「Transfer gate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The variable delay circuit comprises a transfer gate TG1 and a transfer gate TG3 for delaying input signals, and a transfer gate TG2 and a transfer gate TG4 provided between the transfer gate TG1 and the transfer gate TG3 and the input signals.例文帳に追加

可変遅延回路は、入力信号を遅延させるトランスファゲートＴＧ１およびトランスファゲートＴＧ３と、トランスファゲートＴＧ１およびトランスファゲートＴＧ３と入力信号との間に設けられるトランスファゲートＴＧ２およびトランスファゲートＴＧ４と、を備えている。 - 特許庁

TRANSFER PRINTING APPARATUS AND AUTOMATIC GATE MACHINE例文帳に追加

転写印刷装置及び自動改札装置 - 特許庁

The transfer gate electrode is formed on the gate insulation film, and a mask pattern is formed on the transfer gate electrode.例文帳に追加

前記ゲート絶縁膜上に転送ゲート電極が提供され、前記転送ゲート電極上にマスクパターンが提供される。 - 特許庁

The transfer gate 44 is coupled to the photosensitive elements 41, and the charge transfer register 47 is coupled to the transfer gate 44.例文帳に追加

転送ゲート（４４）は光電性素子（４１）に結合され、電荷転送レジスタ（４７）は転送ゲート（４４）に結合される。 - 特許庁

AUTOMATIC TICKET GATE, TRANSFER GUIDANCE INFORMATION SYSTEM, AND METHOD AND PROGRAM FOR TRANSFER GUIDANCE INFORMATION例文帳に追加

自動改札機、乗換案内システム、乗換案内方法およびプログラム - 特許庁

A transfer gate electrode connected to the respective photoelectric conversion elements of the light receiving part is turned to the 2-layer structure of a first transfer gate electrode and a second transfer gate electrode, and the second transfer gate electrode is constituted of a laminated part stacked with the first transfer gate electrode and a non-laminated part not stacked with the first transfer gate electrode.例文帳に追加

受光部の各光電変換素子に接続した転送ゲート電極は、第１転送ゲート電極と、第２転送ゲート電極の２層構造とするとともに、第２転送ゲート電極は、第１転送ゲート電極と積重した積層部と、第１転送ゲート電極と積重しない非積層部とから構成する。 - 特許庁

Conventional lines and the Shinkansen can be mutually transferred through the Shinkansen Central Transfer Gate and the Shinkansen East Transfer Gate. 例文帳に追加

在来線と新幹線は「新幹線中央乗換口」と「新幹線東乗換口」を介して乗り換えできる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To strengthen an electric field in a transfer direction in the transfer channel of an output gate part and to improve transfer efficiency.例文帳に追加

出力ゲート部の転送チャネル内で転送方向の電界を強め、転送効率を向上させる。 - 特許庁

The floating diffusion layer is formed in the active region between the transfer gate and the reset gate.例文帳に追加

トランスファゲート及びリセットゲートの間の活性領域内に浮遊拡散層を形成する。 - 特許庁

Signal loss of the transfer gate is reduced, by using the MOS transistor whose threshold voltage is small for the transfer gate.例文帳に追加

転送ゲートにしきい値電圧の小さなＭＯＳトランジスタを用いることで、転送ゲートの信号損失が低減される。 - 特許庁

A first transfer gate TG1 for inputting first and first inversion clock gate signals ZG1, XG1 and a second transfer gate TG2 for inputting second and second inversion clock gate signals ZG2, XG2 are not turned on simultaneously.例文帳に追加

第１及び第１反転クロックゲート信号ZG1 ，XG1 を入力する第１トランスファーゲートTG1 と第２及び第２反転クロックゲート信号ZG2 ，XG2 を入力する第２トランスファーゲートTG2は同時にオンしない。 - 特許庁

In the method for fabricating a dynamic random access memory having a data storage capacitor structure and a data transfer gate, a dummy gate member 13 wider than the transfer gate 12 is formed together with the transfer gate 12 contiguously to the end of an array of the transfer gate 12 prior to a step for forming the capacitor structure 16 on the transfer gate 12 through an interlayer dielectric.例文帳に追加

データ蓄積用のキャパシタ構造及びデータのトランスファゲートを有するダイナミックランダムアクセスメモリの製造に関し、トランスファゲート１２上方に層間絶縁膜１２を介してキャパシタ構造１６を形成する前の工程において、トランスファゲート１２配列の端部に隣接してトランスファゲート１２より幅広のダミーゲート部材１３をトランスファゲート１２と共に形成する。 - 特許庁

TRANSFER GATE CONNECTION RULE GENERATION SYSTEM, AND GENERATING METHOD AND PROGRAM例文帳に追加

トランスファーゲート接続ルール生成システム、生成方法およびプログラム - 特許庁

The mask pattern has a width smaller than that of the transfer gate electrode so that the edge of the transfer gate electrode is exposed.例文帳に追加

前記マスクパターンは前記転送ゲート電極の端を露出させるように前記転送ゲート電極よりも小さい幅を有する。 - 特許庁

PIXEL FORMED WITH DOPING OF TRANSFER GATE CHANNEL ASSYMETRICALLY例文帳に追加

トランスファーゲートチャネルのドーピングが非対称に形成されている画素 - 特許庁

Then, the multiplication gate electrode 8 is provided on the opposite side of the reading gate electrode 11 with respect to the transfer gate electrode 10.例文帳に追加

そして、増倍ゲート電極８は、転送ゲート電極１０に対して読出ゲート電極１１とは反対側に設けられている。 - 特許庁

To prevent the change of a film thickness due to the etching of the nitride film of a gate insulating film for neighboring transfer gate by etching for forming the transfer gate electrode of the solid state imaging device.例文帳に追加

固体撮像素子の転送ゲート電極形成のエッチングによって隣接する転送ゲート用ゲート絶縁膜の窒化膜がエッチングされて膜厚が変化しないようにする。 - 特許庁

A second control signal S2 is input to the transfer gate TG2.例文帳に追加

転送ゲートＴＧ２には、第２制御信号Ｓ２が入力される。 - 特許庁

The transfer gate 4 is constituted of PMOS transistors Qp4 and Qp5.例文帳に追加

トランスファゲート４は、ＰＭＯＳトランジスタＱp4，Ｑp5により構成される。 - 特許庁

As a result, the gate resistance becomes small and the transfer rate increases.例文帳に追加

その結果、ゲート抵抗が小さくなり、転送速度が増大する。 - 特許庁

A solid-state imaging device comprises a photoelectric conversion part (1), a charge storage part (3), a charge transfer part (5), a first charge transfer gate (2), and a second charge transfer gate (4).例文帳に追加

光電変換部（１）と、電荷蓄積部（３）と、電荷転送部（５）と、第１電荷転送ゲート部（２）と、第２電荷転送ゲート部（４）とを具備する固体撮像装置を構成する。 - 特許庁

A photodiode 110 and an FD part 112 are arranged in parallel through a transfer gate part 114 and a transfer electrode 114A is arranged on the transfer gate part 114.例文帳に追加

フォトダイオード１１０とＦＤ部１１２は、転送ゲート部１１４を介して並列に配置され、転送ゲート部１１４の上部には、転送電極１１４Ａが配置されている。 - 特許庁

A transfer transistor of the pixel transistors includes a planar transfer gate electrode 42 formed on the surface of a semiconductor substrate and a vertical transfer gate electrode 43 insulated from the planar transfer gate electrode and vertically embedded into the inside of the semiconductor substrate while penetrating through the planar transfer gate electrode.例文帳に追加

画素トランジスタのうちの転送トランジスタは、半導体基板の表面に形成された平面型転送ゲート電極４２と、平面型転送ゲート電極と絶縁されて平面型転送ゲート電極を貫いて垂直方向に半導体基板の内部に埋め込まれた縦型転送ゲート電極４３とを有する。 - 特許庁

A driving part 125 stops the transfer of charge from the vertical transfer part 122 to the horizontal transfer part 124 by a transfer control gate part 123.例文帳に追加

駆動部１２５は、転送制御ゲート部１２３によって垂直転送部１２２から水平転送部１２４への電荷転送を停止する処理を行う。 - 特許庁

VBTSEL is inputted to a Nch gate of a transfer gate 6, and VBTSEL is inputted to Pch gate through an inverter 5.例文帳に追加

トランスファーゲート６のＮｃｈゲートには、ＶＢＴＳＥＬが入力し、Ｐｃｈゲートには、インバータ５を介しＶＢＴＳＥＬが入力する。 - 特許庁

A first control signal S1 is input to the transfer gate TG1.例文帳に追加

転送ゲートＴＧ１には、第１制御信号Ｓ１が入力される。 - 特許庁

A transfer gate transistor 12 controls the transfer of the signal electric charge between the photodiode 11 and the transistor 13.例文帳に追加

トランスファゲートトランジスタ１２は、フォトダイオード１１とトランジスタ１３間の信号電荷の移送を制御する。 - 特許庁

To improve transfer characteristics effectively at a transfer gate while keeping a large manufacturing margin.例文帳に追加

転送ゲート部における転送特性を有効に向上し、また、製造マージンを大きくとれるようにする。 - 特許庁

Since the transfer gate 130 can overlap the transfer facilitation region 140 sufficiently, transfer efficiency can be enhanced.例文帳に追加

これにより、転送ゲート部１３０と転送容易化領域１４０とのオーバーラップを十分にとることができ、転送効率を向上できる。 - 特許庁

The transfer electrode includes at least a first gate electrode, a second gate electrode and a virtual electrode.例文帳に追加

転送電極は、第１のゲート電極、第２のゲート電極、および仮想電極を少なくとも含んでいる。 - 特許庁

TRANSFER GATE CIRCUIT, INTEGRATED CIRCUIT UNIT USING THE SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

トランスファーゲート回路並びにそれを用いた集積回路装置及び電子機器 - 特許庁

A transfer gate switch TG is connected between the node N1 and the node N2.例文帳に追加

ノードＮ１とノードＮ２の間にはトランスファーゲートスイッチＴＧが接続される。 - 特許庁

A transfer gate electrode is formed so that the transfer gate electrode extends from above a channel forming region to above an embedded oxide film located on an upper layer of the photodiode.例文帳に追加

転送ゲート電極をチャネル形成領域の上方からフォトダイオードの上層における埋込酸化膜の上方に渡るように形成する。 - 特許庁

To realize cutting of a gate by using a gate cutting pin in performing in-mold transfer molding using a transfer film to be continuously supplied from a roll.例文帳に追加

ロールから連続的に供給される転写フィルムを用いたインモールド転写成形を行なうに当って、ゲートカットピンを用いたゲートカットを実現する。 - 特許庁

In a measurement for a PMOS 11, a TEST 1 is set at a high level, a transfer gate 12 is set at an off state, and a transfer gate 13 is set at an on state.例文帳に追加

ＰＭＯＳ１１の測定では、ＴＥＳＴ１をハイレベルにしてトランスファーゲート１２をオフ状態とし、トランスファーゲート１３をオン状態にする。 - 特許庁

In an NMOS 14, a TEST 2 is set at a high level, a transfer gate 16 is set at an off state, and a transfer gate 15 is set an on state; then a measurement is done.例文帳に追加

ＮＭＯＳ１４は、ＴＥＳＴ２をハイレベルにしてトランスファーゲート１６をオフ状態とし、トランスファーゲート１５をオン状態にして測定する。 - 特許庁

In order to bring the Vt of transfer MOS to 0 V, a voltage not lower than a power supply voltage +Vt is applied to the gate through a capacitor Cg and, at the same time, transfer MOS gate potential on the next stage is controlled by its gate voltage thus enhancing charge transfer efficiency.例文帳に追加

また、トランスファーＭＯＳのVtを0Vにする為に、ゲートに電源電圧＋Vt以上の電圧を容量Cgを通して印加すると同時に、そのゲート電圧で次段のトランスファーＭＯＳゲート電位を制御しチャージトランスファー効率を高める。 - 特許庁

A floating diffusion layer between the transfer gate and the reset gate, a light receiving element at a side of the transfer gate away from and opposite to the floating diffusion layer, and a source/drain region at a side of the reset gate away from and opposite to the floating diffusion layer, are formed.例文帳に追加

トランスファーゲート及びリセットゲートの間の浮遊拡散層、浮遊拡散層に対向したトランスファーゲートの一側の受光素子、及び浮遊拡散層に対向したリセットゲートの一側のソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

The guide tracks 14, 22 and the tail gate 16 are provided to transfer one or plural lids 10, 12 to the tail gate 16 at a transfer position of the tail gate located between the close position and the open position of the tail gate.例文帳に追加

テールゲート１６への１個または複数のリッド１０、１２の移送が、テールゲートの閉鎖位置と開放位置の間にあるテールゲートの移送位置で行われるように、案内軌道１４、２２とテールゲート１６が形成されている。 - 特許庁

The transfer gate electrode 12, multiplication gate electrode 13 and read-out gate electrode 14 are formed at predetermined intervals in a predetermined region on the top surface of the gate insulating film 11.例文帳に追加

転送ゲート電極１２、増倍ゲート電極１３および読出ゲート電極１４は、ゲート絶縁膜１１の上面上の所定領域に所定の間隔を隔てて形成されている。 - 特許庁

A potential of a gate line G1 connected to gate electrodes of the transfer transistors MN1-1 to MN1-16 and arranged separately from the gate line G is controlled by a high voltage transfer circuit 16.例文帳に追加

転送トランジスタＭＮ１-１〜ＭＮ１-１６のゲート電極に接続され、前記ゲート線Ｇと切り離して設けられたゲート線Ｇ１の電位は高電圧転送回路１６により制御される。 - 特許庁

A first gate electrode 38 and a second gate electrode 39 are provided in the same layer on a vertical transfer channel 33 via a gate insulating film 35 for controlling the read or transfer of signal charges.例文帳に追加

第１ゲート電極３８や第２ゲート電極３９は垂直転送チャネル３３上の同一層内にゲート絶縁膜３５を介して設けられ、信号電荷の読み出しや転送を制御する。 - 特許庁

The first gate driver and the second gate driver each include a plurality of flip flop circuits and a plurality of transfer signal generation circuits.例文帳に追加

第１及び第２のゲートドライバは、それぞれ複数のフリップフロップ回路と、複数の転送信号生成回路とを有する。 - 特許庁

The capacitance between the bit line being driven high and the gate of a compare/transfer NFET (134, 136) couples the gate higher than VDD.例文帳に追加

高に駆動されるビット線と比較・転送NFET(134又は136)のゲートとの間のキャパシタンスは、VDDより高いゲートを結合する。 - 特許庁

Turning ON/OFF of the transfer gate MT6 is controlled by a start-up enable signal STPEN applied to the gate.例文帳に追加

転送ゲートＭＴ６のオンオフは、そのゲートに印加されたスタートアップ・イネーブル信号ＳＴＰＥＮによって制御される。 - 特許庁