「Si」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for improving working deformation characteristics represented in elongation characteristics, of a steel, particularly of a high Si steel or a high Si and high Al steel in a normal industrial process, which have not been conventionally considered very much for a Si-containing steel.例文帳に追加

従来、Si含有鋼においてあまり考慮されなかった伸び特性に代表される、鋼の加工変形特性、特に高Siまたは高Siかつ高Alの成分系における加工変形特性の向上を、通常の工業的プロセスで実現する方途について提案する。 - 特許庁

To provide a working method of a high-strength member having a higher Si-content than 0.7 mass%.例文帳に追加

0.7質量％を超える高Si含有高強度部材の加工方法を提供する。 - 特許庁

The ingot magnetic steel sheet is preferable to have the characteristic of Si≥0.01 mass%, plate thickness≤1.0 mm, and Hv≥105.例文帳に追加

溶製電磁鋼板は、Si≧0.01mass％、板厚≦1.Omm、Hv≧105の特性を有することが好ましい。 - 特許庁

Preferably, the film with the Ar quantity in the insulator film of 17% or less in the atomicity ratio for Si (Ar/Si≤17 at.%) is prepared.例文帳に追加

また望ましくは前記絶縁体膜中のＡｒ量が、Ｓｉに対して原子数比で１７％以下(Ar/Si ≦ 17 at.%)の膜を作製する。 - 特許庁

PROCESS FOR PRODUCING Al-Mg-Si ALLOY PLATE, Al-Mg-Si ALLOY PLATE AND Al-Mg-Si ALLOY MATERIAL例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金板の製造方法およびＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金板、ならびにＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金材 - 特許庁

The component (B) is a silicon-containing polymer having Si-H group and having at least one bridging structure by an Si-O-Si bond.例文帳に追加

（Ｂ）成分：Ｓｉ−Ｈ基を有し、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合による橋かけ構造を一箇所以上有するケイ素含有重合体。 - 特許庁

Alternatively, the content of Si is controlled to ≤3%, and Al to 0.2 to 1.9% in the same chemical components.例文帳に追加

また、この発明の化学成分の内SiとAlをSi：3%以下、Al：0.2〜1.9%としたことを特徴とする高周波特性に優れた無方向性電磁鋼板。 - 特許庁

The amorphous Si film 4 is made to contact an Si-contained atmosphere while it is heated to a prescribed temperature, for growing a polycrystal Si particles 5 on the amorphous Si film 4.例文帳に追加

そして、非晶質Ｓｉ膜４を所定の温度に加熱した状態においてＳｉ含有雰囲気に接触させ、非晶質Ｓｉ膜４上に多結晶Ｓｉ粒子５を成長させる。 - 特許庁

The method for manufacturing Si is carried out by using slag on molten Si to migrate impurities in Si to the slag for purification, wherein high purity Si is produced by exposing the slag to reduced pressure.例文帳に追加

溶融Ｓｉにスラグを利用して、Ｓｉ中不純物をスラグに移動させて精製するＳｉ製造方法であって、スラグを減圧下に曝すことにより、高純度のＳｉを製造する。 - 特許庁

To provide a method for inexpensively mass-producing an La(Fe, Si)_13 alloy free from α-Fe and requiring no homogenization heating treatment for producing an La(Fe, Si)_13Hz based alloy exhibiting magnetocaloric effect.例文帳に追加

磁気熱量効果を発揮するLa(Fe,Si)_13Hz系合金を製造するためのα−Ｆｅがなく、均質化加熱処理の不要なLa(Fe,Si)_13合金を安価で大量に生産する方法を提供する。 - 特許庁

The glass insulating layers 16 to 19 are formed of Si-based, an Si-B-based, an Si-Al-based and an Si-Zn-based glass paste, and it contains at least one type of Ca, Sr, Ba and Mg.例文帳に追加

ガラス絶縁層１６〜１９は、Ｓｉ系、Ｓｉ−Ｂ系、Ｓｉ−Ａｌ系もしくはＳｉ−Ｚｎ系のガラスペーストからなり，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇのうち少なくとも１種類以上を含む。 - 特許庁

SURFACE TREATMENT METHOD FOR POLYCRYSTALLINE Si INGOT例文帳に追加

多結晶Ｓｉインゴットの表面処理方法 - 特許庁

METHOD FOR FIRING Si-BONDED SiC CERAMICS例文帳に追加

Ｓｉ結合ＳｉＣセラミックスの焼成方法 - 特許庁

HATCH-TYPE VERTICAL HSG-SI FORMING APPARATUS例文帳に追加

バッチ式縦型ＨＳＧ−Ｓｉ形成装置 - 特許庁

Atomized Co base metal chemical compound particle is preferably Si-Cr-Mo base Co base metal chemical compound dispersion particle or Si-Cr-Mo-Ni base Co base metal chemical compound particle.例文帳に追加

アトマイズ製Co基金属間化合物粒子としては、Si−Cr−Mo系Co基金属間化合物分散粒子またはSi−Cr−Mo−Ni系Co基金属間化合物粒子とすることが好ましい。 - 特許庁

A SiGe layer and a Si layer (SOI layer) 5 are sequentially laminated on a Si substrate 1, and a groove h passed through the SiGe layer and the Si layer 5 is formed on the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層及びＳｉ層（ＳＯＩ層）５を順次積層し、ＳｉＧｅ層及びＳｉ層５を貫く溝ｈをＳｉ基板１上に形成する。 - 特許庁

In this laser element, a layer which is grown to bury the mesa strip 15a is constituted of an Si current blocking layer 18 containing AlGaAs, and Si current blocking layers 19 and 20 containing AlGaInP.例文帳に追加

この半導体レーザ素子は、メサストライプ１５ａを埋め込む成長層が、AlGaAsを含むSi電流ブロック層１８及びAlGaInPを含むSi電流ブロック層１９、２０から構成されている。 - 特許庁

The composition with more stable and uniform characteristics can be supplied by further adding SiO_2 and controlling so that Si in the second phase exists at higher concentration than Si in the first phase.例文帳に追加

さらにSiO_2を添加し、第二相中のSiを第一相中のSiより高濃度で存在させるように制御することで、より安定して一様な特性のものを供給できるようにする。 - 特許庁

FLOOR UNIT FOR SI HOUSE AND FLOOR STRUCTURE例文帳に追加

ＳＩ住宅用床ユニットおよび床構造 - 特許庁

The manufacturing method uses an Si-Cr alloy as a solvent and its composition has a value of [Cr]/([Cr]+[Si]) of not smaller than 0.2 and not larger than 0.6 wherein [Cr] is the molar concentration of Cr and [Si] is the molar concentration of Si.例文帳に追加

溶媒としてＳｉ−Ｃｒ合金を使用し、Ｃｒのモル濃度を[Ｃｒ]、Ｓｉのモル濃度を[Ｓｉ]として、[Ｃｒ]／([Ｃｒ]＋[Ｓｉ]）の値が０.２以上、０.６以下の組成とする。 - 特許庁

The semiconductor device has an Si substrate 1, an Si layer 12 provided on its Si substrate 1, and insulating separative layers 5, 6 for covering respectively the side surface and the bottom surface of the Si layer 12 of its MOS region.例文帳に追加

Ｓｉ基板１と、Ｓｉ基板１上に設けられたＳｉ層１２と、ＭＯＳ領域のＳｉ層１２の底面および側面を覆う絶縁分離層５、６を備える。 - 特許庁

A first Si oxide film 102, a diamond-like film (DLC film) 103, an ashing protective film (a-Si film) 104 and a second Si oxide film 105 are formed in order on the surface of an Si substrate 101.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０１表面に第１のＳｉ酸化膜１０２、ダイヤモンドライク膜（ＤＬＣ膜）１０３、アッシング保護膜（ａＳｉ膜）１０４、第２のＳｉ酸化膜１０５を順次形成する。 - 特許庁

An Si microphone 1 is provided with a sensor 3.例文帳に追加

Ｓｉマイク１は、センサ部３を有している。 - 特許庁

Cu-Ni-Si-Zn BASED COPPER ALLOY例文帳に追加

Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｚｎ系銅合金 - 特許庁

An SiGe layer 3 and an Si layer 5 are successively formed on an Si substrate 1, and a trench h is formed in the Si layer 5 and the SiGe layer 3 to expose the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基材１上にＳｉＧｅ層３とＳｉ層５とを順次形成し、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３にＳｉ基材１を露出させるトレンチｈを形成する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING C/Si/O COMPOSITE MATERIAL例文帳に追加

Ｃ／Ｓｉ／Ｏ複合材料の製造方法 - 特許庁

Al-Si FILM, AND METHOD FOR DEPOSITING THE SAME例文帳に追加

Ａｌ−Ｓｉ膜およびその形成方法 - 特許庁

In an inspection process of crystallinity of a p-Si film 23, irradiation light Lout is emitted to the p-Si film 23 and an a-Si film 230 to acquire transmission images of the p-Si film 23 and the a-Si film 230.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて照射光Ｌoutを照射し、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の透過画像を取得する。 - 特許庁

This method of forming metal wiring contains a step of cleaning the surface of a silicon substrate 10 that is exposed by a contact hole 12h, a step of forming a Ti-Si film on the structure obtained in the preceding step, and a step of forming a Ti-Si-N film 16 on the Ti-Si film 14.例文帳に追加

本発明は、コンタクトホール12hにより露出されたシリコン基板10の表面を洗浄する段階と、前段階で得られた構造物上にTi-Si膜を形成する段階と、前記Ti-Si膜14上にTi-Si-N膜16を形成する段階とを含んでなる金属配線形成方法である。 - 特許庁

A powder of Si-X alloy (X is one or more elements to form an inter-metal compound or solid solution together with Si) whose structure includes an Si-phase having a large Li-occluding ability is manufactured by a rapid cooling solidification method with a cooling speed of 100°C/sec (gas atomizing method, rapid cool rolling method, etc.).例文帳に追加

Si−Ｘ (ＸはSiと金属間化合物または固溶体を形成する１種以上の元素) 合金であって、組織中にLi吸蔵能の大きいSi相を有する合金の粉末を、冷却速度100 ℃/sec以上の急冷凝固法 (ガスアトマイズ法、急冷ロール法等)により製造する。 - 特許庁

Since an Al amount is controlled, problems that a siliconizing rate varies and an effective Si concentration gradient is not obtained in a plate thickness direction are solved to obtain the unidirectional electromagnetic steel plate having an average Si concentration of 5.5 to 7 mass% on a steel plate surface and an average Si concentration of 3 to 5.5 mass% in the center of the plate thickness.例文帳に追加

Al量が制御されているため、浸珪速度が変動したり、板厚方向に有効なSi濃度勾配を実現できないという問題が解消され、鋼板表面の平均Si濃度が5.5〜7mass%、板厚中心の平均Si濃度が3〜5.5mass%である一方向性電磁鋼板が得られる。 - 特許庁

SI-CONTAINING FILM-FORMING MATERIAL AND UTILITY THEREOF例文帳に追加

Ｓｉ含有膜形成材料、及びその用途 - 特許庁

Consequently, a bond between Si and C is broken, and Si and oxygen are bonded to each other and the film including Si and C is modified into an SiC film.例文帳に追加

これにより、ＳｉとＣとの結合が切断され、Ｓｉと酸素とが結合して、Ｓｉ及びＣを含む膜がＳｉＯ膜に変質する。 - 特許庁

The steam-proof film contains R (a rare earth element), Si, and O and has Si-O bond.例文帳に追加

本耐水蒸気膜は、Ｒ（希土類元素）、Ｓｉ及びＯを含み、且つ、Ｓｉ−Ｏ結合を有する。 - 特許庁

Since TaNx does not contain Si, it has a higher anti-moisture property than WSiN which contains Si.例文帳に追加

ＴａＮｘはＳｉを含まないため、Ｓｉを含むＷＳｉＮよりも耐湿性が高い。 - 特許庁

The compsn. of this steel is composed of 0.1 to 0.3% C+N, ≤0.5% Si, ≤0.7% Mn, 10 to 17% Cr and 0 to 0.6% Ni.例文帳に追加

鋼組成を、Ｃ＋Ｎ：0.1 〜0.3 ％、Si：0.5 ％以下、Mn：0.7％以下、Cr：10〜17％、Ni：０〜0.6 ％とする。 - 特許庁

The Al-Si alloy layer 22 has a part including Si by 1.65 mass% or less.例文帳に追加

Ａｌ−Ｓｉ合金層22は、Ｓｉ含有量が１．６５質量％以下である部分を有している。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SMART FIBER USING COMPOUND HAVING Si-O-Si BOND, AND SMART FIBER WEAR例文帳に追加

Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物を用いたスマート繊維の作製法及びスマート繊維ウェア - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high Si-containing high tensile strength steel sheet excellent in a chemical conversion treatment property.例文帳に追加

化成処理性に優れた高Si含有高張力鋼板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Change over between CI combustion and SI combustion is done through third combustion (CI-SI combustion).例文帳に追加

ＣＩ燃焼とＳＩ燃焼との切換時は、第３の燃焼（ＣＩ−ＳＩ燃焼）を経由させる。 - 特許庁

To stably prevent the generation of surface flaws caused by red scales in an Si-contg. hot rolled steel sheet.例文帳に追加

含Si熱延鋼板において、赤スケールに起因した表面疵の発生を安定した防止する。 - 特許庁

A striped insulating film 26 is formed between a principal surface of the Si substrate 10 and a buffer layer 60-1.例文帳に追加

Si基板10の主面とバッファ層60-1との間にストライプ状絶縁膜26が形成されている。 - 特許庁

An SiGe layer 11 and an Si layer (SOI layer) 13 are deposited successively on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層１１とＳｉ層（ＳＯＩ層）１３とを順次成膜する。 - 特許庁

A gate insulting film 5 and a multi-crystal Si film 6 are successively formed on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にゲート絶縁膜５および多結晶Ｓｉ膜６を順次形成する。 - 特許庁

Cu-Cr-Si-BASED ALLOY AND Cu-Cr-Si-BASED ALLOY FOIL FOR ELECTRICAL/ELECTRONIC COMPONENT例文帳に追加

電気・電子部品用Ｃｕ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金およびＣｕ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金箔 - 特許庁