「Si layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The substrate 7 includes at least the Si layer 21, the SiO_2 layer 22, and a photoresist mask 24.例文帳に追加

基板７はSi層２１、SiO_2層２２、フォトレジストマスク２４を少なくとも備える。 - 特許庁

A Ge solar cell layer may be formed on the other surface of the Si solar cell layer to include a solar cell layer having an InGaP/(In)GaAs/Si/Ge 4-junction structure.例文帳に追加

前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge４接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。 - 特許庁

An Si layer of the I/O region 15 is an Si epitaxial layer 18 whose thickness is larger than that of the Si layer 13 of the core region 14.例文帳に追加

Ｉ／Ｏ領域１５のＳｉ層は、コア領域１４のＳｉ層１３より厚いＳｉエピタキシャル層１８である。 - 特許庁

An SiGe layer 11 and an Si layer (SOI layer) 13 are deposited successively on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層１１とＳｉ層（ＳＯＩ層）１３とを順次成膜する。 - 特許庁

The cushioning layer 31 is provided between the Si substrate 1 and the polymer layer 2 or is provided on the layer 2.例文帳に追加

緩衝層31は、Si基板1とポリマー層2との間に設けたり、ポリマー層2の上に設ける。 - 特許庁

An SiGe layer 3 and an Si layer 5 are formed successively on an Si substrate 1, and a hole (h) for exposing the Si substrate 1 is formed on the Si layer 5 and the SiGe layer 3.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層３とＳｉ層５とを順次形成し、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３にＳｉ基板１を露出させる穴ｈを形成する。 - 特許庁

An oxide Mo layer is formed on an interface between the Mo layer and the Si layer.例文帳に追加

Ｍｏ層とＳｉ層の界面に酸化Ｍｏ層を形成する。 - 特許庁

A SiGe layer and a Si layer (SOI layer) 5 are sequentially laminated on a Si substrate 1, and a groove h passed through the SiGe layer and the Si layer 5 is formed on the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層及びＳｉ層（ＳＯＩ層）５を順次積層し、ＳｉＧｅ層及びＳｉ層５を貫く溝ｈをＳｉ基板１上に形成する。 - 特許庁

Further, the a-Si layer is polycrystallized by first heat treatment, and a poly-Si layer 34 is formed of the a-Si layer.例文帳に追加

さらに、第１の熱処理によりａ−Ｓｉ層を多結晶化して、ａ−Ｓｉ層からｐｏｌｙ−Ｓｉ層３４を形成する。 - 特許庁

Si of 1×1016 cm^-3 to 1×1018 cm^-3 is contained in a p-type layer.例文帳に追加

p型層にはSiが1×1016cm-3以上1×1018cm-3未満含有されている。 - 特許庁

In the Al base coated layer, 3-15 mass% Si can be contained.例文帳に追加

溶融Al系めっき層には、Si：3〜15質量％を含むことができる。 - 特許庁

As an Si material source for the metallic Si melt layer 18, a metallic Si film with a thickness of about 50-200 μm is formed on the single crystal SiC substrate through vapor phase deposition, or a metallic Si plate of a similar thickness is stacked on the substrate to control the thickness of the metallic Si melt layer 18.例文帳に追加

金属Si融液層18のSi材料供給源としては、前記単結晶SiC基板上に厚さ50以上200μｍ以下程度の金属Si膜を気相法で形成させるか、基板上に同程度の厚みの金属Si板を重ねて金属Si融液層18の厚みを制御する。 - 特許庁

An SiGe layer 3 is formed on an Si substrate 1, and an Si layer 5 is formed on the SiGe layer 3.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層３を形成し、ＳｉＧｅ層３上にＳｉ層５を形成する。 - 特許庁

The inner layer is composed of a compound of Al, Si and B of periodic table IVa, Va, VIa group metal.例文帳に追加

内層は、周期律表IVa、Va、VIa族金属、Al、Si、Bの化合物からなる。 - 特許庁

To provide a method and a device for forming an HSG-Si layer in a wafer.例文帳に追加

ウェーハにHSG-Si層を形成するための方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A channel layer by a poly-Si layer 107 is formed on the gate insulating film 104, and the poly-Si layer 107 is covered with an a-Si layer 108.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０４上にｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７によるチャネル層を形成し、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７をａ−Ｓｉ層１０８で覆う。 - 特許庁

An SiGe layer 3 and an Si layer 5 are successively formed on an Si substrate 1, and a trench h is formed in the Si layer 5 and the SiGe layer 3 to expose the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基材１上にＳｉＧｅ層３とＳｉ層５とを順次形成し、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３にＳｉ基材１を露出させるトレンチｈを形成する。 - 特許庁

By this setup, the resistivity of the p-type layer containing Si can be reduced to 40 to 90% of that of a Si-free p-type layer.例文帳に追加

これによりp型層の抵抗率は、Siが実質的に含有されていない場合に比べて40〜90％に低減する。 - 特許庁

In this bipolar transistor, a Si-doped intermediate emitter layer 8 interposed between the lower emitter layer 7 and the upper emitter layer 9 is formed and a prescribed relationship is satisfied between the Si concentration and the thickness of the lower emitter layer 7 and the Si concentration and the thickness of the intermediate emitter layer 8.例文帳に追加

このバイポーラトランジスタでは、下部エミッタ層７と上部エミッタ層９とに挟まれた、Siドープの中間エミッタ層８を形成し、下部エミッタ層７のSi濃度および層厚と、中間エミッタ層８のSi濃度および層厚とが所定の関係を満たしている。 - 特許庁

In a reflecting film comprising an Mo/Si multilayer film formed by laminating periodically an Mo layer 1 with the thickness of 2.8 nm and an Si layer 2 with the thickness of 4.2 nm as many as 100 (50-pair) layers in total on a substrate 3, an Ru layer 4 is formed on the Si layer 2 on the outermost surface side of a periodical structure.例文帳に追加

基板３の上に、厚さ2.8nmのMo層１と厚さ4.2nmのSi層２が周期的に合計100（５０対）層積層されたMo/Si多層膜からなる反射膜において、周期構造の最表面側にあたるSi層２上に、Ru層４が成膜されている。 - 特許庁

The battery comprises an interface layer 16 mainly composed of Si between the negative electrode layer 14 and the solid electrolyte layer 15.例文帳に追加

この電池は、負極層14と固体電解質層15との間に、Siを主成分とする界面層16を備える。 - 特許庁

An SiGe layer 11 is formed on an Si substrate 1 and an Si layer 13 is formed on the SiGe layer 11.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層１１を形成し、ＳｉＧｅ層１１上にＳｉ層１３を形成する。 - 特許庁

SiGe layer/Si layer 13/SiGe layer are filmed on an Si substrate 1, and a groove for a support material is formed.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層／Ｓｉ層１３／ＳｉＧｅ層を成膜し、支持体用の溝を形成する。 - 特許庁

Alternatively, the core portion is formed with Si, and the clad layer is made the magneto-optical member.例文帳に追加

あるいは、コア部をSiで形成し、クラッド層を磁気光学材料とする。 - 特許庁

The inner layer comprises a compound of metals of IVa, Va, and VIa groups in a periodic table, Al, Si, and B.例文帳に追加

内層は、周期律表IVa、Va、VIa族金属、Al、Si、Bの化合物からなる。 - 特許庁

Epitaxial growth of a crystal Si layer is made on a substrate having a porous Si layer on the surface.例文帳に追加

多孔質Ｓｉ層を表面に有する基板上に、結晶Ｓｉ層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A tensile strain Si channel layer 13 is formed on the surface of the Si-Ge layer 12.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｇｅ層１２の表面には引っ張り歪みＳｉチャネル層１３が形成されている。 - 特許庁

CRYSTALLINE Si LAYER CONTAINING SUBSTRATE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND CRYSTALLINE Si DEVICE USING CRYSTALLINE Si LAYER-CONTAINING SUBSTRATE例文帳に追加

結晶性Ｓｉ層含有基板及びその製造方法、並びに結晶性Ｓｉ層含有基板を用いた結晶性Ｓｉデバイス - 特許庁

A p/i interfacial layer 5 such as amorphous silicon (a-Si) of p-type and low impurity concentration whose band gap is wider than that of a p-layer 6 is held between the μc-Si p-layer 6 and an amorphous silicon germanium (a-SiGe) i-layer 4.例文帳に追加

μc-Siのｐ層６と非晶質シリコンゲルマニウム（a-SiGe）のｉ層４との間に、ｐ層６よりバンドギャップが広く、ｐ型で低不純物濃度の例えば非晶質シリコン（a-Si）のｐ／ｉ界面層５を挟む。 - 特許庁

Si (silicon) may be contained in the ionization layer 3.例文帳に追加

イオン化層３にはＳｉ（シリコン）を含めてもよい。 - 特許庁

The electrode layer 5 is of a heavily doped Si.例文帳に追加

電極層は重度にドープされたシリコンである。 - 特許庁

Generation of Si nodules is prevented by depositing an Al3Ti film, having a high solid solubility of Si and an Al film in layer and heat treating at 400°C or above, thereby absorbing excess Si to the Al3Ti film.例文帳に追加

Siの固容量の大きいAl3Ti膜をAl膜と積層するように堆積して、400℃以上の熱処理を加えることにより、過剰なSiをAl3Ti膜に吸収させることでSiノジュールの発生を防止する。 - 特許庁

First, a cavity is formed between an Si substrate 1 and an Si layer 5.例文帳に追加

まず始めに、Ｓｉ基板１とＳｉ層５との間に空洞部を形成する。 - 特許庁

A hole h for exposing the Si substrate 1 is formed in the Si layer 5 and the SiGe layer 3, and a support 7 for supporting the Si layer 5 on the Si substrate 1 is formed on the Si substrate 1 to cover the Si layer 5 while filling the hole h.例文帳に追加

次に、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３にＳｉ基板１を露出させる穴ｈを形成し、Ｓｉ層５をＳｉ基板１上で支持する支持体７を、穴ｈが埋め込まれ且つＳｉ層５が覆われるようにしてＳｉ基板１上に形成する。 - 特許庁

To provide a GaN-based HEMT that is formed by utilizing a GaN-HEMT on Si substrate and prevents carrier storage layers from existing in the multilayer (GaN/AlN) buffer layer and Si substrate.例文帳に追加

GaN-HEMT on Si基板を利用して形成されるGaN系HEMTにおいて、多層(GaN/AlN)バッファ層及びSi基板中にキャリア蓄積層が存在しない。 - 特許庁

The oxidation-resistant coating method for a carbon/carbon composite material comprises (a) the step of coating the carbon/carbon composite material with Si and (b) the step of thermally treating the applied Si to impregnate it into the composite material to form a SiC layer and a Si layer successively.例文帳に追加

(a)炭素/炭素複合材料上にSiを塗布する工程、及び(b)塗布されたSiを熱処理して、前記複合材料にSiを含浸させることにより、SiC層とSi層を順次形成する工程を含む炭素/炭素複合材料の耐酸化コーティング方法。 - 特許庁

The Si microphone 1 has a protecting layer 39.例文帳に追加

また、Ｓｉマイク１は、保護層３９を備えている。 - 特許庁

A support member 21 for supporting the Si layer 5 is then formed, to be extended from the interior of the groove h onto the Si layer 5.例文帳に追加

次に、Ｓｉ層５を支持する支持体２１を溝ｈ内からＳｉ層５上にかけて形成する。 - 特許庁

In the Si-layer formation process, an Si layer 71 is formed on the surface of a monocrystal SiC base 70.例文帳に追加

Ｓｉ層形成工程では、単結晶ＳｉＣ基板７０の表面にＳｉ層７１を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a polycrystalline Si layer used for manufacturing a TFT of a polycrystalline Si, or a polycrystalline Si device containing the polycrystalline Si layer.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ層を含む多結晶ＳｉのＴＦＴまたは多結晶Ｓｉのデバイスを製造するのに使用される、多結晶Ｓｉ層を形成する方法を提供する。 - 特許庁

When a GaN layer containing Si is made to adjoin the surface of a sapphire substrate, the c-axis orientational distribution of the GaN layer becomes narrower, as compared with the case where Si is not substantially contained.例文帳に追加

また、サファイア基板面上にSiを含有するGaN層を隣接させると、Siが実質的に含有されていない場合に比べてGaN層のc軸配向性の分布は狭くなる。 - 特許庁

Next, the support for supporting the Si layer 5 on the Si substrate 1 is formed on the Si substrate 1 so that the trench h is filled and the Si layer 5 is covered.例文帳に追加

次に、Ｓｉ層５をＳｉ基材１上で支持する支持体を、トレンチｈが埋め込まれ且つＳｉ層５が覆われるようにしてＳｉ基材１上に形成する。 - 特許庁

Then, a support 7' for supporting the Si layer 5 on the Si substrate 1 is formed on the Si substrate 1 so that the hole (h) is buried and the Si layer 5 is covered.例文帳に追加

次に、Ｓｉ層５をＳｉ基板１上で支持する支持体７´を、穴ｈが埋め込まれ且つ当該Ｓｉ層５が覆われるようにして該Ｓｉ基板１上に形成する。 - 特許庁

Owing to this, a hollow part is formed between the Si substrate and the Si layer 13.例文帳に追加

これにより、Ｓｉ基板１とＳｉ層１３との間に空洞部を形成する。 - 特許庁

The coating layer consists of a material containing Si and has a thickness of 3 to 100 μm.例文帳に追加

この被覆層は、Siを含有する材料で構成され、厚さが3〜100μｍである。 - 特許庁