「diffusion capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

By raising the gate bias voltage of the transmission transistor and the initial voltage of the floating diffusion node to be more than a supply voltage using the voltage coupling phenomenon of the coupled gate, the capacitance of the photodiode can be increased and the image lag phenomenon can be decreased.例文帳に追加

カップルドゲートの電圧カプッリング現象を用いて伝送トランジスタのゲートバイアス電圧及びフローティング拡散ノードの初期電圧を電源電圧以上に上昇させることでフォトダイオードの容量を増加させることができ、イメージラグ現象を減少させることができる。 - 特許庁

Then, an opening 71a for the N+ diffusion layer 62b and an opening 71b for the polycrystalline Si film 66b are simultaneously formed on an SiO2 film 68, and SiN films 72a and 72b that are the capacitance dielectric films of the MIS capacitor 88 and the MIM capacitor 89 are simultaneously formed on the openings 71a and 71b.例文帳に追加

そして、Ｎ^+ 拡散層６２ｂに対する開口７１ａと多結晶Ｓｉ膜６６ｂに対する開口７１ｂとをＳｉＯ_2 膜６８に同時に形成し、ＭＩＳ容量素子８８及びＭＩＭ容量素子８９の夫々の容量誘電膜であるＳｉＮ膜７２ａ、７２ｂを開口７１ａ、７１ｂ上に同時に形成する。 - 特許庁

To prevent the composition deviation of a capacitance insulating film by suppressing the thermal diffusion of a metal element for composing the capacity insulating film into a lower electrode, when film-forming the capacity insulating film made of a ferroelectric or a high dielectric by using a method where temperature in film formation in an MOCVD method, or the like becomes approximately 300°C or higher.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法などの成膜時の温度が約３００℃以上となる方法を用いて強誘電体又は高誘電体よりなる容量絶縁膜を成膜する際に、容量絶縁膜を構成する金属元素が下部電極中へ熱拡散することを抑制して、容量絶縁膜の組成ずれを防止する。 - 特許庁

To obtain a solid-state image sensing device which is enhanced in detection sensitivity by a method wherein a detection capacitance formed of a floating diffusion layer is decreased without varying an output electrode or a reset electrode in threshold value, and charge is trapped in a gate insulating film of ONO film when a device is charged while it is manufactured.例文帳に追加

製造中デバイスが帯電した場合、ゲート絶縁膜を構成するＯＮＯ膜中に電荷がトラップされ、出力電極やリセット電極のしきい値の変動が生じることなく、浮遊拡散層からなる検出容量が低減し、検出感度が向上する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

By forming a first layer metal film 3a to improve close contact with a substrate, a second metal film 3b to prevent diffusion, a third layer metal film of low resistance, and a fourth metal film 3d for protection, it is possible to achieve low-resistance and low-capacitance wiring and electrodes for external connection.例文帳に追加

基板との密着性を向上させる第１層金属膜３ａ、拡散を防止する第２金属膜３ｂ、低抵抗の第３層金属膜３ｃおよび保護のための第４金属膜３ｄを形成することで、低抵抗かつ低静電容量の配線および外部接続用電極が達成できる。 - 特許庁

For each pixel row, middle voltages Vmid0, Vmid1 and ON voltage Von are successively supplied in that order to a gate electrode of a transfer transistor as a transfer pulse TRG, and signal charges accumulated in the photoelectric conversion element 21 during an accumulation period of one unit are divided into three portions e.g. and transferred to the stray diffusion capacitance 26.例文帳に追加

画素行ごとに、中間電圧Ｖｍｉｄ０，Ｖｍｉｄ１およびオン電圧Ｖｏｎをその順番で順次転送トランジスタのゲート電極に転送パルスＴＲＧとして供給し、一単位の蓄積期間中に光電変換素子２１に蓄積された信号電荷を例えば３分割転送にて浮遊拡散容量２６へ転送する。 - 特許庁

The capacitive pressure sensor detects the variation of capacitance between a diaphragm 15 formed as a part of a semiconductor substrate 11 and an electrode film 17 formed on an insulating member 13 so as to be disposed opposite the diaphragm, and includes first and second diffusion wiring layers 21 and 23 separately provided on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板１１の一部分として形成されたダイアフラム１５と、絶縁性部材１３上にダイアフラムと対向して設けられた電極膜１７との間の静電容量変化を検出する静電容量型圧力センサであって、半導体基板にそれぞれ離間して設けられた第１及び第２拡散配線層２１及び２３を具える。 - 特許庁

Contacts 12 can be formed in the interlayer insulating film 10, to connect a diffusion layer 7 with bit lines 32 as intersecting voids 11 by forming a sidewall insulating film 14 on the inner wall of the contacts 12, a short circuit between bit lines 32 through contacts 12 can be eliminated, and parasitic capacitance between word lines can be reduced as well.例文帳に追加

コンタクト１２の内壁に側壁絶縁膜１４を形成することにより、ボイド１１と交差するようにして層間絶縁膜１０に拡散層７とビット線３２とを接続するためのコンタクト１２を形成することを可能とし、ビット線３２間のコンタクト１２を通じての短絡を無くすと共に、ワード線間の寄生容量を減じることができる。 - 特許庁

In a MOS type solid-state imaging device, a photodiode element 102 is formed in a particular shape such as H-shape, X-shape, and ring-shape optimized for obtaining a diffusion of electron-hole pairs in a substrate, rather than directly obtaining an electric charge by improving an aperture rate, and by reducing a capacitance, a high photoelectric conversion efficiency is realized.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像素子において、フォトダイオード素子１０２が、開口率を向上させて電荷を直接得るよりもむしろ、基板中の電子正孔対の拡散を得るために最適化された、Ｈ字状、Ｘ字状，リング状など特殊な形状に形成されており容量を低減させることにより光電変換効率を向上させる。 - 特許庁