「Si」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

a former unit of electric current (slightly smaller than the SI ampere) 例文帳に追加

電流の以前のユニット（SIアンペアより少し小さい） - 日本語WordNet

As an Si material source for the metallic Si melt layer 18, a metallic Si film with a thickness of about 50-200 μm is formed on the single crystal SiC substrate through vapor phase deposition, or a metallic Si plate of a similar thickness is stacked on the substrate to control the thickness of the metallic Si melt layer 18.例文帳に追加

金属Si融液層18のSi材料供給源としては、前記単結晶SiC基板上に厚さ50以上200μｍ以下程度の金属Si膜を気相法で形成させるか、基板上に同程度の厚みの金属Si板を重ねて金属Si融液層18の厚みを制御する。 - 特許庁

The upper Si oxide film and the Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G are separated from the Si nitride film 9 inside the anti-reflection film F in a region over the P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加

ONOゲート絶縁膜G内の上のSi酸化膜6及びSi窒化膜5と、反射防止膜Fの内のSi窒化膜9とをp^+型チャネル阻止領域12上の領域で切り離している。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING COMPOUND HAVING SI-SI BOND例文帳に追加

Ｓｉ−Ｓｉ結合を有する化合物の製造方法 - 特許庁

The value of γp(%) satisfies 20 to 65%, which is calculated by formula (1): γp=420X[C]+470X[N]+23X[Ni]+12X[Cu]+7X[Mn]-11.5X([Cr]+[Si])-52X[Al]-49X[Ti]+189, wherein [ ] denotes mass%.例文帳に追加

γp ＝420X[C]+470X[N]+23X[Ni]+12X[Cu]+7X[Mn]-11.5X([Cr]+[Si])-52X[Al]-49X[Ti] +189 ……(1) 。 - 特許庁

To solve the problem in the conventional method of sputtering method employing an Al-Si-Cu target, that Si nodules are generated when an Al- interconnection film is deposited.例文帳に追加

Al-Si-Cuターゲットによるスパッタ法で、Al配線膜を堆積させるときに生ずるSiのノジュールが発生してしまう。 - 特許庁

A Si film 20 is vapor-deposited on the entire surface, sand a SiN film 21 is formed, and Si is diffused by heat treatment to constrict a current.例文帳に追加

Si膜20を全面に蒸着し、SiN膜21を形成し、熱処理でSiを拡散させ電流を狭窄する。 - 特許庁

METHOD OF BONDING Si WAFERS例文帳に追加

Ｓｉウエハの接合方法 - 特許庁

The program information is generated by an SI/EPG data generator 17.例文帳に追加

SI/EPGデータジェネレータ１７は、番組情報を生成する。 - 特許庁

The SI system of units uses prefixes that indicate powers of ten. 例文帳に追加

SI 単位系では 10 の累乗を示す接頭語を用いる。 - JM

SI OBJECT FILE AND SI RELATED FILE MANAGEMENT SYSTEM例文帳に追加

ＳＩ対象ファイルおよびＳＩ関連ファイル管理システム - 特許庁

Si BULK POLYCRYSTALLINE INGOT例文帳に追加

Ｓｉバルク多結晶インゴット - 特許庁

PHOTORESIST CONTAINING Si POLYMER例文帳に追加

Ｓｉポリマー含有フォトレジスト - 特許庁

the SI unit of energy absorbed from ionizing radiation 例文帳に追加

電離放射線から吸収されるエネルギーのSIの単位 - 日本語WordNet

HIGH SPEED ETCHING METHOD OF Si例文帳に追加

Ｓｉ高速エッチング方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Si CARRIER例文帳に追加

Ｓｉキャリアの製造方法 - 特許庁

SiC/Si COMPOSITE MATERIAL例文帳に追加

ＳｉＣ／Ｓｉ複合材料 - 特許庁

Cu-Ni-Si ALLOY例文帳に追加

Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ合金 - 特許庁

An Si oxide film 2 and an Si nitride film 3 are successively formed on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の上に、Ｓｉ酸化膜２及びＳｉ窒化膜３を順次形成する。 - 特許庁

Si POLYCRYSTALLINE INGOT, METHOD OF PRODUCING Si POLYCRYSTALLINE INGOT, AND Si POLYCRYSTALLINE WAFER例文帳に追加

Ｓｉ多結晶インゴット、Ｓｉ多結晶インゴットの製造方法およびＳｉ多結晶ウェハー - 特許庁

A slab steel having a C content: C [wt.%] of 0.08 to 0.55, an Si content: Si [wt.%] of 0.02 to 0.60; and an Mn content: Mn [wt.%] of 0.3 to 1.5 is used as an object.例文帳に追加

C含有量C[wt%]を0.08〜0.55とし、Si含有量Si[wt%]を0.02〜0.60とし、Mn含有量Mn[wt%]を0.3〜1.5とするスラブ鋼を対象とする。 - 特許庁

A preferred chemical precursor contains one or more N-Si bonds.例文帳に追加

好適な化学前駆体が一つ以上のN‐Si結合を含む。 - 特許庁

The atom ratio (Ca/Si) of Ca to Si is ≥1.例文帳に追加

ＣａとＳｉとの原子比（Ｃａ／Ｓｉ）は、１以上である。 - 特許庁

Physical quantities shall be expressed in the SI or CGS system of units. 例文帳に追加

物理量は，SI又はCGS単位系により表わすものとする。 - 特許庁

program (in VT100 mode) recognizes the control characters BEL, BS, HT, LF, VT, FF, CR, SO, SI, ESC. 例文帳に追加

(VT100 モード)は BEL, BS, HT, LF, VT, FF, CR, SO, SI, ESC のコントロール文字を認識する。 - JM

OPTICAL SI THYRISTOR DRIVING CIRCUIT例文帳に追加

光ＳＩサイリスタ駆動回路 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SI EPITAXIAL WAFER AND SI EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

Ｓｉエピタキシャルウェーハの製造方法及びＳｉエピタキシャルウェーハ - 特許庁

An Ar^+ ion is implanted into a substrate 1 compound of crystalline Si.例文帳に追加

結晶Siからなる基板１に、Ar^+イオンの注入を行う。 - 特許庁

The Zn-Al alloy can also contain Cu, Mg, Si, Ag, etc., besides Zn and Al.例文帳に追加

Zn-Al合金は、Zn，Al以外に、Cu，Mg，Si，Ag等を含むこともできる。 - 特許庁

Si. that was me. i'm joe.例文帳に追加

あれは俺なんだ 俺はジョー - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Generation of Si nodules is prevented by depositing an Al3Ti film, having a high solid solubility of Si and an Al film in layer and heat treating at 400°C or above, thereby absorbing excess Si to the Al3Ti film.例文帳に追加

Siの固容量の大きいAl3Ti膜をAl膜と積層するように堆積して、400℃以上の熱処理を加えることにより、過剰なSiをAl3Ti膜に吸収させることでSiノジュールの発生を防止する。 - 特許庁

In the method, two Si lumps of a first solid Si lump 10 and a second solid Si lump 12 are brought into contact via a Ge material 14 which is brazing filler metal and are joined by brazing and soldering using pulsed laser.例文帳に追加

固体状態の第1のSi塊10及び第2のSi塊12の2つのSi塊を、鑞材であるGe材14を介して接触させて、パルスレーザによる鑞接によって接着する方法である。 - 特許庁

Then local nucleation is promoted at the upper part of the Si melt by inserting a seed crystal or a coolant in the Si melt from above the Si melt, or by conducting local cooling.例文帳に追加

次に、Si融液の上部からSi融液中に種結晶や冷媒を挿入または局所冷却を行うことにより、Si融液上部で局所的な核形成を促進する。 - 特許庁

The magnetic sheet for the RFID antenna comprises at least one kind of amorphous alloy selected from the group consisting of Fe-Si-B, Fe-Si-B-Cu-Nb, Fe-Zr-B and Co-Fe-Si-B.例文帳に追加

本発明に係るＲＦＩＤアンテナ用磁性シートは、Fe-Si-B、Fe-Si-B-Cu-Nb、Fe-Zr-B及びCo-Fe-Si-Bからなる群から選択される少なくとも１種の非晶質合金を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Al-Si ALLOY POWDER例文帳に追加

Ａｌ−Ｓｉ系合金粉末 - 特許庁

SiC-Si COMPOSITE MATERIAL例文帳に追加

ＳｉＣ−Ｓｉ複合材料 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING Si CLATHRATE例文帳に追加

Ｓｉクラスレートの製造方法 - 特許庁

This negative electrode material is formed of particles including the Si phase and the SiC phase, and the Si phase contains the doping element and a part of the Si phase is exposed in a particle surface, and other parts of the Si phase except for the part exposed in the particle surface are in contact with the SiC phase.例文帳に追加

この負極材料は、Si相とSiＣ相とを含む粒子からなり、Si相が前記ドープ元素を含み、Si相の一部が粒子表面に露出し、かつSi相の粒子表面に露出している部分以外はSiＣ相と接している。 - 特許庁

The bipolar transistor comprises a Si-doped collector electrode layer 2, an undoped collector layer 4, a C-doped base layer 5, a lower emitter layer 7 which is made of a material different from that of the base layer 5 and is Si-doped, a Si-doped upper emitter layer 9, and Si-doped emitter electrode layer 10.例文帳に追加

バイポーラトランジスタは、Siドープのコレクタ電極層２、アンドープのコレクタ層４、Ｃドープのベース層５、ベース層５とは異なる材料からなり、Siドープの下部エミッタ層７、Siドープの上部エミッタ層９、および、Siドープのエミッタ電極層１０からなる。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING Si-BASED CRYSTAL, Si-BASED CRYSTAL, Si-BASED CRYSTAL SUBSTRATE AND SOLAR BATTERY例文帳に追加

Ｓｉ系結晶の成長方法、Ｓｉ系結晶、Ｓｉ系結晶基板及び太陽電池 - 特許庁

Furthermore, containing Al, Si, and Cr inhibits the formation of the grains of the compound, and containing relatively low Al and Si keeps the resistivity low.例文帳に追加

また、Al,Si,Crの含有により、化合物粒の形成が抑えられ、Al,Siが比較的少ないことで、比抵抗を低く抑えられる。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Si THIN FILM, Si THIN FILM, AND SOLAR BATTERY例文帳に追加

Ｓｉ薄膜の作製方法、Ｓｉ薄膜、及び太陽電池 - 特許庁

When the mole ratio is Ca/Si≥1.3, the material containing Al is added so as to make Al_2O_3 mass percentage ≥ ((Ca/Si)×0.357-0.464)×100.例文帳に追加

ただしこのときモル比においてCa／Si≧1.3であればAl_2O_3質量％≧（（Ca／Si）×0.357-0.464）×100となるように前記Ａｌを含む物質を添加する。 - 特許庁

Si DISPERSED VITREOUS CARBON MATERIAL例文帳に追加

Ｓｉ分散ガラス状カーボン材 - 特許庁

O, and ≤0.005% Insol.Al, and satisfying relations [Sol.Al%]≤0.0002×[Cr%]+0.006 and [Sol.Al]≤0.02×([Si%]+[Mn%])+0.006.例文帳に追加

[Sol.Al％]≦0.0002×[Cr％]＋0.006 ・・・ (1) [Sol.Al％]≦0.02×（[Si％]＋[Mn％]）＋0.006 ・・・ (2) - 特許庁