「cell reference」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Readout of information of a selected memory cell and the reference potential precharge of the memory cell to be selected next are overlappingly performed.例文帳に追加

選択されたメモリセルの情報の読み出しと次に選択されるメモリセルの参照電位プリチャージはオーバーラップして行われる。 - 特許庁

During the period of the memory read operation, the transistor, the reference cell and the addressed memory cell form a differential amplifier circuit.例文帳に追加

メモリ読取動作期間中、トランジスタと、基準セルと、アドレスされたメモリセルとが差動増幅器回路を形成する。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device has a regular cell array 200 and a reference cell array 600.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、レギュラーセルアレイ２００とリファレンスセルアレイ６００とを有する。 - 特許庁

When the cell voltage V is the reference voltage V1 or higher (No at S30), the cell voltage V is detected again (S20).例文帳に追加

セル電圧Ｖが基準電圧Ｖ１以上である高い場合には（Ｓ３０のＮｏ）、セル電圧Ｖが再度検出される（Ｓ２０）。 - 特許庁

A logical level of data held in the memory cell is detected depending on whether a memory cell current is larger than the reference current or not.例文帳に追加

メモリセル電流が基準電流より大きいか小さいかにより、メモリセルに保持されているデータの論理レベルが検出される。 - 特許庁

In the step 240, the additional voltage is added to the reference target cell stack voltage, and a target cell stack voltage being a target control voltage is obtained.例文帳に追加

ステップ２４０では、基準目標セルスタック電圧に加算電圧を加え、目標とする制御電圧である目標セルスタック電圧を求める。 - 特許庁

To generate a reference level without using a dummy cell in a ferroelectric memory device having 1T1C memory cell structure.例文帳に追加

１Ｔ１Ｃメモリセル構造の強誘電体メモリ装置において、ダミーセルを用いることなくリファレンスレベルの発生を可能とする。 - 特許庁

A memory device 50 having an intersection array 100 of a memory cell 130 is provided with a temperature sensor 150 and a reference memory cell 160.例文帳に追加

メモリセル(130)の交点アレイ(100)を有するメモリデバイス(50)は、温度センサ(150)と基準メモリセル(160)を備える。 - 特許庁

When the capacitor voltage becomes lower than a second reference voltage, the fuel cell system 22 is operated to obtain electric power from the fuel cell 60.例文帳に追加

キャパシタ電圧が第２の基準電圧より小さくなると、燃料電池システム２２を運転して燃料電池６０から電力を得る。 - 特許庁

When the potential of the source line SL0 is controlled to the second voltage, a cell current smaller than a reference current flows into the memory cell.例文帳に追加

ソース線ＳＬ０の電位が第２の電圧に制御されたとき、メモリセルには、参照電流より少ないセル電流が流れる。 - 特許庁

The memory cell 1 is connected to a current comparison circuit 2 and a reference memory cell 3 for testing is connected to the current comparison circuit 2.例文帳に追加

メモリセル１は電流比較回路２に接続され、該電流比較回路２には試験用基準メモリセル３が接続されている。 - 特許庁

The work line RWL1 for reference cell is a word line activated when a memory cell array redundant word line ReWL is selected.例文帳に追加

一方、リファレンスセル用ＲＷＬ１はメモリアレイ冗長ワード線ＲｅＷＬが選択された場合に活性化するワード線とする。 - 特許庁

To provide a sense amplifier circuit in which a reference current existing between a ON-cell current and a OFF-cell current.例文帳に追加

オンセル電流とオフセル電流の間に存在する基準電流を発生させる感知増幅器回路を提供すること。 - 特許庁

The second comparator receives a high reference voltage and the cell voltage of the memory cell, and outputs a second value in accordance with this.例文帳に追加

第２の比較器は、高い基準電圧と、前記メモリセルのセル電圧とを受信し、これに応じて第２の値を出力する。 - 特許庁

The first comparator receives a low reference voltage and the cell voltage of the memory cell, and outputs a first value in accordance with this.例文帳に追加

第１の比較器は、低い基準電圧と、前記メモリセルのセル電圧とを受信し、これに応じて第１の値を出力する。 - 特許庁

The liquid crystal display cell 10 is provided with reference marks 11 to 14 for the cell indicating the position of its display area 16.例文帳に追加

液晶表示セル１０にその表示エリア１６の位置を示すセル用基準マーク１１〜１４を設ける。 - 特許庁

Impurities are removed from the gas to be introduced into a cell 15, and light intensity of transmission light transmitted through the cell 15 is measured as a reference.例文帳に追加

ガスから不純物を除去してセル１５に導入し、そのセル１５を透過した光の光強度をリファレンスとして測定する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory obtained by tracking the threshold voltage characteristic of reference-side cell transistors to the characteristic of a core-side cell transistor.例文帳に追加

レファレンス側セルトランジスタの閾値電圧特性をコア側セルトランジスタの特性にトラッキングさせた不揮発性メモリを提供する - 特許庁

The aerosol spectroscopic analyzer has a laser irradiation part 4, an analyzing cell 2, a calibrating reference substance cell 16, and a slide mechanism 15a.例文帳に追加

エアロゾル分光分析装置は、レーザ照射部４、分析セル２、較正用標準物質セル１６、およびスライド機構１５ａを有する。 - 特許庁

The reference cell 3a and the sample cell 3b have the same triangle cross section and a surface vertical to the optical axis of the measuring beam.例文帳に追加

参照セル３ａと試料セル３ｂは同一三角形断面をもつとともに、測定光の光軸に対して垂直な面をもつ。 - 特許庁

Then an upper limit of the time required for the movement from the cell A to the cell B is obtained from a reference time table.例文帳に追加

次にセルＡからセルＢへ移動した場合に要する時間の上限値を基準時間表から求める。 - 特許庁

A sense amplifier compares a current flowing in the memory cell with the reference voltage and detects data read out from the memory cell.例文帳に追加

センスアンプは、メモリセルに流れる電流と基準電圧を比較してメモリセルから読み出されたデータを検出する。 - 特許庁

To provide a device for calculating a cell quality ranking reference for a measured cell.例文帳に追加

測定されたセルに対するセル品質順位付け基準を計算するように構成されているデバイスを提供すること。 - 特許庁

To provide a solar cell substrate detecting device capable of performing detection without reference to whether a reverse surface of a solar cell substrate is a mirror plane or an uneven surface.例文帳に追加

太陽電池基板の裏面が鏡面でも凹凸面でも検出が可能な太陽電池基板検出装置を提供する。 - 特許庁

A second read state is obtained by the selected cell with the reference cell biased to a second value that is greater than the first value (70).例文帳に追加

第１の値より大きな第２の値にバイアスされた基準セルにより選択セルを読み出して第２の読み出し状態を取得する（７０）。 - 特許庁

In this case, the other ends 32 of the memory cell capacitances 16, 21 and other ends 33 of the reference cell capacitances 8, 15 are electrically separated.例文帳に追加

ここで、メモリセル容量１６、２１の他端３２と参照セル容量８、１５の他端３３は、電気的に分離されている。 - 特許庁

A third read state is obtained by the selected cell with the reference cell biased to a third value that is less than the first value (80).例文帳に追加

第１の値より小さな第３の値にバイアスされた基準セルにより選択セルを読み出して第３の読み出し状態を取得する（８０）。 - 特許庁

Exposure time of each column cell is determined by correcting the exposure time of the reference column cell based on the correction parameters thus obtained.例文帳に追加

以上のようにして求めた補正パラメータに基づいて基準コラムセルの露光時間を補正して、各コラムセルの露光時間を求める。 - 特許庁

In this method (400), a value of an input side of the cell (210) is compared to the reference value the input side of the memory cell provides an indication that writing operation is completed.例文帳に追加

方法(400)は、セル(210)の入力側の値を基準値と比較し、メモリセル(210)の入力側は、書き込み動作が完了したという指示を提供する。 - 特許庁

In addition, charge is accumulated in a charge accumulation area of the other reference cell so as to be equivalent to a memory cell characteristic with the maximum current.例文帳に追加

また、他方のリファレンスセルの電荷蓄積領域に、最も電流が多いメモリセル特性と等価な状態となるように電荷が蓄積される。 - 特許庁

At least one cell among the reference cell 100, the polygon cells 106 and the corner cells 104 is painted with a color different from the color of the other cells.例文帳に追加

基準セル１００、多辺形セル１０６、コーナーセル１０４の少なくとも一つのセルは、他のセルと異なる色を付けられる。 - 特許庁

To prevent a cell from being brought into an overcharged state, even if the reference voltage that calculates the threshold voltage for adjusting a capacity of the cell is increased.例文帳に追加

セルの容量調整を行うためのしきい値電圧を算出する基準電圧が上昇しても、セルが過充電状態となることを防ぐ。 - 特許庁

To determine abnormality of a solar cell by easily acquiring the current voltage characteristics becoming the reference for determining abnormality of a solar cell.例文帳に追加

太陽電池の異常を判定するための基準となる電流電圧特性を簡易に取得し、太陽電池の異常を判定する。 - 特許庁

This method has a step in which the reference cell (Cref) and a test cell (Cveri) are simultaneously selected during read, read signals are compared when a signal read by the reference cell is smaller than a signal read by the test cell, and refresh signals (Sr1, Sr2, Sr3) are outputted to the reference cell (Cref).例文帳に追加

本発明の方法は、読出し中に基準セル（Ｃｒｅｆ）と検査セル（Ｃｖｅｒｉ）とを同時に選択し、読取られた信号を比較し、基準セルで読取られた信号が検査セルで読取られる信号より小さい場合、リフレッシュ信号（Ｓｒ１，Ｓｒ２，Ｓｒ３）を基準セル（Ｃｒｅｆ）に出力するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁

The data read-out circuits (5-8) identify the first data (D_1) stored in the first memory cell (C_i1) from a reference cell electrical state of the reference cell (R_i, R_ef) and a first electrical state of the first memory cell (C_i1).例文帳に追加

データ読み出し回路（５〜８）は、リファレンスセル（Ｒ_ｉ、Ｒ_ｅｆ）が有するリファレンスセル電気的状態と第１メモリセル（Ｃ_ｉ１）が有する第１電気的状態とから、第１メモリセル（Ｃ_ｉ１）に記憶されている第１データ（Ｄ_１）を同定する。 - 特許庁

According to at least one embodiment, a method comprises measuring (401) drive current of a reference memory cell (110) of a circuit (101), and determining (402), based on the measured drive current of the reference memory cell, a drive current to be supplied to a calibration memory cell (120) of the circuit to mimic a defective memory cell.例文帳に追加

少なくとも１つの実施形態によれば、方法は、回路(101)の基準メモリセル(110)の駆動電流を測定(401)し、基準メモリセルの測定された駆動電流に基づいて、欠陥メモリセルを模倣するために回路の較正メモリセル(120)に供給されるべき駆動電流を決定する(402)ことを含む。 - 特許庁

The non-dispersive infrared absorption detecting device with two cells, a sample cell 3 and a reference cell 4, is provided with a gas channel interchanger 1 for simultaneously interchanging a sample gas and a zero gas at every predetermined times and supplying them for the sample cell 3 and the reference cell 4.例文帳に追加

試料セル３と比較セル４の２個のセルを持つ非分散型赤外吸収検出装置において、定められた時間毎に試料ガスおよびゼロガスを同時に交換して試料セル３と比較セル４に供給するガス流路交換器１を設ける。 - 特許庁

On the other hand, the capacitor 82 and the capacitor 92 are provided in a dummy cell 80 and a dummy cell 90 respectively which are provided separately from the reference cell and the memory cell.例文帳に追加

一方、キャパシタ８２およびキャパシタ９２は、リファレンスセルおよびメモリセルと別に設けられたダミーセル８０およびダミーセル９０内にそれぞれ設けられている。 - 特許庁

As to each cell, information included in the cell describes characteristics of a physical location of the cell by using another cell as a reference inside the three-dimensional package.例文帳に追加

セル１つずつについて、セル内に含まれる情報が、３次元パッケージ内で他のセルを基準にしたそのセルの物理的場所の特徴を記述する。 - 特許庁

MRAM REFERENCE CELL SUB-ARRAY AND ITS MANUFACTURING METHOD, MRAM ARRAY, MRAM CELL SUB-ARRAY AND ITS MANUFACTURING METHOD, MRAM CELL SUB-ARRAY WRITING DEVICE, AND MRAM CELL SUB-ARRAY WRITING METHOD例文帳に追加

ＭＲＡＭリファレンスセルサブアレイおよびその製造方法、ＭＲＡＭアレイ、ＭＲＡＭセルサブアレイおよびその製造方法、ＭＲＡＭセルサブアレイ書込装置、ＭＲＡＭセルサブアレイの書込方法 - 特許庁

This oxygen sensor 10 is provided with a measurement cell including a measurement cell main body 21, a measuring electrode 21b1, and a reference electrode 21a1 and a pump cell including a pump cell main body 23, a pump anode 23b1, and a pump cathode 23a1.例文帳に追加

酸素センサ１０は、測定セル本体２１と測定電極２１ｂ１と基準電極２１ａ１とを含む測定セルと、ポンプセル本体２３とポンプ陽極２３ｂ１とポンプ陰極２３ａ１とを含むポンプセルとを備えている。 - 特許庁

The cell controller C/C1 turns on the cell voltage detection switches SWa1 to SWa8 and turns off the cell reference voltage source switch SWc and the capacity regulating circuit switches SWb1 to SWb8, at the detection of the cell voltage.例文帳に追加

セルコントローラＣ／Ｃ１は、セル電圧検出時にセル電圧検出スイッチＳＷａ１〜ＳＷａ８をオン、セル基準電圧源スイッチＳＷｃおよび容量調整回路スイッチＳＷｂ１〜ＳＷｂ８をオフする。 - 特許庁

When the cell voltage is detected, the cell controller C/C1 turns on the cell voltage detection switches SWa1 to SWa8 and turns off the cell reference voltage source switch SWc as well as the volume adjustment circuit switches SWb1 to SWb8.例文帳に追加

セルコントローラＣ／Ｃ１は、セル電圧検出時にセル電圧検出スイッチＳＷａ１〜ＳＷａ８をオン、セル基準電圧源スイッチＳＷｃおよび容量調整回路スイッチＳＷｂ１〜ＳＷｂ８をオフする。 - 特許庁

When the second and subsequent data are read from the normal cell of the other address, as the reference cell is in a reset state, the reference levels are equal in the first and the subsequent reading.例文帳に追加

他のアドレスのノーマルセルから２回目以降のデータを読み出す際には、リファレンスセルがリセット状態にあるので、最初と第２回目以降とではリファレンスレベルは同一である。 - 特許庁

A cell coefficient setting unit sets a cell coefficient for correcting the zero-percent reference value in accordance with information representing a degree of deterioration of the secondary battery to the zero-percent reference value.例文帳に追加

セル係数設定部は、０％基準値に対する二次電池の劣化度合いを示す情報に応じて、０％基準値を補正するためのセル係数を設定する。 - 特許庁