「Semiconductor junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a semiconductor device incorporating a p-channel junction type FET and a protective element that can be formed by the same process and includes a pn junction, while forming a junction type FET by a simple manufacture process.例文帳に追加

接合型ＦＥＴを簡単な製造工程で形成しながら、そのｐチャネル接合型ＦＥＴと同じ工程で形成することができｐｎ接合を含む保護素子とを内蔵する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the semiconductor depletion layer capacitor is used, the dopant density in the vicinity of a junction of a P-N junction or the like is made higher than that of a region isolated from the junction.例文帳に追加

半導体空乏層容量を用いる場合には、ｐｎ接合等の接合近傍のドーパント密度を、接合から離れた領域のドーパント密度よりも高くしておく。 - 特許庁

As a result, the multi-junction photoelectric conversion device in which sufficient conductivity between pin junction and pin junction is secured and semiconductor junctions are connected in series can be provided.例文帳に追加

その結果、ｐｉｎ接合とｐｉｎ接合との十分な導電性を確保した、半導体接合を直列接続する多接合タイプの光電変換装置を提供することができる。 - 特許庁

Accordingly, there is provided the multi-junction photoelectric conversion device, in which semiconductor junctions are connected in series and full electrical connection between pin junction and pin junction is ensured.例文帳に追加

その結果、ｐｉｎ接合とｐｉｎ接合との十分な導電性を確保した、半導体接合を直列接続する多接合タイプの光電変換装置を提供できる。 - 特許庁

To provide a PN junction diode suppressing defects such as a leak current generated by contact of a P/N junction interface end of a silicon semiconductor with the atmosphere and hardly causing failure, and to provide a method for manufacturing the PN junction diode.例文帳に追加

シリコン半導体のＰ/Ｎ接合界面端部が、大気と接することで生じるリーク電流等の欠陥を抑制し、不良を起こしにくくしたＰＮ接合ダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the semiconductor layers 10 and 20 form a pn junction J50a, leakage current occurring at the pn junction J50a is extremely small because the pn junction J50a exists near an edge of the silicide layer 20s and at a location having less crystal defect.例文帳に追加

半導体層１０，２０がｐｎ接合Ｊ５０ａを形成する場合、これはシリサイド層２０ｓの端部から近く、結晶欠陥が小さい位置に存在するので、ここにおけるリーク電流は非常に小さい。 - 特許庁

The junction region of a semiconductor memory element includes a junction region of a semiconductor memory element including a semiconductor substrate on which a gate line is formed and a junction region where impurities with different masses different from each other are injected and which is formed with widths different from each other.例文帳に追加

ゲートラインが形成された半導体基板、ゲートライン間の半導体基板に互いに異なる質量の不純物が注入され、互いに異なる幅で形成された接合領域を含む半導体メモリ素子の接合領域からなることを特徴とする。 - 特許庁

a junction transistor having an n-type semiconductor between a p-type semiconductor that serves as an emitter and a p-type semiconductor that serves as a collector 例文帳に追加

エミッタとして用いられるP型半導体と集電装置として機能するP型半導体の間のN型半導体を備える接合トランジスタ - 日本語WordNet

MANUFACTURING METHOD OF ION IMPLANTATION GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER JUNCTION SUBSTRATE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

イオン注入ＩＩＩ族窒化物半導体基板、ＩＩＩ族窒化物半導体層接合基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

To provide semiconductor devices, and particularly, semiconductor devices which incorporate a metal-semiconductor rectifying junction, such as Schottky diodes.例文帳に追加

半導体素子、特にショットキーダイオードのような金属対半導体整流接合を組み込む半導体素子を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-N junction between a p type semiconductor layer 11 and an n type semiconductor layer 12 forms a photodiode.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１とｎ型半導体層１２とのＰＮ接合によってフォトダイオードが構成されている。 - 特許庁

The optical semiconductor element has the p-n junction structure in which a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer are laminated.例文帳に追加

この光半導体素子は、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層が積層されたｐｎ接合構造を有している。 - 特許庁

An N-type semiconductor 2 and a P-type semiconductor 3 are laminated on a substrate 1 made of a compound semiconductor to form a P-N junction 4.例文帳に追加

化合物半導体から成る基板１にＮ形半導体２、Ｐ形半導体３を積層してＰＮ接合部４を形成する。 - 特許庁

A tunnel semiconductor region 23 includes a tunnel junction (pn junction) 29 made up of a first conductive type highly doped semiconductor layer 25 and a second conductivity type highly doped semiconductor layer 27.例文帳に追加

トンネル半導体領域２３が、第１導電型高ドープ半導体層２５および第２導電型高ドープ半導体層２７からなるトンネル接合（ｐｎ接合）２９を含む。 - 特許庁

Thereby, the metal-semiconductor junction is not formed by contact of the semiconductor film with the metal film, and deterioration of solar battery characteristics which is caused by increase of a leakage current based on the metal-semiconductor junction can be suppressed.例文帳に追加

このため、半導体層と金属膜の接触による金属・半導体接合が形成されることはなく、金属・半導体接合に基づくリーク電流の増大による太陽電池の特性低下を抑止できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing semiconductor chip damage even when a solder bonding agent is employed to join a rear surface of a semiconductor chip to a junction face of a chip junction of an island and a die pad.例文帳に追加

半導体チップの裏面をアイランドやダイパッドなどのチップ接合部の接合面に接合させるためにはんだ接合剤を用いても、半導体チップの損傷の発生を防止することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The band gap of a first single crystalline semiconductor layer a base region is fixed in an area near a junction with a second single crystalline semiconductor layer of an emitter region, and reduces toward a junction with a third single crystalline semiconductor layer of a collector region.例文帳に追加

本願発明の一例は、ベース領域のバンドギャップが、エミッタ、コレクタのバンドギャップより小さく、かつエミッタとの接合部近傍で一定で、コレクタとの接合部に向かって減少する分布を有する。 - 特許庁

The arbor 3 is constituted in such a manner that the collet 2 can oscillate so that the junction surface 13b is in contact with the junction surface 17b and the junction surface 13b and the junction surface 17b are parallel while maintaining pressurizing force to be applied to the semiconductor chip 10.例文帳に追加

そして、アーバ３は、半導体チップ１０に付与する加圧力を維持しつつ、接合面１３ｂが被接合面１７ｂと当接して接合面１３ｂと被接合面１７ｂとが平行になるようにコレット２が揺動可能に構成されている。 - 特許庁

The Schottky source/drain 12 forms Schottky junction with a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ショットキーソース・ドレイン１２は、半導体基板１とショットキー接合を形成する。 - 特許庁

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE例文帳に追加

ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置 - 特許庁

A Schottky electrode 19 forms a Schottky junction in the first n-type gallium nitride system semiconductor layer 17.例文帳に追加

ショットキ電極１９は、第１のｎ型窒化ガリウム系半導体層１７にショットキ接合を成す。 - 特許庁

The substrate and the wide-band gap semiconductor compose a Schottky junction, using Ni.例文帳に追加

Ｎｉを使用して基板とワイドバンドギャップ半導体とのショットキー接合を行っている。 - 特許庁

The power semiconductor device is provided with a pn junction between two sets of power electrodes (2, 3).例文帳に追加

パワー半導体デバイスは、２つのパワー電極（２、３）間にｐｎ接合を有している。 - 特許庁

SCHOTTKY BARRIER DIODE, AND FABRICATING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SCHOTTKY JUNCTION例文帳に追加

ショットキバリアダイオードおよびショットキ接合を有する半導体デバイスを作製する方法 - 特許庁

The semiconductor device 1 is a power MOSFET having super junction structure.例文帳に追加

半導体装置１は、スーパージャンクション構造を有するパワーＭＯＳＦＥＴである。 - 特許庁

The gate electrode 3 forms a Schottky junction to the nitride semiconductor layer 7.例文帳に追加

ゲート電極３は、窒化物半導体層７に対するショットキ接合を形成している。 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER HAVING LATERAL P-N JUNCTION FORMED BY SINGLE ELOG GROWTH例文帳に追加

単一のＥＬＯＧ成長により形成される横方向のｐ−ｎ接合を有する窒化物半導体レーザ - 特許庁

INTEGRATED CIRCUIT SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING UNIFORM SILICIDE JUNCTION AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

均一なシリサイド接合を有する集積回路半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

A plurality of right hexagonal P+ type semiconductor regions are provided in a Schottky junction region.例文帳に追加

ショットキー接合領域に、正六角形状のＰ＋型半導体領域を複数設ける。 - 特許庁

PN JUNCTION-TYPE HETEROSTRUCTURE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

ｐｎ接合型ヘテロ構造化合物半導体発光素子及びその形成方法 - 特許庁

To provide a junction diode using a gallium nitride-based semiconductor and capable of improving a withstand voltage.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体を用いており耐圧を向上できる接合ダイオードを提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SELF-ALIGNING JUNCTION REGION CONTACT HOLE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

自己整列した接合領域コンタクトホールを有する半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

To minimize a current leaking from an element region in a semiconductor device having a hetero-junction.例文帳に追加

ヘテロ接合を有する半導体装置において、素子領域から電流がリークすることを抑制する。 - 特許庁

GROWING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

化合物半導体基板の成長方法及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ - 特許庁

The first semiconductor chip C1 is arranged on the lead frame through the junction part JP.例文帳に追加

第１の半導体チップＣ１は接合部ＪＰを介してリードフレーム上に設けられている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AS COMPONENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成要素として含む半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

ION IMPLANTING METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND GRADED JUNCTION FORMING METHOD USING THIS例文帳に追加

半導体素子の製造のためのイオン注入方法及びこれを用いた傾斜型接合形成方法 - 特許庁

ELECTRODE TERMINAL JUNCTION CERAMIC MEMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体製造装置用電極端子接合セラミックス部材及びその製造方法 - 特許庁

HETERO-JUNCTION COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ヘテロ接合型化合物半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

MEASURING METHOD FOR JUNCTION TEMPERATURE OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND DUT BOARD USING THE MEASURING METHOD例文帳に追加

半導体集積回路の接合温度測定方法とその測定方法を用いたＤＵＴボード - 特許庁

The light reception section 14 composes a pn junction diode with the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

受光部１４は、半導体基板１０と共にＰＮ接合ダイオードを構成している。 - 特許庁

To provide in a simplified way a pn junction type compound semiconductor light emitting device presenting multi-wavelength luminescence.例文帳に追加

多波長の発光を呈するｐｎ接合型化合物半導体発光素子を簡易に提供する。 - 特許庁

CONDUCTIVE ADHESIVE AGENT AND ELECTRODE JUNCTION STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR PACKAGE USING THE SAME例文帳に追加

導電性接着剤ならびにそれを使用した電極接合構造体及び半導体パッケージ - 特許庁

In the first step, a silicon oxide film is formed in a wafer having a semiconductor layer constituting the PIN junction part.例文帳に追加

上記ＰＩＮ接合部を構成する半導体層を有するウェハに酸化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor element which reduces inductance and capacitance generated between a terminal resistor and a p-n junction.例文帳に追加

終端抵抗器とｐｎ接合との間に生じるインダクタンスやキャパシタンスを低減する。 - 特許庁