「Si」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The cushioning layer 31 is provided between the Si substrate 1 and the polymer layer 2 or is provided on the layer 2.例文帳に追加

緩衝層31は、Si基板1とポリマー層2との間に設けたり、ポリマー層2の上に設ける。 - 特許庁

In a manufacturing process of an Si microphone 1, a lower sacrifice layer 30 formed of Al-Si is formed on the upper surface 29 of the Si substrate 2.例文帳に追加

Ｓｉマイク１の製造工程において、Ｓｉ基板２の上面２９には、Ａｌ−Ｓｉからなる下部犠牲層３０が形成される。 - 特許庁

Si WAFER CONVEYING JIG AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

Ｓｉウェハ搬送治具及びその製造方法 - 特許庁

MATERIAL FOR FORMING Si-CONTAINING FILM, Si-CONTAINING FILM, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

Ｓｉ含有膜形成材料、Ｓｉ含有膜及びその製造方法、並びに半導体デバイス - 特許庁

Scattered light, caused by roughness of Si or a metal film surface, has high distribution on its rear side.例文帳に追加

Siや金属膜表面のラフネスで発生する散乱光は後方側に強い分布を持つ。 - 特許庁

METHOD FOR DEPOSITING POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM, POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM, PHOTOVOLTAIC ELEMENT AND TARGET例文帳に追加

多結晶Ｓｉ薄膜の堆積法、多結晶Ｓｉ薄膜及び光起電力素子並びにターゲット - 特許庁

Ge is selectively grown on Si while Si is selectively grown on Ge.例文帳に追加

ＳｉをＧｅ上で選択的に成長させる間に、ＧｅをＳｉ上で選択的に成長させる。 - 特許庁

Epitaxial growth of a crystal Si layer is made on a substrate having a porous Si layer on the surface.例文帳に追加

多孔質Ｓｉ層を表面に有する基板上に、結晶Ｓｉ層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The pulsed laser beam 16 is delivered to the Ge material after going through the second Si lump from the top of the drawing.例文帳に追加

パルスレーザ光16は、図の上方から第2のSi塊を透過してGe材に照射されている。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR BENDING Si-BASED MATERIAL, AND CORE WIRE MEMBER MADE OF Si-BASED MATERIAL例文帳に追加

Ｓｉ系材料の曲げ加工方法、曲げ加工装置、及びＳｉ系材料製芯線部材 - 特許庁

The metal thin film 4 is grounded and a negative voltage is applied to the Si substrate 1 or the boron nitride film 2.例文帳に追加

金属薄膜４を接地し、Si基板１又は窒化硼素膜２にマイナスの電位をかける。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM BY LIGHT IRRADIATION OF COMPOUND CONTAINING Si-O-Si BOND例文帳に追加

Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物への光照射による酸化ケイ素膜の形成法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR Si ALLOY NEGATIVE ELECTRODE例文帳に追加

Ｓｉ系合金負極電極の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MODIFYING INNER PORTION OF Si-O-Si BOND-CONTAINING COMPOUND, DEVICE AND ARTIFICIAL SKIN FOR ROBOT例文帳に追加

Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物の内部改質法、デバイス及びロボット用人工皮膚 - 特許庁

The Si/N ratio of the gate silicon nitride film 16 is set higher than the Si/N ratio of the interlayer silicon nitride film 26.例文帳に追加

ゲート窒化シリコン膜16のＳｉ／Ｎ比を層間窒化シリコン膜26のＳｉ／Ｎ比より高くする。 - 特許庁

Si CLATHRATE SINGLE CRYSTAL AND ITS PREPARATION PROCESS例文帳に追加

Ｓｉクラスレート単結晶とその製造方法 - 特許庁

SURFACE MODIFYING METHOD OF SOLID COMPOUND HAVING Si-O-Si BOND BY USING LASER BEAM例文帳に追加

レーザー光を用いたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む固体化合物の表面改質法 - 特許庁

A tensile strain Si channel layer 13 is formed on the surface of the Si-Ge layer 12.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｇｅ層１２の表面には引っ張り歪みＳｉチャネル層１３が形成されている。 - 特許庁

Si ALLOY NEGATIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR ELECTRIC DEVICE例文帳に追加

電気デバイス用Ｓｉ合金負極活物質 - 特許庁

Thus the surface of the Si substrate 10, facing the etching system 102, is etched, and the thickness of the substrate 10 becomes smaller from its central part 10c (Fig. c).例文帳に追加

こうして、Si基板１０のエッチング系統１０２に面した側がエッチングされ、中央部付近１０ｃからSi基板１０は薄くなっていく(c)。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING Si ALLOY-BASE COMPOSITE MATERIAL例文帳に追加

Ｓｉ合金基複合材料の製造方法 - 特許庁

A porous Si layer 29 is formed on a non-porous Si layer 28 by anodizing an Si wafer, and epitaxial Si layers 24 and 25 are formed on the porous Si layer 29, and the epitaxial Si layer 25 and an A151 adhered to a supporting substrate 52 are thermally melt-stuck and alloyed so that the A151 and the epitaxial Si layer 52 can be strongly adhered to each other.例文帳に追加

Ｓｉウェハを陽極化成して非多孔質Ｓｉ層２８上に多孔質Ｓｉ層２９形成し、多孔質Ｓｉ層２９上に、エピタキシャルＳｉ層２４，２５を形成して、エピタキシャルＳｉ層２５と、支持基板５２に密着したＡｌ５１を熱溶着して合金化しＡｌ５１とエピタキシャルＳｉ層２５を強固に密着させる。 - 特許庁

An Si wafer conveying jig for conveying an Si wafer comprises a composite material of Si and an SiC powder of a surface, which includes a contact part of the Si wafer of a part or an entirety conveyed with an Si layer.例文帳に追加

Ｓｉウェハを搬送する搬送治具であって、その治具が、Ｓｉウェハの接触部分を含む表面の一部または全部がＳｉ層で被覆されているＳｉとＳｉＣ粉末との複合材料からなることとしたＳｉウェハ搬送治具。 - 特許庁

A p/i interfacial layer 5 such as amorphous silicon (a-Si) of p-type and low impurity concentration whose band gap is wider than that of a p-layer 6 is held between the μc-Si p-layer 6 and an amorphous silicon germanium (a-SiGe) i-layer 4.例文帳に追加

μc-Siのｐ層６と非晶質シリコンゲルマニウム（a-SiGe）のｉ層４との間に、ｐ層６よりバンドギャップが広く、ｐ型で低不純物濃度の例えば非晶質シリコン（a-Si）のｐ／ｉ界面層５を挟む。 - 特許庁

In the producing method, a rate of decrease of Si content in the Si phase after the burning process to Si content in the Si phase before the burning process is suppressed to 10 mass % or less.例文帳に追加

焼成工程前のＳｉ相中のＳｉ含有量に対する焼成工程後のＳｉ相中のＳｉ含有量の低下率を質量１０％以下に抑制する製造方法である。 - 特許庁

There is provided an aluminum alloy wire having a composition comprising, by mass, 0.2 to 1.0% Mg, 0.1 to 1.0% Si and 0.1 to 0.5% Cu, and the balance Al with impurities, and satisfying 0.8≤mass ratio (Mg/Si)≤2.7.例文帳に追加

アルミニウム合金線は、質量％で、Mgを0.2％以上1.0％以下、Siを0.1％以上1.0％以下、Cuを0.1％以上0.5％以下含有し、残部がAl及び不純物からなり、0.8≦質量比Mg/Si≦2.7を満たす。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Si-SiC COMPOSITE MATERIAL例文帳に追加

Ｓｉ−ＳｉＣ系複合材料の製造方法 - 特許庁

The Si obtained by doping B has electroconductivity.例文帳に追加

ＢをドープしたＳｉは導電性を有している。 - 特許庁

A TFT element 1 comprises: a P doped n^+a-Si film 6 formed on an a-Si film 5; and an Si film 7 of less than 1 nm formed on the P doped n^+a-Si film 6.例文帳に追加

ＴＦＴ素子１は、ａ−Ｓｉ膜５上に形成されたＰドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６と、Ｐドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６上に形成された１ｎｍ以下のＳｉ酸化膜７を有している。 - 特許庁

The SiC crystal is grown on a growth surface of a seed crystal serving as an Si surface using an Si-Cr-Ni-C melt comprising Si, C, Cr and Ni or an Si-Cr-C melt.例文帳に追加

Ｓｉ、Ｃ、ＣｒおよびＮｉを含むＳｉ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｃ融液またはＳｉ−Ｃｒ−Ｃ融液により、種結晶の成長面をＳｉ面としてＳｉＣ結晶を成長させる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING Si-BASED ORGANIC/INORGANIC HYBRID MEMBRANE例文帳に追加

Ｓｉ系有機・無機ハイブリッド膜の形成方法 - 特許庁

H-Si, C-Si, O-Si and N-Si bonds of an organic silicated nucleating agent are activated by acting the phosphazene base to the organic silicated nucleating agent in an organic solvent.例文帳に追加

有機ケイ素化求核剤に、フォスファゼン塩基を有機溶媒中で作用させることにより、有機ケイ素化求核剤の水素−ケイ素、炭素−ケイ素、酸素−ケイ素、窒素−ケイ素結合を活性化する。 - 特許庁

Al-Mg-Si-BASED ALLOY BILLET FOR FORGING例文帳に追加

鍛造用Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金ビレット - 特許庁

MI means a first element such as Si, Sn, Ge and Pb.例文帳に追加

ＭＩはＳｉ，Ｓｎ，Ｇｅ，Ｐｂなどの第１の元素を表す。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING MONOMOLECULAR FILM ON SI SUBSTRATE例文帳に追加

Ｓｉ基板上への単分子膜の形成方法 - 特許庁

Cu-Co-Si-BASED ALLOY FOR ELECTRONIC MATERIAL例文帳に追加

電子材料用Ｃｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金 - 特許庁

The sliding material is made of a Cu-Ni-Si-based alloy and includes 0.5-10.0 mass% of Ni, 0.1-5.0 mass% of Si, 0.1-5.0 mass% of Cr, with the balance comprising Cu and inevitable impurities, and Sn in the level of impurities.例文帳に追加

Cu-Ni-Si系合金で構成される摺動材料で、Niを0.5〜10.0質量％、Siを0.1〜5.0質量％、Crを0.1〜5.0質量％含み、残部がCuと不可避的な不純物からなり、不純物レベルでSnを含む。 - 特許庁

The aluminum-based thermal spraying sliding material has the composition consisting of (a) 5-20% Sn, (b) 5-20% Sn and 1-15% Si, or (c) 8-17% Si, and the balance Al with inevitable impurities, with non-dissolved structure and dissolved structure mixed therein.例文帳に追加

(イ)5〜20％Sn、(ロ)5〜20％Sn及び1〜15％Si、又は(ハ)8〜17％Siを含有し、残部がAl及び不可避的不純物からなり、未溶解組織と溶解組織が混在するアルミニウム系溶射摺動材料。 - 特許庁

The aluminum alloy wire has a composition comprising, by mass, 0.2 to 1.0% Mg, 0.1 to 1.0% Si and 0.1 to 0.5% Cu, and the balance Al with impurities, and satisfying 0.8≤mass ratio Mg/Si≤2.7.例文帳に追加

アルミニウム合金線は、質量％で、Mgを0.2％以上1.0％以下、Siを0.1％以上1.0％以下、Cuを0.1％以上0.5％以下含有し、残部がAl及び不純物からなり、0.8≦質量比Mg/Si≦2.7を満たす。 - 特許庁

Related to a device structure, a plurality of wafers are pasted together with at least one layer being Si, and the Si layer bonded to a wafer flat surface is inclined from (III) surface toward [1, 1, -2].例文帳に追加

デバイス構造において、複数のウェーハが張り合わされており、少なくとも１つの層がSiで、ウェーハ平面に対して接着したSi層が(111)面から[1,1,-2]方向へ傾いている構成を有している。 - 特許庁

It is possible that, in the blending raw materials, the total of the carbonate is controlled to 10 to 35%, the content of the carbon for regulating slag formation speed is controlled to 0.1 to 5%, and further, as exoergic metal, a Ca-Si alloy and/or Si is blended.例文帳に追加

上記配合原料のうち、炭酸塩の合計を10〜35％、滓化速度調整用カーボンを0.1〜5％として、さらに発熱金属としてCa-Si合金および／またはSiを配合することができる。 - 特許庁

Cu-Ni-Si-Mg BASED COPPER ALLOY STRIP例文帳に追加

Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｍｇ系銅合金条 - 特許庁

Si (silicon) may be contained in the ionization layer 3.例文帳に追加

イオン化層３にはＳｉ（シリコン）を含めてもよい。 - 特許庁

FLUORINATED SI-POLYMER AND PHOTORESIST CONTAINING THE SAME例文帳に追加

フッ素化Ｓｉポリマーおよびこれを含むフォトレジスト - 特許庁

the [SI] unit of force, called newton 例文帳に追加

ニュートンという力の国際単位系組立単位 - EDR日英対訳辞書