「cell reference」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The threshold of the cell is compared with a decision reference value (S14) through an erase verify reading operation.例文帳に追加

Ｓ13の消去ベリファイ読み出しを経てＳ14に示すようにセルのしきい値と判定基準値が比較される。 - 特許庁

A memory cell array block in the memory apparatus which is divided basing a twist bitline as reference is addressed in a block address.例文帳に追加

ツイストビットラインを基準に分けられるメモリ装置内のメモリセルアレイブロックがブロックアドレスによりアドレッシングされる。 - 特許庁

When the measured value becomes a preliminarily calculated reference value or higher, the liquid culture medium 15 is charged in a fuel cell 50 and electricity is produced.例文帳に追加

その測定値が予め求めた基準値以上になったところで、液体培地１５を燃料電池５０に投入して発電させる。 - 特許庁

A pre-charge level of a data line is VDD, a part of the dummy cells DMC may be used as a memory cell for generating a reference level.例文帳に追加

また、データ線のプリチャージレベルはＶＤＤとし、ダミーセルＤＭＣの一部を参照レベル発生用のメモリセルとして利用しても良い。 - 特許庁

To give relief to defects caused by short circuit of a bit line and a wiring supplying a reference potential to a memory cell.例文帳に追加

ビット線とメモリセルに基準電位を供給する配線との短絡により発生した不良を救済することができるようにする。 - 特許庁

A cell assembly formed by stacking a plurality of cells is fixed to the inside of a body casing 1 inclinable against a reference plane H.例文帳に追加

基準平面Ｈに対して傾斜自在である本体ケーシング１の中に、複数セルが積層されたセル集合体が固定的に配置されている。 - 特許庁

The number of twin memory cells for reference in the reference cell array 600 and arrangement coincide with the number of twin memory cells 100 arranged in the small blocks 215 being the minimum unit on manufacturing process of a cell array and arrangement.例文帳に追加

リファレンスセルアレイ６００中のリファレンス用ツインメモリセルの個数及び配列は、セルアレイの製造工程上の最小単位のであるスモールブロック２１５に配置されたツインメモリセル１００の個数及び配列と一致している。 - 特許庁

The method includes a sep for arranging an input/output cell 12 provided with a controllable input/output impedance; a step for arranging a reference cell 14 comprising a node with a variable voltage; and a step for comparing the node voltage with a reference voltage.例文帳に追加

制御可能な入出力インピーダンスを有する入出力セル１２を設けるステップと、可変電圧を有するノードを含む参照セル１４を設けるステップと、ノードの電圧を参照電圧と比較するステップとを含む。 - 特許庁

A reference cell 16 in which an object to be measured is sealed is provided in the light path of the laser beam reflected by the photodetection surface 12a of the photodetector 12 and a photodetector 17 measuring the intensity of the laser beam passed through the reference cell 16 is provided.例文帳に追加

また、光検出器１２の受光面１２ａで反射したレーザー光の光路に、測定対象物を封入したリファレンスセル１６を設けるとともに、該リファレンスセル１６を通過したレーザー光の光強度を測定する光検出器１７を設ける。 - 特許庁

The plurality of sensor cells 3 include a main sensor cell 31 and a subsensor cell 32, and these include measuring electrodes 311, 321 exposed to the to-be-measured gas chamber 2 and reference electrodes 312, 322 exposed to a reference gas atmosphere.例文帳に追加

複数のセンサセル３は、メインセンサセル３１とサブセンサセル３２とからなるとともに、それぞれ、被測定ガス室２に面するように配設される測定電極３１１、３２１と、基準ガス雰囲気に面するよう配設される基準電極３１２、３２２とを有する。 - 特許庁

A test system 200 controls magnitude of voltage difference indicated between bit lines by enabling a first dummy cell 130 to transfer first reference electric charges on a first bit line and enabling a second dummy cell 140 to transfer second reference electric charges on a second bit line.例文帳に追加

テストシステムは第一基準電荷を第一ビット線上へ転送させるために第一ダミーセルをイネーブルさせ且つ第二基準電荷を第二ビット線上へ転送させるために第二ダミーセルをイネーブルさせることによって、ビット線間に表れる電圧差の大きさを制御する。 - 特許庁

A plurality of sense amplifiers (3, 4) are provided at a selection bit line, a remaining current (Irmn) corresponding to a current flowing in a memory cell and a reference current Iref being reference of threshold voltage of this memory cell are supplied to this sense amplifiers, and the current (Irmn) and the current Iref are sensed.例文帳に追加

選択ビット線に複数のセンスアンプ（３，４）を設け、このセンスアンプに対しメモリセルを流れる電流に対応する残存電流（Ｉｒｍｎ）とこのメモリセルのしきい値電圧の基準となる基準電流Ｉｒｅｆとを供給しこれらの電流をセンスする。 - 特許庁

The initial stage differential amplifier 4 differentially amplifiers input cell voltages using an electrical potential of a minimum electric potential end of a cell set 1 as a reference, and a latter stage differential amplifiers an output voltage of the initial differential amplifier using a vehicle body electric potential as a reference.例文帳に追加

初段差動増幅器４は、組電池１の最低電位端の電位を基準として入力単電池電圧の差動増幅を行い、後段差動増幅器は、初段差動増幅器４の出力電圧を車体電位を基準として増幅する。 - 特許庁

To provide a pattern dependent correction method capable of detecting an accurate program verification current for a target memory cell not affected by a leakage current from an adjacent memory cell in a nonvolatile storage device in which an average current for two reference cells is reference current.例文帳に追加

２つのリファレンスセルの平均電流をリファレンス電流とする構成の不揮発性半導体記憶装置において、隣接メモリセルのリーク電流に影響されない、対象メモリセルの正確なプログラムベリファイ電流の検出を可能とするパターン依存補正方式を提供する。 - 特許庁

At an initial write-in operation, of which data are written into the main memory cell array 10, the first area SP1 is selected as the data writing end, and the reference cell 12 for main memory is selected as the reference data writing end.例文帳に追加

メインメモリセルアレイ１０にデータが書き込まれる初回の書込み動作時には、データ書込み先として第１領域ＳＰ１が選択され、リファレンスデータの書込み先としてメインメモリ用リファレンスセル１２が選択される。 - 特許庁

Reliability of memory programming and read-out is improved, by generating both sets of reference signals by the reference cell tracking vibrations in an operating characteristics of the memory cell with changes in conditions, such as temperature, system voltages.例文帳に追加

温度やシステム電圧などの条件の変化に伴って起きるメモリセルの動作特性の変動を追跡する基準セルによって、両方の基準信号の組を発生することにより、メモリプログラミングおよび読出しの信頼性が向上する。 - 特許庁

A two-dimensional code reading apparatus includes: an imaging means for imaging a two-dimensional code including a color reference pattern; and a color decision means for determining the display color of each cell image based on color information to be obtained from each cell image and color information to be obtained from the image of the color reference pattern.例文帳に追加

二次元コード読取装置は、色参照パターンを含んだ二次元コードを撮像する撮像手段と、各セル画像の表示色を、各セル画像から得られる色情報と色参照パターンの画像から得られる色情報とに基づいてそれぞれ判別する色判別手段とを備えている。 - 特許庁

NOR type flash memory (nonvolatile semiconductor storage device) 1 includes: a memory cell array 11; a dummy memory cell array (reference circuit) 12; a sense amplifier 13; load circuits 14 and 15; pre-charge circuits 16 and 17; and a reference voltage generation circuit 20.例文帳に追加

ＮＯＲ型フラッシュメモリ（不揮発性半導体記憶装置）１は、メモリセルアレイ１１と、ダミーメモリセルアレイ（リファレンス回路）１２と、センスアンプ１３と、負荷回路１４及び１５と、プリチャージ回路１６及び１７と、基準電圧発生回路２０とを備えている。 - 特許庁

The reference voltage REF is applied to gates of NMOS 42 of each detecting circuit, a cell current INS flowing in a NMOS 43 from a memory cell array 10 is compared with the reference current INR, and a detected signal Si being a compared result is outputted to an output node N4i.例文帳に追加

基準電圧ＲＥＦは各検出回路４０ＡのＮＭＯＳ４２のゲートに印加され、メモリセルアレイ１０からＮＭＯＳ４３に流れ込むセル電流ＩＮＳと基準電流ＩＮＲとが比較されて、出力ノードＮ４_ｉに比較結果の検出信号Ｓｉが出力される。 - 特許庁

Values set as a system reference value to stop the fuel cell system 10 when hydrogen remaining amount has been decreased may be differentiated between a normal operation mode and a warm mode, so as to shutdown the fuel cell system 100 when the fuel remaining amount falls below the respective reference values.例文帳に追加

また、水素残量が低下したときに燃料電池システム１００を停止させるためのシステム基準値として、通常運転時と保温運転時とで異なる値を設定するようにし、それぞれの基準値を下回ったときに燃料電池システム１００を停止させるようにしてもよい。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor memory device comprises a process of forming dummy cells 61_1 to 61_8 so as to be situated next to a reference cell 41_2, and a process of injecting an impurity into the dummy cells 61_1 to 61_8 using a mask for covering the reference cell 41_2.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る製造方法は、リファレンスセル４１_２に隣接するようにダミーセル６１_１〜６１_８を形成する工程と、リファレンスセル４１_２を覆うマスクを用いて、ダミーセル６１_１〜６１_８に不純物を注入する工程と、を含んでいる。 - 特許庁

A reference cell 50, a transistor 51 which has its source connected to the reference cell 50 and to the gate of which a bias voltage V_bias is applied, and a transistor 52 which has its source connected to the magneto- resistance element 11 and to the gate of which the bias voltage V_bias is applied are provided.例文帳に追加

参照セル５０と、参照セル５０にソースが接続されバイアス電圧Ｖ____biasがゲートに印加されるトランジスタ５１と、磁気抵抗素子１１にソースが接続されバイアス電圧Ｖ_biasがゲートに印加されるトランジスタ５２とを設ける。 - 特許庁

The ferroelectric storage device controls so that "L" data write time (4) of the reference cell, "H" data write time (5) of the reference cell, or data read time (6) becomes shorter than the "L" data write time (1) of the normal cells, "H" data write time (2) or the data read time (6), respectively.例文帳に追加

ノーマルセルの“Ｌ”データ書き込み時間（１）、“Ｈ”データ書き込み時間（２）又はデータ読み出し時間（３）に対して、各々、リファレンスセルの“Ｌ”データ書き込み時間（４）、“Ｈ”データ書き込み時間（５）又はデータ読み出し時間（６）が短くなるように制御する。 - 特許庁

The test and evaluation method for irritation estimates the irritation property with reference to a living body tissue, in such a way that the specimen is added to the surface of the three-dimensional tissue cell culture, and that when the irritation property of the specimen is evaluated, the irritation property with reference to a time-dependently changed cell is analyzed kinetically.例文帳に追加

３次元的組織細胞培養物の表面に被験物を添加し、その被験物の刺激性を評価するに際して、時間依存的に推移する細胞に対する刺激性を速度論的に解析することによって、生体組織に対する刺激性を予測する刺激性試験評価方法。 - 特許庁

More concretely, a memory signal of the selected memory cell is read out first, then the reference signal corresponding to the almost non-polarization state is generated using the memory cell, and a memory state is determined by comparing the memory signal with the reference signal.例文帳に追加

より具体的には、まず選択したメモリセルの記憶信号を読み出し、次に該メモリセルを用いて略無分極状態に相当する参照信号を生成し、該記憶信号と該参照信号を比較することで記憶状態を判定する。 - 特許庁

A current mirror circuit composed of the transistors 53 and 54 generates at an output terminal 55 a voltage corresponding to the difference current between a reference current IREF flowing through the reference cell 50 and a cell current IMTJ flowing through the magneto-resistance element 11.例文帳に追加

参照セル５０を流れる電流を参照電流Ｉ_REFとし、磁気抵抗素子１１を流れる電流をセル電流Ｉ_MTJとして、トランジスタ５３，５４からなるカレントミラー回路により、参照電流Ｉ_REFとセル電流Ｉ_MTJとの差電流に応じた電圧を出力端子５５に発生させる。 - 特許庁

The first determination part 70 determines, for each of the plurality of twin cells selected by a selection circuit 13, whether a first condition that a threshold voltage of one memory cell is higher than a commonly set reference value and a threshold voltage of the other memory cell is lower than the reference value is established.例文帳に追加

第１の判定部７０は、選択回路１３によって選択された複数のツインセルの各々について、一方のメモリセルの閾値電圧が共通に設定された基準値より高く、他方のメモリセルの閾値電圧が基準値より低いという第１の条件が成立するか否かを判定する。 - 特許庁

This voltage equalizer detects the voltage Vb(k) of each unit cell (step S100), and charges or discharges a cell where a voltage difference from a voltage (reference voltage Vbst) to become a reference is at or over a threshold Vr among detected voltages thereby equalizing the voltage.例文帳に追加

各単電池の電圧Ｖｂ(k)を検出し（ステップＳ１００）、その検出された電圧のうち基準となる電圧（基準電圧Ｖｂｓｔ）との電圧差が閾値Ｖｒ以上の単電池を充電し又は放電させて電圧の均等化を図る。 - 特許庁

The method includes the steps of programming the first reference cell to a first voltage threshold level that is centered within a data bit '1' distribution of the core cells, and programming the second reference cell to a second voltage threshold level that is centered within a data bit '0' distribution of the core cells.例文帳に追加

本方法は、前記第１基準セルを、前記コアセルのデータビット“１”分布にて中央にある第１電圧閾値レベルにプログラミングするステップ、及び前記第２基準セルを、前記コアセルのデータビット“０”分布にて中央にある第２電圧閾値レベルにプログラミングするステップより成る。 - 特許庁

Thereby, at read-out, potentials of the word line RWL0 for reference cell (or word line RWL1 for reference cell) and the memory array normal word line MWL (or memory array redundant word line ReWL) are made rise synchronously with each other.例文帳に追加

これによって、データの読み出し時に、リファレンスセル用ワード線ＲＷＬ０（またはリファレンスセル用ワード線ＲＷＬ１）とメモリアレイ通常ワード線ＭＷＬ（またはメモリアレイ通常ワード線ＲｅＷＬ）との電位が同期して立上がる。 - 特許庁

This device is provided with a memory cell array 1 in which memory cells storing fuse data are arranged, a register 8 for fuse storing fuse data read out from the memory cell and a reference voltage circuit 9 consisting of a differential amplifier for generating reference voltage.例文帳に追加

ヒューズデータが記憶されているメモリセルが配置されているメモリセルアレイ１と、メモリセルから読み出したヒューズデータを格納するヒューズ用レジスタ８と、差動増幅器を有して構成された、基準電圧を発生する基準電圧回路９とを具備する。 - 特許庁

A GPS reference station positioned in the position same to a phone cell site, and the GPS reference station tracks GPS satellites observed from a local area thereof to estimate a Doppler value of the each GPS satellite.例文帳に追加

電話セルサイトと同じ場所にあるＧＰＳ基準局を備え、ＧＰＳ基準局はそのローカルエリアから見えるＧＰＳ衛星を追跡し、各ＧＰＳ衛星のドップラー値を推定する。 - 特許庁

The oxidized and decomposed reference sample water is transferred to a measuring cell 8, and the absorbance of nitrate ion of the reference sample water of wavelength of 220 nm is measured by an absorbance measuring part 9.例文帳に追加

酸化分解された基準試料水は、測定セル８に移送され、吸光度測定部９で波長２２０ｎｍの基準試料水の硝酸イオンの吸光度が測定される。 - 特許庁

A first sense amplifier G3 compares a current outputted from the memory cell MC with a first reference current outputted from a reference current generating circuit G5.例文帳に追加

第１のセンスアンプＧ３は、メモリセルＭＣから出力された電流と基準電流生成回路Ｇ５から出力された第１の基準電流とを比較する。 - 特許庁

Thus, programming margin is secured, by the dependence of the read-out reference signals on the programming reference signals, while programming of the memory cell can be performed, without reading out its memory states during programming process.例文帳に追加

したがって、プログラミング基準信号への読出し基準信号の依存性によりプログラミングマージンが確保されるとともに、プログラミング処理中にその記憶状態を読み出さずにメモリセルのプログラミングが行なえる。 - 特許庁

Calibration of the reference voltage can be performed dynamically during normal operation of the FeRAM so that the reference voltage tracks changes in FeRAM cell performance that may be associated with temperature or aging (or secular change) effects.例文帳に追加

基準電圧の校正は、温度又は老化（又は経年変化）の影響に関連する可能性のあるFeRAMセルのパフォーマンスの変化を基準電圧が追跡するように、FeRAMの通常動作中に動的に実行できる。 - 特許庁

Sample light passes through a sample cell 3 and a sample light slit 4a while reference light passes through a reference light slit 4b, and both lights are incident on a multi-wavelength spectroscope.例文帳に追加

サンプル光はサンプルセル３、サンプル光用スリット４ａを通り、またリファレンス光はリファレンス光用スリット４ｂを通り、多波長分光器に入射する。 - 特許庁

The read reference current generation circuit 120 generates a monitor voltage Vmon that varies according to variation of the read reference current Iref and a threshold voltage of the memory cell Mcell.例文帳に追加

リードリファレンス電流生成回路120は、リードリファレンス電流IrefおよびメモリセルMcellの閾値電圧のばらつきに応じて変化するモニタ電圧Vmonを生成する。 - 特許庁

To eliminate an individual difference while shortening an unnecessary waiting time by automatically performing purge judgment with respect to whether a reference cell is sufficiently replaced with a reference liquid.例文帳に追加

リファレンスセル内が参照液で充分置換されたかどうかのパージ判定を自動的に行なうことにより個人差をなくし、不必要な待機時間を短縮する。 - 特許庁

The report conditions are met when a transmission source of a down reference signal is the specified cell specified by the base station device, and the content to be reported includes reception quantity of the down reference signal.例文帳に追加

報告条件は、下りリファレンス信号の送信元が、当該基地局装置により指定された特定のセルであった場合に満たされ、報告すべき内容は下りリファレンス信号の受信品質を含む。 - 特許庁

A reference node REF is connected to a reference cell RMC through a NMOS transistor QN2 for dummy clamp and a dummy column gate QN3.例文帳に追加

参照ノードＲＥＦは、ダミークランプ用ＮＭＯＳトランジスタＱＮ２及びダミーカラムゲートＱＮ３を介して参照セルＲＭＣに接続される。 - 特許庁

The channel identification circuit 8 detects the reference channel among the 4 channel signals based on it that the HEC byte of the PLOAM cell is inverted and identifies all the channels based on each phase difference from the reference channel.例文帳に追加

チャネル識別回路８はＰＬＯＡＭセルのＨＥＣバイトが反転されていることに基づいて、４つのチャネル信号の中から基準チャネルを検出し、基準チャネルとの位相差から全てのチャネルを識別する。 - 特許庁

To set a threshold level of its reference cell in a short time in a semiconductor memory apparatus using variable threshold value nonvolatile memory cells as a reference current/potential generating means.例文帳に追加

本発明は、リファレンス電流／電位発生手段として、閾値変化型不揮発メモリーセルを用いた半導体記憶装置において、そのリファレンスセルの閾値を短時間で設定することを目的とする。 - 特許庁

To obtain a stable reference current, by suppressing variations in the threshold with time in a reference cell in an electrically rewritable flash memory for integrating MONOS-type transistors.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型トランジスタを集積した電気的に書き換え可能なフラッシュメモリにおいて、リファレンスセルの経時的なしきい値の変動を抑制し、安定した基準電流を得る。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes a memory cell array in which memory cells are arranged in a matrix and a reference resistance circuit that generates a reference resistance value.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、参照抵抗値を生成する参照抵抗回路とを備えている。 - 特許庁