「etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(392ページ目) - Weblio英語例文検索

The above method comprises a first step to form a diffusion layer on a crystalline silicon substrate whose conductivity type is opposite to that of the diffusion layer, a second step to remove a part of the diffusion layer by etching using sodium silicate (Na_2SiO_3), and a third step to form a first electrode electrically connected to the diffusion layer and a second electrode electrically connected to the substrate.例文帳に追加

結晶系シリコン基板に逆導電型層となる拡散層を形成するステップと、この拡散層の一部を珪酸ナトリウム（Ｎａ_２ＳｉＯ_３）でエッチング除去するステップと、この拡散層と電気的に接続する第１の電極及び前記基板と電気的に接続する第２の電極を形成するステップとを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor packaging substrate in which, by a method for providing an external connection terminal by etching and next embedding a resin as a base material, the bottom of the obtained connection terminal is formed greater than the top thereof, thereby solving restriction items on a circuit side, and the top of the connection terminal is formed greater than the bottom thereof, thereby forming higher density wiring.例文帳に追加

エッチングによって外部接続端子を設けておき、後から基材となる樹脂を埋め込む方法により得られる接続端子のトップ径よりボトム径の方が大きいことによる回路側の制約事項を解消し、接続端子のトップ径をボトム径より大きくすることにより、より高密度の配線を可能にした半導体パッケージ用基板を提供する。 - 特許庁

After detaching the support layer 2, etching treatment is performed to the metal layer 3 to form outer surface side line patterns 13a, and at the same time, side section line patterns 13c which connect inner surface side line patterns 13b and outer surface side line patterns 13a are formed to compose an inductor pattern which surrounds the ambient of the high permeability layer 14 in a multiple coiled fashion.例文帳に追加

支持体層２を剥離した後、金属層３にエッチング処理を施して外面側ラインパターン１３ａを形成すると共に、内面側ラインパターン１３ｂと外面側ラインパターン１３ａとを接続する側部ラインパターン１３ｃを形成して、高透磁率層１４の周囲をコイル状に多数巻に囲むインダクタパターンを構成する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of forming a GaAs layer 2 made of a material easier to etch than an n-type GaN layer 6 on a Si substrate 1, a step of forming the n-type GaN layer 6 on the GaAs layer 2, and a step of etching the GaAs layer 2 to remove it, thereby separating the n-type GaN layer 6 from the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に、ｎ型ＧａＮ層６に比べてエッチングされやすい材料からなるＧａＡｓ層２を形成する工程と、ＧａＡｓ層２上にｎ型ＧａＮ層６を形成する工程と、その後、ＧａＡｓ層２をエッチングにより除去することによって、Ｓｉ基板１とｎ型ＧａＮ層６とを分離する工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a mask blank for charged particle beam exposure which improves the yield of mask manufacture, by removing selectively the eaves of a curvature adjustment layer generated when forming an opening by the wet etching method, in the manufacture of the mask for charged particle beam exposure using an SOI substrate with a curvature adjustment layer, and to provide a mask for charged particle beam exposure and a pattern exposure method.例文帳に追加

反り調整層を有したＳＯＩ基板を用いた荷電粒子線露光用マスクの製造にて、ウェットエッチング法により開口部形成を行った際に発生する反り調整層のひさしを選択的に除去し、マスク製造の歩留まりを向上させる荷電粒子線露光用マスクブランク、荷電粒子線露光用マスク、パターン露光方法を提供する。 - 特許庁

In the structure, a contact protection layer is inserted on a p-type contact layer, and, by subjecting an insulating film to thermal processing after subjecting it to RIE, an opening for contact can be formed without inclusion of reactive ions in the p-type contact layer that causes the contact resistance to increase and without causing resistance of the p-type contact layer to increase by etching.例文帳に追加

本発明によるとp型コンタクト層上にコンタクト防護層を挿入した構造とし、絶縁膜RIE後に熱処理を行うことでコンタクト抵抗増加の影響を及ぼすp型コンタクト層への反応性イオンの侵入やp型コンタクト層のエッチングによる高抵抗化の影響を与えることなくコンタクト用開口部を形成することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electric solid device by which even when an aperture pattern is formed by dry-etching an overlay conductive film on an insulating film, an insulating film with an appropriate film thickness can be left in a region overlapping the aperture pattern, and to provide an electric solid device and a liquid crystal device having the electric solid device as an element substrate.例文帳に追加

絶縁膜上で上側導電膜にドライエッチングを行って開口パターンを形成する場合でも、開口パターンと重なる領域に適正な膜厚の絶縁膜を残すことのできる電気的固体装置の製造方法、電気的固体装置、および該電気的固体装置を素子基板として備えた液晶装置を提供すること。 - 特許庁

The uniformity of the film thickness of a BARC is improved by a process for embedding a structure in which an organic material different from the BARC is applied at least once so that flatness is assured to an extent that does not influence lithography and the organic material is etched once and planarizing the organic material by removing the organic material so that the surface of an embedded layer is exposed by etching back.例文帳に追加

さらに、リソグラフィへの影響が無い程度の平坦性が確保できるようにＢＡＲＣとは異なる有機材料を少なくとも一回塗布して一度エッチングした構造を埋め込み、エッチバックによって被埋込み層の表面が出るように有機材料を除去して平坦化する工程により、ＢＡＲＣの膜厚の均一性を改善する。 - 特許庁

The composite material 6 for the transfer method is produced by a method for bonding a strip material wherein the carrier material 1 and the barrier material 2 are laminated and the wiring forming material 2 under pressure to form a composite strip or a method subjecting the bonding surfaces of the barrier material 2 and the wiring forming material 3 to ion etching to laminate and bond both materials by rolling.例文帳に追加

また、本発明の転写法用複合材の製造方法としては、キャリア材とバリア材を積層した帯材と、配線形成材とを圧着して複合帯とする転写法用複合材の製造方法や、バリア材と配線形成材の接合面がイオンエッチングされた後、圧延により積層接合する転写法用複合材の製造方法である。 - 特許庁

For this evaluation method, a silicon wafer is evaluated by subjecting the surface of the silicone wafer to a long-time etching treatment, while using a treatment liquid composed of ammonia, a mixture of hydrogen peroxide and water and by investigating the number of light point defects(LPD) formed on the surface of the silicon wafer and the concentration of ammonia in the treatment liquid is made higher than that of hydrogen peroxide.例文帳に追加

アンモニア、過酸化水素、水よりなる処理液を用いてシリコンウェーハ表面に長時間のエッチング処理を施し、該シリコンウェーハ表面に形成されたＬＰＤの個数を調べることによりシリコンウェーハの評価を行う方法であり、該処理液中のアンモニアの濃度を過酸化水素の濃度よりも高濃度とするようにした。 - 特許庁

This relates to the pick-up method of the minute test piece in charged particle beam device in which a minute test piece and a manipulator are held by a beam assisting deposition film formed by irradiating charged particle beam while supplying a deposition gas, and the minute test piece and the manipulator are separated by removing the beam assisting deposition film by irradiating the charged particle beam while supplying an etching gas.例文帳に追加

本発明は、デポジション用ガスを供給しながら荷電粒子ビームを照射して形成されるビームアシスト堆積膜により微細試料とマニピュレータを保持し、エッチング用ガスを供給しながら荷電粒子ビームを照射してビームアシスト堆積膜を除去することにより微細試料とマニピュレータを分離することに関する。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting element comprises: a second conductivity-type nitride semiconductor layer 6; a light emitting layer 5; and a first conductivity-type nitride semiconductor layer 4, sequentially formed on a holding metal plate 9; and an etching marker layer 3 containing In and formed on the first conductivity-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

保持用金属板９の上方に順次形成された第二導電型窒化物系半導体層６と発光層５と第一導電型窒化物系半導体層４とを含み、第一導電型窒化物系半導体層上に形成されたＩｎを含むエッチングマーカー層３を含む窒化物系半導体発光素子であることを特徴としている。 - 特許庁

A silicon etching liquid containing an alkali compound and a hydroxylamine compound in combination, and having pH adjusted to 11 or higher is applied to a polycrystalline silicon film or an amorphous silicon film, and the polycrystalline silicon film or amorphous silicon film is removed partially or entirely thus forming a capacitor structure which forms an uneven shape becoming a capacitor.例文帳に追加

アルカリ化合物およびヒドロキシルアミン化合物を組み合わせて含み、ｐＨを１１以上に調整したシリコンエッチング液を多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜に適用して、該多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜の一部または全てを除去することにより、キャパシタとなる凹凸形状を形成するキャパシタ構造の形成方法。 - 特許庁

This method for manufacturing the capacitor comprises the steps of; providing a metallic foil; forming dielectrics on the metallic foil; forming a first electrode on a part of the dielectrics; forming a protective coating on a part of the metallic foil that includes the whole dielectrics; and etching the metallic foil to form a second electrode.例文帳に追加

金属箔を提供する工程と、該金属箔の上に誘電体を形成する工程と、該誘電体の一部分の上に第１の電極を形成する工程と、該誘電体全体を含む該金属箔の一部分の上に保護被膜を形成する工程と、該金属箔をエッチングして第２の電極を形成する工程とを含むことを特徴とする、キャパシタを製造する方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, with which a seam part is prevented from being exposed outward by extinguishing the seam part formed in silicon by heat treatment, residue is prevented from being left after a silicon film is etched back, etching can sufficiently be performed and oxidization of the silicon film is prevented at the time of oxidizing the silicon film.例文帳に追加

シリコン内に形成されたシーム部を熱処理により消滅させることにより、シーム部が外部に露出することを防止して、シリコン膜をエッチバックした後に残渣が残ることを防止することができ、また、エッチングを良好に行うことができると共に、シリコン膜上を酸化する際にシリコン膜内も酸化されることを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of repairing a pattern comprises a step of making a portion of the pattern to be removed contain nitrogen and hydrogen, and a step of etching the portion to be removed by exposing the pattern to an atmosphere containing excited oxygen, wherein the hydrogen is introduced into the portion to be removed by ion implantation or laser doping, and the atmosphere contains plasma containing the excited oxygen.例文帳に追加

パターンのうちで除去すべき部分に窒素と水素とを含有させる工程と、パターンを励起された酸素を含む雰囲気に晒すことにより、除去すべき部分をエッチングする工程と、を備え、前記水素は、イオン注入またはレーザドーピングによって除去すべき部分に導入され、雰囲気は、励起された酸素を含有したプラズマを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a direct recovery of an aiming valuable metal from waste water including the metal ion, by an electrolysis process without generating Cl, an electric energy saving in the recovery process by electrolysis, and a method for regenerating an etching solution at the same time when recovering the valuable metal from waste water by electrolysis.例文帳に追加

本発明の課題は、塩素の発生を伴わずに電気分解プロセスによって、金属イオンを含む廃液から目的とする有価金属を直接電解回収すること、および電解回収に際して電気エネルギーの省力化を提案すること、ならびに廃液から有価金属を電解回収することで同時にエッチング液を再生する方法を提案することにある。 - 特許庁

The etchant circulation tank which stores the etchant used for etching of a metallic foil such as a wiring board and has a rectangular shape, comprises at least one partition perpendicularly contacted with one side of an inner wall of the circulation tank, and a circulating pump for circulating the etchant in the circulation tank, outside the circulation tank.例文帳に追加

配線板などの金属箔のエッチングにおいて使用するエッチング液を貯留する矩形のエッチング液循環槽であって、前記エッチング循環槽は当該循環槽の内壁の一辺に垂直に接する少なくとも一つの仕切りを有し、当該循環槽内でエッチング液を循環させる循環ポンプを当該循環槽の外側に有することを特徴とするエッチング液循環槽。 - 特許庁

The method includes: forming patterns on a substrate; forming first photoresist film patterns in regions where the patterns are opened; diffusing the first photoresist film patterns to upper corners of the patterns to form second photoresist film patterns; and etching the patterns using the second photoresist film patterns as an etch-stop layer.例文帳に追加

基板の上部にパターンを形成する段階と、前記パターンがオープンされた領域に第１の感光膜パターンを形成する段階と、前記第１の感光膜パターンを前記パターンの縁部の上部に拡散させて第２の感光膜パターンを形成する段階及び前記第２の感光膜パターンをエッチング防止層として用いて前記パターンをエッチングする段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The antenna coil for the IC card can be manufactured through a step of applying an epoxy resin on the rough surface of the electrolytic copper foil to provide an epoxy resin layer, a step of applying a polyurethane adhesive on the epoxy resin layer to adhere a synthetic resin film thereto, and a step of treating the electrolytic copper foil by resist treatment and etching and forming a specified circuit pattern.例文帳に追加

このようなＩＣカード用アンテナコイルは、電解銅箔の粗面にエポキシ系樹脂を塗布して、エポキシ系樹脂層を設ける工程と、エポキシ系樹脂層上にポリウレタン系接着剤を塗布し、合成樹脂製フィルムを貼合する工程と、次いで、電解銅箔にレジスト処理及びエッチング処理を施して、所定の回路パターンを形成する工程を経て、製造することができる。 - 特許庁

In the vapor phase growth method for epitaxially growing a group III-V compound semiconductor layer on a substrate in a vapor phase growth device by the hydride vapor phase growth method, gas etching is performed in the vapor phase growth device by interrupting the epitaxial growth at least once in the way of epitaxial growth of the group III-V compound semiconductor layer.例文帳に追加

気相成長装置内で基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも１回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。 - 特許庁

As the manufacture, the made through hole is charged with resin paste, and after hardening of the charged resin paste, desmear treatment is applied to the laminate 1, and a metallic plated layer 4 by electrolytic plating method is made on this surface where desmear treatment is applied, and the needless section of the made plated layer 4 is removed by etching to form a wiring pattern.例文帳に追加

製造方法としては、形成したスルーホールに金属粒子を含有する樹脂ペーストを充填し、充填した樹脂ペーストの硬化後に、その積層体にデスミア処理を施して、このデスミア処理の施された表面に電解メッキ法による金属メッキ層（４）を形成し、形成されたメッキ層（４）の不要部分をエッチングにより除去し、配線パターンを形成する。 - 特許庁

In the inkjet head, each plate constituting a channel substrate is formed by etching a substrate comprising single crystal silicon, a part of a diaphragm opposes a part of a restrictor, and the diaphragm is recessed as compared with a diaphragm plate both on the side being bonded to a chamber plate and the side being bonded to a piezoelectric element.例文帳に追加

インクジェット式記録ヘッドにおいて、前記流路基板を構成する前記各プレートは全て単結晶シリコンを有する基板をエッチング加工して形成され、前記振動板の一部と前記リストリクタの一部とが対面してなり、且つ、前記振動板は、チャンバープレートに接合される側及び圧電素子と接合される両面がダイアフラムプレートに比べて凹形状に構成する。 - 特許庁

The process for fabricating a group III nitride based compound semiconductor laser comprises a step for forming a plurality of semiconductor layers composed of a group III nitride based compound semiconductor on a substrate, a step for forming an electrode narrower than the semiconductor layer on the surface thereof, and a step for forming a ridge by etching the semiconductor layer using the electrode as a mask.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体レーザの製造方法において、基板上にIII族窒化物系化合物半導体から成る複数の半導体層を形成する工程と、前記半導体層の表面に、前記半導体層よりも狭い幅を有する電極を形成する工程と、前記電極をマスクとして前記半導体層をエッチングし、リッジ部を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the solar cell provided with the silicon semiconductor substrate having the texture surface comprises the steps of forming a silicide layer 102 on the surface of a silicon semiconductor substrate 100, and forming the texture surface by anisotropic etching porcessing the surface of the silicon semiconductor substrate on which the silicide layer is formed.例文帳に追加

テクスチャ表面を有するシリコン系半導体基板を備える太陽電池の製造方法であって、このシリコン系半導体基板１００の表面にシリサイド層１０２を形成するステップと、このシリサイド層の形成された前記シリコン系半導体基板の表面を異方性エッチング処理してテクスチャ表面を形成するステップと、を備える、太陽電池の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a silicon-based regeneration test wafer or the like includes a step of performing chemical mechanical polishing to one main surface of the wafer having irregularities by the use of a polishing slurry containing floating abrasive particles and a water-soluble polymer after removing a structural layer on a surface of a used test wafer (non-product wafer) to a necessary extent by wet etching.例文帳に追加

本願の一つの発明は、シリコン系再生テスト・ウエハ等の製造方法において、使用済みテスト・ウエハ（非製品ウエハ）の表面の構造層をウエット・エッチングにより、必要な程度、除去した後、凹凸を有するウエハの一つの主面に対して、浮遊砥粒、および水溶性ポリマを含有する研磨スラリを用いた化学機械研磨を実施する工程を含むものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminated structure excellent in the adhesion between a low permittivity first insulating film which can be satisfactorily used for a semiconductor device and a second insulating film which can be satisfactorily used for a Cu diffusion prevention and a stopper at the time of etching, to provide a laminated structure manufactured by the method for manufacturing, and to provide a semiconductor device using the laminated structure.例文帳に追加

半導体装置に好適に使用できる、低誘電率である第１の絶縁膜とＣｕの拡散防止やエッチング時のストッパーに好適に使用できる第２の絶縁膜との密着性に優れた積層構造体を製造する方法、その製造方法により製造された積層構造体、及び積層構造体を用いてなる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The method for forming the isolation film of a semiconductor element comprises a step for forming the isolation film 2 and the masking insulation film 3 sequentially on the silicon substrate 1, a step for forming a trench by etching the specified parts of the masking insulation film 3 and the isolation film 2 sequentially, and a step for completing an epitaxial silicon active region 5 by growing an epitaxial silicon film on the resulting object.例文帳に追加

このための本発明の半導体素子の素子分離膜の形成方法は、シリコン基板1上に分離酸化膜2とマスキング絶縁膜3とを順に形成する段階と、マスキング絶縁膜3と分離酸化膜2との所定部分を順に蝕刻してトレンチを形成する段階と、前記結果物上にエピタキシャルシリコン膜を成長させてエピタキシャルシリコンアクティブ領域5を完成する段階を含む。 - 特許庁

Related to a semiconductor film forming device 800, a film- forming device 870 is integrated with a laser etching device 850 and a substrate is transported by a transportation mechanism 860 in a non-oxidizing atmosphere, so that the surface of an amorphous semiconductor film is never exposed to an oxidizing atmosphere while subjecting to an anneal process after the amorphous semiconductor film is formed on the surface of substrate.例文帳に追加

半導体膜形成装置８００において、成膜装置８７０とレーザエッチング装置８５０とを一体化し、かつ、非酸化性雰囲気中で基板を搬送機構８６０で搬送することにより、基板の表面に非晶質の半導体膜を形成した後、アニール工程を行うまでの間、非晶質の半導体膜の表面を酸化性雰囲気に一切、晒さない。 - 特許庁

To provide a Ge crystal growth method using a cast process, wherein the crystal orientation of the Ge crystal can be freely controlled, and a textured structure uniform in shape and orientation is easily formed within the Ge crystal so that a wafer cut from the Ge crystal may have a textured structure uniform in shape and orientation after it is subjected to a specified etching operation.例文帳に追加

キャスト法を用いたＧｅ系結晶の成長方法において、前記Ｇｅ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｇｅ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｇｅ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。 - 特許庁

The thin metal oxide film element is produced through a step for forming a thin amorphous metal oxide film containing an excess of lead over the stoichiometric composition as a 2nd layer on a 1st layer, a step for etching the thin amorphous metal oxide film and a step for crystallizing the etched thin amorphous metal oxide film by heating.例文帳に追加

第一の層の上に、第二の層として化学量論組成よりも過剰の鉛を含有するアモルファス状金属酸化物薄膜を形成する工程、該アモルファス状金属酸化物薄膜をエッチングする工程、およびエッチングされたアモルファス状金属酸化物薄膜を加熱により結晶化する工程を含むことを特徴とする、金属酸化物薄膜素子の製造方法。 - 特許庁

In a plasma processing apparatus, having a plurality of small electrodes arranged nearly in the same plane, when high frequency powers of different frequencies are applied to the electrodes adjacent to each other, the combination of the electric field strengths generated by respective electrodes can provide electric field strength which is uniform over a large area to improve film thickness distribution and etching speed distribution.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、反応容器内の略同一平面上に配置された複数の小電極に対して、互いに隣接する電極に異なる周波数の高周波電力を印加することで、各々の電極で生じる電界強度を合成して大面積にわたって均一な電界強度を生じさせることが可能となり、膜厚分布やエッチング速度の分布が改善される。 - 特許庁

In the apparatus for removing a photoresist, the photoresist pattern layer of each photoresist laminate unnecessitated after the etching of the photoresist laminate with the photoresist pattern layer formed on a substrate is removed with ozonized water produced by separating raw water and gaseous ozone using a gaseous ozone permeation membrane being gas- permeable but liquid-impermeable and dissolving gaseous ozone in the raw water.例文帳に追加

基盤上にフォトレジストパターン層が形成された、フォトレジスト積層体を、エッチング処理した後、不要となった前記積層体のフォトレジストパターン層を、オゾン水を用いて除去するフォトレジスト除去装置であって、上記オゾン水は、原料水とオゾンガスとを気体のみを通し液体の透過を阻止するオゾンガスを溶け込ますようにして生成することを特徴とするフォトレジスト除去装置。 - 特許庁

As a result, the silicon film becomes an etching stopper in an oxide film removal process and thus the divot can be reduced.例文帳に追加

半導体基板上に形成された素子分離溝内および第１絶縁層上にシリコン膜を形成し酸化すること、または、分離マスク開口部および第１絶縁層上にシリコン膜を形成した後に素子分離溝を形成し、素子分離溝内およびシリコン膜を酸化することを特徴とする半導体装置製造方法により、シリコン膜が酸化膜除去工程でのエッチングストッパーとなりディボットを軽減できる。 - 特許庁

By using a mixed gas composed of CHF_3 and N_2 in forming interconnection grooves 30 on the Cu interconnections 21 by dry-etching a multilayer film including a silicon carbide/nitride film, sidewalls of the interconnection grooves 30 are worked perpendicular and the trouble allowing deposits or the insulating reaction byproducts to adhere on the surface of the Cu interconnections 21 exposed on the bottoms of the interconnection grooves 30 is suppressed.例文帳に追加

炭化窒化シリコン膜を含む積層膜をドライエッチングしてＣｕ配線２１の上部に配線溝３０を形成する際、ＣＨＦ_３とＮ_２とからなる混合ガスを使用することにより、配線溝３０の側壁を垂直に加工すると共に、配線溝３０の底部に露出したＣｕ配線２１の表面に堆積物や反応物が付着する不具合を抑制する。 - 特許庁

To obtain a method by which contact holes 36 and 38 respectively reaching a lower diffusion layer 24, having a lower surface height and a lower wiring layer 26 having a higher surface height can be formed in the same etching step, without making the wiring layer 26 etch excessively, when the wiring layers 24 and 26 are coated with an interlayer insulating film 38 having a flat surface.例文帳に追加

表面高さが低い下部拡散層２４と表面高さが高い下部配線層２６が、表面が平坦な層間絶縁膜３８に被覆されている場合に、それぞれが下部拡散層２４と下部配線層２６に達するコンタクトホール３６と３８を、表面高さが高い下部配線層２６を過剰にエッチングせず、しかも、同一のエッチング工程で形成できる方法を開発する。 - 特許庁

To provide a method for growing an Si-based crystal using the casting method where the crystal orientation of the Si-based crystal can be arbitrarily controlled, where a wafer obtained by cutting the Si-based crystal has a texture structure having a uniform shape orientation after specified etching and where a structure having a uniform shape orientation is simply and easily formed in the Si-based crystal.例文帳に追加

キャスト法を用いたＳｉ系結晶の成長方法において、前記Ｓｉ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｓｉ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｓｉ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。 - 特許庁

The face to be eroded in a sputtering target is subjected to precision machining to reduce working decomposed layers, and, after that, etching time is controlled in such a manner that the surface roughness prescribed by the center line average roughness Ra in the face to be eroded in the target lies in the range of 0.1 to 10% of the average crystal grain size of metallic atoms composing the target.例文帳に追加

スパッタリングターゲットのエロージョンされる面を精密機械加工により加工変質層を低減した後、エッチングにより加工変質層を除去し、さらに前記ターゲットのエロージョンされる面の中心線平均粗さＲａで規定される表面粗さをターゲットを構成する金属原子の平均結晶粒径の０．１％から１０％の範囲となるようにエッチング時間を調整する。 - 特許庁

After a fine opening part 12 reaching an underlayer wiring layer 9 is formed in an interlayer insulation film 10 by anisotropic etching by using a resist mask 11, a buried resist film 13 is formed within the opening part 12 to etch back the entire surface of the interlayer insulation film 10, whereby an upper part having a bowing shape of the opening part 12 is cut off to form a contact hole 14.例文帳に追加

層間絶縁膜１０に、レジストマスクを１１を用いた異方性エッチングにより、下地配線層９に到達する微細な開口部１２を形成した後、開口部１２内に埋め込みレジスト膜１３を形成して層間絶縁膜１０を全面エッチバックすることにより、開口部１２のボーイング形状となった上部を切除してコンタクトホール１４を形成する。 - 特許庁

The plasma etching device comprises a chamber 1 equipped with a dielectric wall 2 that faces a work 7, a flat coil 3 which is outside the dielectric wall 2 to generate an inductive magnetic field for generating plasma, a plate electrode 13 that can function as a Faraday shield provided between the flat coil 3 and the dielectric wall 2, and a heating means 51 for heating the periphery of the dielectric wall 2.例文帳に追加

被加工体７と対向する誘電体壁２を備えたチャンバ１と、誘電体壁２の外部に配設され、プラズマを生成するための誘導磁場を生成する平面状コイル３と、ファラデーシールドとして機能可能な板状電極１３を平面状コイル３と誘電体壁２との間に備え、さらに、誘電体壁２の周縁部を加熱する加熱手段５１が設けられている。 - 特許庁

For example, in a method for manufacturing a microlens array having a plurality of microlenses to be used for a liquid crystal projector, a microlens array with fidelity to a designed feature is manufactured by using a gray scale mask 30 for lithography which has a plurality of correction portions 32 to form an enhancing feature (protruding features) on the borders of the plurality of microlenses and by gray scale lithography techniques and etching techniques.例文帳に追加

例えば、液晶プロジェクタに用いられる複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイの製造方法において、複数のマイクロレンズの境界部に強調形状（突出形状）を形成するための複数の補正部３２を有するグレースケールのリソグラフィ用マスク３０を用いて、グレースケールリソグラフィ技術およびエッチング技術により、設計形状に対して忠実なマイクロレンズアレイを製造する。 - 特許庁

The electrode has a first electrode member 101 for dissolving the object to be etched by electrochemical reaction, and a second electrode member 103 for suppressing the diffusion of an etching region by the first electrode, and has an insulation member 102 formed on the first electrode member 101 or/and second electrode member 103 by a laminate or coating method.例文帳に追加

被エッチング物を電気化学的な反応にて溶解させるための第一の電極部材１０１と、第一の電極部材１０１によるエッチング領域の拡散を抑止するための第二の電極部材１０３を有し、第一の電極部材１０１又は／及び第二の電極部材１０３にラミネート又はコーティング法により形成された絶縁部材１０２を有することを特徴とする。 - 特許庁

In the method for evaluating the Ni contamination in the silicon wafer, the silicon wafer is cleaved, the cleaved silicon wafer is heat-treated, selection etching is made to the cleaved surface of the silicon wafer for forming a shallow etch pit (shallow pit), and the Ni contamination in the silicon wafer is evaluated by observing the shallow etch pit formed on the cleaved surface.例文帳に追加

シリコンウエーハのＮｉ汚染を評価する方法であって、前記シリコンウエーハを劈開し、該劈開したシリコンウエーハに熱処理を行った後、シリコンウエーハの劈開面に選択エッチングを行って浅いエッチピット（シャローピット）を形成し、該劈開面に形成された浅いエッチピットを観察することによってシリコンウエーハのＮｉ汚染を評価することを特徴とするシリコンウエーハのＮｉ汚染の評価方法。 - 特許庁

The manufacturing method for the semiconductor device has a process forming a photo-resist film on a film to be etched 11, a process forming rectilinear resist patterns 50 placed on the film to be etched 11 by exposing and developing the photo-resist film and a process forming a rectilinear pattern 11a by etching the film to be etched 11 while using the resist patterns 50 as masks.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、被エッチング膜１１上にフォトレジスト膜を形成する工程と、フォトレジスト膜を露光及び現像することにより、被エッチング膜１１上に位置する直線状のレジストパターン５０を形成する工程と、レジストパターン５０をマスクとして被エッチング膜１１をエッチングすることにより、直線パターン１１ａを形成する工程とを具備する。 - 特許庁

To stably form a conductive thin film of an element part with good yield by using an ink jet droplet supplying device without depending on a vacuum film formation method or photolithography etching method, for the manufacture of an electron source base plate having a surface conduction type electron emitting element with a large area, and to manufacture an image forming apparatus using the electron source base plate at low cost.例文帳に追加

特に大面積の表面伝導型電子放出素子を有する電子源基板の製造において、素子部の導電性薄膜をインクジェット液滴付与装置を用い、真空成膜法とフォトリソグラフィ・エッチング法によらずに、安定的に歩留まり良く形成することができるようにし、またそれによって電子源基板を有する画像形成装置を低価格で製造できるようにする。 - 特許庁