「Si」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Cu-Ni-Si-BASED ALLOY例文帳に追加

Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金 - 特許庁

Co-Si BASED COPPER ALLOY SHEET例文帳に追加

Ｃｏ−Ｓｉ系銅合金板 - 特許庁

A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１上に多孔質Ｓｉ層２を形成し、その上に太陽電池層となるｐ^+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ^+ 型Ｓｉ層５を形成する。 - 特許庁

The dust core contains a mixture of amorphous alloy powder of at least one selected from Fe-Si-B, Fe-Si-B-Cu-Nb, Fe-Zr-B and Co-Fe-Si-B and pure Fe powder having Fe exceeding 99.5% by mass.例文帳に追加

Fe-Si-B、Fe-Si-B-Cu-Nb、Fe-Zr-B及びCo-Fe-Si-Bからなる群から選択される少なくとも１種の非晶質合金粉末と９９．５質量％超がＦｅの純Ｆｅ粉末が混合された圧粉磁心を用いる。 - 特許庁

To provide an Si-added high strength steel sheet having excellent phosphate treatability by controlling Si based oxides produced on the surface of the Si-added steel sheet having phosphate treatability remarkably inferior to that of soft steel.例文帳に追加

軟鋼よりも遥かにリン酸塩処理性が劣るSi添加鋼に対し、鋼板表面に生成するSi系酸化物を制御することで、リン酸塩処理性に優れたSi添加高強度鋼板を提供する。 - 特許庁

Prior to the measurement of the steel product with unknown Si concentration, a calibration curve for determining Si concentration from a sensor output in a differential magnetic permeability used for the measurement is formed by use of a sample with known Si concentration.例文帳に追加

Si濃度が未知の鋼材を測定する前に、まずSi濃度が既知のサンプルを用いて、測定に使用する微分透磁率におけるセンサ出力からSi濃度を求める校正線を作成する。 - 特許庁

To provide a hot rolled steel sheet in which workability is secured, and further, insular scale flaws are suppressed, regarding a high Si steel sheet added with Si so as to improve its workability and satisfying (5xP+Al)/Si≤0.728, and to provide its production method.例文帳に追加

加工性を改善すべくSiを添加した、（5xP+Al）/Si≦0.728 を満足する高Si鋼板について、加工性を確保するとともに島状スケール疵を抑制した熱延鋼板とをその製造方法を提供する。 - 特許庁

A film containing Ar in a Si oxide amorphous insulator film wherein a quantity of Ar in the film is 3% or more in an atomicity ratio for Si (Ar/Si≥3 at.%) is prepared.例文帳に追加

Si酸化物アモルファス絶縁体膜中にＡｒを含有し、その膜中のＡｒ量がＳｉに対して原子数比で３％以上(Ar/Si ≧ 3 at.%)である膜を作製する。 - 特許庁

[wherein CRpre is a pre-AJC set cooling rate (°C/sec); LS is a line speed (mpm); Si% is the Si concentration (mass%) in a plating bath; and Ca% is the Ca concentration (mass%) in the plating bath].例文帳に追加

0.9×CRpre≦CR≦1.1×CRpre・・・（A）ここに、CRpre=ｆ(Si%、Ca%）＝4.9×10^-3×LS×（659.05e−0.0096Si%＋500Ca%-577）CRpre：プレAJC設定冷却速度（℃/sec）LS：ラインスピード（mpm）Si%：めっき浴中Si濃度（質量%）Ca%：めっき浴中Ca濃度（質量%） - 特許庁

Then, the Si nitride film 3 and the Si oxide film 2 are subjected to an etching process.例文帳に追加

次いで、Ｓｉ窒化膜３及びＳｉ酸化膜２をエッチングする。 - 特許庁

The electrode 18 may be formed on the Si surface of the substrate 11.例文帳に追加

また、電極１８は、基板１１のSi面に形成されてもよい。 - 特許庁

Si of 1×1016 cm^-3 to 1×1018 cm^-3 is contained in a p-type layer.例文帳に追加

p型層にはSiが1×1016cm-3以上1×1018cm-3未満含有されている。 - 特許庁

LASER BEAM MACHINING METHOD OF Si SUBSTRATE例文帳に追加

Ｓｉ基板のレーザ加工方法 - 特許庁

SI MOUNTING BOARD COMPOSED OF Si AND SEMICONDUCTOR MODULE USING THE SAME例文帳に追加

Ｓｉから成る実装基板およびそれを用いた半導体モジュール - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF STRAINED Si SUBSTRATE例文帳に追加

歪Ｓｉ基板の製造方法 - 特許庁

In the Al base coated layer, 3-15 mass% Si can be contained.例文帳に追加

溶融Al系めっき層には、Si：3〜15質量％を含むことができる。 - 特許庁

(SI is the International System of Units, which defines these letters) 例文帳に追加

(SIとは国際単位系のことで、これらのサイズ文字を定義している) - JM

To prevent or inhibit the corrosion of a-Si and p-Si.例文帳に追加

ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉの腐蝕を阻止又は大幅に抑制する。 - 特許庁

The Si single crystal 1 is curved and the position of the probe 6 is displaced by the bimetal operation between the PZT thin film 3 and the Si single crystal 1.例文帳に追加

ＰＺＴ薄膜３とSi単結晶１とのバイメタル作用により、Si単結晶１が湾曲して探針６の位置が変位する。 - 特許庁

To provide a GaN-based HEMT that is formed by utilizing a GaN-HEMT on Si substrate and prevents carrier storage layers from existing in the multilayer (GaN/AlN) buffer layer and Si substrate.例文帳に追加

GaN-HEMT on Si基板を利用して形成されるGaN系HEMTにおいて、多層(GaN/AlN)バッファ層及びSi基板中にキャリア蓄積層が存在しない。 - 特許庁

In the Ainu language, Heshiko becomes pe-si-kor: pe meaning the liquid coming out of something, si, in this case, meaning 'it' and kor meaning 'maintain' or 'create.' 例文帳に追加

アイヌ語にあてはめると、へしこ＝pe-si-kor、peとは何かからにじみ出てくる液、siはこの場合「それを」、korは「護持する」「生成する」を意味する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Each constituting element is prepared on one Si substrate.例文帳に追加

以上の各構成要素は１枚のSi基板上に作成されている。 - 特許庁

The metal atom(s) is desirable to be one or more kinds among Si, Ti, Cr, Fe and Ni.例文帳に追加

金属原子は好ましくはSi、Ti、Cr、Fe、Niの１種以上である。 - 特許庁

The materials may be Si and SiGe, Si and Ge, or Si and amorphous Se, for example.例文帳に追加

材料は、例えば、Ｓｉ及びＳｉＧｅ、Ｓｉ及びＧｅ、又は、Ｓｉ及びアモルファスＳｅであり得る。 - 特許庁

METHOD OF FORMING SILICON CONTAINING THIN FILM USING ORGANIC COMPOUND CONTAINING SI WITH SI-SI BOND例文帳に追加

Ｓｉ−Ｓｉ結合を有する有機Ｓｉ含有化合物を用いたＳｉ含有薄膜の形成方法 - 特許庁

Thereafter, the Si etching is resumed.例文帳に追加

その後、Ｓｉエッチングを再開する。 - 特許庁

WELDING METHOD FOR Si BASED MATERIAL例文帳に追加

Ｓｉ系材料の溶接方法 - 特許庁

LASER BEAM MARKING METHOD TO Si WAFER例文帳に追加

Ｓｉウェハへのレーザマーキング方法 - 特許庁

The oxidation-resistant coating method for a carbon/carbon composite material comprises (a) the step of coating the carbon/carbon composite material with Si and (b) the step of thermally treating the applied Si to impregnate it into the composite material to form a SiC layer and a Si layer successively.例文帳に追加

(a)炭素/炭素複合材料上にSiを塗布する工程、及び(b)塗布されたSiを熱処理して、前記複合材料にSiを含浸させることにより、SiC層とSi層を順次形成する工程を含む炭素/炭素複合材料の耐酸化コーティング方法。 - 特許庁

The inner layer is composed of a compound of Al, Si and B of periodic table IVa, Va, VIa group metal.例文帳に追加

内層は、周期律表IVa、Va、VIa族金属、Al、Si、Bの化合物からなる。 - 特許庁

A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加

n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁

In the core layer 21, Si from the Al-Si alloy layer 22 is diffused.例文帳に追加

芯層21にＡｌ−Ｓｉ合金層22からのＳｉが拡散している。 - 特許庁

Then, an Si substrate 12 is etched and removed (Si substrate removal process).例文帳に追加

ついで、Ｓｉ基板１２をエッチングし、除去する（Ｓｉ基板除去工程）。 - 特許庁

The magnetic material comprises an Fe alloy magnetic material (containing Fe as a primary component and Si, Al (or Cr), etc. added thereto), such as an Fe-Si-Al-based or Fe-Si-Cr-based material, and phosphorous of 0.2 to 0.5 wt.% added to the Fe alloy magnetic material.例文帳に追加

本発明の一実施の形態に係る磁性材は、Fe-Si-Al系、またはFe-Si-Cr系等の、（Feを主成分として、Si、Al（またはCr）等を添加した）Ｆｅ系合金磁性材に、P（リン）が０．２〜０．５w％添加されて構成される。 - 特許庁

A large area of the Si substrate is polished with a grinder (Si substrate polishing step), subsequently the Si substrate is etched (Si substrate etching step).例文帳に追加

グラインダを用いてＳｉ基板の大部分を研磨し（Ｓｉ基板研磨工程）、引き続き、Ｓｉ基板をエッチングする（Ｓｉ基板エッチング工程）。 - 特許庁

A Ge solar cell layer may be formed on the other surface of the Si solar cell layer to include a solar cell layer having an InGaP/(In)GaAs/Si/Ge 4-junction structure.例文帳に追加

前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge４接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。 - 特許庁

The steel sheet also may contain 0.2-3 mass% Si.例文帳に追加

また本発明の鋼板には、更にSiを0.2 〜3 質量％含有しても良い。 - 特許庁

(2) Ceq=C+Mn/6+Si/24+Ni/40+Cr/5+Mo/4+V/14≥0.34; and (3) P_CM=C+Si/30+Mn/20+Cu/20+Ni/60+Cr/20+Mo/15+V/10+5B≥0.17.例文帳に追加

−{119.6Mn＋18.4Ni＋278.3Mo}＋{292.1Si＋142.6Cu＋2615.1Ｖ｝≦−80 …（１）Ｃeq=Ｃ＋Mn/６＋Si/24＋Ni/40＋Cr/５＋Mo/４＋Ｖ/14≧0.34 …（２）Ｐ_CM＝Ｃ＋Si/30＋Mn/20＋Cu/20＋Ni/60＋Cr/20＋Mo/15＋Ｖ/10＋５Ｂ≧0.17 …（３） - 特許庁

Si WAFER AND PRODUCTION THEREOF例文帳に追加

Ｓｉウエーハ及びその製造方法 - 特許庁

Further, in the composition of the steel sheet, the content of Si is controlled to ≤0.3%, P to ≤0.02%, Ti to 0.01 to 0.5%, and Nb to 0.01 to 0.5%.例文帳に追加

さらに鋼板組成をSi：0.3%以下、P：0.02%以下、Ti：0.01〜0.5%、Nb：0.01〜0.5%とする。 - 特許庁

POLISHING METHOD OF Si SUBSTRATE SURFACE例文帳に追加

Ｓｉ基板表面の研磨方法 - 特許庁

To provide a method for joining a component and a Si substrate by heating, to a high temperature, a limited narrow area only of the interface between the joint surface of the component made of a Si lump as a base material and the joint surface of the Si substrate.例文帳に追加

素子を形成するSi塊母材で形成された素子の接着面とSi基板の接着面とが接する界面の限られた狭い領域のみを高温にすることによって、素子とSi基板とを接着する。 - 特許庁

The Heusler alloy material has a composition ratio of Co_2(Fe_xMn_1-x)Si alloy (x=0.1 to 0.9).例文帳に追加

ホイスラー合金材料は、Co_2(Fe_xMn_1-x)Si合金（x=0.1〜0.9）の組成比を有している。 - 特許庁

Alternatively Si-CH_2-CH_2-Si bond and Si-CH_2-Si bond are formed in the insulating film by irradiation with the UV rays.例文帳に追加

あるいは、紫外線照射により、絶縁膜中にＳｉ−ＣＨ_2−ＣＨ_2−Ｓｉ結合およびＳｉ−ＣＨ_2−Ｓｉ結合を形成させる。 - 特許庁

Uh, normal nsa employees have a combination of clearances called ts, si, tk, and gamma.例文帳に追加

通常の NSA 職員は TS、SI、TK 及びガンマと呼ばれる 権限を持っている - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書