「Semiconductor junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device that can surely perform an ON/OFF control in a vertical P-N junction.例文帳に追加

縦型ＰＮ接合において確実にオン／オフの制御をすることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

An inclination side 11 is formed on a silicon semiconductor substrate having a P-N junction 12.例文帳に追加

ＰＮ接合１２を有するシリコン半導体基体２に傾斜側面１１を形成する。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage semiconductor device having a super-junction structure.例文帳に追加

スーパージャンクション構造を有する高耐圧の半導体装置を提供すること。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING THIN FILM OF COPPER-ALUMINUM OXIDE SEMICONDUCTOR AND p-n JUNCTION STRUCTURE USING IT例文帳に追加

銅・アルミ酸化物半導体薄膜の製造方法及びこれを用いたｐｎ接合構造 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that uses a magnetic tunnel junction device MTJ.例文帳に追加

磁気トンネル接合素子ＭＴＪを用いる半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

Thus, the P-N junction surface 5 is tilted against the bottom surface 1B of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

したがって、このＰＮ接合面５は、半導体基板１の底面１Ｂに対して傾斜している。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME WITH SUPER JUNCTION STRUCTURE例文帳に追加

半導体装置およびスーパージャンクション構造を有する半導体基板の製造方法 - 特許庁

EVALUATION METHOD TO EVALUATE POSITION RELATION OF PN JUNCTION FACE OF SEMICONDUCTOR WITH BOTTOM PORTION OF TRENCH例文帳に追加

半導体装置のＰＮ接合面とトレンチの底部との位置関係を評価する評価方法 - 特許庁

JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE例文帳に追加

接合型バイポーラトランジスタ、製造方法、及び半導体集積回路装置 - 特許庁

PN-JUNCTION COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, LAMP, AND LIGHT SOURCE例文帳に追加

ｐｎ接合型化合物半導体発光素子、その製造方法、ランプ及び光源 - 特許庁

To manufacture a super-junction semiconductor device having ample breakdown voltage by a trench-embedding technique.例文帳に追加

十分な耐圧を有する超接合半導体装置をトレンチ埋め込み法により作製すること。 - 特許庁

JUNCTION STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND POWER SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

接合体及びその製造方法、並びにパワー半導体モジュール及びその製造方法 - 特許庁

JUNCTION-TYPE BIPOLAR TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE例文帳に追加

接合型バイポーラトランジスタおよびその製造方法、半導体集積回路装置 - 特許庁

P-N JUNCTION BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LIGHT- EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD AND LIGHT SOURCE FOR DISPLAY DEVICE例文帳に追加

ｐｎ接合型リン化硼素系半導体発光素子、その製造方法および表示装置用光源 - 特許庁

To provide a method for forming a desired junction profile in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイス内で所望の接合プロファイルを形成するための方法を提供すること。 - 特許庁

PN-JUNCTION TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND WHITE LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

ｐｎ接合型化合物半導体発光素子、その製造方法、白色発光ダイオード - 特許庁

To realize a semiconductor device having a shallow junction depth by suppressing excessive accelerated diffusion.例文帳に追加

過度増速拡散を抑制することにより浅い接合深さを持つ半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

The junction portion 27b is arranged at uniform distances from the plurality of semiconductor chips 23.例文帳に追加

接合部２７ｂは複数の半導体チップ２３との距離が均等に配置されている。 - 特許庁

To reduce the operating voltage in a GaN-based semiconductor light-emitting device that includes a tunnel junction.例文帳に追加

トンネル接合を含むＧａＮ系半導体発光素子における動作電圧の低減。 - 特許庁

A supporting substrate 19 is joined to the semiconductor layer 11 via the junction metal layer 18.例文帳に追加

支持基板１９が、接合金属層１８を介して半導体層１１に接合されている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR CHIP EQUIPPED WITH JUNCTION INTEGRATION ON ACTIVE CIRCUIT AND ENHANCED IN HEAT-RESISTANT PROPERTIES例文帳に追加

能動回路の上に集積された接合を有する熱的に増強された半導体チップ - 特許庁

To provide a semiconductor resistance element that suppresses junction leakage current and can be used, even under high voltage.例文帳に追加

接合リーク電流を抑制し、高電圧下でも使用し得る半導体抵抗素子を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, JUNCTION SUBSTRATE THEREFOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

半導体発光素子用接合基板、半導体発光素子、およびその製造方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which method reduces junction leak currents.例文帳に追加

接合リーク電流を低減することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A photonic crystal structure layer 3 is formed at a junction portion between the semiconductor layer and base substrate 2.例文帳に追加

半導体層と基礎基板２との接合部にフォトニック結晶構造層３が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device may additionally include a third potential well 8 not located within a pn junction.例文帳に追加

半導体デバイスはｐｎ接合内に位置しない第３のポテンシャル井戸８をさらに備え得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where junction strength of an electrode terminal and mold member is improved.例文帳に追加

電極端子とモールド部材との接合強度を向上させた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a planer semiconductor PN junction device.例文帳に追加

本発明は、プレーナ半導体ＰＮ接合デバイスを作る方法に向けられる。 - 特許庁

To avoid defects in connection without damaging junction property between two semiconductor devices that are to be laminated.例文帳に追加

積層される２つの半導体装置間の接合性を損なうことなく、接続不良を回避する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device capable of improving the life of a wire junction part.例文帳に追加

ワイヤ接合部の寿命を向上させることができる電力用半導体装置を得る。 - 特許庁

A junction layer is formed on a surface on a side jointed to the semiconductor film of the supporting substrate.例文帳に追加

支持基板の半導体膜と接合させる側の表面に接合層を形成する。 - 特許庁

A semiconductor multilayered structure, required for the formation of a multi-junction solar cell, is deposited using a MOCVD method.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法を用いて、多接合型太陽電池に必要な半導体多層構造を堆積する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is able to obtain reduction in the junction leakage current.例文帳に追加

接合リーク電流の低減が図られる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the junction state of an electrode can be detected easily and highly accurately.例文帳に追加

電極の接合状態を容易かつ高精度で検出できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose substrate bias effects are large without increasing the junction capacitance.例文帳に追加

接合容量を増大させることなく基板バイアス効果の大きな半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device having a side wall junction region.例文帳に追加

側壁接合領域を有した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device can be also applied to ohmic electrode, such as a p-n junction diode.例文帳に追加

本発明はｐｎ接合ダイオードなどのオーミック電極にも応用できる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device whose junction leak is suppressed.例文帳に追加

ジャンクションリークを低減した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor structure coupling body includes at least one pn junction and has a light receiving surface.例文帳に追加

半導体構造結合体は少なくとも１つのｐｎ接合を含み、被照面を有する。 - 特許庁

Consequently, the semiconductor products 19 and 45 are united to form a junction J.例文帳に追加

この結果、半導体構造物１９、４が一体化されて、接合Ｊが形成される。 - 特許庁

To provide a novel structure of a field effect transistor including metal-semiconductor junction.例文帳に追加

金属半導体接合を用いた電界効果トランジスタの新規な構造を提供する。 - 特許庁

To provide a control circuit for a semiconductor junction gate transistor which is compact and high in cost effectiveness.例文帳に追加

小型で、費用効率の良い半導体接合型ゲートトランジスタ用制御回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the depth of extremely shallow junction is controlled precisely, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

極浅接合の深さが精密制御された半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

JUNCTION STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

半導体素子の接合構造体および半導体素子の接合構造体の製造方法 - 特許庁

To suppress an anode junction process from becoming complex and rise in cost of a semiconductor sensor 1.例文帳に追加

陽極接合工程の煩雑化及び半導体センサ１のコスト上昇を抑制する。 - 特許庁