「common gate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MEMS MICROSWITCH HAVING DUAL ACTUATOR AND COMMON GATE例文帳に追加

デュアルアクチュエータと共用ゲートとを有するＭＥＭＳマイクロスイッチ - 特許庁

To provide a common-gate common-source transconductance stage for an RF downconversion mixer.例文帳に追加

ＲＦダウンコンバージョンミキサのための共通ゲート共通ソース相互コンダクタンスステージを提供する。 - 特許庁

The common electrodes 134 are arrayed in parallel with the gate lines 121.例文帳に追加

共通電極134は、ゲート線121と平行に配列されている。 - 特許庁

A thin film transistor display panel includes gate lines 121, common electrodes 134, and common signal lines including common electrode lines 138.例文帳に追加

薄膜トランジスタ表示板は、ゲート線121と、共通電極134及び共通電極線138を含む共通信号線とを有する。 - 特許庁

The thin film transistor display plate has gate lines 121 and common signal lines including common electrodes 134 and common electrode lines 138.例文帳に追加

薄膜トランジスタ表示板は、ゲート線121と、共通電極134及び共通電極線138を含む共通信号線とを有する。 - 特許庁

A common potential line COM is formed on a gate insulating film 13.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１３上に共通電位線ＣＯＭを形成する。 - 特許庁

The first gate 6a and the second gate 6b are provided with respect to the same (common) source 4 and the same (common) drain 5.例文帳に追加

第１のゲート６ａおよび第２のゲート６ｂは、同一（共通）のソース４および同一（共通）のドレイン５に対して設けられている。 - 特許庁

A gate insulation film is formed on the gate line and the common electrode line, and a data line is formed on the gate insulation film.例文帳に追加

ゲート線と共通電極線の上にはゲート絶縁膜が形成されており、ゲート絶縁膜の上にはデータ線が形成されている。 - 特許庁

ASYMMETRICAL, VOLTAGE OPTIMIZING, BROADBAND COMMON GATE TWO-WAY MMIC AMPLIFIER例文帳に追加

非対称、電圧最適化、広帯域共通ゲート双方向ＭＭＩＣ増幅器 - 特許庁

A control voltage Vc is used to bias the gate of the common source FET 11.例文帳に追加

ソース接地されたＦＥＴ１１のゲートに、制御電圧Ｖｃのバイアスをかける。 - 特許庁

To prevent a leak at a common contact connecting with a gate electrode and a diffusion layer.例文帳に追加

ゲート電極と拡散層に接続する共通コンタクトにおけるリークを防ぐ。 - 特許庁

A multiplicity of such cells 35 are arranged and commonly connected by common source electrodes 36, 37, common drain electrodes 38,39, and common gate electrodes 40, 41.例文帳に追加

セル３５を多数本配置し、共通ソース電極３６、３７、共通ドレイン電極３８、３９、及び共通ゲート電極４０、４１で共通接続する。 - 特許庁

To make it possible to drive gate signal lines by a single driving means and a power source device correspondingly to any display means of a Cs-On-Common structure and a Cs-On-Gate structure.例文帳に追加

単一の駆動手段および電源装置で以て、Cs-On-Common構造およびCs-On-Gate構造の何れの表示手段にも対応して、ゲート信号線の駆動を行うことができる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A wireless device receiver chain includes a mixer 314 with a common-gate common-source (CGCS) input stage 312.例文帳に追加

無線デバイス受信機チェーンは、共通ゲート共通ソース（ＣＧＣＳ）入力ステージ３１２を有するミキサ３１４を含む。 - 特許庁

To suppress luminance gradient, which generates in a gate scanning direction, in common alternating driving for switching the common polarity by frame.例文帳に追加

コモン極性をフレーム毎に切り替えるコモン交流駆動において、ゲートスキャン方向に発生する輝度傾斜を抑制する。 - 特許庁

Data lines 171 and pixel signal lines are formed on the gate insulating film which covers the gate lines 121 and the common signal lines.例文帳に追加

ゲート線121と共通信号線とを覆うゲート絶縁膜上部には、データ線171と画素信号線とが形成される。 - 特許庁

In the sub-pixel region, a data line, a first gate line, a second gate line and a common line control a driving voltage of a liquid crystal layer.例文帳に追加

サブピクセル域では、データライン、第１ゲートライン、第２ゲートライン、共通ラインが、液晶層の駆動電圧を制御する。 - 特許庁

The data lines 171 and pixel signal lines are formed on a gate insulating film covering the gate lines 121 and the common signal lines.例文帳に追加

ゲート線121と共通信号線とを覆うゲート絶縁膜上部には、データ線171と画素信号線とが形成される。 - 特許庁

The common potential line (42) is superposed on the gate auxiliary wiring film and is provided on an upper side from the gate auxiliary wiring film.例文帳に追加

共通電位線(42)は、ゲート補助配線膜と重畳し、当該ゲート補助配線膜よりも上層側に設けられる。 - 特許庁

Moreover, the signal line 15, a gate line 16 and the common electrode 17 are arranged overlapped.例文帳に追加

また、シグナル線１５、ゲート線１６と共通電極１７とを重ねて配置した。 - 特許庁

In an equivalent circuit, a plurality of transistors common in the gate are connected in series, and a source 10s of a pixel selection transistor 10 is connected to the common gate.例文帳に追加

等価回路でみると、ゲートが共通の複数のトランジスタが直列接続され、この共通ゲートに画素選択用トランジスタ１０のソース１０ｓが接続されている。 - 特許庁

Common-source gate-control topologies efficiently drive switches higher than 1 MHz.例文帳に追加

分布電源ゲート制御トポロジーは１ＭＨｚより高いスイッチを効率的に駆動する。 - 特許庁

A plurality of transistors 12 formed on a substrate 4 have a common gate electrode 15.例文帳に追加

基板４上に形成された複数のトランジスタ１２は、ゲート電極１５を共有している。 - 特許庁

A common contact 220 connects the gate wiring 124 with the second diffusion layer 126.例文帳に追加

共通コンタクト２２０は、ゲート配線１２４と第２拡散層１２６を接続している。 - 特許庁

The gate electrodes of the transistors T1 and T2 are connected to a common word line.例文帳に追加

第１および第２トランジスタの各々のゲート電極が共通のワード線に接続される。 - 特許庁

Both transistor devices share common drain and gate electrodes.例文帳に追加

これらのトランジスタデバイスはともに、共通のドレイン電極およびゲート電極を共有している。 - 特許庁

The single crystal silicon TFTs Q_1-Q_n are switched sequentially by applying a saw-tooth shaped gate voltage to a common gate 8.例文帳に追加

共通のゲート電極８に鋸歯状波形のゲート電圧を印加して単結晶シリコンＴＦＴＱ_1 〜Ｑ_n を順次スイッチングする。 - 特許庁

On a p-type drain diffusion layer 21d, a gate lower layer 33 is formed at lower side ends on the sides of the first common gate 10G and a second gate 20G.例文帳に追加

また、ｐ型ドレイン拡散層２１ｄ上において、第１共有ゲート１０Ｇの第２共有ゲート２０Ｇ側の側端下部にはゲート下部層３３が形成されている。 - 特許庁

The common floating gate 13 is provided successively from the side face of the Si layer 5 to that of the Si layer 9, thus writing data to and erasing data from the common floating gate 13 by supplying two carriers, namely an electron and a hole.例文帳に追加

本発明によれば、共通のフローティング・ゲート１３に対する書き込みと消去とを、電子とホールのふたつのキャリア供給によって実現することができる。 - 特許庁

The amplifier (10) includes first and second common gate FETs (22, 24) electrically coupled to each other along a common transmission line (20).例文帳に追加

増幅器（１０）は、共通伝送線路（２０）に沿って電気的に結合される第１及び第２の共通ゲートＦＥＴ（２２、２４）を含む。 - 特許庁

So, the gate electrode of each transistor CMOS part Rc and a gate electrode of DRAM memory cell are manufactured in a common process.例文帳に追加

よって、ＣＭＯＳ部Rcの各トランジスタのゲート電極とＤＲＡＭメモリセルのゲート電極とを共通の工程により製造することができる。 - 特許庁

A common control signal is input to the gate terminals of the MOSFETs constituting each of the switches.例文帳に追加

各スイッチを構成するＭＯＳＦＥＴのゲート端子に共通の制御信号を入力する。 - 特許庁

The IGBTs 27, 28 are driven at a common gate voltage Vg by a driving circuit 47.例文帳に追加

ＩＧＢＴ２７と２８は駆動回路４７により共通のゲート電圧Ｖｇで駆動される。 - 特許庁

These three sections have a common floating gate composed of a single polysilicon layer.例文帳に追加

これら３つの部位は、前記単一のポリシリコン層で構成される共通のフローティングゲートを有する。 - 特許庁

In the middle of the common path 12, a gate valve 48 is provided which shuts off and communicates the path.例文帳に追加

共通経路１２の途中には、経路を遮断及び連通するゲートバルブ４８が設けられる。 - 特許庁

A common-mode reactor 11 is inserted onto a signal line m1 that connects between a gate terminal of an IGBT and a gate driving circuit 57, and a signal line m2 that connects between an emitter terminal and the gate driving circuit 57, which constitutes of a gate driving cable 56, and the common-mode reactor 11 is disposed near the IGBT.例文帳に追加

ゲート駆動ケーブル５６を構成する、ＩＧＢＴのゲート端子及びゲート駆動回路５７間を接続する信号線ｍ１とエミッタ端子及びゲート駆動回路５７間を接続する信号線ｍ２とにコモンモードリアクトル１１を介挿し、且つコモンモードリアクトル１１をＩＧＢＴ近傍に配置する。 - 特許庁

The memory cell group includes a common transistor 210, of which the gate is connected to a common word line CWL and a plurality of memory cells connected to the bit line BL2 via the common transistor.例文帳に追加

メモリセルグループは、ゲートが共通ワード線ＣＷＬに接続された共通トランジスタ２１０と、共通トランジスタを介してビット線ＢＬ２に接続された複数のメモリセルとを含む。 - 特許庁

The input stage includes a pair of NMOS transistors in a common-gate configuration and a pair of PMOS transistors in a common-source configuration.例文帳に追加

入力ステージは、共通ゲート構成における１ペアのＮＭＯＳトランジスタと、共通ソース構成における１ペアのＰＭＯＳトランジスタと、を含む。 - 特許庁

Gate wiring including gate lines and gate pads, and common electrode wiring including a common signal line 24 and common electrodes 25, 26 are formed on a substrate; a gate insulating film, a semiconductor layer, and a contact layer are successively vapor-deposited thereon; a conductor layer such as a metal is vapor-deposited; thereafter, a photo-sensitive film is formed on the conductor layer.例文帳に追加

基板の上に、ゲート線及びゲートパッド２３を含むゲート配線と、共通信号線２４及び共通電極２５，２６を含む共通電極配線とを形成し、その上にゲート絶縁膜、半導体層、接触層を連続蒸着し、金属などの導電体層を蒸着した後、導電体層上部に感光膜を形成する。 - 特許庁

The select gate electrode SL may be formed on the semiconductor substrate between the floating gate 204a and the common source region CSL while the control gate electrode WL is formed.例文帳に追加

選択ゲート電極ＳＬは制御ゲート電極ＷＬを形成する間、浮遊ゲート２０４ａ及び共通ソース領域ＣＳＬの間の半導体基板上に形成することができる。 - 特許庁

Each memory cell 10 has a p-type active region 13 and an n-type active region 14, two pieces of word lines 21a and 21b (WL1 and WL2), and a common gate line (GL1) and a common gate line 22b (GL2).例文帳に追加

各メモリセル１０は、ｐ型能動領域１３およびｎ型能動領域１４、２本のワード線２１ａ，２１ｂ（ＷＬ１，ＷＬ２）、共通ゲート線２２ａ（ＧＬ１），および共通ゲート線２２ｂ（ＧＬ２）を備えている。 - 特許庁

A capacity value between a gate terminal of a reading transistor 25 and the first common signal line 51 is larger than a capacity value between the gate terminal of the reading transistor 25 and the second common signal line 52.例文帳に追加

読み出しトランジスタ２５のゲート端子と第１の共通信号線５１との間の容量値は、読み出しトランジスタ２５のゲート端子と第２の共通信号線５２との間の容量値よりも大きい。 - 特許庁

Then, at the crossing parts of the gate lines 1 and the screen end common lines 5a, a two-layer structured interlayer insulating film consisting of a gate insulating film 10 and a protective insulating film 11 is formed between the gate lines 1 and the screen end common lines 5a.例文帳に追加

そして、ゲート線１と画面端共通線５ａとの交差部において、ゲート線１と画面端共通線５ａとの間に、ゲート絶縁膜１０と保護絶縁膜１１とからなる２層構造の層間絶縁膜が形成されている。 - 特許庁

To provide a gate circuit system for voltage-type self-excited converter achieving the same converter operation as a conventional art when a common gate signal means normally operates and never causes DC short circuit even if the common gate signal means abnormally operates.例文帳に追加

共通ゲート信号手段が正常な場合は、従来技術と同じ変換器動作を実現でき、さらに、共通ゲート信号手段が異常となっても直流短絡を生じることのない電圧形自励式変換器のゲート回路方式を得る。 - 特許庁

Gate wiring GL and a common electrode CCM are formed by using a first photomask on a glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板上に、第１のホトマスクを用いて、ゲート配線ＧＬと共通電極ＣＯＭを形成する。 - 特許庁