf<ρ<-1.86+0.0509 V_br.例文帳に追加

耐圧Ｖ_br（V ）の縦型半導体装置の電圧支持層の抵抗率ρ（Ω・cm）を、 -5.34 ＋0.0316Ｖ_br＜ρ＜-1.86 ＋0.0509Ｖ_br で定まる範囲とする。 - 特許庁

The concentration of impurity on the surface of the p-type diffusion layer 12 is 5×10^15 to 2×10^16 cm^-3.例文帳に追加

Ｐ型拡散層１２の表面不純物濃度は５×１０^１５〜２×１０^１６ｃｍ^−３である。 - 特許庁

(2); wherein P_CM denotes a value (mass%) obtained by prescribed relational formula; and [TS] denotes the measured value of tensile strength.例文帳に追加

Ｗ＝1.3/｛-0.1[Mn]+3[Cu]+2.5[Ni]+0.6[Mo]+0.3[Cr]+0.1｝^0.5 … (1) Ｙ＝Ｐ_ＣＭ/｛0.18+0.02[([TS]−570)/100]^2} … (2) 但し、Ｐ_ＣＭは、所定の関係式で求められる値（質量％）であり、[TS]は、引張り強度実測値を示す。 - 特許庁

Carrier concentration of the p-type GaAs contact layer 17 is specified to be 1.0×10^19 cm^-3.例文帳に追加

このｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７のキャリア濃度は１．０×１０^19ｃｍ^-3に設定されている。 - 特許庁

By implanting ions into the p-type anode region 3 at a low dose of 3×10^12 cm^-2 to 3×10^13 cm^-2, injection of holes from the p-type anode region 3 is suppressed and thereby reverse recovery characteristics can be improved.例文帳に追加

ｐアノード領域３を、３×１０^12ｃｍ^-2から３×１０^13ｃｍ^-2 の低ドーズ量でイオン注入を行い、６００℃以下の低温アニールすることで、ｐアノード領域３からの正孔の注入を抑制して、逆回復特性を改善する。 - 特許庁

A relation of H/P^3≤10 is fulfilled on condition that P (cm) is the distance between the gap between the cell chambers, and H (cm) is the distance from the upper surface of the lid on which, the opening is formed at the bottom surface of a battery case.例文帳に追加

前記間隙を形成するセル室間の間隔をＰ（ｃｍ）とし、前記開口部が設けられている蓋上面から電槽底面までの距離をＨ（ｃｍ）としたとき、Ｈ／Ｐ^３≦１０の関係が成立していることを特徴とするものである。 - 特許庁

The p-type GaP layer 14 is added with Zn as an acceptor impurity, and provided with a Zn concentrated layer 14a of Zn density of ≥4.0×10^18 atoms/cm^3 and ≤1.0×10^19 atoms/cm^3 on a side contacting with a p-electrode 15 for power supply.例文帳に追加

ｐ型ＧａＰ層１４には、アクセプタ不純物としてＺｎが添加されており、電力供給用のｐ電極１５と接する側に、Ｚｎ濃度が４．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１．０×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のＺｎ濃化層１４ａが設けられている。 - 特許庁

In a sputtering film deposition apparatus which deposits a film while swinging a magnet 24 nearly parallel to the surface of the target 18, the film is deposited under such a condition that the ratio P/V of sputtering power density P (W/cm^2) to the average swing speed V (cm/s) of the magnet 24 is ≥0.2 (W×s/cm^3).例文帳に追加

ターゲット１８表面に略平行にマグネット２４を揺動させつつ成膜を行うスパッタリング成膜装置において、スパッタリング電力密度Ｐ（ワット／平方センチメートル）と、マグネット２４の平均揺動速度Ｖ（センチメートル／秒）の比Ｐ／Ｖが０．２（ワット・秒／立方センチメートル）以上となる条件で成膜する。 - 特許庁

To provide the crystal growth method of a p-type group III nitride semiconductor by which the activation rate of a p-type dopant can be improved and high carrier concentration exceeding 10^18 cm^-3 order be obtained.例文帳に追加

ｐ型ドーパントの活性化率を向上させ、１０^18ｃｍ^-3のオーダーを超える高キャリア濃度を得ることの可能なｐ型III族窒化物半導体の結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

A p-AlGaAs first upper cladding layer 108 having a doping concentration of 1×10^18 cm^-3 is formed between the p-AlGaAs second upper cladding layer 109 and a multiple strained quantum well active layer 106.例文帳に追加

ｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９と多重歪量子井戸活性層１０６との間に、ドーピング濃度が１×１０^18ｃｍ^-3のｐ-ＡlＧaＡs第１上クラッド層１０８を形成する。 - 特許庁

In a first embodiment, a P-transition layer having a specific resistance of about 7 Ω/cm or higher is formed between a P-conductive layer and a metal contact.例文帳に追加

第１実施形態では、約７Ωｃｍ以上の抵抗率を有するＰ型遷移層が、Ｐ型伝導層と金属コンタクトとの間に形成される。 - 特許庁

A p-type InP buffer layer 2 containing low concentration Zn, and an undoped InP buffer layer 3 with a carrier concentration of 3×10^17 cm^-3 or less, are stacked on a p-type InP substrate 1 containing Zn.例文帳に追加

Znを含むｐ型InP基板１の上に、低濃度のZnを含むｐ型InPバッファ層２、キャリア濃度が３×１０^１７ｃｍ^−３以下となるアンドープInPバッファ層３を積層する。 - 特許庁

In the p-type MgZnO-based thin film 1, nitrogen as a p-type impurity, which serves as an acceptor, is contained in a concentration of not less than about 5.0×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ｐ型ＭｇＺｎＯ薄膜１は、アクセプタとなるｐ型不純物の窒素が約５．０×１０^１８ｃｍ^−３以上の濃度で含まれている。 - 特許庁