「"Semiconductor junction"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR ESTIMATING SEMICONDUCTOR JUNCTION CAPACITANCE例文帳に追加

半導体接合容量の推定方法 - 特許庁

To reduce the resistance of a metal-semiconductor junction structure.例文帳に追加

金属−半導体接合構造の低抵抗化を図る。 - 特許庁

Also, the semiconductor junction element or the photoelectric conversion device is created by using this n-type semiconductor.例文帳に追加

また、このｎ型半導体を用いて、半導体結合素子または光電変換装置を作成する。 - 特許庁

N-TYPE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR JUNCTION ELEMENT, PN-JUNCTION ELEMENT, AND PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE例文帳に追加

ｎ型半導体、半導体接合素子、ｐｎ接合素子および光電変換装置 - 特許庁

To provide a novel structure of a field effect transistor including metal-semiconductor junction.例文帳に追加

金属半導体接合を用いた電界効果トランジスタの新規な構造を提供する。 - 特許庁

To provide a control circuit for a semiconductor junction gate transistor which is compact and high in cost effectiveness.例文帳に追加

小型で、費用効率の良い半導体接合型ゲートトランジスタ用制御回路を提供する。 - 特許庁

Thereby, the metal-semiconductor junction is not formed by contact of the semiconductor film with the metal film, and deterioration of solar battery characteristics which is caused by increase of a leakage current based on the metal-semiconductor junction can be suppressed.例文帳に追加

このため、半導体層と金属膜の接触による金属・半導体接合が形成されることはなく、金属・半導体接合に基づくリーク電流の増大による太陽電池の特性低下を抑止できる。 - 特許庁

Since the electrode forms the junction on the semipolar plane of the gallium nitride-based semiconductor layer, a metal/semiconductor junction exhibits good ohmic characteristics.例文帳に追加

この窒化ガリウム系半導体層の半極性面に電極が接合を成すので、金属／半導体接合は良好なオーミック特性を示す。 - 特許庁

A first connection electrode 15B constituted of silver paste is formed as the surface electrode of a solar battery element having a semiconductor junction 14.例文帳に追加

半導体接合部１４を有する太陽電池素子の表面電極として、銀ペーストからなる第１の接続用の電極１５Ｂを形成する。 - 特許庁

A finger bar and a bus bar 15B made of silver paste are formed as the surface electrode of a solar battery element having a semiconductor junction.例文帳に追加

半導体接合部を有する太陽電池素子の表面電極として、銀ペーストからなるフィンガーバーとバスバー１５Ｂとを形成する。 - 特許庁

To provide a structure being capable of reducing off current of a field effect transistor mainly containing indium and including metal-semiconductor junction.例文帳に追加

インジウムを主要成分とし、金属半導体接合を用いた電界効果トランジスタのオフ電流を低減せしめる構造を提供する。 - 特許庁

To generate electricity by always directing a semiconductor junction surface in a converter perpendicularly to the center of a space by controlling an omnidirectional rotary machine.例文帳に追加

全方向回転機を制御して変換器内の半導体接合面を宇宙の中心に垂直に常に向けることにより、発電する。 - 特許庁

To provide an n-type semiconductor, a semiconductor junction element, and a photoelectric conversion device wherein their conductivity types can be so controlled accurately that they are sufficient for practical uses.例文帳に追加

導電型制御を正確に行うことができて、実用に足る、ｎ型半導体、半導体接合素子および光電変換装置を提供すること。 - 特許庁

Electrical insulations having a semiconductor junction form are formed among the adjacent transducer elements for reducing electrical crosstalks.例文帳に追加

電気クロストークを低減するために、半導体接合形態の電気的絶縁が隣接するトランスデューサ素子間で形成される。 - 特許庁

To provide a structure that reduces an off-state current of a field effect transistor using a conductor-semiconductor junction.例文帳に追加

導体半導体接合を用いた電界効果トランジスタのオフ電流を低減せしめる構造を提供する。 - 特許庁

In this photovoltaic force element provided with a photovoltaic cell 102 having a semiconductor junction layer generating photovoltaic force, a bypass diode is formed on the region other than the above-mentioned photovoltaic cell as a bypass diode part 105 having the second semiconductor junction layer, which is different from the first semiconductor junction layer that is the semiconductor junction layer of the photovoltaic cell.例文帳に追加

光起電力を発生する半導体接合層を有する光起電力部１０２を備え、バイパスダイオードが並列に接続される光起電力素子において、前記バイパスダイオードを、前記光起電力部と同一の導電面上の前記光起電力部以外の領域に、前記光起電力部の半導体接合層である第１の半導体接合層とは別の第２の半導体接合層を有するバイパスダイオード部１０５として形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor junction layer comprises a step of coating semiconductor crystalline grain boundaries, which are exposed on the surface of a first conductive type semiconductor substrate and form the semiconductor substrate with a dopant diffusion barrier layer, and a step of forming the semiconductor junction layer of a second type dopant diffused on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１導電型半導体基板表面に露出した該半導体基板を構成する半導体の結晶粒界を、ドーパント拡散バリア層で被覆し、前記基板表面に第２導電型ドーパントを拡散させて接合層を形成することを特徴とする半導体接合層の製造方法。 - 特許庁

In a photovoltaic cell provided with a photovoltaic cell layer 32 having a semiconductor junction and a current collector electrode 34 provided on the incident side of this photovoltaic cell layer 32 parallel connecting to bypass diode, the bypass diode layer 38 having the second semiconductor junction layer different from the first semiconductor junction layer of the photovoltaic cell layer 32 is provided beneath the current collector electrode 34.例文帳に追加

光起電力を発生する半導体接合層を有する光起電力層３２と、この光起電力層の光入射側に設けられた集電電極３４とを備え、バイパスダイオードが並列に接続される光起電力素子において、前記バイパスダイオードを、光起電力層の半導体接合層である第１の半導体接合層とは別の第２の半導体接合層を有するバイパスダイオード層３８として集電電極の下部に設ける。 - 特許庁

The emitting element includes an emitter electrode, an extractor electrode, and a solid-state field controlled emitter that utilizes a Schottky metal/ semiconductor junction or barrier.例文帳に追加

その放出素子は、放出電極と、抽出電極と、ショットキー金属−半導体接合あるいは障壁を利用する固体電界制御式放出器とを含む。 - 特許庁

The photoelectric conversion device including a semiconductor junction has a semiconductor layer, where a needle-like crystal is grown on a one-conductivity-type impurity semiconductor layer formed by a microcrystalline semiconductor.例文帳に追加

半導体接合を有する光電変換装置であって、微結晶半導体で形成した一導電型の不純物半導体層上に、針状結晶が成長した半導体層を有する。 - 特許庁

A III-V compound semiconductor junction layer which forms a p-n junction is provided in the area immediately below the pedestal electrode and ohmic electrodes are dispersedly arranged in the open light emitting area.例文帳に追加

台座電極の直下の領域にｐｎ接合を形成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体接合層を設置し、且つ、開放発光領域にオーミック性電極を分散させて敷設する。 - 特許庁

When it is used, the diode 430 lowers a gate voltage output from the gate drive chip applied to the gate input of the wide bandgap semiconductor junction gate transistor via the gate current limit resistor 445.例文帳に追加

使用時に、ダイオード４３０は、ゲート電流制限抵抗器４４５を介してワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に印加され、ゲート駆動チップからのゲート電圧出力を低下させる。 - 特許庁

A gate current limit resistor 445 is coupled to a gate input of the wide bandgap semiconductor junction gate transistor when used, and limits the gate current input to a gate of the junction gate transistor.例文帳に追加

ゲート電流制限抵抗器４４５は、使用時にワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に結合され、接合ゲートトランジスタのゲートに入力されるゲート電流を制限する。 - 特許庁

Edge termination for silicon carbide devices has a plurality of concentric floating guard rings in a silicon carbide layer that are neighboring to and spaced apart from a silicon carbide-based semiconductor junction.例文帳に追加

炭化ケイ素ベースの半導体接合に近接し、この半導体接合から間隔をおいて配置された、炭化ケイ素層中の複数の同心円のフローティングガードリングを有する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor (FET) employing a conductor-semiconductor junction, which has excellent characteristics, which can be manufactured through an easy process, or which has high integration.例文帳に追加

導体半導体接合を用いて、優れた特性を示す、あるいは、作製の簡単な、あるいは、より集積度の高い電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor junction state in which even if excess flattening and surface treatment are not performed, processing and bonding process on the front surface of bonding are easy and which obtains good bonding strength and bonding strength distribution.例文帳に追加

過度の平坦化や表面処理をしなくても、接合表面の処理や接合工程が容易で、良好な接合強度及び接合強度分布が得られる半導体接合形態を提供する。 - 特許庁

An edge termination structure for a silicon carbide device has a plurality of concentric circle floating guard rings in a silicon carbide layer, the floating guard rings neighboring to and being spaced apart from a silicon carbide-based semiconductor junction.例文帳に追加

炭化ケイ素ベースの半導体接合に近接し、この半導体接合から間隔をおいて配置された、炭化ケイ素層中の複数の同心円のフローティングガードリングを有する。 - 特許庁

An AC-coupled charging capacitor 435 is coupled to the gate input of the wide bandgap semiconductor junction gate transistor when used, and is arranged in parallel with the gate current limiting resistor 445.例文帳に追加

ＡＣ結合充電コンデンサ４３５は、使用時にワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に結合され、ゲート電流制限抵抗器４４５に並列に配置されている。 - 特許庁

In the semiconductor device having a semiconductor junction made of the silicon-based thin film, at least one of the silicon-based thin films contains a microcrystal, and the microcrystal at least at one interface region of the silicon-based thin film containing the microcrystal is not orientated.例文帳に追加

本発明の半導体素子は、シリコン系薄膜からなる半導体接合を有する半導体素子において、前記シリコン系薄膜の少なくともひとつが微結晶を含んでおり、前記微結晶を含んだシリコン系薄膜の少なくとも一方の界面領域の微結晶が、無配向性であることを特徴とする。 - 特許庁

The solar cell element has a surface electrode 6 on the surface side of a semiconductor substrate 1 having a semiconductor junction, and a rear surface electrode of an aluminium electrode 5 on the rear surface side wherein multiple pore parts 9 are provided in the aluminium electrode 5 or ceramic particles 11 are dispersed into the aluminium electrode 5.例文帳に追加

半導体接合部を有する半導体基板１の表面側に表面電極６を有するとともに、裏面側にアルミニウム電極５からなる裏面電極を有する太陽電池素子であって、上記アルミニウム電極５中に多数の気孔部９を設けたり、セラミック粒子１１を分散させる。 - 特許庁

The barrier potential (33) at metal-to-semiconductor junction varies depending on the type of metal to be used (16), and using particular metals lowers the diode's Schottky barrier potential (33), results in a V_f in the range of 0.1-0.3 V.例文帳に追加

金属−半導体接合での障壁ポテンシャル（３３）は、使用する金属（１６）のタイプに応じて変動し、特定の金属を使用することにより、ダイオードのショットキー障壁のポテンシャル（３３）が下がり、Ｖ_fが０．１〜０．３Ｖの範囲となる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor junction layer, which protects impurities from deeply diffusing into the areas of crystalline grain boundaries when forming the junction layer, and can obtain a solar buttery enhanced in performance and reduced in generation cost.例文帳に追加

接合層を形成する場合に、結晶粒界部分への不純物の深い拡散を防止して、より高性能でかつ発電コストが低減された太陽電池を実現することができる半導体接合層の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

There is provided, in a pn semiconductor junction, the power switching element in which a semiconductor with a high specific inductive capacity that is larger than those of a p-layer and an n-layer semiconductors is arranged between the p-layer and the n-layer semiconductors.例文帳に追加

本発明のパワースイッチング素子は、ｐｎ半導体接合界面において、ｐ層半導体とｎ層半導体との間に、前記ｐ層半導体および前記ｎ層半導体より比誘電率の大きい高比誘電率半導体を配置したもので、高比誘電率半導体として、Ｇｅ、ＡｌＳｂ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ、ＰｂＳ、ＰｂＴｅを用いるものである。 - 特許庁

The photoelectric conversion device is provided with a cell having semiconductor junction, and the cell includes a first impurity semiconductor layer of one conductive type, a second impurity semiconductor layer of a reverse conductive type to the one conductive type, and a semiconductor layer including a crystalline region passing between the first impurity semiconductor layer and the second impurity semiconductor layer in an amorphous structure.例文帳に追加

半導体接合を有するセルを備え、当該セルは、一導電型の第１不純物半導体層と、一導電型とは逆導電型の第２不純物半導体層と、第１不純物半導体層と第２不純物半導体層との間を貫通する結晶領域を非晶質構造の中に含む半導体層と、を有する光電変換装置とする。 - 特許庁