「The Trench」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The second trench is wider than the first trench.例文帳に追加

第２のトレンチ部分は、第１のトレンチ部分よりも広い。 - 特許庁

an oceanic trench in Micronesia, called the Mariana Trench 例文帳に追加

マリアナ海溝というミクロネシアにある海溝 - EDR日英対訳辞書

MACHINE FOR EXCAVATING TRENCH AND FORMING WALL IN THE TRENCH例文帳に追加

溝を掘削し、その溝に壁を形成するマシン - 特許庁

After that, the trench is filled with a trench filling material 114.例文帳に追加

その後、トレンチ１１６が充填される。 - 特許庁

In the arrangement of annular trench, each trench is separated from an adjoining trench by an annular mesa.例文帳に追加

環状の溝の配置は、各溝が環状のメサによって隣接した溝から分離されている。 - 特許庁

The trench excavating claw 42 has a first trench side face blade plate 81 forming one trench side face A1.例文帳に追加

溝掘爪42は、一方の溝側面A1を形成する第１溝側面用刃板部81を有する。 - 特許庁

The first trench 2 and the second trench are formed so that the solid angle of the first trench 2 is set larger than that of the second trench 4.例文帳に追加

第１のトレンチ２の立体角が第２のトレンチ４の立体角より大きくなるように第１のトレンチ２および第２のトレンチを形成する。 - 特許庁

A protective sidewall 32 is formed on the trench sidewall and a trench sidewall oxide layer as extended from the upper part of the trench to the bottom surface of the trench.例文帳に追加

保護側壁３２が、トレンチ側壁とトレンチ側壁酸化物層上に、トレンチ上部からトレンチ底面まで延びる。 - 特許庁

The width of the trench 7 is set narrower than the width of the trench 8.例文帳に追加

この時、トレンチ７の幅がトレンチ８よりも狭くなるようにする。 - 特許庁

I am reduced to the last extremity―driven to the last trench. 例文帳に追加

いよいよ絶体絶命だ - 斎藤和英大辞典

The trench shaping body 32 has a trench side face shaping part 41 for shaping a trench side face, and a chamfer part 42 for chamfering an angular part between the trench side face and a field face.例文帳に追加

溝整形体32は、溝側面を整形する溝側面整形部41と、溝側面と圃場面との間の角部を面取りする面取り部42とを有する。 - 特許庁

At the same time, a second trench deeper than the first trench is formed.例文帳に追加

同時に、第１のトレンチよりも深い第２のトレンチが形成される。 - 特許庁

The trench is buried in the liner layer by a trench element separation film.例文帳に追加

ライナー層上にトレンチ素子分離膜でトレンチを埋立てる。 - 特許庁

Also, the dummy trench gate 32 is insulated from the trench gate 24.例文帳に追加

また、ダミートレンチゲート３２は、トレンチゲート２４から絶縁されている。 - 特許庁

As a result, the insulating film 4 is embedded in the trench for trench isolation.例文帳に追加

これにより、絶縁膜４がトレンチ分離用の溝に埋め込まれる。 - 特許庁

A bearing trench 56 is formed to a pad 54, and a suction hole 71 near the bottom of the bearing trench.例文帳に追加

パッド５４に支承溝５６、その底付近に吸引孔７１。 - 特許庁

A multi steps trench 45 including a trench 45A and a trench 45B formed in at least the trench 45A, is formed on a cleavage line L.例文帳に追加

へき開ラインＬには、溝４５Ａと、少なくとも溝４５Ａの内部に形成された溝４５Ｂとを含む多段溝４５が形成されている。 - 特許庁

Moreover, a gate trench 21 which penetrates the p^--type body region 41, a breakdown holding trench 27, and a breakdown voltage holding trench 27; and a termination trench 62 are provided, respectively.例文帳に追加

また，Ｐ^- ボディ領域４１を貫通するゲートトレンチ２１，耐圧保持トレンチ２７，終端トレンチ６２がそれぞれ設けられている。 - 特許庁

The trench-gate structure 16 includes a trench 26 having a side wall.例文帳に追加

トレンチゲート構造１６は、側壁を有するトレンチ２６を含む。 - 特許庁

A second isolation trench 43b surrounds the first isolation trench 43a.例文帳に追加

第２分離トレンチ４３ｂは、第１分離トレンチ４３ａを囲む。 - 特許庁

The hole may be also a trench or a trench and via hole.例文帳に追加

前記孔は、トレンチ、あるいはトレンチとビアであってよい。 - 特許庁

In the trench 3, a bottom section is wider than a trench opening.例文帳に追加

トレンチ３はトレンチ開口部より底部が広がっている。 - 特許庁

Thirdly, a trench 33 whose shape is identical to the trench 31 is formed.例文帳に追加

第三に溝３１と同じ形状の溝３３を形成する。 - 特許庁

A lower gate trench having a smaller width than that of the upper gate trench is formed to overlap the upper gate trench at both ends so that the lower gate trench can be spaced apart from sidewalls of the upper gate trench by partially etching the bottom of the upper gate trench.例文帳に追加

そのトレンチの底面を部分エッチングして、そのトレンチと両端が重畳してそのトレンチの側壁と離隔されるようにそのトレンチより小さい幅を有する下部ゲートトレンチを形成する。 - 特許庁

At filling of the trench with the oxide film, the trench 2 is filled with the oxide film by thermal oxidation, or the trench is narrowed by generating the oxide film inside the trench by the thermal oxidation, and then the remaining trench is filled by the deposition of an oxide.例文帳に追加

トレンチ溝内を酸化膜で埋めるにあたり、熱酸化によりトレンチ溝２内を酸化物４で埋めるか、熱酸化によりトレンチ溝内に酸化膜を生成して溝を狭めた後、残った溝を酸化物の堆積により埋める。 - 特許庁

The trench digger 1 comprises a digging body digging the ground of a field by rotary action revolution to form a trench A and a trench shaping body 42 shaping the trench A at the back in a traveling direction of the trench digging body.例文帳に追加

溝掘機１は、回転により圃場の土を掘削して溝Ａを掘る溝掘体と、溝掘体の進行方向後方で溝Ａを整形する溝整形体42とを備える。 - 特許庁

A first trench TR1 and a second trench TR2 having a width wider than that of the first trench TR1 at a portion in a semiconductor substrate 101 shallower than the first trench are formed as a trench TR.例文帳に追加

第１トレンチＴＲ１と、半導体基板１０１において第１トレンチよりも浅い部分において、第１トレンチＴＲ１よりも幅が広い第２トレンチＴＲ２とを、トレンチＴＲとして形成する。 - 特許庁

The surface of a trench is covered with a protective film, and only the protective film covering the footprint of the trench is removed to expose the silicon surface to the footprint of the trench.例文帳に追加

トレンチ表面を保護膜で被覆し、トレンチの底部を被覆する保護膜のみを除去して、トレンチの底部にシリコン面を露出させる。 - 特許庁

The outside electrode of the trench capacitor includes the part of the semiconductor base board 1 making the boundary of a trench forming the trench capacitor.例文帳に追加

トレンチキャパシタの外側電極は、トレンチキャパシタが形成されるトレンチの境界を成す半導体ベース基板１の部分を含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the trench gate type semiconductor device comprises the steps of removing all oxide film after forming a trench, then forming a gate insulating film, and filling the gate electrode in the trench.例文帳に追加

トレンチ形成後、全ての酸化膜を除去し、その後、ゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極をトレンチ内に充填する。 - 特許庁

The operating machine body 2 is provided with a trench shaping body 33 which can move vertically for shaping the trench at the back in the traveling direction of the trench digging body 31.例文帳に追加

作業機本体２には、溝掘体31の進行方向後方で溝を整形する溝整形体33を上下動可能に設ける。 - 特許庁

Both trench terminals of the storage trench 4 are the first and second free ends 5 and 6 capable of taking the member S in and out in the longitudinal direction of the trench.例文帳に追加

収納溝４の両方の溝終端は溝長さ方向に部材Ｓを出し入れ可能な第１及び第２の自由端５，６である。 - 特許庁

The end of the trench is extended by the shortest distance X_T0 from the end α of the via closest to the end of the trench.例文帳に追加

トレンチの端はトレンチの端に最も近いバイアの端αから最短距離X_T0だけ延びている。 - 特許庁

The working machine body 3 is provided with a trench shaping body 32 for shaping the trench in a rear position in the traveling direction of the trench forming body.例文帳に追加

作業機本体３には、溝形成体の進行方向後方の位置で溝を整形する溝整形体32を設ける。 - 特許庁

A first trench is formed on the surface of a semiconductor substrate, and a second trench is formed on the bottom surface of the first trench.例文帳に追加

半導体基板の表面に第１トレンチを形成し、第１トレンチの底面に第２トレンチを形成する。 - 特許庁

When a trench 23 is formed, the trench is made a shape of "γ" which is projected toward the inside of the trench.例文帳に追加

トレンチ２３を形成する際、トレンチの形状をγの字の如く、トレンチ内部に向かい凸の形状とする。 - 特許庁

The tip of the trench bottom face blade plate 82 is provided with a second trench side face blade plate 83 forming the other trench side face A2.例文帳に追加

溝底面用刃板部82の先端には他方の溝側面A2を形成する第２溝側面用刃板部83を設ける。 - 特許庁

The aperture 116 of the mask layer 102 exists in the position where the trench 105 and the trench 112 cross.例文帳に追加

トレンチ１０５とトレンチ１１２とが交差する位置にマスク層１０２の開口１１６が存在する。 - 特許庁

The depth of the trench is d_1 in an area including the via, is d_2 at the end of the trench, and generally, d_1>d_2.例文帳に追加

トレンチの深さはバイアを含む領域でd_1で、トレンチの端ではd_2であって、一般的にd_1>d_2である。 - 特許庁

The middle section of the trench extends deeper into the silicon layer than the outer sections of the trench.例文帳に追加

トレンチの中間領域は、トレンチの外部領域よりも深くシリコン層に伸びる。 - 特許庁

Alternatively, the base substrate 10 is cut off by following three dicing steps in total; forming the intermediate dicing trench 32, forming the taper trench 31 on the surface opposite to the side where the intermediate dicing trench 32 is formed, and forming the cut-dicing trench 35 in the taper trench 31 to get through the intermediate dicing trench 32.例文帳に追加

又は、中間ダイシング溝３２を設け、中間ダイシング溝３２を設けた面と反対側にテーパー溝３１を形成した後に、このテーパー溝３１に中間ダイシング溝３２に達する切断ダイシング溝３５を形成する合計３回のダイシングでベース基板１０を切断する。 - 特許庁

Consequently, a trench 2b which becomes a second trench can be formed so that the aspect ratio becomes larger than the trench 2a.例文帳に追加

これにより、トレンチ２ａよりもアスペクト比が大きくなるように第ニトレンチとなるトレンチ２ｂを形成することができる。 - 特許庁

In the trench etching step, a planarizing state of the trench wall face can be obtained and a trench having a flat wall face can be obtained during etching.例文帳に追加

トレンチエッチング中に、トレンチ壁面を平坦化する状態が得られ、平坦な壁面を持つトレンチをエッチングすることができる。 - 特許庁

In the manufacture of a semiconductor device, a step 4A is formed on the sidewall of a trench of a first shallow trench 4 and a second deep trench 6.例文帳に追加

深さの浅い第１のトレンチ４と深さの深い第２のトレンチ６とにより、トレンチの側壁に段差４Ａが形成される。 - 特許庁

After a trench for trench isolation is formed, the contamination 2 is stuck so as to block the trench (Figure (a)).例文帳に追加

トレンチ分離用の溝を形成後に、このトレンチ分離用の溝を塞ぐように異物２が付着している（図１（ａ））。 - 特許庁