「Si」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Joyo City established a sister-city relationship with Gyeongsan-si on January 22, 1991. 例文帳に追加

1991年1月22日姉妹都市提携 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Cu-Al-Si BASED ALLOY POWDER例文帳に追加

Ｃｕ−Ａｌ−Ｓｉ系合金粉末 - 特許庁

PHOTORESIST COMPOSITION CONTAINING Si-COMPONENT例文帳に追加

Ｓｉ−成分を含むフォトレジスト組成物 - 特許庁

The substrate can be a material such as silicon (Si)(100), Si(111), Si(110), quartz, glass, plastic, or zirconia.例文帳に追加

上記基板は、シリコン（Ｓｉ）（１００）、Ｓｉ（１１１）、Ｓｉ（１１０）、石英、ガラス、プラスチック又はジルコニア等の材料である。 - 特許庁

Si-DOPED GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

Ｓｉ添加砒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁

HOT ROLLING METHOD FOR Si-CONTAINING STEEL例文帳に追加

Ｓｉ含有鋼の熱間圧延方法 - 特許庁

METHOD FOR ANALYZING OXYGEN IN SI SAMPLE例文帳に追加

Ｓｉ試料中酸素の分析方法 - 特許庁

Figure 1 shows a HREM image of Si [110]. For the atomic arrangement, see the inset. 例文帳に追加

図1は、Si[110]のHREM像を示す。原子配列については挿入図を参照のこと。 - 科学技術論文動詞集

Thereafter the Si crystal ingot is grown by crystallizing from the upper part to the lower part of the Si melt by cooling the ingot while maintaining proper temperature distribution, and the remaining Si melt is discharged to outside the crucible on the way of crystal growth or at the final stage.例文帳に追加

しかる後、適切な温度分布を保ったまま冷却を行い、Si融液の上部から下部へSi結晶インゴットを結晶成長させ、結晶成長の途中または最終段階で、残留するSi融液をルツボ外に排除する。 - 特許庁

The Si crystal thin film is formed on the main surface of an Si substrate by bringing an Si melt into contact with the main surface of the Si substrate made of a metallurgical Si raw material or the like and performing liquid phase epitaxial growth at a temperature close to the melting point of Si.例文帳に追加

メタラジカルＳｉ原料などからなるＳｉ基板の主面に対してＳｉ融液を接触させ、Ｓｉの融点近傍で液相エピタキシャル成長を行い、前記Ｓｉ基板の前記主面上にＳｉ結晶薄膜を形成する。 - 特許庁

In a reflecting film comprising an Mo/Si multilayer film formed by laminating periodically an Mo layer 1 with the thickness of 2.8 nm and an Si layer 2 with the thickness of 4.2 nm as many as 100 (50-pair) layers in total on a substrate 3, an Ru layer 4 is formed on the Si layer 2 on the outermost surface side of a periodical structure.例文帳に追加

基板３の上に、厚さ2.8nmのMo層１と厚さ4.2nmのSi層２が周期的に合計100（５０対）層積層されたMo/Si多層膜からなる反射膜において、周期構造の最表面側にあたるSi層２上に、Ru層４が成膜されている。 - 特許庁

To provide a method of forming a polycrystalline Si layer used for manufacturing a TFT of a polycrystalline Si, or a polycrystalline Si device containing the polycrystalline Si layer.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ層を含む多結晶ＳｉのＴＦＴまたは多結晶Ｓｉのデバイスを製造するのに使用される、多結晶Ｓｉ層を形成する方法を提供する。 - 特許庁

When the wafers 11 and 12 are washed with the solution, an SiF linkage is left on the Si surface, because HF molecules react to an Si-O linkage on the Si surface and the Si-O linkage reacts to other HF molecules.例文帳に追加

洗浄時ＨＦ分子がＳｉ表面のＳｉ−Ｏ結合と反応し、Ｓｉ−Ｏ結合と他のＨＦ分子が反応しＳｉ表面にＳｉＦ結合が残る。 - 特許庁

Information (ESOB_TY:b12="1" or invalid value of information of PSI, SI) indicating invalidity of information (PSI, SI) about broadcasting contents is included in the management information (ESOB_TY) of a type (TYPE_B) not specifying the broadcasting station.例文帳に追加

前記放送局を特定しないタイプ（TYPE_B）の管理情報（ESOB_TY）内に放送コンテンツに関する情報（PSI, SI）の無効を示す情報（ESOB_TY：b12=“1”またはPSI, SIの情報の無効値）を含む。 - 特許庁

The cupper-based alloy having dezincfication resistive property, is composed of, by weight, 57-69% Cu, 0.3-3% Sn and 0.02-1.5% Si, wherein Si/Sn is in the range of 0.05-1, and the balance Zn with inevitable impurities.例文帳に追加

重量%で、Cu:57〜69%、Sn:0.3〜3%、Si:0.02〜1.5%を含み、Si/Snの値が0.05〜1の範囲であり、残部がZnと不可避的不純物からなることを特徴とする耐脱亜鉛性銅基合金。 - 特許庁

An SiGe layer 3 and an Si layer 5 are formed successively on an Si substrate 1, and a hole (h) for exposing the Si substrate 1 is formed on the Si layer 5 and the SiGe layer 3.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層３とＳｉ層５とを順次形成し、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３にＳｉ基板１を露出させる穴ｈを形成する。 - 特許庁

PRODUCTION OF SiC-Si COMPOSITE MATERIAL例文帳に追加

ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の製造方法 - 特許庁

Si MONOCHROMATOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

Ｓｉモノクロメータおよびその製造方法 - 特許庁

The non-dissolved structure of Al-Sn is an atomized structure with Sn flake-like or crescent shape, and in the non-solved structure of Al-Si, Si is a substantially circular grain or an uneven grain.例文帳に追加

Al-Snの未溶解組織はSnが片状、三日月状などとのアトマイズ組織となり、Al-Siの未溶解組織はSiが円に近い粒上、凹凸がある粒状などとなる。 - 特許庁

METHOD OF REMOVING PROCESSING DAMAGE OF Si WAFER例文帳に追加

Ｓｉウェーハの加工ダメージ除去方法 - 特許庁

This new improved method is the method, where, from an Si substrate accompanied on its surface by an amorphous silicon dioxide, a crystalline alkaline-earth-metal oxide is obtained on the Si substrate.例文帳に追加

Si基板上に結晶性アルカリ土類金属酸化物を作成する方法であって、表面に非晶質二酸化シリコンを伴うSi基板が得られる方法が提供される。 - 特許庁

SINTERING METHOD OF Fe-Si POWDER例文帳に追加

Ｆｅ−Ｓｉ系粉末の焼結方法 - 特許庁

Si CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

Ｓｉ結晶およびその製造方法 - 特許庁

To make a thin film of a solid compound containing a Si-O-Si bond and to form a fine pattern in a thin film of the solid compound containing the Si-O-Si bond.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む固体化合物の薄膜化を図り、並びに薄膜化したＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む固体化合物の微細パターン形成を行う。 - 特許庁

Integrated intensity of 1st peak of Fe_2O_3/{(integrated intensity of 1st peak of duplicated Fe-Si-Al and Fe-Ni×volume fraction of Fe-Ni occupying the total volume of Fe-Si-Al and Fe-Ni)+integrated intensity of 1st peak of FeNi_3}.例文帳に追加

Fe_2O_3の1stピークの積分強度／{（Fe-Si-AlとFe-Niの重複した1stピークの積分強度×Fe-Si-AlとFe-Niの合計体積に占めるFe-Niの体積分率）＋FeNi_3の1stピークの積分強度} - 特許庁

METHOD OF STACKING Si SINGLE CRYSTAL FINE PARTICLES例文帳に追加

Ｓｉ単結晶微粒子積層方法 - 特許庁

METHOD FOR HIGH-SPEED FILM GROWTH OF EPITAXIAL Si例文帳に追加

エピタキシャルＳｉの高速成膜方法 - 特許庁

COLUMNLESS SPACE SKELETON SYSTEM OF SI CONSTRUCTION例文帳に追加

ＳＩ建築の無柱空間スケルトンシステム - 特許庁

Si SINGLE-CRYSTAL FINE-PARTICLE LAYERING METHOD例文帳に追加

Ｓｉ単結晶微粒子積層方法 - 特許庁

To obtain a larger area to take out light without including an n-type Si substrate and a buffer layer, concerning a GaN-base LED to be formed by using a GaN-LED on Si substrate.例文帳に追加

GaN-LED on Si基板を利用して形成されるGaN系LEDにおいて、n型Si基板及びバッファ層を含まず、かつ光を取り出すための領域の面積を広く取ることが可能である。 - 特許庁

When a GaN layer containing Si is made to adjoin the surface of a sapphire substrate, the c-axis orientational distribution of the GaN layer becomes narrower, as compared with the case where Si is not substantially contained.例文帳に追加

また、サファイア基板面上にSiを含有するGaN層を隣接させると、Siが実質的に含有されていない場合に比べてGaN層のc軸配向性の分布は狭くなる。 - 特許庁

Cu-Co-Si-Zr ALLOY MATERIAL例文帳に追加

Ｃｕ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ｚｒ合金材 - 特許庁

Next, the support for supporting the Si layer 5 on the Si substrate 1 is formed on the Si substrate 1 so that the trench h is filled and the Si layer 5 is covered.例文帳に追加

次に、Ｓｉ層５をＳｉ基材１上で支持する支持体を、トレンチｈが埋め込まれ且つＳｉ層５が覆われるようにしてＳｉ基材１上に形成する。 - 特許庁

The Zr-Al-Si-based target for the PVD treatment is manufactured by fitting a plug made from an Al-Si alloy into a zirconium plate in which the required number of holes for plug fitting has been machined.例文帳に追加

必要数のプラグ嵌合用の孔を加工したジルコニウム板材に、Al-Si合金で製作したプラグを嵌合し、ＰＶＤ処理用のZr-Al-Si系ターゲット材を製作する。 - 特許庁

To provide a method for forming 3C-SiC single crystal thin film of a single phase having less crystal defects on an Si wafer by making hetero epitaxial growth on the surface of an Si substrate.例文帳に追加

Si基板表面にヘテロエピタキシャル成長させることにより、Siウェハ上に結晶欠陥の少ない単相の3C-SiC単結晶薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

In such a case, the R/Si ratio means the molar ratio of an organic group R directly bonded with silicon to silicon atom Si and the organic group R expresses an alkyl group such as methyl group, ethyl group, propyl group and phenyl group.例文帳に追加

ここに、R/Si比とは、珪素に直結する有機基Ｒと珪素原子Siとのモル比を、有機基Rとは、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基及びフェニル基をいう。 - 特許庁

An Nb-Al-Si intermetallic compound containing 20 atomic % Al and 47 atomic % Si, forming a dense alumina protective film on the surface in a high temperature atmosphere and excellent in oxidation resistance, is obtained.例文帳に追加

Alを20原子%、Siを47原子%含有し、高温大気中において表面に緻密なアルミナ保護膜を形成し、耐酸化性に優れるNb-Al-Si系金属間化合物を得る。 - 特許庁

I am shibuya of si pharmaceutical co., ltd. good job.例文帳に追加

エスアイ製薬の渋谷です。 お疲れさま。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

The bearing material has a composition containing 3 to 15% Al, 1 to 8% Mn, 0.05 to 5% Si, 0.5 to 5% Ni, and 1 to 10% Fe, and the balance Cu with inevitable impurities, and in which Fe-Mn-Si hard substance is dispersed.例文帳に追加

3 〜15 ％Al, 1〜 8％ Mn, 0.05 〜 5％ Si, 0.5〜 5％ Ni, 1〜10％ Feを含有し、残部不可避的不純物及びCuからなり、Fe-Mn-Si系硬質物が分散した銅系軸受材料。 - 特許庁

Then, a support 7' for supporting the Si layer 5 on the Si substrate 1 is formed on the Si substrate 1 so that the hole (h) is buried and the Si layer 5 is covered.例文帳に追加

次に、Ｓｉ層５をＳｉ基板１上で支持する支持体７´を、穴ｈが埋め込まれ且つ当該Ｓｉ層５が覆われるようにして該Ｓｉ基板１上に形成する。 - 特許庁

Owing to this, a hollow part is formed between the Si substrate and the Si layer 13.例文帳に追加

これにより、Ｓｉ基板１とＳｉ層１３との間に空洞部を形成する。 - 特許庁

Si wafers 2 are carried in a reaction furnace 14 while the wafers 2 are loaded in a wafer boat 3.例文帳に追加

Siウェハ２をウェハボート３に搭載した状態で反応炉１４に搬送する。 - 特許庁

PHOTOCHEMICAL JOINING METHOD AND DEVICE USING COMPOUND CONTAINING Si-O-Si BOND例文帳に追加

Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物を用いた光化学接合法及びデバイス - 特許庁

The carbon nanomaterial and Si are compatible, and Si and Mg are compatible, and further, Mg and Al are compatible.例文帳に追加

カーボンナノ材料とＳｉは相性がよく、ＳｉとＭｇとは相性がよい。 - 特許庁

METHOD FOR DEPOSITING POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM, POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM AND PHOTOVOLTAIC ELEMENT例文帳に追加

多結晶Ｓｉ薄膜の堆積法、多結晶Ｓｉ薄膜及び光起電力素子 - 特許庁