「cell reference」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

A controller 11 corrects the level of an A/D value Y' (i, j) of each cell 13 based on the A/D value Y' (i, j) thereof to the level of the A/D value of the cell 13 in the row used as the reference.例文帳に追加

コントローラ１１は、各セル１３のＡ／Ｄ値Ｙ’（ｉ，ｊ）に基づき同Ａ／Ｄ値Ｙ’（ｉ，ｊ）のレベルを基準となる行のセル１３のＡ／Ｄ値のレベルに補正する。 - 特許庁

A range ranged by overhead data, indicating the head position of a data block at a low bit rate multiplexed on a fame and a payload SPE is decided to be a cell-assembling range and a top position TOP of the cell- assembling range is decided to be a reference position.例文帳に追加

フレームに多重された低速ビットレートのデータブロックの先頭位置を示すオーバヘッドデータPOTとペイロードSPEを少なくともセル化範囲と定め、セル化範囲の先頭位置TOPを基準位置とする。 - 特許庁

Therefor with differences in structure, size, fixing and wiring methods, and temperature between the sample cell and the reference cell, it is possible to substantially heighten the effects of removing the noise components of the conventional absorption detecting device and improve detection sensitivity.例文帳に追加

したがって試料セルと比較セルの構造・寸法の差、固定・配線方法の差、温度差などがあっても、従来の赤外吸収検出装置のノイズ成分の除去の効果を一段と高め、検出感度が向上する。 - 特許庁

To provide an improved connecting structure, and a method of increasing the fabricating density of a fuel cell and the ratio of the efficient reaction area with reference to a flat fuel cell assembly.例文帳に追加

改善された接続構造と、平面燃料電池アセンブリに、燃料電池の組立密度と、有効な反応面積の比率を増加させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for exactly reading data of a memory cell even when a normal read operation (to set one reference cell) is difficult or impossible.例文帳に追加

通常の読み出し動作（１つのリファレンスセルを設定すること）が困難若しくは不可能な場合においても、メモリセルのデータを正確に読み出す方法を提供する。 - 特許庁

For example, potentials of plate lines PL0, DPL are made VAA, data of an unit cell UC is read out to a bit line BL0 and data of a reference cell RC is read out to a bit line /BL0.例文帳に追加

たとえば、プレート線ＰＬ０，ＤＰＬの電位をＶＡＡにし、ビット線ＢＬ０にユニットセルＵＣのデータを、ビット線／ＢＬ０にリファレンスセルＲＣのデータを、それぞれ読み出す。 - 特許庁

A calibration processing section 21a automatically adjusts the magnification of an amplifier for calibration so that the output of the load cell 18 becomes the reference testing force, and then calculates the measurement value from the output of the load cell 18, based on this automatically adjusted value.例文帳に追加

校正処理部２１ａでは、ロードセル１８の出力が基準試験力となるように校正用アンプの倍率を自動調整し、以降、この自動調整した値に基づきロードセル１８の出力から計測値を算出する。 - 特許庁

Thereby, a kit for using as a reference in diagnostic test is provided, wherein >50% 18SrRNA of the cell has no damage when the cell is measured by a gel electrophoresis after a 4 week lapse at -20°C.例文帳に追加

その結果、−２０℃で４週間経過後に、前記細胞をゲル電気泳動法で測定した場合、同細胞の１８ＳｒＲＮＡの５０％を超える量が無傷である、診断検定法で対照として使用するためのキットが提供される。 - 特許庁

Common word lines WL1 to WL4 are connected to the memory cells of the strings of the data memory cell block 1 and the reference memory cell block 2.例文帳に追加

データメモリセルブロック１の各ストリングのメモリセルと参照メモリセルブロック２の各ストリングのメモリセルには共通のワード線ＷＬ１〜ＷＬ４を接続する。 - 特許庁

The gas sensor measures electromotive force occurring between the reference substance in contact with one-surface side of a cell 2 and an object to be measured in contact with the other-surface side of the cell 2, thus measuring gas concentration in the object to be measured.例文帳に追加

ガスセンサは、セル２の一面側に接触する基準物質とセル２の他面側に接触する測定対象物との間に発生する起電力を測定することにより、測定対象物のガス濃度を測定する。 - 特許庁

A resistance values of each resistance element of a resistance array 20 connected to a source of a reference cell RMC is set conforming to an equivalent resistance value of source diffusion resistance of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイのソース拡散抵抗の等価抵抗値に従って、リファレンスセルＲＭＣのソースに接続される抵抗アレイ２０の各抵抗素子の抵抗値が設定される。 - 特許庁

A bit line potential selecting means for applying a write-in potential to the bit line of an electric charges accumulating side and applying a ground potential to the bit line of the other side is provided on a memory cell being adjacent to the reference cell.例文帳に追加

レファレンスセルに隣接するメモリセルに対して、電荷蓄積側のビット線に書込み電位、他方のビット線に接地電位を印加するためのビット線電位選択手段を設ける。 - 特許庁

To provide a mounting structure of a solar cell module, which can enhance power generation efficiency by enabling the solar cell module to be mounted in the state of being directed in an optimum direction, without reference to the direction of a flat roof (deck roof).例文帳に追加

フラット屋根（陸屋根）の方位にかかわらず、太陽電池モジュールを最適な方向へ向けて取付けられることができ、発電効率の向上を図ることのできる太陽電池モジュールの取付構造を提供すること。 - 特許庁

A switching power supply circuit 11 is operated in a constant current control mode to control an output current value of a fuel cell 101 constant so as to match the output current value of the fuel cell 101 with a reference current value Iref'1.例文帳に追加

スイッチング電源回路１１は、燃料電池１０１の出力電流値が基準電流値Iref’1に一致するように燃料電池１０１の出力電流値を一定に制御するという定電流制御モードで動作する。 - 特許庁

To provide a bias voltage application circuit in which the bias voltage is applied to a memory cell and a reference cell for a semiconductor storage device, and current difference for the both memory cells can be detected at high speed.例文帳に追加

半導体記憶装置のメモリセルとリファレンスセルにバイアス電圧を印加して、両メモリセルの電流差を高速に検知可能なバイアス電圧印加回路を提供する。 - 特許庁

The channel signal 3a is an ATM cell base flow, given to a channel identifier addition circuit 4, where a HEC (an area to which a CRC arithmetic result in a header of an ATM cell is inserted) byte of a PLOAM (physical layer maintenance management) is inverted and becomes a reference channel signal 3x.例文帳に追加

チャネル信号３ａはＡＴＭセルベースフローであり、チャネル識別子付加回路４に入力してＰＬＯＡＭのＨＥＣバイトを反転され、基準チャネル信号３ｘとなる。 - 特許庁

The injection charge amplifier (30) determines whether a sensed memory cell is in a first or second resistive state as compared to a reference cell.例文帳に追加

注入電荷増幅器(30)は、センシングされたメモリセルが基準セルと比較して第1の抵抗状態であるか、又は第2の抵抗状態であるかを判定する。 - 特許庁

In the off-set elimination circuit, a decoupling capacitor preserves the electric charge corresponding to a voltage difference between the reference voltage and the reset voltage that is received from the unit cell, to eliminate the off-set of the unit cell.例文帳に追加

オフセット除去回路は、デカプリングキャパシタが単位セルから受信されたリセット電圧と基準電圧との電圧差に相応する電荷を保存することによって単位セルのオフセットを除去する。 - 特許庁

This device is provided with a fuse cell circuit 4 provided with the fuse cell FC, a fuse cell control circuit 3 for reading data stored in the fuse cell FC, a booster circuit 1 for generating a boosted voltage VDDP and a voltage conversion circuit 2 for using a reference voltage Vref and converting the boosted voltage VDDP into the read voltage VDDR to be used at reading the data from the fuse cell FC.例文帳に追加

ヒューズセルＦＣを含むヒューズセル回路４と、ヒューズセルＦＣに記憶されたデータを読み出すヒューズセル制御回路３と、昇圧電圧ＶＤＤＰを発生する昇圧回路１と、参照電圧Ｖref を使用して、昇圧電圧ＶＤＤＰをヒューズセルＦＣからデータを読み出すときに使用される読み出し電圧ＶＤＤＲに変換する電圧変換回路２とを具備する。 - 特許庁

To improve reception characteristics of even a mobile station apparatus which is not positioned at a cell edge without deteriorating reception characteristics of the mobile station apparatus at the cell edge as to multi-cell MBMS which improves reception characteristics of the mobile station apparatus at the cell edge and is applied with Cell-specific reference signals with GS.例文帳に追加

セルエッジの移動局装置の受信特性を改善するＣｅｌｌ−ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ ｓｉｇｎａｌｓ ｗｉｔｈ ＧＳを適用したマルチセルＭＢＭＳにおいて、セルエッジの移動局装置の受信特性を劣化させることなく、セルエッジに位置しない移動局装置に対しても受信特性の改善を図る。 - 特許庁

A magnetic random access memory comprises: a memory cell that includes a first magnetoresistive element capable of writing data in a magnetization direction of a free ferromagnetic layer which is changed by spin transfer; and a reference cell that includes multiple second magnetoresistive elements for storing data for reference in a magnetization direction of free ferromagnetic layers which are changed by spin transfer, and that is used when the memory cell conducts reading operation.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでデータを書き込み可能な第１磁気抵抗素子を含むメモリセルと、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでリファレンス用データを記憶する複数の第２磁気抵抗素子を含み、メモリセルの読み出し動作時に用いられるリファレンスセルとを具備する。 - 特許庁

Out of a wiring group which forms a first current path that passes through the selected memory cell RMC# and a second current path that passes a selected reference cell RMC# upon data reading, wirings (ground wirings GL1 and GL2, and bit lines BL and /BL) arranged along a different direction from a reference cell RMC are formed with metal wirings having low resistance.例文帳に追加

データ読出時に選択メモリセルＲＭＣ♯を通過する第１の電流経路および選択リファレンスセルＲＭＣ＃を通過する第２の電流経路を形成する配線群のうち、リファレンスセルＲＭＣと異なる方向に沿って配置される配線（接地配線ＧＬ１，ＧＬ２およびビット線ＢＬ，／ＢＬ）は、低抵抗の金属配線で形成される。 - 特許庁

The nonvolatile memory in which data is stored depending of a difference in threshold voltage has the core-side cell transistor C-MC to which an electric charge is injected depending on stored data and the reference-side cell transistors RA-MC and RB-MC supplying a reference level when reading data from the core-side cell transistor.例文帳に追加

閾値電圧の違いによりデータが記憶される不揮発性メモリにおいて、記憶データに依存して電荷が注入されるコア側のセルトランジスタＣ−ＭＣと、コア側のセルトランジスタからデータを読み出すときに基準レベルを供給するレファレンス側のセルトランジスタＲＡ−ＭＣ、ＲＢ−ＭＣとを有する。 - 特許庁

A positioning apparatus includes a positioning table 10 on which a flexible solar cell 1 is placed, a reference point A provided at the positioning table 10 for positioning the flexible solar cell 1, and table inclination means inclining the positioning table 10 relative to an X axis and/or a Y axis and moving the flexible solar cell 1 toward the reference point A.例文帳に追加

この位置決め装置は、フレキシブル太陽電池セル１が載置される位置決めテーブル１０と、該位置決めテーブル１０に設けられた、前記フレキシブル太陽電池セル１の位置決めを行うための基準点Ａと、前記位置決めテーブル１０をＸ軸及び／又はＹ軸に対して傾斜させて、前記フレキシブル太陽電池１を前記基準点Ａに向けて移動させるテーブル傾斜手段とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor storage device has a reference voltage source connected to the capacitor of a cell included in a memory; a buffer circuit which holds data to be written in the cell; and a counter noise generation circuit which outputs a counter noise current canceling the noise current occurring when rewriting the data held in the cell to the reference voltage source according to data held by the buffer circuit.例文帳に追加

メモリが有するセルのキャパシタに接続される基準電圧源と、セルに書き込まれるデータを保持するバッファ回路と、前記バッファ回路の保持するデータに応じて、セルのデータの書き換え時に生じるノイズ電流を打ち消すカウンターノイズ電流を前記基準電圧源へ出力するカウンターノイズ発生回路を有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The display device has a plurality of display cells 21 having display circuits 210, a photodetecting cell 22 including a photodetector 221, a reference cell 23 having constitution equivalent to that of the photodetector and where light incident on a photodetector 221 is cut off, and a photodetecting signal processing circuit 6 which performs difference signal processing on the output signal of the photodetector 22 and the output signal of the reference cell 23.例文帳に追加

表示回路２１０を有する複数の表示セル２１と、受光素子２２１を含む受光セル２２と、受光セルと等価な構成を有し、受光素子２２１への光の入射が遮断されている参照セル２３と、受光セル２２の出力信号と参照セル２３の出力信号との差分信号処理を行う受光信号処理回路６とを有する。 - 特許庁

This semiconductor memory comprises a memory cell, a comparison unit comparing a first level in accordance with a state stored by the memory cell with a reference level, and a dummy cell supplying a second level discriminating as that it is not set in the prescribed range when the comparison unit is compared with the reference level to the comparison unit.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルと、メモリセルが記憶する状態に応じた第１のレベルを参照レベルと比較して第１のレベルが所定範囲に設定されているか否かを検出する比較ユニットと、比較ユニットが参照レベルと比較したときに所定範囲に設定されていないと判断する第２のレベルを比較ユニットに供給するダミーセルを含む。 - 特許庁

The DA converter is provided with: the plurality of current cell arrays; a plurality of current sources for generating a reference current applied to each current cell array; and a rotation circuit for rotating the current source for generating the reference current applied to each current cell array among the plurality of current sources by each prescribed time.例文帳に追加

本発明のＤＡコンバータは、複数の電流セルアレイと、各々の電流セルアレイに供給する基準電流を発生する複数の電流源と、各々の電流セルアレイに供給する基準電流を発生する電流源を、複数の電流源の間で所定時間毎にローテーションするローテーション回路とを備える。 - 特許庁

A plurality of solar cell modules having same or different maximum output values are selected and the selected solar cell modules are combined, so that the average value of the maximum output values of the combined solar cell modules can be made an approximately same value to a reference value.例文帳に追加

同じまたは異なる最大出力値を有する複数の太陽電池モジュールを選択し、その選択された各太陽電池モジュールを組合わせることによって、組合わされた太陽電池モジュールの最大出力値の平均値を、基準値とほぼ等しい値にすることができる。 - 特許庁

When the divided signal Vp is larger than the reference signal Vm, namely the cell voltage VCi is larger than the average cell voltage Vave, a control signal Si from a comparator CM becomes a high level, turns a transistor Td of a discharge circuit Di on and discharges the unit cell Ci.例文帳に追加

分圧信号Ｖｐが基準信号Ｖｍより大きい場合、即ちセル電圧ＶＣｉが平均セル電圧Ｖave より大きい場合に、コンパレータＣＭからの制御信号Ｓｉはハイレベルとなり、放電回路ＤｉのトランジスタＴｄをオンさせ、単位セルＣｉを放電する。 - 特許庁

A chaotic noise modulator has: a master cell which generates a control voltage in response to an un-modulated reference signal; and the slave cell which has a chaotic signal generator to generate a random noise signal and is coupled with the master cell to generate a modulated output signal in response to the control voltage.例文帳に追加

カオスノイズ変調器は、非変調基準信号に応じて制御電圧を生成するマスターセルと、ランダムノイズ信号を生成するカオス信号生成器を有し、マスターセルと連結され制御電圧に応じて変調出力信号を生成するスレーブセルとを備える。 - 特許庁

When the memory cell array U is accessed, the reference cell RCELLL is selected; when the potential of the bit line BITLn is reduced to an L level, a pre-charge signal PCGU becomes the L level, a read operation from the memory cell array U is stopped, and the next precharging is performed.例文帳に追加

メモリセルアレイＵがアクセスされるときには、リファレンスセルＲＣＥＬＬＬが選択され、ビット線ＢＩＴＬｎの電位がＬレベルに低下すると、プリチャージパルス信号ＰＣＧＵがＬレベルになり、メモリセルアレイＵからの読み出し動作が停止するとともに次のプリチャージが行われる。 - 特許庁

A controlling circuit selects a first memory cell in which a reading current flowing after a selection transistor is turned on becomes a maximum value as a first reference cell from a first cell array under a state that the same first logic causing a resistance value to increase is stored in all of a plurality of first memory cells.例文帳に追加

制御回路は、複数の第１のメモリセルの全てに抵抗値が大きくなる同じ第１の論理を記憶させた状態で、選択トランジスタをオンして流れる読み出し電流が一番大きくなる第１のメモリセルを第１の参照セルとして第１のセルアレイから選定する。 - 特許庁

To provide a method for writing data in a semiconductor memory device and a semiconductor memory device which suppress a variation in a reading current in a sub-memory region that becomes a reference cell of a memory cell of a semiconductor memory device, and can reduce an erroneous determination when determining the reading current of the memory cell.例文帳に追加

半導体記憶装置のメモリセルの参照セルとなる副記憶領域の読出し電流の変動を抑制して、メモリセルの読出し電流の判定時における誤判定を低減することができる半導体記憶装置へのデータの書込み方法及び半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A phase comparator 353 calculates as basic information the number of stages p of a unit cell in a delay cell 348, which is necessary for delaying a reference clock signal REF_CLK 1 by one cycle without a selector 351 and a delay part q of a selector 351 converted into the number of stages of the unit cell.例文帳に追加

位相比較器３５３で、セレクタ３５１なしに基準クロック信号ＲＥＦ＿ＣＬＫ１を１周期遅延させるのに必要な遅延セル３４８内のユニットセルの段数ｐと、ユニットセルの段数に換算したセレクタ３５１の遅延分ｑとを、基本情報として算出する。 - 特許庁

When detecting the exhaust-gas temperature, the voltage applied to the pump cell section is controlled such that the voltage of the Nernst cell section becomes a lean side target voltage Es1 lower than the reference target voltage Es0, and the exhaust-gas temperature is presumed based on a resistance value of the Nernst cell section under this condition.例文帳に追加

排気温度測定時には、ネルンストセル部の電圧が基準目標電圧Ｅｓ０よりも低いリーン側目標電圧Ｅｓ１となるように、ポンプセル部の印加電圧を制御し、この状況でのネルンストセル部の抵抗値に基づいて排気温度を推定する。 - 特許庁

Althrough NOMS 1 and DMOS (depression-type NMOS) 2 being connected to a data cell row 30A in series as a memory cell allow a cell current Icell to flow, the NMOS 1 and DMOS 2 are alternately connected to current paths 30-1 and 30-2 for generating a reference current Iref.例文帳に追加

データセル列３０Ａに直列にメモリセルとして接続されたＮＭ０Ｓ１及びＤＭ０Ｓ（デプレッション型のＮＭ０Ｓ）２は、セル電流Ｉcellを流すが、参照電流Ｉref を生成する電流パス３０−１及び３０−２には、ＮＭ０Ｓ１及びＤＭ０Ｓ２が交互に接続されている。 - 特許庁

When detecting an air-fuel ratio, a voltage applied to a pump cell section is controlled such that an output voltage of a Nernst cell section becomes a reference target voltage Es0 corresponding to a theoretical air-fuel ratio, and the air-fuel ratio of exhaust gas in an exhaust-gas channel is detected based on a value IP of current flowing in the pump cell.例文帳に追加

空燃比検出時には、ネルンストセル部の出力電圧が理論空燃比に相当する基準目標電圧Ｅｓ０となるように、ポンプセル部の印加電圧を制御し、このポンプセル部を流れる電流値Ｉｐに基づいて、排気通路中の排気の空燃比を検出する。 - 特許庁

The controlling circuit selects a second memory cell in which a reading current flowing after the selection transistor is turned on becomes a maximum value as a second reference cell from a second cell array under a state that the same first logic causing the resistance value to increase is stored in all of a plurality of second memory cells.例文帳に追加

制御回路は、複数の第２のメモリセルの全てに抵抗値が大きくなる同じ第１の論理を記憶させた状態で、選択トランジスタをオンして流れる読み出し電流が一番大きくなる第２のメモリセルを第２の参照セルとして第２のセルアレイから選定する。 - 特許庁

For the non-matching cell, when the kind of non-matching is 'excess', the reference piece data within the adjacent range are referred to and the master data of the non-matching cell are eliminated only in the case that the cell of 'master data present' is not present at all.例文帳に追加

不一致セルについては，不一致の種類が「過剰」であれば，その隣接範囲内における基準ピースデータを参照し，「マスタデータあり」のセルが１つも存在しない場合に限り，当該不一致セルのマスタデータを削除する（＃７０７）。 - 特許庁

ATM terminal equipment 11 and 13 reproduce data streams from the divided frames while ignoring additional bits to a (down) ATM cell and with the reception timing of that (down) ATM cell as a reference, an (up) ATM cell is generated and outputted to the radio terminal equipment 12 and 14.例文帳に追加

ＡＴＭ端末機１１及び１３は、分割フレームから付加ビットを無視したデータ列をＡＴＭセル（下り）に再生し、そのＡＴＭセル（下り）の受信タイミングを基準としてＡＴＭセル（上り）を生成して無線端末機１２及び１４に出力する。 - 特許庁

To solve such a problem that it is required for a dummy cell to gener ate a reference potential for every read-out of each data cell connected to the same cell array, deterioration of dummy cells of which the number of times of read-out is more than that of data cells is aggravated, and an intermediate potential cannot be generated correctly.例文帳に追加

同一のセルアレイに接続された各データセルを読み出す毎にダミーセルは参照電位を発生させる必要があり、データセルと比較して読み出し回数の多いダミーセルのみ劣化が進み、正しく中間電位を発生させることができなくなる。 - 特許庁

Control information on a terminal is mapped and transmitted to a first control channel which uses the same transmission port as a cell-specific reference signal which is a reference signal specific to a base station, or a second control channel which uses the same transmission port as a terminal-specific reference signal which is a reference signal specific to the terminal.例文帳に追加

基地局に固有の参照信号であるセル固有参照信号と同じ送信ポートを用いる第１の制御チャネル、または、端末に固有の参照信号である端末固有参照信号と同じ送信ポートを用いる第２の制御チャネルに、前記端末に対する制御情報をマッピングして送信する。 - 特許庁

The read circuit 30 has a sense amplifier circuit 40 to detect a data value stored in a memory cell transistor 10 based on a current Icell flowing in the memory cell transistor 10 and a reference current Iref flowing in a dummy cell transistor 20, and a voltage control circuit 60 to supply a 1st voltage V1 to the gate of the dummy cell transistor 20.例文帳に追加

読み出し回路３０は、メモリセルトランジスタ１０に流れる電流Ｉｃｅｌｌとダミーセルトランジスタ２０に流れる基準電流Ｉｒｅｆとに基づいて、メモリセルトランジスタ１０に格納されたデータ値を検出するセンスアンプ回路４０と、ダミーセルトランジスタ２０のゲートに第１電圧Ｖ１を供給する電圧制御回路６０とを備える。 - 特許庁

This cell is a content addressable memory (CAM cell), this CAM cell comprises a memory cell connected between a first node and a second node, a first data line transmitting a first data signal, a second data line transmitting a second data signal, and first and second switching devices connected between a match line and reference voltage in series and successively.例文帳に追加

コンテント・アドレッセブル・メモリ（ＣＡＭセル）であって、このＣＡＭセルは、第１及び第２ノードの間に連結されたメモリセル、第１データ信号を伝達する第１データライン、第２データ信号を伝達する第２データライン、そしてマッチラインと基準電圧との間に直列に順次に連結された第１及び第２スイッチングデバイスを含む。 - 特許庁