「etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(393ページ目) - Weblio英語例文検索

Silicon carbide semiconductor devices and methods of fabricating silicon carbide semiconductor devices are provided by successively etching a mask layer to provide windows for formation of a source region of a first conductivity type, a buried silicon carbide region of a second conductivity type opposite to the first conductivity type and a second conductivity type well region in a first conductivity type silicon carbide layer.例文帳に追加

炭化珪素半導体デバイスおよび炭化珪素半導体デバイスの製造方法が、第１の伝導型炭化珪素層の中に、第１の伝導型のソース領域、この第１の伝導型と反対の第２の伝導型の埋込み炭化珪素領域、および第２の伝導型のウェル領域を形成するための窓を設けるためにマスク層を引き続いてエッチングすることによって提供される。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck device capable of adjustment of a temporal change in temperature accompanied by plasma application, temperature adjustment over a wide range, and local temperature control of a platelike specimen by causing a local temperature distribution in a plane of the platelike specimen such as a silicon wafer when applied in a processing apparatus such as a plasma etching device.例文帳に追加

プラズマエッチング装置等の処理装置に適用した場合に、シリコンウエハ等の板状試料の面内に局所的な温度分布を生じさせることにより、プラズマ印加に伴う経時的な温度変化の調整や広い温度範囲での温度の調整が可能であり、板状試料の局所的な温度制御を行うことが可能な静電チャック装置を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the substrate for biochip provided with a probe having a specific chemical reaction with a biological substance to be inspected includes a step for selectively etching a portion of the second layer arranged on a first layer make the first layer expose and a step for immersing the first layer in a sodium solution and introduces a plurality of hydroxy groups in the surface of the first layer.例文帳に追加

被検対象の生体物質と特異的な化学反応をするプローブを設けたバイオチップ用基板であって、第１の層上に配置された第２の層の一部を選択的にエッチングし、第１の層を表出させるステップと、第１の層をナトリウム溶液に浸し、第１の層表面に複数の水酸基を導入するステップとを含むバイオチップ用基板の製造方法。 - 特許庁

The method for analysis includes: performing removal or inactivation processing on various products (by-products) produced on a decomposition (or etching) surface as a first process and making the surface hydrophobic rapidly with an HF gas thereafter at need; and thereby scanning the hydrophobic silicon wafer surface with drops of water with extremely high reproducibility and efficiency to collect and analyze decomposed matter on the surface.例文帳に追加

本発明に係る分析方法は、第１工程である分解（又はエッチング）表面に生じる種々の生成物（副生物）を除去又は不活性化処理を行い、かつその後必要であれば表面を速やかにＨＦガスで疎水性化することで、極めて再現よく効率的に、疎水性シリコンウェハ表面を水滴でスキャンして表面の分解物を回収して分析する。 - 特許庁

To provide a reflection type mask blank and a reflection type mask for EUV exposure, and a method of manufacturing the same enabling defect inspection without removing a hard mask layer in a process inspection after the etching of an absorbing material layer and also enabling easier defect repair without any complicated process even if a black defect is found in the process inspection.例文帳に追加

本発明は、吸収体層のエッチング後の工程検査で、ハードマスク層を除去することなく欠陥検査することを可能にし、さらに、この工程検査で黒欠陥が見つかった場合でも、複雑な工程を要することなく、容易に欠陥修正が可能なＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクス、反射型マスク、およびその製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide an electrode material for an aluminum electrolytic capacitor composed of at least on kind of a sintered body out of aluminum and an aluminum alloy, and eliminated in the need for etching, and its manufacturing method of the aluminum electrolytic capacitor which is secured in large capacitance even if particle sizes of the powder of aluminum and an aluminum alloy are small, and the thickness of the sintered body is large.例文帳に追加

アルミニウム及びアルミニウム合金の少なくとも１種の焼結体からなるエッチング処理が不要なアルミニウム電解コンデンサ用電極材及びその製造方法であって、アルミニウム及びアルミニウム合金の粉末の粒径が小さく、焼結体の厚みが大きい場合でも高い静電容量が確保されたアルミニウム電解コンデンサ用電極材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A plasma etching apparatus 10 has: a vacuum container having a dielectric cylindrical part 12; and a high-frequency antenna 31 arranged in the shape of a coil with the dielectric cylindrical part 12 as the central axis on the outside of the dielectric cylindrical part 12 while forming a gap with the outer peripheral surface thereof and generating plasma in the vacuum container when high-frequency power is supplied thereto.例文帳に追加

プラズマエッチング装置１０は、誘電体円筒部１２を有する真空容器と、この誘電体円筒部１２を軸芯とするコイル状をなして誘電体円筒部１２の外周面との間に隙間を有しつつその外側に配設され、高周波電力が供給されることにより真空容器の内部にプラズマを生成する高周波アンテナ３１とを有する。 - 特許庁

To provide a cleaning agent for magnetic disk substrate having a satisfied dispersibility of particle desorbed from a substrate surface and also an excellent re-adhering prevention property, by comprising an excellent cleaning ability to the particle derived from a metallic ion represented by iron ion eluted from a device for use at a manufacturing process and also by comprising an appropriate etching property.例文帳に追加

製造工程時に使用する装置から溶出する鉄イオンに代表される金属イオンに由来するパーティクルに対して優れた洗浄性を有するとともに、適度なエッチング性を有することで基板表面から脱離したパーティクルの分散性が良好であり、かつ再付着防止性に優れた磁気ディスク用基板洗浄剤を提供することを目的とする。 - 特許庁

A tray cleaning device 1 is equipped with: a hermetically sealable container 2 capable of accommodating at least one tray 20; gas supply ports 10 capable of supplying the etching gas into the hermetically sealable container 2; gas exhaust ports 11 capable of exhausting the gas accommodated in the hermetically sealable container 2; and a shaft member 3 disposed so as to be able to pass through the opening of a tray 20 contained in the hermetically sealable container 2.例文帳に追加

トレイクリーニング装置１は、トレイ２０を少なくとも１つ収容できる密閉可能な密閉容器２と、密閉容器２内にエッチングガスを供給できるガス供給口１０と、密閉容器２内のガスを排気できるガス排気口１１と、密閉容器２に収容されたトレイ２０の開口部を貫通可能に配設された軸部材３とを備えている。 - 特許庁

For the plasma etching by a microwave, a semiconductor processing apparatus includes the quartz-made transmission window 105 of the porous structure, a microwave introduction window 108 to which a heating medium flow path is added, and a heating medium circulation device so as to greatly reduce the production of foreign matter of fine particle size sticking on nearby a surface of the substrate 102 to be processed by optimizing a plasma processing method for the substrate 102 to be processed.例文帳に追加

被処理基板１０２に対するプラズマ処理方法を最適化し被処理基板１０２の表面近傍部に付着する微小粒径異物の発生を大幅に低減するために、マイクロ波によるプラズマ処理に際し、多孔構造の石英製透過窓１０５、熱媒体流路を付設したマイクロ波導入窓１０８、および熱媒体循環装置により構成する。 - 特許庁

This production method includes processes of: plate-making first and second photosensitive layers 52a, 52b laminated on both sides of a laminated body 50 having a base material film 32, first and second electroconductive layers 40, 45 laminated on both sides of the base material film, and a light shielding layer laminated on the electroconductive layer; and thereafter etching the light shielding layer and the electroconductive layer to pattern them.例文帳に追加

製造方法は、基材フィルム３２と、基材フィルムの両側に積層された第１および第２の導電層４０，４５と、導電層上に積層された遮光層と、を有する積層体５０の両側に積層された第１および第２の感光層５２ａ，５２ｂを製版する工程と、その後、遮光層および導電層をエッチングしてパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

The epitaxial growth method includes a cleaning treatment step of etching and removing a silicon deposit that adheres to the inside of an epitaxial growth furnace 2 by a hydrogen chloride containing gas, and a polysilicon depositing step of forming a polysilicon film having a grain size of 0.7 μm -0.3 μm on the surface of a susceptor by supplying a silicon source gas to the inside of the epitaxial growth furnace, following the cleaning process.例文帳に追加

エピタキシャル成長炉２内に付着したシリコン堆積物を塩化水素含有ガスによりエッチング除去するクリーニング処理工程と、クリーニング処理工程に引き続き、エピタキシャル成長炉内にシリコンソースガスを供給してサセプタ表面にグレーンサイズが０．７μｍ〜０．３μｍのポリシリコン膜を形成するポリシリコン成膜工程とを有することを特徴とするエピタキシャル成長方法である。 - 特許庁

A water-repellent film with repellency which has an opening is formed on a surface of a processed layer of the substrate, a watery solution is arranged in the opening to form a mask part, and the processed layer is processed by etching using the mask part as a mask so as to perform the texture process on the substrate efficiently in the easy method without requiring large-scale facilities or placing a load on an environment.例文帳に追加

多大な設備を必要とすることなく、また環境に負荷を与えることなく、簡便な方法で効率良く基板にテクスチャ加工を施すために、基板の被加工層の表面に、開口を有する撥水性の撥水性膜を形成し、前記開口に水溶液を配置してマスク部を形成し、前記マスク部をマスクとして用いたエッチングにより前記被加工層を加工する。 - 特許庁

The photomask is to be used for transferring a predetermined transfer pattern including a line-and-space pattern onto a resist film formed on a process object to be etched to obtain a resist pattern in the resist film, which functions as a mask in the etching process, wherein the line pattern of the line-and-space pattern formed on a transparent substrate comprises a translucent portion while the space pattern comprises a light-transmitting portion.例文帳に追加

エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、ライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンを転写させ、レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすフォトマスクにおいて、透明基板上に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのラインパターンを半透光部で設け、スペースパターンを透光部で設ける。 - 特許庁

In an electrolytic-plating-start-metal-layer formation process 102', a metal layer having an opening is formed on a semiconductor layer; in a metal-support-electrolytic-plating process 103', a metal support is formed on the metal layer having the opening; and, in an element division process 107', a part of the metal support exposed to the opening of the metal layer is removed by an electrolytic etching method.例文帳に追加

電解めっき開始金属層形成工程１０２’において、開口を有する金属層を半導体層上に形成し、金属支持体電解めっき工程１０３’において、開口を有する金属層上に金属支持体を形成し、素子分割工程１０７’において、金属支持体の金属層の開口に露出する部分を電解エッチング法によって除去した。 - 特許庁

To provide a method for detecting a metal defect and a defect detection device, which allow clear detection of a defect portion by improving the uniformity, and increasing the brightness, of a non-defect portion of an imaged image of an inspecting surface when etching the inspecting surface of a metal sample to cause the defect to appear and imaging an image of the inspecting surface using an imaging device to detect the defect.例文帳に追加

金属試料の検査面をエッチング処理して欠陥を現出させ、撮像装置によって検査面を撮像することにより欠陥を検出するに際し、検査面撮像画像における非欠陥部の明度を均一かつ明るくすることにより、欠陥部を明瞭に検出することのできる金属の欠陥検出方法及び欠陥検出装置を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the smooth laminate which comprises laminating a resistance alloy layer on at least one side of a smooth electroconductive plate, the resistor having the required resistance value can be formed to the inside of the wiring pattern formed by etching by laminating the resistance alloy layer on the smooth electroconductive plate immediately after activation treatment is applied to the electroconductive plate.例文帳に追加

平滑導電板の少なくとも一方の面に抵抗合金層を積層してなる平滑積層体の製造方法において、平滑導電板に活性化処理を施した直後に抵抗合金層を積層することによって、所要の抵抗値を有する抵抗器をエッチング形成された配線パターン内部に形成可能とする平滑積層体を製造する。 - 特許庁

To provide a composition for an antireflection coating which prevents lowering of the dimensional accuracy of a pattern caused by interference of multiply reflected light in a photoresist film and enables formation of a resist pattern free of deterioration in the pattern shape such as T-top or round top shape adverse to an etching process caused chiefly by intermixing of a chemically amplified resist and an antireflection film.例文帳に追加

フォトレジスト膜内における多重反射光の干渉によりもたらされるパターン寸法精度の低下を防止し、且つ化学増幅型レジストと反射防止膜とのインターミキシングなどにより引き起こされる、エッチング工程に不都合なＴ−トップ、ラウンドトップなどのパターン形状の劣化を起こさないレジストパターンを形成することのできる反射防止コーティング用組成物を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing diffraction lenses comprises a step for forming a stack having at least two phase shift layers which are separated from each other by an etching stop layer on the first face of each of transparent substrates 34, 144 capable of transmitting light of selected wavelengths between infrared rays and ultraviolet rays and a step for forming a pattern on the stack in order to form a layer of a diffracting optical element 50.例文帳に追加

赤外線から紫外線の間で選択された波長の光を透過する透明な基板３４、１４４の第１の面上に、エッチング停止層で分離された少なくとも２つの位相シフト層を有するスタックを形成するステップと、回折光学素子５０の層を形成するために、前記スタックにパターン形成するステップとを含んでなる、回折レンズの製造方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, since plasma formed in an upper part of the electrode plate 12 of the exhaust electrode 11 is made uniform, effects which enable constant etching are obtained, and also since the function of an exhaust pipe 4 is integrated with a function of an electrode, thereby functioning by the one exhaust electrode 11, a volume occupied by a process chamber is reduced and efficiency of a purity chamber is enhanced.例文帳に追加

従って、排気エレクトロード１１の電極板１２の上部に形成されるプラズマが均一になって一定なエッチングを可能にする効果があるし、また排気管４の機能とエレクトロードの機能を統合して一つの排気エレクトロード１１によって機能するようにすることで工程チャンバーが占める体積が減り清浄室の効率を向上させる効果がある。 - 特許庁

A process of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode made of metal silicide which is a metal-containing material or metal alone includes steps of: etching the gate electrode 14G, thereafter oxidizing a surface of a gate part; and trimming the gate electrode 14G by exposing the gate part to a gaseous substance containing organic acid and heating it to volatilize a reaction product of the metal and the organic acid.例文帳に追加

金属を含む材料である金属シリサイド或いは金属単体から成るゲート電極をもつ半導体装置を作製する工程に於いて、ゲート電極１４Ｇのエッチング後にゲート部の表面を酸化させ、ゲート部を有機酸を含むガス状物質に曝露すると共に加熱して金属と有機酸との反応生成物を揮発させてゲート電極１４Ｇのトリミングを行う。 - 特許庁

This device forms a film consisting of a polymer material on the entire surface of the lower part electrode connected to a thin film transistor by a coating method, and after forming the upper part electrode on it, self-matchingly etches the film consisting of the polymer material by etching with a plasma by having the upper part electrode as a mask, and enables to form selectively a polymer material layer.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタと接続される下部電極上に塗布法により全面に高分子系材料からなる膜を形成し、その上に上部電極を形成した後、該上部電極をマスクとしてプラズマによるエッチングによって高分子系材料からなる膜を自己整合的にエッチングし、高分子系材料層の選択的な形成を可能にするものである。 - 特許庁

Alternatively, a high-quality protective film, having a higher resistance against plasma etching than protective films formed in the other sections than the substrate placing section have, is formed on the surface of the substrate placing section, by causing the section to have higher temperature suitable for forming the protective film than the other sections have, by impressing a bias voltage on the section or heating the section.例文帳に追加

また、基板載置部にバイアスを印加することにより、或いは、基板載置部を加熱して、基板載置部の表面温度を基板載置部以外の部分の温度よりも、保護膜の形成に適した高温にすることにより、基板載置部以外の部分に形成される保護膜よりも、前記プラズマエッチングに対する耐性の高い良質な保護膜を、基板載置部の表面に形成する。 - 特許庁

In the case of heating a semi-insulated GaAs substrate 1 inside a reaction pipe and growing the compound of group III elements and group V elements on the GaAs substrate 1 with the method of vapor phase epitaxial growth, by leading oxygen into the reaction pipe just before growing a target epitaxial layer, a residual Si impurity, which can not be completely removed by sulfuric acid etching, is inactivated.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１を反応管内で加熱し、ＧａＡｓ基板１上に III族元素とＶ族元素との化合物を気相エピタキシャル成長法により成長させる際、目的とするエピタキシャル層の成長を行う直前に酸素を反応管内に導入することにより、硫酸エッチングでは除去しきれない残留Ｓｉ不純物を不活性化する。 - 特許庁

In the manufacture of a semiconductor device, a polysilicon film is made on a thermal oxide film formed on a silicon substrate 31, and a gate electrode 35 and a gate oxide film 32a are formed through etching, and after removal of a photoresist film, a peripheral oxide film 38 united with the gate oxide film 32a and the thermal oxide film is made through thermal oxidation method around the gate electrode 35.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、シリコン基板３１上に形成した熱酸化膜３２上にポリシリコン膜３３を形成し、エッチングを行ってゲート電極３５及びゲート酸化膜３２ａを形成し、フォトレジスト膜３４を除去してから、ゲート電極３５の周囲に、ゲート酸化膜３２ａ及び熱酸化膜３２と一体化した周囲酸化膜３８を熱酸化法で形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a process of subjecting an inter-layer insulating layer 61 to dry etching using a mask having a plurality of first openings and a plurality of second openings arranged more closely than the first openings, and forming first holes reaching a ground layer 10 below the first openings and second holes 41 reaching the ground layer 10 below the second openings.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、複数の第１の開口と第１の開口よりも密に並んだ複数の第２の開口とを有するマスクを用いて層間絶縁層６１をドライエッチングし、第１の開口の下で下地層１０に達する第１のホールと、第２の開口の下で下地層１０に達する第２のホール４１とを同時に形成する工程を備えている。 - 特許庁

In this noncontact data carrier having a resin base material, a metallic antenna coil 13 formed on one surface of the base material and an IC chip 20 connected to the coil 13, an insulating resist material used for an etching process is left on the surface of an antenna layer as a protective film, excluding connection end parts 131, 132 to be connected with the IC chip 20.例文帳に追加

本発明の非接触データキャリアは、樹脂基材と樹脂基材の一方の面に設けられた金属製アンテナコイル１３と、アンテナコイルに接続されたＩＣチップ２０とを有する非接触データキャリアにおいて、アンテナ層表面にはＩＣチップとの接続端部１３１，１３２を除き、エッチング工程で使用した絶縁性のレジスト材料が保護膜として残存していることを特徴とする。 - 特許庁

In an infrared light source wherein a filament is energized to generate heat and emit infrared rays, the filament with adjusted impurity concentration and electric conductivity is formed on a silicon substrate, and the silicon substrate is anodically joined on a ceramic substrate 10 having filled through-electrodes 11, and then the silicon substrate, except for the filament, is removed by etching to form the filament 13 on the ceramic substrate.例文帳に追加

フィラメントに通電して発熱させ赤外線を出射させる赤外線光源において、フィラメントを不純物濃度、導電率を調整しシリコン基板上に形成し、このシリコン基板を充填貫通電極１１を有するセラミック基板１０上に陽極接合し、フィラメント以外のシリコン基板をエッチング除去してセラミック基板上に前記フィラメント１３を形成する。 - 特許庁

The surface treatment method includes: executing oxygen gas plasma treatment to remove a reaction product containing carbon fluoride when the reaction product is deposited by sequentially etching each of layers of the treated workpiece having a multilayer film; and after removing a reaction product, removing a reaction product containing an oxide by using a hydrogen fluoride gas.例文帳に追加

多層膜を有する被処理物の各層を順次エッチングすることでフッ化炭素を含む反応生成物が堆積した場合に、酸素ガスプラズマ処理を行うことで前記反応生成物を除去し、前記反応生成物の除去の後、酸化物を含む反応生成物をフッ化水素ガスを用いて除去すること、を特徴とする表面処理方法が提供される。 - 特許庁

In an optical mounting board S1 wherein a plurality of grooves formed by anisotropic etching are provided on the main surface of the board consisting of single crystal material and the optical devices are disposed in these respective grooves, the principal surface of the board is provided with a plurality of groove-formed areas where crystal orientations parallel to the optical axis direction of the optical devices to be disposed are different.例文帳に追加

単結晶材料から成る基板の主面に、異方性エッチングにより形成した複数の溝を形成し、これら各溝に光学素子を配設するようにした光実装基板Ｓ１であって、基板の主面は、配設させる光学素子の光軸方向に平行な結晶方位が異なっている複数の溝形成領域を備えていることを特徴とする。 - 特許庁

Processes are performed: a process of measuring the film thickness distribution of a metal film 11 formed on a piezoelectric substrate 2; and an electrode-forming process for forming a mask layer 13 having forming patterns of interdigital transducers 3 on the metal film 11, etching a portion where the metal film 11 and the substrate 2 are not covered with the mask layer 13, thereby forming the interdigital transducers 3.例文帳に追加

圧電性基板２上に成膜された金属膜１１の膜厚分布を測定する工程と、櫛形電極３の形状パターンを有するマスク層１３を金属膜１１上に形成し、金属膜１１及び圧電性基板２のうちマスク層１３に覆われていない部分をエッチングすることにより櫛形電極３を形成する電極形成工程とを行う。 - 特許庁

This manufacturing method of optical recording medium comprises a process in which a first dielectric layer, a light absorption layer and a second dielectric layer are laminated successively on a supporting substrate, a process in which a laser beam is emitted and information is recorded, and a process in which an unrecorded part of the second dielectric layer is eliminated by solution etching and it is processed in a convex type.例文帳に追加

光記録媒体の製造方法において、支持基板上に第１の誘電体層、光吸収層、第２の誘電体層を順次積層する工程、レーザー光を照射し情報を記録する工程、溶液エッチングにより第２の誘電体層の未記録部分を除去し凸状に加工する工程を少なくとも含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor having 3C-SiC single crystal thin film with a surface of reduced irregularity and curvature as well as excellent crystalline and high quality surface orientation (111), and a SiC semiconductor capable of forming 3C-SiC single crystal thin film with surface orientation (111) on an Si single crystal substrate surely and easily by reducing lattice mismatching and preventing etching.例文帳に追加

表面の凹凸および反りが低減され、結晶性に優れた高品質な面方位（１１１）の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶薄膜を備えた半導体、および、Ｓｉ単結晶基板上に、格子不整合を緩和し、かつ、エッチングを防止して、確実かつ容易に、面方位（１１１）の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶薄膜を形成することができるＳｉＣ半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

A tape 10 is set in an exposure machine so that a wiring pattern 5 formed by exposing and etching one face turn downside: a registration position of its downside wiring pattern 5 is read by a photosensor 16, and the tape 10 is registered so that the read position agree with a predetermined target position for pattern exposure of the top face coated and prebaked with a photoresist 6 or 8.例文帳に追加

片面を露光・エッチングして形成した配線パターン５を下面側になるように露光機にセットし、その下面側の配線パターン５の合わせ位置を光センサ１６で読み取り、その読み取った位置が所定の目標位置に合致するようにテープ１０の位置決めを行い、予めフォトレジスト６又は８をコートしプリベークしてある上面に対するパターン露光を行う。 - 特許庁

A method of etching a silicon oxide film includes a decomposition step of feeding a blended gas containing a hydrogen-fluoride gas HF and an ammonia gas NH_3 over a surface of the silicon oxide film, making chemical reaction carried out on the silicon oxide film and the blended gas, and decomposing the silicon oxide film to produce a reaction product; and a heating step of then heating and removing the reaction product.例文帳に追加

シリコン酸化膜をエッチングする方法において，シリコン酸化膜の表面に，フッ化水素ガスＨＦ及びアンモニアガスＮＨ_３を含む混合ガスを供給し，シリコン酸化膜と混合ガスとを化学反応させ，シリコン酸化膜を変質させて反応生成物を生成する変質工程を行い，その後，反応生成物を加熱して除去する加熱工程を行う。 - 特許庁

Since the surface treated copper foil produced by this production method has a black, uniform appearance hardly having spots and residues, and has excellent etching properties and chemical resistance, the fraction defective of a composite material for electromagnetic wave shielding produced by utilizing the same is made remarkably low, and the appearance of a PDP (Plasma Display Panel) display screen produced by using the composite material is made excellent.例文帳に追加

本発明の製造方法によって製造された表面処理銅箔は、斑及び残渣が殆ど無い黒色の均一な外観を有し、エッチング性と耐薬品性が優れているため、これを利用して製造された電磁波遮蔽用複合材料の不良率が顕著に低くなり、上記複合材料を使用して製造されたPDP表示画面の外観が優れる。 - 特許庁

The method has the process of forming a pattern with a slant part prepared therein to a photoresist 52 in the periphery of a silicon exposed part for forming the nozzle 31 by carrying out exposure and development to the photoresist 52 formed on a silicon substrate 51, and the process of forming the hole to be the nozzle 31 of a taper shape by carrying out anisotropic dry etching using the photoresist 52 as a mask.例文帳に追加

シリコン基板５１に形成したフォトレジスト５２に対して露光及び現像を行って、ノズル３１を形成するためのシリコン露出部分周辺におけるフォトレジスト５２に対して、傾斜部分を設けたパターンを形成する工程と、フォトレジスト５２をマスクとして異方性ドライエッチングを行って、テーパ形状のノズル３１となる穴を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The objective distributed density mask used for exposure for forming a photosensitive material pattern having a three-dimensional structure when the photosensitive material pattern is formed on a substrate and transferred to the substrate by etching to produce an article having surface shape with a three-dimensional structure is obtained by forming a light shielding pattern with a two-dimensional light intensity direction on a transparent substrate.例文帳に追加

基板上に３次元構造の感光性材料パターンを形成し、その感光性材料パターンを基板に彫り写すことにより３次元構造の表面形状をもつ物品を製造する際に、感光性材料パターンを形成するための露光に用いる濃度分布マスクであり、透明基板上に２次元の光強度分布を有する遮光パターンが形成されたものである。 - 特許庁

In this mold for obtaining the molding having the protective wall provided around the molding surface with the transferred mold pattern, a base with an outer peripheral contour corresponding to an inner peripheral contour is formed on a substrate, and a layer, where the mold pattern is formed on a surface by using the photolithographic and etching technologies, is formed on the base.例文帳に追加

本発明に係る金型は、金型パターンが転写された成型面の周囲に保護壁を有した成型物を得るための金型であって、基板上に保護壁の内周輪郭に対応した外周輪郭形状の台座が形成され、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて表面に金型パターンを形成した層が台座上に形成されて成ることを特徴とする。 - 特許庁

To solve the problem that in a near field optical probe formed on a glass substrate and having a pyramid-shaped silicon protrusion, it is difficult to change the tapered angle of the probe, since the probe is formed by performing anisotropic etching of a Si substrate, and it is difficult to form a cone shape since a plane corresponding to a crystal orientation remains at the outer shape of the probe.例文帳に追加

ガラス基板上に形成された、ピラミッド状のシリコン突起を有する近接場光プローブでは、Ｓｉ基板の異方性エッチングを施すことにより形成しているため、そのプローブテーパ角を変化させることは困難であり、またプローブの外形に結晶方位に対応した面が残ってしまい円錐形状を形成するのが困難であるといった問題点等を解決する。 - 特許庁

A circuit board 4 is constituted in such a way that inner wiring patterns 2 are formed on both surfaces of a core substrate 1 and power supply/ ground layers 5 are respectively formed on the patterns 2 through insulating resin layers 3, and electronic parts 7 can be mounted on the patterns 2 exposed in recessed sections 6 formed, when the insulating resin layers 3 are removed through dry etching.例文帳に追加

コア基板１の両面に内部配線パターン２が形成されており、該内部配線パターン２の上に絶縁樹脂層３を介して電源／グランド層５が各々形成されてなる回路基板４であって、表層の絶縁樹脂層３がドライエッチングにより除去されて形成された凹部６に露出する内部配線パターン２に電子部品７が表面実装可能になっている。 - 特許庁

The manufacturing method of the CMOS image sensor comprises steps of: preparing a semiconductor substrate in which a light receiving element region and a transistor region are demarcated; forming fine dust by generating plasma discharge at the light receiving element region; forming a nano pillar at the light receiving element region by etching the fine dust as a mask, and removing the fine dust.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサの製造方法は、受光素子領域及びトランジスタ領域が画定された半導体基板を用意するステップと、前記受光素子領域にプラズマ放電を発生させて微細ホコリを形成させるステップと、前記微細ホコリをマスクとしてエッチングして、前記受光素子領域にナノピラーを形成するステップと、前記微細ホコリを除去するステップとを含む。 - 特許庁

After a resist window pattern 3 is formed by adhering photoresist 2 onto a substrate 1 and patterning it by photolithography, the substrate 1 is etched by dry etching to form an overhang 5, a pattern material 6 of metal is vapor-deposited thereupon, and the photoresist 2 is removed to remove an unnecessary pattern material 6a, thereby forming a desired pattern 6b.例文帳に追加

基板１上にフォトレジスト２を被着形成し、これをフォトリソグラフィでパターニングしてレジスト窓パターン３を形成した後、等方性ドライエッチングで基板１をエッチングすることによりオーバーハング５を形成し、その上から金属のパターン材料６を蒸着し、フォトレジスト２を除去することによって不要なパターン材料６ａを除去して所望のパターン６ｂを形成する。 - 特許庁

The laminated part 12 and the electrode 8 are divided into a plurality of light-emitting units A and electrode pads B, and a coupling part C for coupling the pads B and the units A or between the two units A, and the laminated part 12 is removed by etching except for the coupling part C in a gap of the units A.例文帳に追加

半導体積層部１２および電流拡散用電極８は、複数個の発光ユニット部Ａと電極パッド部Ｂと、電極パッド部Ｂと発光ユニット部Ａの間、または発光ユニット部Ａの２個の間を連結する連結部Ｃとに分割され、各発光ユニット部Ａの間隙部は、連結部Ｃを除いて半導体積層部１２がエッチングにより除去されている。 - 特許庁

An n-GaAs buffer layer 102, n-AlGaInP clad layer 103, active layer 104, p-AlGaInP lower clad layer 105, p-AlGaInP etching stopper layer 106, p-AlGaInP upper clad layer 107, p-GaInP intermediate layer 108, and p-GaAs lower contact layer 109 and grown in sequence on an n-GaAs substrate 101.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０３、活性層１０４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層１０５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰエッチングストッパ層１０６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ上部クラッド層１０７、ｐ−ＧａＩｎＰ中間層１０８、ｐ−ＧａＡｓ下部コンタクト層１０９をその順序で成長させる。 - 特許庁