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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Semiconductor junctionに関連した英語例文

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Semiconductor junctionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1601



例文

A semiconductor chip includes different widths of columns constituting a super-junction structure in a DMOS transistor.例文帳に追加

DMOSトランジスタにおけるスーパージャンクション構造を構成するコラムの幅が異なるものを半導体チップに備える。 - 特許庁

Accordingly, processes for electrode junction and sealing resin formation can be simplified and the semiconductor device can be manufactured at low cost.例文帳に追加

これにより、電極接合及び封止用樹脂の形成工程が簡略化され、低コストで半導体装置を製造することができる。 - 特許庁

JUNCTION STRUCTURE OF CERAMIC MEMBER AND METALLIC MEMBER AND ELECTROSTATIC CHUCK AND PACKAGE FOR STORAGE OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

セラミック部材と金属部材との接合構造および静電チャック並びに半導体素子収納用パッケージ - 特許庁

A solid p-n hetero junction has an electron conductor and a Hall conductor, and further a semiconductor for sensitization.例文帳に追加

固体p−nヘテロ接合は、電子導体とホール導体を有し、さらに増感用半導体を有している。 - 特許庁

例文

A 2DEG layer 8 is formed along a hetero-junction surface between the electron travelling layer 3 and the electron supply layer (second semiconductor layer) 6.例文帳に追加

電子走行層3と電子供給層(第2の半導体層)6とのヘテロ接合面に沿って2DEG層8が形成される。 - 特許庁


例文

A first connection electrode 15B constituted of silver paste is formed as the surface electrode of a solar battery element having a semiconductor junction 14.例文帳に追加

半導体接合部14を有する太陽電池素子の表面電極として、銀ペーストからなる第1の接続用の電極15Bを形成する。 - 特許庁

A finger bar and a bus bar 15B made of silver paste are formed as the surface electrode of a solar battery element having a semiconductor junction.例文帳に追加

半導体接合部を有する太陽電池素子の表面電極として、銀ペーストからなるフィンガーバーとバスバー15Bとを形成する。 - 特許庁

To realize a p-n junction by using ion implantation so as to use a diamond semiconductor as an electronic device.例文帳に追加

イオン注入法を用いてpn接合を実現し、ダイヤモンド半導体を電子デバイスとして活用できるようにする。 - 特許庁

This Schottky junction part is included in the diaphragm region 18 of the semiconductor substrate 17 and becomes the region for sensing pressure.例文帳に追加

このショットキー接合部分が、半導体基板17におけるダイヤフラム領域18に含まれており、圧力を感知する領域となる。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor bidirectional switching device having a super junction structure and achieving bidirectional switching.例文帳に追加

本発明は、スーパージャンクション構造を有し双方向スイッチングが可能な半導体双方向スイッチング装置を提供する。 - 特許庁

例文

This Schottky junction part is included in the diaphragm part 5 in the n-type semiconductor substrate 3 to form a region for sensing pressure.例文帳に追加

このショットキー接合部分が、n型半導体基板3におけるダイヤフラム部5に含まれており、圧力を感知する領域となる。 - 特許庁

The semiconductor laser element may be released when a part of a junction member is solidified, without performing the heating of the collet.例文帳に追加

コレットの加熱を行わずに、接合部材の一部が凝固した時に半導体レーザ素子を解放してもよい。 - 特許庁

The nanowire solar cells 1 and 11 are respectively provided with a semiconductor substrate 2 and a plurality of nanowire semiconductors 4 and 5 forming the pn-junction.例文帳に追加

ナノワイヤ太陽電池1,11は、半導体基板2と、pn接合を構成する複数のナノワイヤ状の半導体4,5とを備える。 - 特許庁

A surface electrode of the power semiconductor element 2 and a metal plate 3 for an electrode are connected through metal junction with a metal wire 8.例文帳に追加

パワー半導体素子2の表面電極と電極用の金属板3は、金属ワイヤ8により金属接合される。 - 特許庁

To provide a method of forming a hetero-junction of adjacent first and second organic semiconductor polymer layers.例文帳に追加

隣接する第一及び第二の有機半導体ポリマー層のヘテロ接合を形成する方法を提供する。 - 特許庁

The solar cell is configured by integrating a P-N junction diode on a single-crystal silicon semiconductor substrate 1.例文帳に追加

太陽電池は、単結晶シリコン半導体基板1上にPN接合ダイオードを集積化して構成される。 - 特許庁

To provide a super junction semiconductor device realizing high speed switching and high voltage blocking.例文帳に追加

高速スイッチングと高電圧ブロッキングが可能なスーパージャンクション半導体装置を提供する。 - 特許庁

In one embodiment, the array comprises tunnel junction MRAM cells integrated in the semiconductor chip provided with a current source.例文帳に追加

一実施例では、アレイは、電流源を備えた半導体チップ内に集積されたトンネル接合MRAMセルを含む。 - 特許庁

The semiconductor crystal may have a structure having a double hetero junction or a structure having a quantum well structure.例文帳に追加

半導体結晶がダブルへテロ接合を有する構成でもよいし、量子井戸構造を有する構成でもよい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a constitution wherein a circuit side electrode is directly connected with an element side electrode and its junction is superior in durability.例文帳に追加

素子側電極に回路側電極が直接接続された構成であって、その接合部の耐久性に優れた半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a power circuit that prevents damage when group III nitride hetero junction semiconductor elements are employed in a power circuit.例文帳に追加

III族窒化物ヘテロ接合半導体素子を電源回路に使用したときの破壊を防止する電源回路を提供する。 - 特許庁

To reduce on-resistance in a field effect transistor of a semiconductor device having a hetero junction.例文帳に追加

ヘテロ接合を有する半導体装置の電界効果トランジスタにおけるオン抵抗の低減を図ることを課題とする。 - 特許庁

To provide a structure being capable of reducing off current of a field effect transistor mainly containing indium and including metal-semiconductor junction.例文帳に追加

インジウムを主要成分とし、金属半導体接合を用いた電界効果トランジスタのオフ電流を低減せしめる構造を提供する。 - 特許庁

By the method, a semiconductor substrate capable of suppressing the occurrence of haloing and forming a via hole indicating excellent solder junction can be manufactured.例文帳に追加

本方法によりハローイングの発生を抑制し、優れたはんだ接合性を示すビアホールを形成することが可能な、半導体基板を製造できる。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with a field effect transistor formed on a substrate 11 and a pn junction diode.例文帳に追加

半導体装置は、基板11の上に形成された電界効果トランジスタとpn接合ダイオードとを備えている。 - 特許庁

To improve reliability of a semiconductor element comprising a hetero junction structure by decreasing penetrating dislocation density penetrating in the growth direction.例文帳に追加

ヘテロ接合構造を有する半導体素子において、成長方向に貫通する貫通転位密度を減少し、信頼性を高める。 - 特許庁

A Shottky junction of a ferromagnetic body and a ferromagnetic semiconductor is employed in the source 7a and/or the drain 7b.例文帳に追加

ソース7aまたはドレイン7b又はソース7a/ドレイン7bの両方に、強磁性体と強磁性半導体とのショットキー接合を用いる。 - 特許庁

The junction field-effect transistor 1 has an n^--type epitaxial layer 3 laminated on a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

この接合型電界効果トランジスタ1では、半導体基板2上に、n^−型エピタキシャル層3が積層されている。 - 特許庁

To provide a GaN-based semiconductor device that is excellent in power performance and reliability by improving the heat resistance of a Schottky junction electrode.例文帳に追加

ショットキー接合電極の耐熱性を改善し、パワー性能、信頼性に優れたGaN系半導体装置を提供する。 - 特許庁

To generate electricity by always directing a semiconductor junction surface in a converter perpendicularly to the center of a space by controlling an omnidirectional rotary machine.例文帳に追加

全方向回転機を制御して変換器内の半導体接合面を宇宙の中心に垂直に常に向けることにより、発電する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having a super junction structure with a high breakdown voltage and low on resistance without making a process complex.例文帳に追加

プロセスを複雑にすることなく、高耐圧で低オン抵抗なスーパージャンクション構造を有する半導体素子を提供する。 - 特許庁

A lower electrode contact plug is arranged between the magnetic tunnel junction structure and the semiconductor substrate.例文帳に追加

前記磁気トンネル接合構造体と前記半導体基板との間に下部電極コンタクトプラグが配置される。 - 特許庁

To effectively prevent junction break due to thermal stress or external mechanical shock in a package for storing a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子収納用パッケージにおいて、熱応力あるいは外部からの機械的衝撃による接合破壊を有効に防止できない。 - 特許庁

To provide a power conversion equipment which accurately estimates a junction temperature of a semiconductor element even when the cooling performance of a cooling fan deteriorates.例文帳に追加

冷却ファンの冷却能力が低下した場合でも、半導体素子のジャンクション温度を正確に推定できる電力変換装置を提供する。 - 特許庁

To provide a junction-up type optical semiconductor element, in which the capacitance can be reduced, while suppressing breakage of an insulating film.例文帳に追加

絶縁膜の破損を抑制しつつ、静電容量を低減できるジャンクションアップ型の光半導体素子を提供する。 - 特許庁

A PN junction 43 of the second drain region 35 and the first body region 36 is exposed on one main surface of the semiconductor base.例文帳に追加

第2のドレイン領域35と第1のボデイ領域36とのPN接合43は半導体基体の一方の主面に露出している。 - 特許庁

With such a structure, breakdown current is prevented from concentrating on the PN junction region 19 and a semiconductor element can be protected against overvoltage.例文帳に追加

この構造により、ブレークダウン電流が、PN接合領域19に集中することを防止し、過電圧から半導体素子を保護することができる。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING P-N JUNCTION IN SEMICONDUCTOR MODULE, FLAME DETECTOR, MOS TRANSISTOR AND IMAGE SENSOR例文帳に追加

半導体モジュールにおけるpn接合の製造方法、炎検知器、MOSトランジスタおよびイメージセンサ - 特許庁

To provide a compound semiconductor element having high breakdown voltage characteristics and a manufacturing method of the same, and a pn junction-type diode element which uses the same.例文帳に追加

高い耐電圧特性を有する化合物半導体素子とその製造方法、それを用いたpn接合型ダイオード素子を提供する。 - 特許庁

A III-V compound semiconductor layer 21 is provided between the junction region 17 and the dielectric DBR 19.例文帳に追加

III−V化合物半導体層21は接合領域17と誘電体DBR19との間に設けられる。 - 特許庁

A substrate 12 is grounded with respect to high frequency through a junction capacitance 25, between the substrate 12 and a semiconductor region 23, and a capacitor 28.例文帳に追加

基板12を、基板12と半導体領域23の間の接合容量25,コンデンサ28を介して高周波的に接地した。 - 特許庁

A p-n junction is formed on a semiconductor substrate by irradiating a phosphorous containing plasma and then a silicon nitride film is formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

リンを含むプラズマを基板に照射して半導体基板にpn接合を形成した後、基板の表面にシリコン窒化膜を形成する。 - 特許庁

To provide a high-speed circuit which realizes a level logic method similar to that of a semiconductor circuit and takes advantage of the high speed of Josephson junction.例文帳に追加

半導体回路と同様のレベル論理方式を実現し、ジョセフソン接合の高速性を活かした高速回路を得ること。 - 特許庁

The lower electrode contact plug provides electrical connection between the magnetic tunnel junction structure and the semiconductor substrate.例文帳に追加

前記下部電極コンタクトプラグは、前記磁気トンネル接合構造体と前記半導体基板との間に電気的接続を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element having a tunnel junction in which reliability can be enhanced.例文帳に追加

トンネル接合を有する窒化物半導体発光素子において、信頼性を向上することができる窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

With this setup, a tunnel junction is formed in the channel region 104, and a semiconductor device where single-electron control becomes available.例文帳に追加

これにより、チャネル領域104内にトンネル接合が形成され、単電子制御が可能な半導体装置となる。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device having a super junction structure that suppresses an increase in on-resistance and reduces noise.例文帳に追加

オン抵抗の増加を抑制しノイズ低減が可能なスーパージャンクション構造を有する電力用半導体装置を提供する。 - 特許庁

To prevent electrical junction leak in the fine shared contact used for high density semiconductor device.例文帳に追加

高密度な半導体装置に使用される微細なシェアードコンタクトにおいて、電気的接合リークを防止することを目的とする。 - 特許庁

To avoid reliability deterioration due to heat distortion in a solder junction of a power semiconductor module using a resin insulation layer for a base material.例文帳に追加

絶縁基板に樹脂絶縁層を用いたパワー半導体モジュールの、半田接合部の熱歪みによる信頼性の低下を回避する。 - 特許庁

例文

Consequently, the 1st area 31 is made a non-junction area at the time of joining the semiconductor laser element 21 with the sub-mount 41.例文帳に追加

これによって半導体レーザ素子21をサブマウント41に接合するときに、第1領域31を非接合領域とする。 - 特許庁

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