「Single layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

In the injection process, an impurity ion 18 is injected to the single crystal silicon layer 13a for activating the silicon layer 13a.例文帳に追加

注入工程は、単結晶シリコン層１３ａに不純物イオン１８を注入してシリコン層１３ａを活性化する工程である。 - 特許庁

The second release liner comprises a single layer or a laminated film which has a peelable layer constituted of an ethylene-vinyl acetate resin.例文帳に追加

本発明の第２の剥離ライナーは、エチレン−酢酸ビニル樹脂で構成された剥離性層を有する単層又は積層フィルムからなる。 - 特許庁

The second tantalum layer 132x and an intermediate tantalum layer 132y are each a single-phase tantalum film of a cubic system and have a low specific resistance.例文帳に追加

第２タンタル層１３２ｘおよび中間タンタル層１３２ｙは、立方晶系の単相のタンタル膜になっており、比抵抗が低い。 - 特許庁

To grow polycrystalline silicon layer and single crystal silicon layer having very low metal contained impurity concentration by a catalytic CVD method.例文帳に追加

触媒ＣＶＤ法により、含有金属不純物濃度が極めて低い多結晶シリコン層や単結晶シリコン層を成長させる。 - 特許庁

The feeding mechanism part S1 for feeding the sheet P1 from the sheet loading part 11 as the first layer is mounted in the single layer area.例文帳に追加

その重ならない領域に、第１層目のシート積載部１１からシートＰ１を給送する給送機構部Ｓ１が設置されている。 - 特許庁

The burning marginal layer 4 is composed of the single wood members 5 assembled through the adhesive while surrounding the whole periphery of the unburning layer.例文帳に追加

燃えしろ層４は、木材単材５により構成し、燃え止まり層の全周を囲って接着剤を介して集成したものである。 - 特許庁

The sugar-coated product having the candy layer is the sugar-coated product having a sugar-coated layer in a weight of 1-15 times of a single center layer, and is obtained by alternately laminating a layer of glucide and a layer of acidulant in the sugar-coated layer, and forming the candy layer containing an oil component on the outer surface of the sugar-coated layer.例文帳に追加

中心層単重の１〜１５倍の重量の糖衣層を有する糖衣物であって、前記糖衣層において糖質の層と酸味料の層が交互に積層され、該糖衣層の外表面に油分を含むキャンディ層が形成されていることを特徴とするキャンディ層を有する糖衣物。 - 特許庁

Also, a method of video encoding that includes selecting data for encoding in a first layer and a second layer so as to allow decoding of the data in a single combined layer, and encoding the selected data in the first layer and in the second layer by encoding a coefficient in the first layer and encoding a differential refinement to the first layer coefficient in the second layer.例文帳に追加

ビデオ符号化方法では、第一層および第二層内で符号化して単一組み合わせ層中で復号化するためにデータを選択し、第一層中の係数を符号化するとともに第一層係数に対する微差を第二層中で符号化することにより選択されたデータを第一層、第二層中で符号化する。 - 特許庁

An n^- drift layer 2 is formed on an n^+ single crystal SiC substrate, a p^+ base layer 3 is formed on the layer 2, trenches 4 reach as far as the layer 2, and the layer 3 is formed so as to have a prescribed width W.例文帳に追加

ｎ^+型単結晶ＳｉＣ基板１上にｎ^-ドリフト層２が形成され、ドリフト層２上にｐ^+ベース層３が形成され、トレンチ４はドリフト層２に達し、かつ、ベース３が所定幅Ｗとなるように形成されている。 - 特許庁

Particularly, the first intermediate layer is a layer mainly made of a single crystal aggregate, and the second intermediate layer is made of a group III nitride semiconductor in which a disorderliness in an orientation in the second intermediate layer is smaller than that in the first intermediate layer.例文帳に追加

特に、上記の第１の中間層を主に単結晶体の集合体からなる層とし、第２の中間層を第１の中間層よりも配向性上の乱雑度をより小とするIII族窒化物半導体とする。 - 特許庁

To provide a coating method which enables alternate, defectless, and uniform formation of a laminated layer consisting of an upper coating layer and a lower coating layer and a single layer consisting only of the upper coating layer onto a surface of an object to be coated along its moving direction moving relative to a coating apparatus.例文帳に追加

塗布装置と相対的に移動する被塗布物の表面に、上層塗膜と下層塗膜との積層部と上層塗膜のみからなる一層部とを移動方向に交互に、欠陥なく、均一に形成する。 - 特許庁

In the laminate such that an aluminum film 3, a bonding layer 4 and a sealant layer 5 are laminated in order on a base material film 1 of single-layer or multi-layer, a boehmite treatment is applied at least to the face by the side of the bonding layer 4 of the aluminum film 3.例文帳に追加

単層または多層の基材フイルム１に、アルミニウム箔３、接着層４、シーラント層５が順次積層された積層体において、少なくともアルミニウム箔３の接着層４側の面がベーマイト処理されている。 - 特許庁

To provide a pneumatic tire with a superior average exfoliation force at the time of a low temperature or a room temperature between a surface of a single layer or a multi-layer thermoplastic resin film layer used as an inner liner layer and an adjacent rubber-like elastic layer.例文帳に追加

インナーライナー層として使用する単層又は多層熱可塑性樹脂フイルム層の表面と隣接するゴム状弾性層との低温及び室温時における平均はく離力が優れた空気入りタイヤを提供する。 - 特許庁

The coating layer 24 has either a double layer structure comprising a layer 24a by the phenol resin 22 and a layer 24b by the carbon nano-fiber 23, or a single layer structure comprising a mixed material obtained by dispersing the phenol resin 22 and the carbon nano-fiber 23.例文帳に追加

被覆層２４は、フェノール樹脂２２による層２４ａとカーボンナノファイバ２３による層２４ｂとからなる２層構造をなすか、フェノール樹脂２２にカーボンナノファイバ２３を分散させた混合材からなる単層構造をなす。 - 特許庁

To provide a single-crystal silicon solar cell as a see-through type solar cell, wherein a thin film light conversion layer is high-crystallinity single crystal silicon.例文帳に追加

薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした単結晶シリコン太陽電池を、シースルー型太陽電池として提供する。 - 特許庁

Further, a semiconductor layer 108 of a conductive type reverse to the single conductive type, which forms bonding with single conductive type crystalline semiconductor particles 104, is formed.例文帳に追加

さらに、一導電型の結晶性半導体粒子１０４と接合を形成する一導電型とは逆の導電型の半導体層１０８を形成する。 - 特許庁

SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE, SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE WITH EPITAXIAL GROWTH LAYER, SiC SUBSTRATE, CARBON SUPPLY FEED SUBSTRATE, AND SiC SUBSTRATE WITH CARBON NANOMATERIAL例文帳に追加

単結晶ＳｉＣ基板、エピタキシャル成長層付き単結晶ＳｉＣ基板、ＳｉＣ基板、炭素供給フィード基板及び炭素ナノ材料付きＳｉＣ基板 - 特許庁

The single-crystal semiconductor is separated from the single-crystal semiconductor substrate by irradiation with accelerated ions, formation of a fragile layer by the ion irradiation, and heat treatment.例文帳に追加

単結晶半導体基板は、加速されたイオンの照射とそれに伴う脆化層の形成、及び熱処理により、単結晶半導体を分離する。 - 特許庁

This orientational single layer ferroelectric oxide thin film is obtained by forming a ferroelectric oxide thin film having a smooth surface on a single crystal substrate.例文帳に追加

単結晶基板上に平滑な表面を有する強誘電体酸化物薄膜が形成されてなる配向性単層強誘電体酸化物薄膜。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gallium nitride single crystalline substrate which enables easy splitting of a gallium nitride single crystalline layer from a base substrate and production of a large-area substrate.例文帳に追加

基材基板と窒化ガリウム単結晶層との分離が容易であって大面積化が可能な窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

When a substrate 600 of an SOI structure is manufactured trenches 260 are formed on a single crystal silicon layer, and island-shaped single crystal silicon layers 230 are formed.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の基板６００を製造するにあたって、単結晶シリコン層に溝２６０を形成して、島状の単結晶シリコン層２３０を形成する。 - 特許庁

Temperature T of a gallium arsenide (GaAs) single crystal substrate is set to T1 and a homogeneous layer having the same composition as the single crystal substrate is epitaxially grown.例文帳に追加

ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）単結晶基板の基板温度ＴをＴ１に設定し、単結晶基板と同一組成のホモ層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To provide a single crystal silicon solar cell as a see-through type solar cell, in which a thin-film photoconversion layer contains single crystal silicon having high crystallinity.例文帳に追加

薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした単結晶シリコン太陽電池を、シースルー型太陽電池として提供する。 - 特許庁

A GaN-based light-emitting layer 3 is formed on an MGC 2 (melt growth composite) consisting of a Y_3Al_5O_12 single crystal phase 21 and an Al_2O_3 single crystal phase 22, and Ce^3+ ions are doped in the Y_3Al_5O_12 single crystal phase 21.例文帳に追加

Ｙ_3Ａｌ_5Ｏ_12単結晶相２１とＡｌ_2Ｏ_3単結晶相２２からなるＭＧＣ２上にＧａＮ系の発光層３を形成し、Ｙ_3Ａｌ_5Ｏ_12単結晶相２１にＣｅ^3+イオンをドーピングする。 - 特許庁

The method includes the steps of raising the silicon single crystal rod which doped a nitrogen by a Czochralski method at least, after slicing this silicon single crystal rod and processing it into a silicon single crystal wafer, forming a first epitaxial layer in the surface part of this silicon single crystal wafer, and then forming a second epitaxial layer to the surface layer part of the first layer epitaxial layer.例文帳に追加

多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、少なくともチョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工した後、該シリコン単結晶ウェーハの表層部に一層目のエピタキシャル層を形成し、その後、少なくとも、該一層目のエピタキシャル層の表層部に二層目のエピタキシャル層を形成する多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法。 - 特許庁

A shielding layer 23 is selectively formed on a single crystal silicon layer, an active region 25 is formed in the single crystal silicon layer using the shielding layer 23 as a mask and an impurity layer 26 is formed in the edge part of the side part of the active region 25 by implanting an impurity obliquely from the above, using the shielding layer 23 as a mask.例文帳に追加

単結晶シリコン層上に遮蔽層２３を選択的に形成し、前記遮蔽層２３をマスクとして前記単結晶シリコン層中にアクティブ領域２５を形成し、前記遮蔽層２３をマスクとして斜め上方向から不純物を注入して、前記アクティブ領域２５側部のエッジ部分に不純物層２６を形成する。 - 特許庁

The rewritable recording medium is formed so that light reflectance in an initialized state of a single layer L-H medium, an initialized state of an L0 layer of a two layer H-L medium and an uninitialized state of an L0 layer of a two layer L-H medium does not overlap with light reflectance in an initialized state of a single layer H-L medium.例文帳に追加

本発明に係る書き換え型記録媒体は、単層Ｌ−Ｈ媒体の初期化状態、２層Ｈ−Ｌ媒体のＬ０層の初期化状態、及び２層Ｌ−Ｈ媒体のＬ０層の未初期化状態の光反射率が、単層Ｈ−Ｌ媒体の初期化状態の光反射率と重複しないように形成されている。 - 特許庁

A single crystal wafer comprises an insulating layer formed on a substrate having a window that exposes a part of the substrate, a selective crystal growth layer formed on the part of the substrate exposed by the window, and a single crystal layer formed on the crystal growth layer located on the insulating layer and crystallized using the crystal growth layer as a crystalline seed layer.例文帳に追加

基板上に形成され、前記基板の一部が露出されるウィンドウを有する絶縁層と、前記ウィンドウに露出された前記基板の部分に形成される選択的結晶成長層と、前記絶縁層上で前記結晶成長層上に形成され、前記結晶成長層を結晶化シード層として用いて結晶化された単結晶層とを備える単結晶ウェーハである。 - 特許庁

The relation t2/t1>70 is satisfied for thickness t1 of the insulating layer 2, and the total thickness t2 of the single-crystal silicon support substrate 1, the insulating layer 2 and the single-crystal silicon thin sheet 3.例文帳に追加

絶縁層２の厚さｔ１と単結晶シリコン支持基板１、絶縁層２、および単結晶シリコン薄板３の合計の厚さｔ２との間に、ｔ２／ｔ１＞７０という関係が成立する。 - 特許庁

A single-crystalline semiconductor substrate is isolated to form multiple kinds of transistors containing a single-crystalline semiconductor layer jointed to a substrate, with insulating surface via a jointing layer.例文帳に追加

同一基板上に単結晶半導体基板より分離し、絶縁表面を有する基板に接合層を介して接合された単結晶半導体層を含む複数種のトランジスタを形成する。 - 特許庁

To provide a method of continuously depositing the atomic layers of respective single-layer films of a one single-layer film thickness by respectively bringing a plurality of precursors into contact with the surface of a substrate at different temperatures.例文帳に追加

基板上に、異なる温度において、複数の前駆体をそれぞれ接触させることにより、１単層膜厚のそれぞれの単層膜を連続的に原子層堆積する方法を提供する。 - 特許庁

A region not covered with the film 4 in the single-crystal silicon layer 5 and the edge of the film 4 adjacent to the region are covered, and a second single-crystal silicon layer 5 is formed partially.例文帳に追加

単結晶シリコン層５のＳｉＯ_２膜４で覆われていない領域およびこの領域に隣接するＳｉＯ_２膜４の縁部を覆って、第２の単結晶シリコン層５が部分的に設けられている。 - 特許庁

After the one surface side of the support substrate and the first electrode are pasted and heat-treated, a single silicon layer is formed in the support substrate by separating the single crystal silicon substrate with a fragile layer as a boundary.例文帳に追加

支持基板の一表面側と第１電極とを貼り合わせた後、熱処理を行い、脆化層を境として単結晶シリコン基板を分離させ、支持基板上に単結晶シリコン層を形成する。 - 特許庁

To solve the problem that a boron phosphide layer of a single crystal having little crystal defect density cannot be stably formed due to a large lattice mismatching degree of an Si single crystal substrate and the boron phosphide layer.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板とリン化硼素層との大きな格子不整合度に因り、結晶欠陥密度の少ない単結晶のリン化硼素層を安定して形成できない問題点を解決する。 - 特許庁

The semiconductor lamination comprises an SiC single crystal substrate, a graphite layer formed on the surface of that substrate, and the hexagonal boron nitride single crystal film formed on the graphite layer.例文帳に追加

本発明に係る半導体積層構造は、ＳｉＣ単結晶基板と、その基板の表面に形成されたグラファイト層と、そのグラファイト層上に形成された六方晶窒化ホウ素単結晶膜とを備える。 - 特許庁

To provide a multilayered sheet not becoming non-uniform in the thicknesses of the respective layers thereof on the feed side of a single-layer die when the multilayered sheet is formed by combining the single-layer die and a feed block, and an extruder therefor.例文帳に追加

単層ダイとフィードブロックを組み合わせて多層シートを製膜する際、単層ダイのフィード側で各層の厚みが不均一とならない多層シートの製造方法および押出装置を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate capable of suppressing the occurrence of cracks, crystal defects or the like in a nitride semiconductor single crystal layer and improving the crystallinity of the nitride semiconductor single crystal layer.例文帳に追加

窒化物半導体単結晶層の割れ（クラック）、結晶欠陥等の発生を抑制し、かつ、窒化物半導体単結晶層の結晶性の向上を図ることができる化合物半導体基板の提供。 - 特許庁

The extension cloth has a single-layer region composed of a sheet of cloth and this single layer region is formed so as to be developed over the position corresponding to that of the occupant who is protected by the second protection device.例文帳に追加

そして、前記展開布は、１枚の布からなる単層領域を有し、当該単層領域は前記第２の保護装置によって保護される乗員に対応する位置に展開される構造である。 - 特許庁

The coating material comprises a single layer of at least one type selected from the group consisting of a silicon oxide and a tantalum oxide vapor-deposited as a single layer in a range of a thickness of 0.2 to 3.0 μm on the surface of a transparent resin board.例文帳に追加

透明性樹脂基板の表面にシリコン酸化物およびタンタル酸化物のうちの少くとも１種が膜厚０．２μｍ〜３．０μｍの範囲で単一層として蒸着されているものとする。 - 特許庁

The bipolar transistor comprises: a Si single crystal layer 3 functioning as a collector; a monocrystalline Si/SiGeC layer 30a and a polycrystalline Si/SiGeC layer 30b formed on the Si single crystal layer 3; an oxide film 31 having an emitter aperture; an emitter electrode 50; and an emitter layer 35.例文帳に追加

バイポーラトランジスタは、コレクタとして機能するＳｉ単結晶層３と、Ｓｉ単結晶層３の上に形成された単結晶のＳｉ／ＳｉＧｅＣ層３０ａ及び多結晶のＳｉ／ＳｉＧｅＣ層３０ｂと、エミッタ開口部を有する酸化膜３１と、エミッタ電極５０と、エミッタ層３５とを備えている。 - 特許庁

The optical waveguide has the single crystal substrate 1, a lattice matching layer 2 formed on the single crystal substrate 1 in such a manner that a lattice constant changes stepwise or continuously from the lowermost layer to the uppermost layer and an optical waveguide layer 6 formed on the lattice matching layer 2.例文帳に追加

単結晶基板１と、最下層から最上層に向かって格子定数が段階的若しくは連続的に変化するように単結晶基板１上に形成された格子整合層２と、格子整合層２上に形成された光導波路層６と、を有することを特徴とする光導波路による。 - 特許庁

The single cell for the solid oxide fuel battery made by pinching an electrolyte layer by a fuel electrode layer and an air electrode layer, and with the electrolyte layer coated on a base plate equipped in a gap between itself and the fuel electrode layer or the air electrode layer by a sputtering method.例文帳に追加

電解質層を燃料極層及び空気極層で挟持して成り、電解質層が電解質層と燃料極層又は空気極層との間隙に設けた基板部にスパッタ法を用いて被覆されて成る固体酸化物形燃料電池用単セルである。 - 特許庁

A buffer layer 12, a first electron supply layer 13, a channel layer 14, a second electron supply layer 15, a diffusion layer 16, and a cap layer 17 are laminated in order on a substrate 11 consisting of a semi-insulation single crystal GaAs to form a semiconductor lamination part 10.例文帳に追加

半絶縁性単結晶ＧａＡｓよりなる基板１１上に、バッファ層１２、第１電子供給層１３、チャネル層１４、第２電子供給層１５、拡散層１６、キャップ層１７が順次積層されて半導体積層部１０が形成される。 - 特許庁

The semiconductor substrate 10 has a single crystal silicon substrate 11, a dislocation layer 12 formed in a surface region excluding the outermost surface of the single crystal silicon substrate 11, a buffer layer 13 formed on the outermost surface of the single crystal silicon substrate 11, and a gallium nitride layer 14 formed on the surface of the buffer layer 13.例文帳に追加

半導体基板１０は、単結晶シリコン基板１１と、前記単結晶シリコン基板１１の最表面を除く表層領域に形成された転位層１２と、前記単結晶シリコン基板１１の前記最表面に形成されたバッファ層１３と、前記バッファ層１３の表面に形成された窒化ガリウム層１４とを備えている。 - 特許庁

A single-crystalline semiconductor layer, provided with tensile strain, is used as an active layer in one transistor and a single-crystalline semiconductor layer, provided with compression strain making use of a part of thermal shrinkage generated in the heating process of a supporting substrate after jointing, is used as an active layer in the other transistor.例文帳に追加

一のトランジスタは、引っ張り歪が与えられた単結晶半導体層を活性層として用い、他のトランジスタは、接合後に支持基板の加熱処理によって生ずる熱収縮の一部を利用した圧縮歪が与えられた単結晶半導体層を活性層として用いる。 - 特許庁