「SALICIDE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To increase the reliability of a semiconductor device including a salicide film.例文帳に追加

サリサイド膜を含む半導体装置の信頼性を高める。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device using a salicide process for forming a low resistive substance salicide film.例文帳に追加

低抵抗物質のシリサイド膜を形成するサリサイド工程を用いる半導体素子の製造方法を提供するにある。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE UTILIZING NICKEL SALICIDE PROCESS例文帳に追加

ニッケルサリサイド工程を利用した半導体素子の製造方法 - 特許庁

In a salicide process, a means for suppressing the progress of salicide reaction in the source drain diffusion layer of the memory transistor is adopted and, thereafter, a metal film is deposited to cause the salicide reaction.例文帳に追加

サリサイド工程において、メモリトランジスタのソース・ドレイン拡散層におけるシリサイド反応の進行を抑制する手段を講じてから、金属膜を堆積してシリサイド反応を起こさせる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon-salicide which is of a low-resistivity and stable and a semiconductor device and integrated circuit structure including the salicide attained by the salicide-forming method.例文帳に追加

抵抗値が低く且つ安定なシリコンサリサイドを製造する方法、及び該サリサイド形成方法により得られるサリサイドを含む半導体デバイス及び集積回路構造を提供すること。 - 特許庁

STATIC ELECTRICITY DISCHARGE PROTECTED SALICIDE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

静電気放電保護されたサリサイド素子およびその製造方法 - 特許庁

Then, reaction of the salicide precursor and the upper side layer is performed and a salicide which is self-aligned to the upper side layer is formed.例文帳に追加

その後、サリサイド前駆体と上側層の反応が行われ、上側層に対して自己整合するサリサイドが形成される。 - 特許庁

To provide a method for forming a self-alignment silicide (salicide) layer.例文帳に追加

自己整合的ケイ化物（サリサイド）層の形成方法を提供する。 - 特許庁

SALICIDE PROCESS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

サリサイド工程及びこれを利用した半導体素子の製造方法 - 特許庁

Thereafter, the salicide process is executed, to form a metal silicide layer 12.例文帳に追加

その後、サリサイドプロセスを実行して金属シリサイド層１２を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING ELEVATED SALICIDE SOURCE/DRAIN REGION, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

エレベイテッドサリサイドソース／ドレイン領域の形成方法、および半導体素子 - 特許庁

Finally, no reaction portion of the salicide precursor is removed, while preserving the portion of the salicide precursor on the isolation region as the main body of the thermistor.例文帳に追加

最後に、分離領域上のサリサイド前駆体の部分をサーミスタの本体として保存しつつ、サリサイド前駆体の無反応部分の除去が行われる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SALICIDE TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

サリサイドトランジスタの製造方法、半導体記憶装置および半導体装置 - 特許庁

Normal salicide reaction is done in a logic transistor, and the salicide film of the memory transistor is thinned whereby the low leak property and the high-speed operating property are realized in parallel.例文帳に追加

ロジックトランジスタでは通常のシリサイド反応が行なわれ、メモリトランジスタのシリサイド膜が薄くなるので、低リーク性と高速動作性とが併せて実現される。 - 特許庁

ELECTRONIC DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF INCLUDING NONVOLATILE MEMORY CELL SUBJECTED TO NON-SALICIDE PROCESSING, HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR SUBJECTED THERETO, AND JUNCTION LOW-VOLTAGE TRANSISTOR SUBJECTED TO SALICIDE PROCESSING例文帳に追加

非サリサイド処理不揮発性メモリセル、非サリサイド処理高電圧トランジスタ、及びサリサイド処理接合低電圧トランジスタを含む電子デバイスの製法および電子デバイス - 特許庁

To suppress the variation in sheet resistance of a silicide layer formed in a salicide process.例文帳に追加

サリサイド工程で形成されるシリサイド層のシート抵抗ばらつきを抑制する。 - 特許庁

WELL-TO-SUBSTRATE PHOTODIODE FOR USE IN CMOS SENSOR BASED ON SALICIDE PROCESS例文帳に追加

サリサイド・プロセスに基づくＣＭＯＳセンサ中で使用するウエル−基板フォトダイオード - 特許庁

A salicide precursor layer is formed on the isolation region and the upper side layer.例文帳に追加

この分離領域ならびに上側層上にサリサイド前駆体の層が形成される。 - 特許庁

To provide a salicide process and a method for manufacturing a semiconductor device using the same.例文帳に追加

サリサイド工程及びこれを利用した半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve performance of a semiconductor device having a metal silicide layer formed in a salicide process.例文帳に追加

サリサイドプロセスで金属シリサイド層を形成した半導体装置の性能を向上させる。 - 特許庁

Thus, the uniform salicide metal layers 160, 162, 170 and 172 can be obtained.例文帳に追加

これにより、均一なサリサイドメタル層１６０、１６２、１７０、１７２を得ることができる。 - 特許庁

To improve performance of a semiconductor device in which a metal silicide layer is formed by a salicide process.例文帳に追加

サリサイドプロセスで金属シリサイド層を形成した半導体装置の性能を向上させる。 - 特許庁

A method for forming a silicide layer includes a pre-amorphous implanting step before a salicide process.例文帳に追加

本方法は、サリサイドプロセスを行う前に、プレアモルファス打ち込みプロセスを行う段階を含む。 - 特許庁

To improve the performance of a semiconductor device, in which a metal silicide layer is formed by a salicide process.例文帳に追加

サリサイドプロセスで金属シリサイド層を形成した半導体装置の性能を向上させる。 - 特許庁

To improve the performance of a semiconductor device having a metal silicide layer formed by a salicide process.例文帳に追加

サリサイドプロセスにより金属シリサイド層を形成した半導体装置の性能を向上させる。 - 特許庁

To provide a resistance element suitable for semiconductor devices containing CMOS transistors of a salicide structure.例文帳に追加

サリサイド構造のＣＭＯＳトランジスタの含んだ半導体装置に適した抵抗素子を提供する。 - 特許庁

A salicide process for forming a self-aligned silicide layer in an MOS element Q1 is carried out.例文帳に追加

ＭＯＳ型素子Ｑ１に自己整合的にシリサイド層を形成するサリサイド工程が実施される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an image sensor suitable for preventing salicide from forming in a photodiode region, while selectively forming salicide in a gate electrode of a transistor adjacent to a photodiode.例文帳に追加

フォトダイオード領域でサリサイドが形成されることを防止しながらフォトダイオードに隣接したトランジスタのゲート電極には選択的にサリサイドを形成するのに好適なイメージセンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vertical bipolar transistor having been subjected to salicide processing through which a base-side depletion layer sufficiently spreads by forming a salicide offset region to prevent problems such as a leakage current and a decrease in junction breakdown voltage.例文帳に追加

サリサイドオフセット領域の形成により、ベース側の空乏層が十分に広がり、リーク電流や接合耐圧低下の問題を防ぐサリサイド処理を行った縦型バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

Thereafter, a high density diffusion layer and a salicide layer are formed to form an interlayer insulating film on the entire face.例文帳に追加

その後、高濃度拡散層及びサリサイド層を形成し、全面に層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

ELECTRONIC DEVICE HAVING LV TRANSISTOR INCLUDING SALICIDE JUNCTION AND NON-VOLATILE MEMORY CELL, AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

サリサイド接合をもつＬＶトランジスタ及び不揮発性メモリセルを有する電子装置及びその製造方法 - 特許庁

MOS TRANSISTOR HAVING LOW RESISTOR SALICIDE GATE, SELF-ALIGNMENT CONTACT BETWEEN THEM, AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

低抵抗サリサイドゲートを有するＭＯＳトランジスタ、及びそれらの間の自己整合コンタクト、並びに製造方法 - 特許庁

The non-salicide region is preferred to be of such a shape as the ratio between area and circumference is 8:1 to 24:1.例文帳に追加

非サリサイド領域は、面積対外周の比が８：１〜２４：１となる形状を持っていることが望ましい。 - 特許庁

A region 10 where the salicide layer does not exist is provided as a high resistance part at a part of the polysilicon film 5.例文帳に追加

ポリシリコン膜５の一部にはサリサイド層が存在しない領域１０が高抵抗部として設けられている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gate electrode structure improved in salicide resistance in a narrow width polycide gate.例文帳に追加

幅の狭いポリサイドゲートにおけるシリサイドの抵抗が改善されたゲート電極構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

The diffusion region 12 covered by the salicide layer 2 is formed sufficiently deeper than a spike 16.例文帳に追加

そして、サリサイド層２によって覆われた拡散領域１２は、スパイク１６より十分に深く形成されている。 - 特許庁

To provide a salicide process that can form a Co silicide layer having low resistance and little junction leakage current.例文帳に追加

低抵抗で、かつ接合リーク電流の少ないＣｏシリサイド層を形成することのできるサリサイドプロセスを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device to which SALICIDE technology can easily be applied, and to provide the manufacturing method of the device.例文帳に追加

ＳＡＬＩＣＩＤＥ技術を容易に適用することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To establish a technique which is capable of turning cobalt or the like to silicide or salicide at mass production level, through high-temperature sputtering method.例文帳に追加

高温スパッタリング法を用いたコバルト等のシリサイド化あるいはサリサイド化技術の量産レベルでの確立を図る。 - 特許庁

To provide a high-voltage transistor for which transistor space can be reduced and a salicide process can be applied, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

トランジスタの面積を減らし、サリサイド工程を適用できる高電圧トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, when unreacted metals are removed in the course of the salicide process, the second sidewall spacer 9M is removed simultaneously.例文帳に追加

その際、サリサイドプロセスの過程で未反応の金属を除去する際に、第２サイドウォールスペーサー９Ｍは同時に除去される。 - 特許庁

The salicide step includes a step for forming a metallic layer 210 on the substrate 200, a step for forming a salicide layer 212 on a silicon surface in a rapid thermal process(RTP), and a step for removing a metallic layer 210 that is not reactivated.例文帳に追加

サリサイドプロセスは、基板２００の上に金属層２１０を形成する段階と、ラピッドサーマルプロセス（ＲＴＰ）を行ってシリコン表面上にサリサイド層２１２を形成する段階と、反応しなかった金属層２１０を除去する段階とを含む。 - 特許庁

The transistor Q1 is of a nonsalicide structure NS, while the transistor Q2 is of a salicide structure S.例文帳に追加

第１のＭＯＳトランジスタＱ１は非サリサイド構造ＮＳとされ、第２のＭＯＳトランジスタＱ２はサリサイド構造Ｓとされている。 - 特許庁

To achieve high-speed operation of a circuit by performing a salicide process on a thin film integrated circuit without a risk of damage to a glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板の損傷を懸念することなく、薄膜集積回路にサリサイドプロセスを行い、回路の高速動作を達成する。 - 特許庁

To prevent a short circuit caused by a high-melting metal silicide layer in a manufacturing method of a semiconductor device, where the method includes a salicide process.例文帳に追加

サリサイドプロセスを含む半導体装置の製造方法において、高融点金属シリサイド層による短絡を防止する。 - 特許庁