「X-ray pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In an embodiment, an X-ray scattering device is integrated with a correction device formed to calculate automatically an aberration correction output X-ray pattern, using a Fourier expression F_inst (H, 2θ) of the aberration depending on a scattered angle 2θ, and Fourier transformation of a measured X-ray scattered pattern F_exp (H), and formed to output the X-ray pattern.例文帳に追加

例では、X線散乱装置は、散乱角2θと、測定X線散乱パターンF_exp(H)のフーリエ変換とに依存する、収差のフーリエ表現F_inst(H,2θ)を用いて、収差補正出力X線パターンを自動的に算出し、出力するよう形成される補正装置を統合化する。 - 特許庁

SOFT X-RAY REDUCTION PROJECTION ALIGNER, SOFT X-RAY REDUCTION PROJECTION EXPOSURE METHOD, AND PATTERN FORMATION METHOD例文帳に追加

軟Ｘ線縮小投影露光装置、軟Ｘ線縮小投影露光方法及びパターン形成方法 - 特許庁

MASK FOR X-RAY LITHOGRAPHY WITH HIGHLY PRECISION INTEGRATED CIRCUIT PATTERN FORMED ON X-RAY ABSORBING BODY例文帳に追加

Ｘ線吸収体に形成される集積回路パターンが高精度を有するＸ線リソグラフィー用マスク - 特許庁

The X-ray sensitive film 11 is irradiated with X-ray from above the X-ray shielding film 14, and then developed, thereby, the X-ray sensitive film 11 is patterned into a prescribed pattern.例文帳に追加

Ｘ線遮蔽膜１４の上からＸ線感光膜１１にＸ線を照射した後に現像することによりＸ線感光膜１１を所定パターンにパターニングする。 - 特許庁

Each of the new forms is differentiated by a unique powder X-ray diffraction pattern.例文帳に追加

この新たな結晶形の各々は特異な粉末X線回折パターンにより識別する。 - 特許庁

An X-ray imaging apparatus capturing a specimen comprises: a diffraction grating which shapes an interference pattern by diffracting an X-ray from an X-ray source; a masking grating which blocks a part of the X-ray shaping the interference pattern; and an X-ray detector which detects X-ray strength distribution from the masking grating.例文帳に追加

被検体を撮像するＸ線撮像装置は、Ｘ線源からのＸ線を回折することにより干渉パターンを形成する回折格子と、干渉パターンを形成するＸ線の一部を遮る遮蔽格子と、遮蔽格子からのＸ線の強度分布を検出するＸ線検出器を備える。 - 特許庁

To provide an X-ray mask enabling transfer of a high speed and fine pattern, and to provide an X-ray aligner, an X-ray exposure method and a semiconductor device manufactured by the X-ray exposure method.例文帳に追加

高速かつ微細なパタ−ンの転写を可能とするＸ線マスク、Ｘ線露光装置、Ｘ線露光方法、およびこのＸ線露光方法で製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁

A diffraction X-ray pattern is accurately read since an incident X-ray 2 serving as a reference is recorded in the position sensitive X-ray detector, by thinning a film thickness of the measured sample to measure the diffracted X-ray by the transmission X-ray.例文帳に追加

測定試料の膜厚を薄くして透過Ｘ線で回折Ｘ線を測定することにより、基準となる入射Ｘ線２も位置感応型Ｘ線検出器に記録されるため、回折Ｘ線パターンを正確に読み取ることができる。 - 特許庁

The resist film 3 is irradiated with an X-ray 4 through a mask 1 for X-ray exposure to form an exposure pattern 5.例文帳に追加

次いで、Ｘ線露光用マスク１を介してＸ線４をレジスト膜３に照射し、露光パターン５を形成する。 - 特許庁

The X-ray sensitive film 11 is irradiated with X-ray from above a mask layer 15, and then developed, thereby the X-ray sensitive film 11 is patterned into a prescribed pattern.例文帳に追加

マスク層１５の上からＸ線感光膜１１にＸ線を照射した後に現像することによりＸ線感光膜１１を所定パターンにパターニングする。 - 特許庁

A Fraunhofer X-ray diffraction pattern is generally photographed about 50 to 150 mm behind the specimen under a condition where there is no lens to focus the X-rays. 例文帳に追加

X線を集束するレンズがない条件下では、試料の約50〜150mm後ろでフランホーファーX線回折図形が一般的に撮影される。 - 科学技術論文動詞集

This method is for using X-ray fluorescence to measure film thickness of a pattern structure section.例文帳に追加

蛍光Ｘ線を用いてパターン構造部分の膜厚を測定する。 - 特許庁

SIMPLE METHOD FOR DETERMINING ZIRCONIA CRYSTAL PHASE RATIO BY X-RAY DIFFRACTION PATTERN例文帳に追加

Ｘ線回折パターンによるジルコニア結晶相割合の簡易定量法 - 特許庁

POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, X-RAY OR EXTREME ULTRAVIOLET RAY (EUV), AND PATTERN FORMING PROCESS BY USE OF IT例文帳に追加

電子線、Ｘ線またはＥＵＶ用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, X-RAY OR EUV RAY, AND PATTERN FORMING METHOD USING SAME例文帳に追加

ポジ型電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光用レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

POSITIVE TYPE RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, X RAY OR EUV RAY, AND PATTERN FORMING METHOD USING SAME例文帳に追加

電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

To provide an X-ray mask comprising a transfer pattern of high precision.例文帳に追加

高い精度を有する転写用パターンを備えるＸ線マスクを提供する。 - 特許庁

To provide an X-ray mask and an X-ray exposure method using this mask which can satisfactorily form from both a fine pattern and a large pattern.例文帳に追加

微細パタン及び大パタンの両者を良好に形成することができるＸ線マスク及びこれを用いたＸ線露光方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The X-ray mask 1 is characterized in that the pattern of an X-ray absorber 6 is formed in a film of an X-ray transmission material 8, which is light-reactive epoxy resin.例文帳に追加

Ｘ線吸収体６のパターンがＸ線透過材８の膜中に形成されたＸ線マスク１であって、前記Ｘ線透過材８が光反応性エポキシ樹脂であることを特徴とする。 - 特許庁

The support film 2 is provided with an X-ray absorber 3 corresponding to an exposure pattern.例文帳に追加

支持膜２には、露光パターンに対応してＸ線吸収体３が設けられている。 - 特許庁

A dimension of a pattern of an x-ray absorptive body 4a is made up to about 1.5-fold (about 75 nm) a half pitch (L/2=50 nm) of a mask pattern.例文帳に追加

Ｘ線吸収体４ａのパターン寸法をパターンハーフピッチ（Ｌ／２＝５０ｎｍ）の約１．５倍（約７５ｎｍ）にする。 - 特許庁

FORMATION OF RESIST, RESIST PATTERN FORMING METHOD AND PRODUCTION OF MASK FOR X-RAY EXPOSURE例文帳に追加

レジストの成膜方法、レジストパターンの形成方法、およびＸ線露光用マスクの製造方法 - 特許庁

RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, X-RAY OR EUV, AND PATTERN-FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

電子線、Ｘ線又はＥＵＶ用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法 - 特許庁

POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, X-RAY OR EUV, AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

電子線、Ｘ線またはＥＵＶ用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

NEGATIVE RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, EUV OR X-RAY AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

電子線、ＥＵＶ又はＸ線用ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, X-RAY OR EUV, AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

電子線、Ｘ線又はＥＵＶ用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, X-RAY, OR UV, AND PATTERN FORMING METHOD USING IT例文帳に追加

電子線、Ｘ線またはＥＵＶ用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法 - 特許庁

The solid crystal, called COK-7, has a specific X-ray diffraction pattern.例文帳に追加

本発明は、ＣＯＫ−７と称される、特定のＸ線回折図を有する固体結晶に関する。 - 特許庁

The α-crystal form of the compound represented by formula (I) shows a characteristic powder X-ray diffraction pattern.例文帳に追加

その粉末Ｘ線回折パターンを特徴とする、式（Ｉ）の化合物のα結晶型。 - 特許庁

To provide the structure of an X-ray mask, together with its manufacturing method where no positional distortions of a pattern occur, even if a region with dense micro X-ray absorber patterns is formed.例文帳に追加

微細なＸ線吸収体パタンが密集する領域を形成してもパタンの位置歪を生じないＸ線マスクの構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The crystal of compound A is one in which the characteristic diffraction peak at a diffraction angle 2θ(°) as measured by powder X-ray diffraction has a specified powder X-ray pattern.例文帳に追加

化合物Ａの結晶であって、粉末Ｘ線回折で測定した回折角２θ（°）の特徴的回折ピークが特定の粉末Ｘ線回折パターンを有する結晶。 - 特許庁

The X-ray imaging element 11 includes an X-ray conversion element 111 having a pattern equivalent to a diffraction grating formed of a material generating visible light by absorbing the X-ray, and an imaging element 112 for imaging the visible light.例文帳に追加

Ｘ線撮像素子１１は、Ｘ線を吸収して可視光を発生する材料で形成された回折格子に相当するパターンを有するＸ線変換素子１１１と、可視光を撮像する撮像素子１１２とを含む。 - 特許庁

Also, the plane directional dimension of the pattern should be used when converting the detected X-ray dosage into the film thickness.例文帳に追加

また、検出した蛍光Ｘ線量を膜厚に換算する際に、パターンの面方向寸法を用いる。 - 特許庁

CRYSTAL DEFECT RESTORATION METHOD, CRYSTAL PRODUCTION METHOD, PATTERN FORMATION METHOD, AND X-RAY DOSE DETECTION BODY例文帳に追加

結晶欠陥の回復方法、結晶体の作製方法、パターン形成方法、Ｘ線量の検出体 - 特許庁

RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, X-RAY OR EUV AND PATTERN-FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

電子線、Ｘ線またはＥＵＶ用レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 - 特許庁

POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, EUV OR X-RAY, AND METHOD FOR FORMING PATTERN BY USING THE SAME例文帳に追加

電子線、ＥＵＶ又はＸ線用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

An X-ray diffraction pattern of the composite metal cyanide complex catalyst involved in this invention is represented by the figure.例文帳に追加

本発明に係る複合金属シアン化物錯体触媒の例のＸ線回折パターンを図に示す。 - 特許庁

POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, EUV LIGHT OR X-RAY AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

電子線、ＥＵＶ光又はＸ線用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

Thus a marking pattern by the dot or a dot array with high visibility is formed in the X-ray film.例文帳に追加

これにより、Ｘレイフィルムに、視認性の高いドットないしドット配列によるマーキングパタンを形成する。 - 特許庁

The crystal of (2R,4R)-monatin potassium salt shows an X-ray powder diffraction pattern having characteristic peaks at diffraction angles 2θ of 5.5°, 7.2°, 8.1°, 8.9° and 16.3°, by powder X-ray diffraction (Cu-Kα ray).例文帳に追加

Ｃｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線回折で得られるＸ線回折パターンにおいて、５．５°、７．２°、８．１°、８．９°および１６．３°に回折角２θの特徴的ピークを有する、（２Ｒ，４Ｒ）−モナティンのカリウム塩結晶。 - 特許庁

The processing of X-ray images and the intensifying of details in the X-ray images are preferably implemented using a pattern matching algorithm requiring preliminary knowledges about patterns of the details of interests.例文帳に追加

Ｘ線画像の処理及びＸ線画像における細部の強調は、関心のある細部のパターンの事前知識を必要とするパターンマッチングアルゴリズムを用いて好ましくは実施される。 - 特許庁

To reduce an artifact of a radial pattern occurring in image reconstruction by X-ray absorption difference of a sample.例文帳に追加

試料のＸ線吸収差により、画像再構成に生じる放射状パターンのアーチファクトを低減する。 - 特許庁

To provide an image processor that inserts a prescribed pattern being an electronic watermark to an X-ray image without revising its important part.例文帳に追加

Ｘ線画像の重要な部分を変更することなく、電子透かしとなる所定パターンを挿入する。 - 特許庁

By this invention, the pattern of the shadow of the X-ray grid 5 is accurately removed from the source image P0.例文帳に追加

本発明によれば、元画像Ｐ０からＸ線グリッド５の影のパターンを正確に除去することができる。 - 特許庁

A peculiar pattern of the top plate occurs by the shielding of the X ray by the top plate, however, the peculiar patterns regarding the equalized X-ray detecting signals are equalized as well, and the influence by the peculiar pattern can be reduced.例文帳に追加

天板によるＸ線の遮蔽によって天板の固有パターンが発生するが、平均化されたＸ線検出信号に関する固有パーンも平均されて、その固有パターンによる影響を低減させることができる。 - 特許庁