「etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(399ページ目) - Weblio英語例文検索

A method of forming this semiconductor device includes forming a dummy metal gate layer including work function metals directly on a base insulating film, diffusing the work function metals into the base insulating film by annealing, removing the dummy metal gate layer by wet etching, respectively forming high-permittivity gate insulating films 213, 213 on base insulating films 211, 212, and forming metal gates 214, 215 on the high-permittivity gate insulating films 213.例文帳に追加

半導体装置の形成方法は、仕事関数メタルを含むダミーメタルゲート層をベース絶縁膜の直上に形成することと、アニーリングによって仕事関数メタルをベース絶縁膜中に拡散させることと、ウェットエッチングによってダミーメタルゲート層を除去することと、ベース絶縁膜２１１、２１２上に高誘電率ゲート絶縁膜２１３、２１３を形成することと、高誘電率ゲート絶縁膜２１３上にメタルゲート２１４、２１５を形成することと、を含む。 - 特許庁

By the method of forming the gate recess 20, UV light having energy, where a bandgap energy is equivalent to that of a prescribed semiconductor layer within the semiconductor layer, is applied from the surface of the semiconductor layer changing in a layer direction from a gate opening 19 by photoelectrochemical etching, and at the same time the semiconductor layer of prescribed bandgap energy within the semiconductor layer is etched from the gate opening of an SiN surface protection layer 17.例文帳に追加

光電気化学エッチングにより、バンドギャップエネルギーが、ゲート開口部１９から層方向に変化する半導体層の表面から前記半導体層内の所定の半導体層のバンドギャップエネルギーに相当するエネルギーを有するＵＶ光を照射しながら、ＳｉＮ表面保護層１７の前記ゲート開口部から前記半導体層内の所定のバンドギャップエネルギーの半導体層をエッチングすることを特徴とするゲートリセス２０の形成方法。 - 特許庁

The kit for applying adhesiveness to a hard tissue or coating the tissue contains a water-dispersible primer containing an acid of an amount effective for adhesion and a film former containing a polymer having a weight-average molecular weight of ≥1,100 and a polymerizable monomer; and one or more dental materials selected from a restoration material, adhesive, acidic etching agent, cement and sealing material.例文帳に追加

本発明は、硬質組織に接着性を供する又はコーティングを施すためのキットであって、接着に有効な量の酸と、少なくとも 1,100の重量平均分子量を有するポリマー及び重合性モノマーを含んで成るフィルムフォーマーとを含んで成る水分散性プライマー；並びに修復材、接着剤、酸性エッチング剤、セメント及びシール材から成る群から選ばれる１又は数種の歯科材料；を含んで成るキットを提供する。 - 特許庁

In the liquid crystal display device including a liquid crystal layer placed between a pair of substrates opposed to each other and pixel electrodes connected to plural data signal lines and scan lines arranged in matrix on at least one of the substrates with switching elements, one of the data signal lines or scan lines are curved in one direction to make the treatment solution for washing or etching gush out to the same direction.例文帳に追加

対向する一対の基板間に液晶層が挟持され、少なくとも一方の基板上にマトリックス状に並設された複数のデータ信号線と走査信号線とに、スイッチ素子を介して接続された画素電極を有する液晶表示装置の該データ信号線または走査信号線の何れかが一方向に屈曲した構成になっており、その製造方法では洗浄やエッチングなどの処理液を該一方向の同じ方向に噴出する。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes processes of: forming an etching mask on a processing object 10 formed of a compound semiconductor containing indium as an essential constituent element; introducing a mixture gas comprising two constituents such as hydrogen iodide gas and silicon tetrachloride gas onto the processing object 10 and converting the mixture gas to plasma; and entering the mixture gas converted to plasma into the processing object to selectively etch the processing object.例文帳に追加

この製造方法は、インジウムを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０の上にエッチングマスクを形成する工程と、被加工物１０の上にヨウ化水素ガスおよび四塩化ケイ素ガスの２成分からなる混合ガスを導入するとともに混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物に入射させて被加工物を選択的にエッチングする工程と、を含む。 - 特許庁

A method for manufacturing semiconductor includes a step for forming a substrate, a step for sticking a polysilicon layer on the substrate, a step for sticking the photoresist layer on the polysilicon layer, a step for patterning the photoresist layer, a step for sticking an inorganic material layer which is conformable and not photosensitive on the patterned photoresist layer, and a step for etching anisotropically the inorganic material layer and a semiconductor material layer.例文帳に追加

基板を形成するステップと、前記基板上にポリシリコン層を被着させるステップと、前記ポリシリコン層上にフォトレジスト層を被着させるステップと、前記フォトレジスト層をパターン形成するステップと、前記パターン形成したフォトレジスト層上に共形かつ非感光性の無機材料層を被着させるステップと、前記無機材料層および半導体材料層に異方性エッチングを施すステップとを含むことを特徴とする半導体製造方法である。 - 特許庁

The fluorine-containing tricyclononene compounds being new polymerizable monomers and the polymer compounds using the monomers are highly transparent to a wide range of wavelengths from the vacuum-ultraviolet region to the optical communication region in spite of their high fluorine content because of the presence of polar groups in the same molecule, have a close adhesion to substrates and a good film-forming ability and a high etching resistance because of their alicyclic structure.例文帳に追加

高いフッ素含量を有しながら、同一分子内に極性基を持たせることにより、幅広い波長領域すなわち真空紫外線から光通信波長域にいたるまで高い透明性を有し、かつ基板への密着性や高い成膜性を併せ持ち、また、脂環式構造を持たせることにより、高いエッチング耐性を有する新規な重合性単量体である含フッ素トリシクロノネン化合物、およびそれを用いた高分子化合物を見い出した。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for separating metal ions and recovering phosphoric acid at high yield from a mixed acid aqueous solution containing the metal ions such as a metal ion-containing mixed acid waste liquid produced from a metal etching process or the like in a semiconductor manufacturing plant or the like using a distillation and extraction means in place of a membrane or an ion exchange treatment which is commonly used as a conventional technique.例文帳に追加

半導体製造工場などにおける金属エッチング工程などから発生する金属イオン含有混酸廃液のような金属イオンを含有する混酸水溶液から、金属イオンを分離するとともにリン酸を高い収率で回収するにあたり、従来技術では膜処理またはイオン交換処理を行なうのが常識であったが、本発明では発想を全く変えて蒸留、抽出手段を用いた回収方法および装置の提供。 - 特許庁

A method and an apparatus for manufacturing a polycrystal silicon permitting the reactor to be continuously operated by effectively preventing silicon from precipitating and depositing by injecting an etching gas containing hydrogen chloride onto the surface of the reaction gas feeding means, when manufacturing at a large scale the polycrystal silicon of particle form by fluidizing silicon particles while feeding the reaction gas by using a fluidized bed reactor, are provided.例文帳に追加

本発明は、流動層反応器を用いて反応ガスを供給しながらシリコン粒子を流動させて粒子形態の多結晶シリコンを量産するにおいて、塩化水素を含むエッチングガスを反応ガス供給手段の表面に注入することによってシリコンが析出されて堆積されるのを有効に防ぎ、反応器を連続的に運転することを可能とする多結晶シリコンの製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor element includes steps of forming: multiple metal wires on a semiconductor substrate; a reaction prevention film on the metal wires in a region with via holes formed therein; an interlayer insulation film on the semiconductor substrate including the reaction prevention film; via holes by etching the interlayer insulation film above the reaction prevention film; and the via plugs in the via holes.例文帳に追加

半導体基板上に多数の金属配線を形成する段階;ビアホールが形成される領域の前記金属配線上に反応防止膜を形成する段階;前記反応防止膜を含む前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階;前記反応防止膜の上部の前記層間絶縁膜をエッチングしてビアホールを形成する段階;前記ビアホール内部にビアプラグを形成する段階を含む半導体素子の製造方法。 - 特許庁

A dry etching device 1 includes a transfer mechanism 15 transferring trays between a tray stock part housing each tray on which a substrate is placed and a plasma processing part 11, a centering mechanism 27 positioning each tray at a predetermined position in an alignment part 14, and a height measurement sensor 37 measuring a height of the predetermined position of the positioned tray.例文帳に追加

ドライエッチング装置１は、基板を載置したトレイを収納するトレイストック部とプラズマ処理部１１の間で前記トレイを搬送する搬送機構１５と、アラインメント部１４においてトレイを所定の位置に位置決めするセンタリング機構２７と、位置決めされた前記トレイの前記所定の位置の高さを計測する高さ計測センサー３７と、を備え、計測された前記高さからトレイ厚さ計測処理部４９が前記トレイの厚さデータを算出する。 - 特許庁

The composition for forming films comprises an organic solvent solution containing polyimide having a specific alicyclic tetracarboxylic acid structure, the method for forming film is characterized by forming the polyimide film by coating the composition for forming film and evaporating the solvent, and the method for processing the film is characterized by applying a wet etching method using an aprotic polar organic solvent as the etchant to remove the polyimide film of unwanted parts.例文帳に追加

特定の脂環族テトラカルボン酸構造を有するポリイミドを含有する有機溶剤溶液からなる皮膜形成用組成物、および該皮膜形成用組成物を塗布した上で溶剤を蒸発除去させる事により該ポリイミドの皮膜を形成することを特徴とする皮膜形成法、および非プロトン性極性有機溶剤をエッチャントとしてウェットエッチング法を用いて不要部分のポリイミド皮膜を除去することを特徴とする皮膜加工法。 - 特許庁

This preparation consists of a step forming a semiconductor layer comprising a laminated structure of a-Si film 5 and n+ a-Si film 6, a step forming ITO film 7 as a transparent pixel electrode at a separated position from the semiconductor layer, a step forming an SiNx protective film 10 in whole area and an etching step patterning so as to separate this protective film from the transparent pixel electrode.例文帳に追加

ガラス基板１の上にａ−Ｓｉ膜５およびｎ^+ ａ−Ｓｉ膜６の積層構造からなる半導体層を形成する工程と、半導体層と離れた位置に透明画素電極となるＩＴＯ膜７を形成する工程と、全体にＳｉＮｘ保護膜１０を形成する工程と、この保護膜を、透明画素電極と離れるようにパターンニングするエッチング工程と、により液晶表示装置用のアレイ基板を製造する。 - 特許庁

To provide a hetero-junction field effect transistor by which plasma damage of a reactive ion or the like entering a crystal due to dry etching for selective removal of an insulation layer or a semiconductor layer above a barrier layer is suppressed in a crystal structure, where the barrier layer with a larger atomic weight than an electron supply layer is formed on the electron supply layer of the hetero-junction field effect transistor.例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果トランジスタの電子供給層上に電子供給層よりも平均原子量の大きなバリア層を形成した結晶構造において、バリア層より上の絶縁膜もしくは半導体層を選択に除去する際のドライエッチングによって結晶内に侵入する反応性イオン等のプラズマ損傷を抑制することを目的したヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

A photovoltaic device having at least one semiconductor unit is manufactured by using a continuous operation type production line which includes a step for washing at least one surface of the semiconductor unit by etching, a step for drying at least the one surface of the semiconductor unit in an environment in which oxygen does not exist or the oxygen is lacked substantially, and a step for accumulating the passivation layer on at least the one surface.例文帳に追加

エッチングにより半導体ユニットの少なくとも１つの表面を洗浄する工程と、実質的に無酸素である又は酸素が欠乏した環境内で半導体ユニットの少なくとも１つの表面を乾燥させる工程と、少なくとも１つの表面上にパッシベーション層を堆積する工程とを含む、連続作業方生産ラインを用いて、少なくとも１つの半導体ユニットを有する光起電力素子を製造する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device is to etch a polysilicon or silicon using either one out of nitrosyl chloride, nitrile chloride or nitrosyl bromide or using chlorine or bromic base etching gas additionally containing either one out of nitrogen oxide, dinitrogen oxide, nitrogen dioxide, nitrogen trioxide, dinitrogen trioxide, dinitrogen tetroxide, dinitrogen pentoxide.例文帳に追加

本発明にかかる半導体装置の製造方法は、塩化ニトロシル、塩化ニトロイルまたは臭化ニトロシルのいずれかをエッチングガスとして用いたうえで、あるいはまた、一酸化窒素、一酸化二窒素、二酸化窒素、三酸化窒素、三酸化二窒素、四酸化二窒素、五酸化二窒素またはフッ化ニトロシルのいずれかを添加含有させてなる塩素系または臭素系のエッチングガスを用いたうえでポリシリコンまたはシリコンをエッチングすることを特徴としている。 - 特許庁

The method for fabricating a probe tip for use in the scanning probe microscope includes steps of forming a triangular prism formed with protective films on both sidewalls by patterning a (111) general silicon wafer; etching the silicon wafer to make the triangular prism into a probe tip of triangular pyramid shape; and removing the protective films.例文帳に追加

本発明は、走査探針顕微鏡（ＳＰＭ：Ｓｃａｎｎｉｇ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）に用いられる探針ティップを製造する方法において、（１１１）一般シリコンウェーハをパターニングし、両側壁に保護膜が形成されている三角柱を形成する段階と、前記シリコンウェーハをエッチングし、前記三角柱を三角錐状の探針ティップに形成する段階と、前記保護膜を取り除く段階と、を含む探針ティップの製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of times of engraving can be conducted to the same resin by a photolithographic method by using a positive type photosensitive polyimide resin material to an insulating layer 21, mask formation by a resist in a solder ball forming process and a rear etching process in the manufacture can be omitted, processes can be simplified, and a material used can be decreased, and manufacturing cost can be reduced.例文帳に追加

絶縁層２１にポジ型の感光性ポリイミド樹脂材料を使用することで、フォトリソグラフィー法によって同一の樹脂に対して複数回の製版を行うことが可能であり、従来の製造方法における半田ボール形成工程、裏面エッチング工程時のレジストによるマスク形成を省略することができるので、工程を簡略化でき、かつ使用する材料を減らすことができるので、製造コストの大幅な低減を図ることができる。 - 特許庁

To provide a pattern forming method capable of forming a dense pattern independently of standing waves and capable of further forming a resist pattern having a high aspect ratio by using an underlayer film excellent in dry etching resistance and usable as a thin film in combination with a specified polysiloxane-base radiation-sensitive resin composition having high transparency at ≤193 nm wavelength, and to provide a bilayer film for pattern formation.例文帳に追加

ドライエッチング耐性に優れ薄膜として使用可能な下層膜と、１９３ｎｍ以下の波長において透明性の高い特定のポリシロキサン系感放射線性樹脂組成物とを組み合わせて用いることにより、定在波による影響を受けることがなく、緻密なパターンを形成することができ、さらに高いアスペクト比を有するレジストパターンを形成することができるパターン形成方法およびパターン形成用多層膜を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the nitride semiconductor element having the sapphire substrate on whose surface unevenness is formed and the nitride semiconductor layer containing the light emitting layer laminated on the substrate includes a first step that removes at least a part of a region for dividing the nitride semiconductor layer into each element with laser and a second step that performs wet etching on the side surface of the nitride semiconductor layer.例文帳に追加

製造方法の発明は、サファイア基板と、該基板上に積層された発光層を含む窒化物半導体層とを有する窒化物半導体発光素子の製造方法において、サファイア基板の表面は凹凸が形成された面であり、窒化物半導体層の各素子に分割する部位の少なくとも一部をレーザーで除去する第１の工程と、該窒化物半導体層の側面を湿式エッチングする第２の工程からなる。 - 特許庁

After a silicon nitride film 102 is formed on an element forming area of a semiconductor substrate and a slot 104 for element separation is formed by etching an element separation area on the semiconductor substrate, silicon nitride film 106a and a silicon oxide 106b are formed on silicon nitride film 102 containing the slot in this order and polished until the surface of silicon nitride film 102 is exposed.例文帳に追加

半導体基板の素子形成領域上に、窒化シリコン膜１０２を形成し、前記半導体基板の素子分離領域をエッチングすることによって素子分離用の溝１０４を形成した後、この溝内を含む窒化シリコン膜１０２上に窒化シリコン膜１０６ａおよび酸化シリコン膜１０６ｂを順次形成し、窒化シリコン膜１０６ａおよび酸化シリコン膜１０６ｂを窒化シリコン膜１０２の表面が露出するまで研磨する。 - 特許庁

The method for manufacturing wiring includes a step of ejecting locally a composition containing a conductive material on a first pattern so as to form a conductor functioning as a pillar, a step of forming a dielectric so as to cover the conductor, a step of etching the dielectric so as to expose a part of the conductor, and a step of forming a second pattern on the exposed conductor.例文帳に追加

本発明の配線の作製方法は、第１のパターン上に導電性材料を含む組成物を局所的に吐出してピラーとして機能する導電体を形成するステップと、前記導電体が覆われるように絶縁体を形成するステップと、前記導電体の一部が露出するように前記絶縁体をエッチングするステップと、露出した前記導電体上に第２のパターンを形成するステップとを有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for removing the engine deposits comprises a step for providing a turbine component 10 having a surface 14 with engine deposits 58 thereon, wherein the turbine component 10 comprises a nickel and/or cobalt-containing base metal 50, and a step for treating the surface 14 of the turbine component 10 with the cleaning composition to convert the engine deposits 58 thereon to a removable smut without substantially etching the base metal 50 of the turbine component 10.例文帳に追加

デポジット除去方法は、その上にエンジンデポジット５８が付着した表面１４を有し、ニッケル及び／又はコバルト含有ベース金属５０を含むタービン構成部品１０を準備する段階と、タービン構成部品１０の表面１４を洗浄組成物で処理して、実質的に該タービン構成部品１０のベース金属５０をエッチングせずに該表面上のエンジンデポジット５８を除去可能なスマットに転換する段階とを含む。 - 特許庁

To avoid lowering the yield due to breaking of a resist pattern and prevent an etching liquid flow from being blocked in the gap between thick film patterns to accurately form a desired pattern over the entire substrate, when photosensitive layers on a substrate are exposed and developed to form a mask pattern and the substrate is etched with the mask pattern to form the pattern of the same shape as that of the mask pattern on the substrate.例文帳に追加

基板上に形成された感光層に露光および現像によりマスクパターンを形成し、そのマスクパターンを用いて基板をエッチングすることにより、基板にマスクパターンと同一形状のパターンを形成する際に、レジストパターンの破れによる歩留の低下を防止する一方で、厚膜パターン同士の隙間でエッチング液の流れが阻害されることを防止し、基板全体にわたり所望のパターンを精度良く形成できるようにする。 - 特許庁

To provide a copper foil with an insulating adhesive for a multilayer printed wiring board, which is superior with an insulating adhesive layer having high adhesive force at low permittivity, a low dielectric dissipation factor, room temperature and a high temperature, and which is superior in that the manufacturing process of the multilayer printed wiring board can be shortened by providing the copper foil which can form a circuit by an etching and working operation or the like.例文帳に追加

多層プリント配線板用絶縁接着剤付き銅箔で、絶縁接着剤層が低誘電率、低誘電正接、常温及び高温での高い接着力を有する点が優れており、またエッチング加工等により回路形成可能な銅箔を備えていることにより多層プリント配線板の製造工程の短縮が可能である点が優れている多層プリント配線板用絶縁接着剤付き銅箔を提供すること。 - 特許庁

The method includes steps of: forming a hard mask layer 410 and an etch still film 420 over a semiconductor substrate 400; forming a sacrificial oxide film pattern over the etch still film; forming a spacer on sidewalls of the sacrificial pattern; removing the sacrificial oxide film pattern; and etching the etch still film and the hard mask layer with the spacer as an etch mask to form a hard mask pattern.例文帳に追加

半導体基板４００上部にハードマスク層４１０及びエッチング静止膜４２０を形成する段階と、前記エッチング静止膜上部に犠牲酸化膜パターンを形成する段階と、前記犠牲酸化膜パターンの側壁にスペーサを形成する段階と、前記犠牲酸化膜パターンを除去する段階と、前記スペーサをマスクに前記エッチング静止膜及び前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a metal recovering method and apparatus, which is related to a method and apparatus of recovering a metal or an alloy as a valuable resource from a process liquid such as an etching waste liquid containing mainly copper (Cu), and nickel (Ni), capable of recovering copper and the like of recovery object metals as a metal or an alloy as a valuable resource, and dispensing with additional preparation of a flocculant for treatment.例文帳に追加

主として銅（Ｃｕ）やニッケル（Ｎｉ）を含むエッチング廃液等の被処理液から、それらを有価物である金属単体あるいは合金として回収する方法と装置に関し、エッチング廃液等の被処理液から回収対象金属である銅等を有価物である金属単体あるいは合金として回収することができ、しかも処理のための凝集剤を別途準備する必要のない回収方法と装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

A method for inspecting a semiconductor wafer which has a film to form device structures, including device patterns and may have crystal defects, comprises a process of exposing the crystal surface of the semiconductor wafer, by removing the device structure film with a chemical solution, a process of making apparent any crystal defects by selectively removing the surface layer of the semiconductor wafer through selective etching, and a process of quantitatively evaluating the crystal defects.例文帳に追加

デバイスパターンを含むデバイス構造を構成する膜を備え、結晶欠陥を有することがある半導体ウェーハを検査する方法において、上記デバイス構造膜を薬液で除去して半導体ウェーハの結晶表面を露出させる工程と、選択エッチングにより半導体ウェーハの表面層を選択的に除去して上記結晶欠陥を顕在化する工程と、上記結晶欠陥を定量的に評価する工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element that can prevent a reduction in MR ratio to keep performance as a magnetoresistance effect element high even when an oxide layer is formed as an outermost surface layer of a protection layer in an oxidation step inevitably included in a manufacturing process by laminating a mask material used for microfabrication double without specially altering the manufacturing step of microfabrication of dry etching carried out under a vacuum.例文帳に追加

真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

This etching treatment method includes spraying an etchant which is formed in a slit form by a spray nozzle onto the substrate to be etched so that an angle in a longitudinal direction of the slit form becomes a predetermined angle γ with respect to the transportation direction of the substrate to be etched while making a spray nozzle periodically swing and spray the etchant in an orthogonal direction with respect to the transportation direction of the substrate to be etched.例文帳に追加

スプレーノズルによりスリット状に形成されるエッチング液を被エッチング基板の搬送方向に対して、所定の角度γを成すように噴霧させ、且つ、エッチング液を被エッチング基板の搬送方向に対して直角方向に周期的に揺動、噴霧させ、スプレーノズルの揺動周期Ｔ（ｓｅｃ）を前記被エッチング基板の搬送速度Ｖ（ｃｍ／ｓｅｃ）に対して、Ｔ＝Ｋ・２・Ｓ／Ｖを満足するように揺動動作させるものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can be manufactured without generating etching residues and without deteriorating element characteristics and without collapsing and disconnecting wirings and without adhesion and disconnection of wirings when manufacturing the semiconductor device that is a fine structure like an aerial wiring and has a structure with a gap of high-aspect-ratio, and to provide the semiconductor device manufactured by its manufacturing method.例文帳に追加

空中配線のように微細構造体で、かつ高アスペクト比の間隙を持つ構造を備えた半導体装置を製造するに際し、エッチング残磋が生じることがなく、素子特性を劣化させることがなく、配線の倒壊や断線が生じることがなく、配線がくっついたり、切れたりすることがなく製造することができる半導体装置の製造方法及びその製造方法により製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁

In manufacturing an electromagnetic wave shielding adhesive film, related to a plastic film with a conductive metal where a conductive metal layer is laminated on a transparent base material through an adhesive layer which is solidified when irradiated with an active energy ray, an etching resist pattern is formed by screen printing or offset printing, and the conductive metal layer is etched to form a geometric graphic of a conductive metal.例文帳に追加

透明基材上に活性エネルギー線を照射することにより硬化する接着剤層を介して導電性金属層が積層されてなる導電性金属付きプラスチックフィルムにおいて、スクリーン印刷法又はオフセット印刷法により作製したエッチングレジストパターンを形成し、導電性金属層をエッチングすることにより導電性金属からなる幾何学図形を形成することを特徴とする電磁波シールド性接着フィルムの製造法。 - 特許庁

An insulating layer is formed of a positive photosensitive polyimide resin material, the same resin can undergo photoengraving a few times through a photolithographic method, and the formation of resist masks in a solder ball forming process and a rear etching process in a conventional manufacturing process can be dispensed with, so that a semiconductor device circuit member can be simplified in manufacturing process markedly reducing the manufacturing cost.例文帳に追加

絶縁層２１にポジ型の感光性ポリイミド樹脂材料を使用することで、フォトリソグラフィー法によって同一の樹脂に対して複数回の製版を行うことが可能であり、従来の製造方法における半田ボール形成工程、裏面エッチング工程時のレジストによるマスク形成を省略することができるので、工程を簡略化でき、かつ使用する材料を減らすことができるので、製造コストの大幅な低減を図ることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method solving the problem that need replacing an inferior cell by a redundant cell is increased with the minuteness of an element, the shape of a positioning mark specifying the position of a fuse cut corresponding to a replaceable element is deformed by etching gas and position specification is difficult, and a redundant circuit is not accurately replaced to the extracted inferior circuit.例文帳に追加

素子の微細化に伴い、不良セルを冗長セルで置き換える必要性が増大し、置き換えるべき素子に対応した切断すべきフューズの位置を特定する位置合わせマークの形状がエッチングガスにより変形して位置特定が困難になり、抽出された不良回路に対して、対応する冗長回路が正確に置き換えられなくなってしまう課題を解決する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a metallization polyimide film having two or more metal layers including at least a metal layer principally comprising Cu formed on at least one side of a polyimide film, surface metal index Asm calculated by IR-ATR method is ≥0.001 on the surface of the polyimide film after the metallization polyimide film is treated with sulphuric acid/hydrogen peroxide based etching reagent, and he surface resistivity is ≥1×10^13 Ω.例文帳に追加

ポリイミドフィルムの少なくとも片面に少なくともＣｕを主体とする金属層を含む二層以上の金属層が形成された金属被覆ポリイミドフィルムにおいて、該金属被覆ポリイミドフィルムを硫酸／過酸化水素系エッチング試薬で処理したポリイミドフィルム表面のＩＲ−ＡＴＲ法から算出される表面金属指数Ａｓｍが０．００１以上、かつ表面抵抗率が１×１０^13Ω以上であることを特徴とする金属被覆ポリイミドフィルム。 - 特許庁

To provide a mirror polishing method for grinding silicon wafer without causing machining damage such as scratching and forming a deteriorated layer by machining on a grinding silicon wafer surface, causing little surface roughness, generating little rolled edge, obtaining a high flatness easily, needing little amount of polishing, improving a throughput, having no problem in treating etching waste liquid and causing no damage to a polishing device and jigs.例文帳に追加

研削シリコンウエハ表面にスクラッチや加工変質層の形成などの加工ダメージを与えることがなく、表面粗さが小さく、エッジ部ダレの発生も少なく、高平坦度が容易に得られ、必要研摩量も少なくて済み、スループットが向上し、しかも、エッチング廃液の処理問題もなく、さらにアルカリ廃液の処理問題ならびに研摩装置および治具の損傷等もない研削シリコンウエハの鏡面研摩方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The method comprises a step for preparing a silicon substrate, a step for forming a first conductivity type impurity region in a first region of the silicon substrate, a step for forming a second conductivity type impurity region in a second region which is separated from the first region of the silicon substrate and a step for forming a porous silicon layer by chemically etching the surface of the second conductivity type impurity region.例文帳に追加

本発明のフォトダイオードの製造方法は、シリコン基板を用意する段階と、前記シリコン基板の第１領域に第１導電型不純物領域を形成する段階と、前記シリコン基板の前記第１領域と離隔した第２領域に第２導電型不純物領域を形成する段階と、前記第２導電型不純物領域の表面を化学的エッチング処理して多孔質シリコン層を形成する段階を含む。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of etching an aluminum foil, a step of anodic-oxidating the surface of the aluminum foil to form a dielectric oxide film layer, and a step of compressing the aluminum foil with the formed dielectric oxide film layer in the thickness direction, thereby obtaining an electrode foil for electrolytic capacitors which is greatly improved about the capacitance, the leakage current characteristics and high frequency range characteristics.例文帳に追加

アルミニウム箔をエッチング処理する工程と、このアルミニウム箔の表面に陽極酸化により化成処理して誘電体酸化皮膜層を形成する工程と、上記誘電体酸化皮膜層が形成されたアルミニウム箔を厚み方向に圧縮する工程とからなる製造方法とすることにより、静電容量および漏れ電流、高周波領域の特性を大幅に向上させた電解コンデンサ用電極箔を得ることができるものである。 - 特許庁

This manufacturing method of the semiconductor device comprises the steps of depositing an oxide film 3 on Cu wiring 2, forming a via hole H reaching the Cu wiring 2 by dry-etching the oxide film 3, supplying DIW into the via hole H, supplying ammonium phosphate into the via hole H after supplying the DIW, and filling the via hole H with an electrically conductive material 5 after supplying the ammonium phosphate.例文帳に追加

Ｃｕ配線２上に酸化膜３を堆積する工程と、前記酸化膜３をドライエッチングして、前記Ｃｕ配線２に通達するビアホールＨを形成する工程と、前記ビアホールＨ内にＤＩＷを供給する工程と、前記ＤＩＷを供給した後に、前記ビアホールＨ内に燐酸アンモニウムを供給する工程と、前記燐酸アンモニウムを供給した後に、前記ビアホールＨ内に導電材料５を埋め込む工程とを含む。 - 特許庁

The sheet vacuum treatment device 10 is equipped with vacuum treatment chambers 11B to 11F which include a load/unload chamber 11A and a plasma etching chamber and are arranged in forms of clusters.例文帳に追加

ロード／アンロード室１１Ａ及びプラズマエッチング室を含む複数の真空処理室１１Ｂ〜１１Ｆがクラスター状に配置された枚葉式真空処理装置１０において、真空搬送室１２とウェーハＷの授受を行う大気室１６又は真空搬送室１２に、ウェーハＷの被処理面に検査光を照射しその反射光を受光する検出器１９と、検出器１９の出力に基づいてウェーハＷの被処理面が金属層であるか絶縁層であるかを判定する判定ユニット２０とを設ける。 - 特許庁

To provide a metal patterning method performing exposure, development and etching of a circuit pattern after a photocrosslinking resin layer is formed on a substrate and subjected to thinning with an organic alkaline aqueous solution which allows for uniform thinning even of a photocrosslinking resin layer where the photocrosslinking resin has a composition less susceptible to swelling with high productivity, and in-plane uniform and fine metal patterning.例文帳に追加

本発明は、基板上の光架橋性樹脂層を形成した後、有機アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行った後、回路パターンの露光、現像、エッチング処理を行う金属パターンの作製方法において、光架橋性樹脂が現像液に対して膨潤しにくい組成の樹脂であっても光架橋性樹脂層をむらなく略均一に生産性良く薄膜化することができ、面内均一で微細な金属パターンの作製方法を提供するものである。 - 特許庁

In this case, the method also includes a step to apply plasma dry etching surface treatment to the exposed polyimide surface of the film substrate 1 made of polyimide resin that is not covered with the wiring pattern 6 after the wiring pattern 6 is formed.例文帳に追加

ポリイミド樹脂からなるフィルム基材１上にシード層２を形成してなる基板の表面に配線パターン６を形成する工程と、前記配線パターン６の表面にめっき層７を形成する工程とを有する半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、前記配線パターン６を形成した後、当該配線パターン６で覆われておらず露出している部分の前記ポリイミド樹脂からなるフィルム基材１のポリイミド表面にプラズマドライエッチング表面処理を施す工程を含んでいる。 - 特許庁

The upper surface of the projecting electrode is removed by etching, so that a convex electrode 44 smaller than the lower side of the projecting electrode is formed.例文帳に追加

半導体基板１２上に形成した電極パッド１４と、半導体基板を覆い電極パッド部分に開口部を有する絶縁膜１６と、ストレートウォール形状の突起電極２２を備えた半導体装置の製造方法において、突起電極上面部をエッチングにより除去することにより突起電極下部よりも小さい凸部電極４４を形成する半導体装置の製造方法方法、その製造方法で製造された半導体装置、及びその半導体装置の実装構造を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a thin film transistor, capable of reducing etching defects generated at the time of opening a part of a passivation film by optimizing manufacture conditions, after removing fluorine stuck to the back channel part of the thin film transistor, until forming the passivation film covering the back channel part.例文帳に追加

オフリーク特性悪化の原因となるバックチャネル部に付着しているフッ素を除去するために、バックチャネル部に対して水素プラズマを用いた低プラズマ密度処理を行うと、バックチャネル部を覆う窒化膜が、下地膜との界面においてＳｉ−Ｈ結合が増加した膜質となり、特に、窒化膜の下にＩＴＯ膜が在って、ＩＴＯ膜上の窒化膜に開口部を形成する場合には、バッファード弗酸（ＢＨＦ）によるエッチングで窒化膜が逆テーパー状にエッチングされるエッチング異常（開口部の外観不良）が生じる。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: epitaxially growing an epitaxial semiconductor layer 4 on a semiconductor substrate; forming a photoelectric conversion part on the epitaxial semiconductor layer 4; forming a wiring layer on the epitaxial semiconductor layer 4 after forming the photoelectric conversion part; bonding a supporting base 23 onto the wiring layer; and etching the semiconductor substrate from the opposite surface side of the bonded surface after the bonding.例文帳に追加

実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上にエピタキシャル半導体層４をエピタキシャル成長させる工程と、前記エピタキシャル半導体層４に光電変換部を形成する工程と、前記光電変換部の形成後に、前記エピタキシャル半導体層４の上に配線層を形成する工程と、前記配線層の上に支持基盤２３を接合する工程と、前記接合の後に、前記半導体基板を前記接合とは反対面側からエッチングする工程を含む。 - 特許庁