etchingを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 19971件
To provide a plasma etching method in which a stable etching rate is obtained.例文帳に追加
安定したエッチングレートを得ることができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁
ETCHING METHOD, ETCHING MASK, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE EMPLOYING THE SAME例文帳に追加
エッチング方法、エッチングマスクおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁
To obtain an aspect ratio by wet type etching similar to that obtainable by anisotropic etching.例文帳に追加
湿式エッチングで異方性エッチングと同様のアスペクト比を有するようにする。 - 特許庁
DRY ETCHING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
ドライエッチング方法および半導体装置 - 特許庁
An etching rate can be equalized in the deposition chamber 2 by the etching radicals R.例文帳に追加
エッチングラジカルRによる成膜チャンバ2内でのエッチングレートを等しくできる。 - 特許庁
ETCHING TO SEMICONDUCTOR WAFER AND DEVICE例文帳に追加
半導体ウエハのエッチング法及び装置 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR LASER BEAM ETCHING例文帳に追加
レーザエッチング方法及びレーザエッチング装置 - 特許庁
WIRING ETCHING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体装置の配線エッチング方法 - 特許庁
PLASMA ETCHING METHOD, PLASMA ETCHING APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF SOLID-STATE IMAGING ELEMENT例文帳に追加
プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、および固体撮像素子の製造方法 - 特許庁
ETCHING METHOD FOR COPPER-CLAD CIRCUIT BOARD WITH HYDROGEN PEROXIDE/SULFURIC ACID BASED ETCHING LIQUID例文帳に追加
過酸化水素/硫酸系エッチング液による銅張回路基板のエッチング方法 - 特許庁
METHOD FOR ETCHING METAL FILM WITH MASK, METHOD FOR FORMING WIRING OF SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR ETCHING METAL FILM AND ETCHING GAS例文帳に追加
マスクを利用した金属膜エッチング方法、半導体素子の配線形成方法、金属膜エッチング方法及びエッチングガス - 特許庁
COATING SILICON ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING例文帳に追加
プラズマエッチング用被覆シリコン電極板 - 特許庁
Etching of tungsten is performed by using etching gas obtained by affixing CF-based gas to etching gas based on NF3 or SF6.例文帳に追加
NF_3またはSF_6ベースのエッチングガスに、CF系ガスを添加したエッチングガスを使用してタングステンのエッチングを行う。 - 特許庁
The dry etching apparatus uses the cathode electrode as the cathode electrode 4 of the dry etching apparatus for executing etching step of the semiconductor device.例文帳に追加
このカソード電極をドライエッチング装置のカソード電極4に用いて半導体装置のエッチング工程を実施する。 - 特許庁
TOOL FOR PLASMA ETCHING, AND PLASMA ETCHING METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER USING SAME例文帳に追加
プラズマエッチング用治具及びそれを用いた半導体ウエーハのプラズマエッチング方法 - 特許庁
When etching the micro pipe using the resist as a masking material, etching is rinsed during process, and then etching is continued.例文帳に追加
続いてレジストをマスキング材としてマイクロパイプをエッチングする際、エッチング途中でリンスし、再びエッチングを続ける工程をとる。 - 特許庁
DIELECTRIC ETCHING METHOD BY HIGH SUPPLY LOW IMPACT PLASMA GIVING HIGH ETCHING RATE例文帳に追加
高エッチング速度を与える高供給低衝撃プラズマによる誘電エッチング法 - 特許庁
Ion beam etching is used as the dry etching method of a continuous recording layer 20.例文帳に追加
又、連続記録層20のドライエッチング手法としてイオンビームエッチングを用いる。 - 特許庁
PROTRUDED SILICON ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING例文帳に追加
プラズマエッチング用凸型シリコン電極板 - 特許庁
Moreover, successively to the etching process (1A), an etching solution substituting process (2B) using an etching solution of ferrous chloride is passed.例文帳に追加
また、エッチング工程(1A)に引き続き塩化第一鉄のエッチング液を用いたエッチング液置換工程(2B)を経ること。 - 特許庁
Thereafter, the surface exposed by the etching was further subjected to dry etching using Ar gas.例文帳に追加
その後、このエッチングによる露出面を更に、Arガスを用いてドライエッチングした。 - 特許庁
The ruthenium etching composition after etching treatment is brought into contact with activated carbon.例文帳に追加
エッチング処理後のルテニウムのエッチング用組成物を活性炭に接触させる。 - 特許庁
VAPOR PHASE ETCHING METHOD FOR GALLIUM NITRIDE MATERIALS例文帳に追加
窒化ガリウム部材の気相エッチング方法 - 特許庁
To provide a glass substrate etching apparatus.例文帳に追加
ガラス基板エッチング装置を提供する。 - 特許庁
DEVICE MANUFACTURING PROCESS INCLUDING DRY ETCHING例文帳に追加
ドライエッチングを含むデバイスの製作プロセス - 特許庁
SYSTEM FOR ETCHING BOTH SIDES OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加
半導体基板の両面エッチングシステム - 特許庁
A second etching step employs an etching method in which an etching rate to the first film is higher than that in the first etching step, and an etching rate to "a layer provided below and in contact with the first film" is lower than that in the first etching step.例文帳に追加
第2のエッチング工程には、第1の膜に対するエッチングレートが第1のエッチング工程よりも高く、「第1の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第1のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。 - 特許庁
A second etching step employs an etching method in which the etching rate to the first film is higher than that in the first etching step and the etching rate to "the layer in contact with the bottom of the first film" is lower than that in the first etching step.例文帳に追加
第2のエッチング工程には、第1の膜に対するエッチングレートが第1のエッチング工程よりも高く、「第1の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第1のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。 - 特許庁
METHOD FOR DRY-ETCHING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM例文帳に追加
透明導電性膜のドライエッチング方法 - 特許庁
METHOD OF SELECTIVELY ETCHING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加
半導体基板の選択的エッチング方法 - 特許庁
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