「_忍」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

So the height of a capacitor is about 4,300 Å.例文帳に追加

したがって、キャパシタの高さは約４３００Åである。 - 特許庁

Further, when the thickness of the cathode is less than 800 Å, especially less than 700 Å, it is preferable to put the cathode with required sheet resistance to practical use, by forming additive cathode on the above surface to make total thickness 1,200-1,800 Å, especially 1,300-1,700 Å.例文帳に追加

尚、この陰極の厚さが８００Å未満、特に７００Å未満である場合は、その表面に更に陰極を形成し、全厚さを１２００〜１８００Å、特に１３００〜１７００Åとし、所要のシート抵抗を有する陰極として実用に供することが好ましい。 - 特許庁

There is disclosed a crystalline human Mnk-1 kinase having space group P43212 and unit cell dimensions of a=93.5 Å, b=93.5 Å, and c=175.2 Å.例文帳に追加

スペースグループＰ４３２１２と、ａ＝９３．５Å、ｂ＝９３．５Åおよびｃ＝１７５．２Åであるユニットセル寸法を有する、結晶ヒトＭｎｋ−１キナーゼ。 - 特許庁

The poromeric film has pores having about 25 Å or less diameters, and the selective parts to the selected gas have each an adsorption preset area of about 200 (Å)2 or less.例文帳に追加

該微孔質膜は、約２５Å以下の細孔を有し、そして該選択したガスに対して選択性の部位は約２００（Å）^2以下の吸着予定領域を有する。 - 特許庁

The film thickness of a lower electrode 16 is about 2,500 Å, that of a capacity insulation film 17 is about 300 Å, and that of the upper electrode 18 is about 1,500 Å.例文帳に追加

下部電極１６の膜厚は約２５００Å、容量絶縁膜１７の膜厚は約３００Å、上部電極１８の膜厚は約１５００Åである。 - 特許庁

The PDK4 crystal whose unit lattice constants are a=71±4 Å, b=69±2 Å, c=80±6 Å and β=101±2° is a crystal in a monoclinic system belonging to a space group P2_1.例文帳に追加

単位格子定数がa=71±4Å、b=69±2Å、c=80±6Å、β=101±2°であるＰＤＫ４の結晶であって、空間群P2_1に属する単斜晶系であることを特徴とする結晶。 - 特許庁

A step where a metal film of about several tens Å is deposited on a substrate; and a step where the metal film is made into a compound insulation film to the inside are alternately repeated, so as to form the compound insulation film of about 100 Å on the substrate.例文帳に追加

基板に数十Å程度のメタル膜を堆積させる工程と、該メタル膜内部まで化合物絶縁膜とする化合物工程とを交互に繰り返し、前記基板に１００Å程度の化合物絶縁膜を形成する。 - 特許庁

When the thickness of the insulating layer 3 is set at 1500 Å, a negative electrode 5 is formed so as to have a double layer structure comprising a 120 Å thick thin film of calcium and a 20 Å thick thin film of gold.例文帳に追加

絶縁層３の厚さを１５００Åとした場合には、陰極５を１２０Åのカルシウム薄膜と２０Åの金薄膜からなる二層構造とする。 - 特許庁

The metal reflector layer thickness can be made 300 Å or more but 2500 Å or less and the protective layer can be formed to cover the metal reflector layer and contain a specified coloring agent.例文帳に追加

金属反射層の厚さ；300 Å以上2500Å以下、保護層を金属反射層を完全に覆うように形成し、保護層中に特定の着色剤を含んでもよい。 - 特許庁

The carbon black has the pore radius of 50 Å or less of the maximum frequency in the pore distribution histogram by 10 Å interval between 10-100 Å measured by a mercury porosimeter and the pore volume of 0.15 cm^3/g or more belonging to the maximum frequency band.例文帳に追加

水銀ポロシメータで測定した１０Å〜１００Åの間の１０Å刻みの細孔分布ヒストグラムにおける最大頻度の細孔半径が５０Å以下であり、最大頻度帯に属する細孔の体積が０．１５ｃｍ^３／ｇ以上である。 - 特許庁

In an organic electroluminescent element having one or more of organic layer between positive and negative electrodes, the organic electroluminescent element has a thickness of the organic layer less than 2000 Åand a thickness of the negative electrode satisfies conditions expressed by an expression 400 [Å]≤L≤n×0.8 [Å].例文帳に追加

陰極と陽極との間に１層以上の有機層を有する有機ＥＬ素子において、有機層の厚さが２０００Å未満であり、かつ、陰極の厚さＬ［Å］が下記の式で示される条件を満たす有機ＥＬ素子とする。 - 特許庁

The average crystallite diameter calculated from the at least one diffraction peak is larger than 700 Å.例文帳に追加

少なくとも一つの１次回折ピークから算出される平均結晶子径が、７００Åより大きい。 - 特許庁

Further, a gap between centers of adjacent atoms is about 2.70 Å in the seed layer 5a.例文帳に追加

更に、シード層５ａ内では、隣り合う原子の中心同士の間隔が約２．７０Åとなっている。 - 特許庁

The average crystallite diameter calculated from the at least one primary diffraction peak is smaller than 700 Å.例文帳に追加

少なくとも一つの１次回折ピークから算出される平均結晶子径が、７００Å以下である。 - 特許庁

The glass composition contains an element having a trivalent ion radius of 0.70-1.00 Å.例文帳に追加

ガラス組成物は、３価のイオン半径が０．７０Å〜１．００Åである元素を含有する。 - 特許庁

The lattice constant of the perovskite dielectrics is 3.84 Å<a<3.88@ r.例文帳に追加

前記ペロブスカイト誘電体の格子定数は3.84Å＜ａ＜3.88Åであることを特徴とする。 - 特許庁

The lattice constant of the a-axis of the CeNiSi2 type crystal is within 3.5 to 5.5 Å.例文帳に追加

ＣｅＮｉＳｉ２型結晶のａ軸の格子定数は３．５〜５．５オングストロームの範囲内である。 - 特許庁

The lattice constant of the b-axis of the TiNiSi type crystal is within 4 to 5.5 Å.例文帳に追加

ＴｉＮｉＳｉ型結晶のｂ軸の格子定数は４〜５．５オングストロームの範囲内である。 - 特許庁

A thin (for example, up to 15 Å) silicon dioxide layer is formed on a substrate 102.例文帳に追加

薄い（例えば、〜１５オングストローム）二酸化シリコン層が基板（１０２）上に形成される。 - 特許庁

The group III-nitride light-emitting layer has a lattice constant larger than 3.19 Å.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物発光層は、３．１９Åより大きな格子定数をもつ。 - 特許庁

A 1.7 Å crystal structure of the hChk1 kinase domain in the active conformation is provided.例文帳に追加

活性立体配座のhChk1キナ−ゼドメインの1.7Å結晶構造を提供する。 - 特許庁

Preferably, the Interlayer 4 is a thickness of 400 to 700 Å.例文帳に追加

中間膜４は、４００Å〜７００Åの厚さであることが好ましい。 - 特許庁

The film thickness of a ZnO buffer layer 3 formed on an Si substrate 2 is 3500 Å or more.例文帳に追加

Ｓｉ基板２の上に形成するＺｎＯバッファ層３の膜厚を３５００Å以上とする。 - 特許庁

As a patterning layer 4, an aluminum vapor deposition layer with a thickness of 600 Å is formed.例文帳に追加

絵付け層４として膜厚６００Åのアルミニウムからなる蒸着層を形成した。 - 特許庁

The average pore diameter of the nitrogen oxide-removing catalyst is 20-100 Å.例文帳に追加

この窒素酸化物除去触媒の平均細孔直径は、２０〜１００Åである。 - 特許庁

The thermal treatment is performed in the condition where surface roughness (Ra) of the electrode 8 is 100 Å or smaller.例文帳に追加

熱処理は電極８の表面粗さ（Ｒａ）が１００Å以下となる条件で行う。 - 特許庁

The substrate temperature is set at about 200°C, and the film formation rate is set at about 20 Å/min.例文帳に追加

基板の温度を約２００℃とし、成膜速度を約２０Å／ｍｉｎとする。 - 特許庁

The reflective film 42 is formed of a metal film having the thickness of 300-1,500 Å.例文帳に追加

また、反射膜４２は３００〜１５００Å厚みの金属膜で形成する。 - 特許庁

To provide a polishing fluid which can set the surface roughness of a magnetic disk to less than 2 Å.例文帳に追加

磁気ディスクの表面粗さを２Å未満とすることができる研磨流体を提供する。 - 特許庁

In this case, the third insulating film (150) is formed in 10 to 50 Å thick using a CVD method (an LPCVD method, for example).例文帳に追加

この場合、CVD方法(例えば、LPCVD方法)を用いて10〜50Åの厚さで形成する。 - 特許庁

And the preferable thickness of the thin film formed by sputtering is 200-1,000 Å.例文帳に追加

前記スパッタリング法で形成する薄膜の膜厚を、２００〜１０００Åとすることが望ましい。 - 特許庁

A zeolite having a porous structure with 5-15 Å pore size is preferably used as the capturing additive.例文帳に追加

捕捉添加剤は孔径が５〜１５オングストロームの多孔性構造のゼオライトにするのが好ましい。 - 特許庁

In some embodiments, the in-plane light-emitting layer has a thickness greater than 50 Å.例文帳に追加

いくつかの実施形態では、面内発光層は、５０Åよりも大きい厚みを有する。 - 特許庁

Mean roughness of the DLC film is 5-30 Å, so that smoothness is high and the coefficient of friction is small.例文帳に追加

ＤＬＣ膜の平均面粗さは５〜３０オングストロームと平滑性が高く、摩擦係数は小さい。 - 特許庁

(2) The thickness of the IR ablation layer is ≤750 Å.例文帳に追加

および（２）ＩＲアブレーション層の厚みが、７５０Å以下である前記（１）記載の感光性樹脂積層体。 - 特許庁

When the widths of the storage nodes increase, the thickest thickness of the grains become about 1,000 Å, because it is presumed that the thicknesses of the grains converge on about 1,000 Å.例文帳に追加

ストレージノードの幅の大きさが増加すると約１０００Å付近で収束すると見積もられるので、最も厚い粗面粒の厚さは約１０００Åとなる。 - 特許庁

The buried oxidized film is formed in the trench for the depth H Å of the trench + the stopper film thickness x Å and the planarization is performed by using a CMP technique.例文帳に追加

このトレンチに埋め込み酸化膜をトレンチの深さＨÅ＋ストッパ膜厚ｘÅを成膜し、ＣＭＰ技術を用いて平坦化を行う。 - 特許庁

The thether in the case of the ligand for bonding a microbe should be at least 15 Å, and the thether in the case of the ligand for bonding protein should be at least 6 Å.例文帳に追加

微生物の結合を目的としたリガンドの場合のテザーは少なくとも１５Å、タンパク質の結合を目的としたリガンドの場合のテザーは少なくとも６Åであることが必要である。 - 特許庁

To provide a method of forming fine groove shapes capable of stably forming patterns of Å order and dealing with the higher density of disk lands and grooves without requiring costly apparatus.例文帳に追加

高額な装置を要することなく、Åオーダーのパターンを安定的に形成できるとともに、ディスクランド＆グルーブの高密度化に対応することが可能な微細溝形状形成方法を得る。 - 特許庁

This moisture adsorbing device comprises a porous film 1 having a number of pores 2 of diameters of 2-5 angstrom (Å), and an air pump connected with the inside of the porous film.例文帳に追加

水分吸着装置は、２〜５オングストローム（Å）の穴径の細孔２が多数個設けられた多孔質膜１と、この多孔質膜の内部と連結されたエアポンプとを備える。 - 特許庁

The tetrafluoroethane including the stabilizer is contacted with a zeolite having 3.4-11 Å average pore diameter and/or a carbonaceous absorbent having 3.4-11 Å average pore diameter in a liquid phase.例文帳に追加

安定剤を含むテトラクロロエチレンを、平均細孔径が３．４〜１１Åであるゼオライト及び／または平均細孔径が３．４〜１１Åである炭素質吸着剤と液相で接触させる。 - 特許庁

The Faraday rotator for shortwave light is composed of a garnet substrate and a bismuth-substituted rare earths iron garnet single crystal, and the lattice constant of the bismuth-substituted rare earths iron garnet single crystal is set to 12.56 Å to 12.58 Å.例文帳に追加

短波長光用ファラデー回転子を、ガーネット基板とビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶で構成し、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の格子定数を12.56Å以上かつ12.58Å以下に設定する。 - 特許庁

Film thicknesses at 49 locations are measured to obtain average values before and after the polishing and the difference between these average values provides the polishing rate (Å/min) at respective polishing head pressure.例文帳に追加

研磨前後のシリコンウェハーについて、４９箇所の膜厚の平均値を求め、平均膜厚の差を各研磨ヘッド圧力における研磨速度（Å／分）とする。 - 特許庁

The JP170 subtilase variant has at least one modification in amino acid residue which is located at a point with a distance of 10 Å or less from the ion-binding site, or preferably with a distance of 6 Å or less.例文帳に追加

イオン−結合部位に対して10Å又はそれ以下の距離に位置する位置、好ましくは６Å又はそれ以下の距離に位置する位置におけるアミノ酸残基に少なくとも１つの修飾を含んで成るJP170型サブチラーゼ変異体。 - 特許庁

The method comprises enlarging particles of a noble metal with Å-or-smaller particle sizes selectively by imparting reduction energy to the particles with a reducing agent to increase the minimum particle size of the particles to ≥1 nm.例文帳に追加

還元剤を利用して貴金属微粒子に還元エネルギーを与えることにより、Å以下の粒径を有する貴金属微粒子を選択的に肥大化させ、貴金属微粒子の最小粒子径を１[ｎｍ]以上にする。 - 特許庁