「etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(400ページ目) - Weblio英語例文検索

The resist pattern formed on a board comprises a first resist layer made of an organic material having high solubility in water or a solvent containing water as a main component, a second resist layer made of an organic material having high light absorbability to an exposure wavelength, and a third resist layer formed on the second resist layer and made of an organic material having high resistance to dry etching of at least three layers.例文帳に追加

基板上に形成されたレジストパターンであって、前記レジストパターンは、有機溶剤、水または水を主成分とする溶剤に対する溶解度の高い有機材料からなる第１のレジスト層と、前記第１のレジスト層上に形成され、露光波長に対する吸光性の高い有機材料からなる第２のレジスト層と、前記第２のレジスト層上に形成され、ドライエッチングに対する耐性の高い有機材料からなる第３のレジスト層と、の少なくとも３層を有してなる。 - 特許庁

When the protective layer is used as an etching stopper, a TFT having an LDD structure by self-aligned process using a sidewall 126 is arranged in a peripheral drive circuit, and a TFT having an LDD structure by nonself-aligned process using an insulator 125 is arranged in a pixel matrix section.例文帳に追加

耐熱性の高いＴａ膜またはＴａを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護層で覆うことで、高温（４００〜７００℃）での加熱処理を施すことが可能となり、且つ保護層をエッチングストッパーとして用いることで周辺駆動回路部においては、サイドウォール１２６を用いた自己整合プロセス（セルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する一方、画素マトリクス部においては、絶縁物１２５を用いた非自己整合プロセス（ノンセルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する - 特許庁

In the process of forming the condenser lens, when a resist pattern is transferred on a lens base for forming the lens, an etching selectivity between the resist pattern and the lens base is adjusted, thereby patterning the lens base so as to have a desired curvature.例文帳に追加

半導体基板上に、光電変換部と前記光電変換部で生成された電荷を転送する電荷転送部とを備えた撮像部を形成する工程と、前記撮像部上に、平坦化膜を介して形成された集光レンズを形成する工程とを具備した固体撮像素子の製造方法において、集光レンズを形成する工程が、レンズを形成するためのレンズ基体にレジストパターンを転写するに際し、レジストパターンとレンズ基体とのエッチング選択比を調整することにより、レンズ基体を、所望の曲率にパターニングする。 - 特許庁

A method for fabricating a cellular trench MOSFET includes depositing a first photoresist atop a first epitaxial (epi) layer to pattern a trench area, depositing a second photoresist atop a first gate conductor layer to pattern a mesa area, etching away part of the first gate conductor layer in the mesa area to form a second gate conductor layer with a hump, and titanizing crystally the second gate conductor layer to form a Ti-gate conductor layer.例文帳に追加

多孔質のＭＯＳＦＥＴの製造方法は、トレンチ領域をパターニングするために第１のエピタキシャル（エピ）層の上に第１のフォトレジストを堆積する段階と、メサ領域をパターニングするために第１のゲート導体層の上に第２のフォトレジストを堆積する段階と、ハンプを有する第２のゲート導体層を形成するために前記メサ領域の前記第１のゲート導体層の部分をエッチング除去する段階と、Ｔｉゲート導体層を形成するために前記第２のゲート導体層を結晶的にチタン化する段階と、を含む。 - 特許庁

The method for making cross-sectional observation samples includes covering a top of a work piece with a shield plate, and etching an unshielded part with ion beam irradiation to form a mirror polished part, in which the work piece includes two samples, and ion beam-irradiated portions of the two samples are placed in contact with or close to each other and arranged perpendicularly to or in parallel with the irradiation direction of the ion beam.例文帳に追加

被加工物の上部を遮蔽板で覆い、非遮蔽部をイオンビーム照射によりエッチングして鏡面研磨部を形成する断面観察試料の作製方法であって、前記被加工物が、２個の試料よりなり、前記２個の試料のイオンビーム照射される部分が、互いに密着又は近接して配置されており、かつ、イオンビームの照射方向に直交する方向、又は、イオンビームの照射方向に平行な方向に並べられていることを特徴とする断面観察試料の作製方法。 - 特許庁

The manufacturing method for the circuit board having an electrode wiring formed at a surface part of a substrate and an electro-thermal conversion element with a heating resistor film formed on the electrode wiring for generating heat energy comprises the steps of forming an electrode wiring layer for forming the electrode wiring, forming the heating resistor film and etching the electrode wiring layer and the heating resistor film altogether to form the electrode wiring.例文帳に追加

基板の表面部に形成された電極配線と、該電極配線上に形成された熱エネルギーを発生するための発熱抵抗体膜を有する電気熱変換素子と、を有する回路基板の製造方法であって、前記電極配線を形成するための電極配線層を形成し、前記発熱抵抗体膜を成膜した後、前記電極配線層と発熱抵抗体膜を一括エッチングすることにより、前記電極配線を形成することを特徴とする回路基板の製造方法である。 - 特許庁

The film carrier tape for mounting electronic component 10 having a mounting unit where a wiring pattern 22 is formed on a substrate by etching and the final defect marking method of the film carrier tape for mounting electronic component are characterised in that the unit has a target mark 30 being a reference for positioning to perform final defect marking in the target position on the mounting unit by a marking means.例文帳に追加

基材上にエッチングにより配線パターン２２を形成した実装ユニットを有する、電子部品実装用フィルムキャリアテープ１０であって、前記実装ユニットは、前記エッチングにより前記基材上に形成したパターンとして、マーキング手段により前記実装ユニット上の目標位置に最終不良マーキングを行うための位置合わせの基準となるターゲットマーク３０を有することを特徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープ、および電子部品実装用フィルムキャリアテープの最終不良マーキング方法。 - 特許庁

When an ashing or etching is performed, high frequency power is supplied from the first high frequency power source 20 to the upper electrode 11, and from the second high frequency power source 22 to the susceptor 4.例文帳に追加

本発明のエッチング兼アッシング装置１は、チャンバー２内の上部電極１１と、この下方に対向して配設され且つウエハＷを載置するサセプタ４と、これら両者１１、４それぞれに第１、第２の高周波電力を印加する第１、第２の高周波電源２０、２２と、アッシング用ガス及びエッチング用ガスを供給する処理ガス供給源１６とを備え、アッシング時またはエッチング時には第１の高周波電源２０から上部電極１１に高周波電力を印加すると共に第２の高周波電源２２からサセプタ４に高周波電力を印加する。 - 特許庁

Using the protection layer as an etching stopper, the process includes, in producing a peripheral driving circuit structure, arranging TFTs having an LDD structure through self-alignment process using sidewalls 126, while, in producing a pixel matrix, arranging TFTs having an LDD structure through non-self-alignment process using insulators 125.例文帳に追加

耐熱性の高いＴａ膜またはＴａを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護層で覆うことで、高温（４００〜７００℃）での加熱処理を施すことが可能となり、且つ保護層をエッチングストッパーとして用いることで周辺駆動回路部においては、サイドウォール１２６を用いた自己整合プロセス（セルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する一方、画素マトリクス部においては、絶縁物１２５を用いた非自己整合プロセス（ノンセルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する - 特許庁

This pattern forming method includes (i) a step of forming a resist pattern on a support body using resist composition, (ii) a step of forming coating for pattern reversal by applying the material for forming a reverse pattern to the support body on which the resist pattern is formed, and (iii) a step of forming the reverse pattern by removing the resist pattern by etching.例文帳に追加

支持体上に、レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する工程（ｉ）と、前記レジストパターンが形成された前記支持体上に、反転パターン形成用材料を塗布してパターン反転用被膜を形成する工程（ｉｉ）と、前記レジストパターンをエッチングにより除去し、反転パターンを形成する工程（ｉｉｉ）と、を備えるパターン形成方法であって、前記反転パターン形成用材料が、下記式（ｘ０−１）で表される構成単位を有し、シリコン含有量が１５質量％超のシロキサンポリマーを含有することを特徴とする。 - 特許庁

The conductive layer may be formed by etching a metal foil by arranging thin metal wires substantially in parallel, by combining a plurality of wiring bodies arranged with thin metal wires substantially in parallel to conduct each other, by printing conductive ink, by coating a transparent substrate with photosensitive conductive ink and patterning the ink through exposure and development, or by metal plating a woven cloth produced by plain weaving short synthetic fibers.例文帳に追加

前記導電層は、金属箔をエッチングすることにより形成したもの、金属細線を略平行に配列したもの、あるいは金属細線を略平行に配列した複数の配線体を互いに導通するように組み合わせることにより形成したもの、導電性インクを印刷することにより形成したもの、感光性導電性インクを透明基板に塗布し、露光、現像によりパターン形成したもの、合成繊維の短繊維を平織りした織布に金属めっきを施したものとすることができる。 - 特許庁

The method also includes a step of exposing the resist film at an upward angle of 50°-70° from the mask and developing the exposed resist film, a step of etching the exposed part of the metallic film after development, and a step of removing the resist film left on the metallic film.例文帳に追加

圧電素子の導電膜が均一の膜厚であり、且つ導電膜の構造中に接合部分がなく一体形成である圧電素子上の導電膜であり、その製造方法は、圧電素子全面に金属膜を均一な膜厚で形成する工程と、この金属膜上にレジスト膜を均一な膜厚で形成する工程と、レジスト膜の主面上に、マスクを配置する工程と、マスクに対し上方５０°〜７０°の角度で露光し現像する工程と、現像後に露出した部分の金属膜をエッチングする工程と、残った金属膜上のレジスト膜を除去する工程からなる。 - 特許庁

A process of fabrication of keyboard switches wherein a masking layer, composed of material without affinity toward elastomer resin, is placed on a metal plate, after etching the indentations on the metal plate surface, filling the indentations up to the level of the surface of the masking, followed by removal of the masking layer and forming the elastomer projections and the flat electrode with electrical contact members, and laminate the said flat electrode and membrane electrodes ascertaining that the electrical contact members and the membrane electrodes oppose one another. 例文帳に追加

金属板の表面にエラストマー樹脂に対して親和性のない材料からなるマスク層を形成し、露出した金属板表面をエッチングして凹部を設けたのち、該凹部にエラストマー樹脂をマスク層の表面に至るまで充填し、次いで該マスク層を除去してエラストマー樹脂からなる所定の突出絶縁部と、それ以外の電気接点部とを有する電極板を形成し、該電極板と薄膜電極を有する基板とを、電気接点部と薄膜電極とが対向するよう積層一体化させることを特徴とするキーボードスイッチの製造方法。 - 特許庁

The substrate for an electrophotographic photoreceptor is obtained by subjecting the photosensitive layer side surface of an aluminum or aluminum alloy substrate to etching with an acid and/or an alkali, a chemical conversion treatment with an acidic aqueous solution containing a metal salt of titanium or zirconium and an aftertreatment with a silicate solution, and the photosensitive layer side surface of the substrate comprises aluminum, oxygen and titanium, or aluminum, oxygen and zirconium.例文帳に追加

該基体がアルミニウムまたはアルミニウム合金でありかつ、該基体の感光層側の表面を酸またはアルカリあるいはアルカリと酸の両方を使用してエッチング処理を行った後にチタニウムまたはジルコニウムの金属化合物の金属塩を含有する酸性水溶液で化成処理した後に更にケイ酸塩の溶液にて後処理することを特徴とする電子写真感光体の製造方法、およびこの方法により製造された感光層側の表面にアルミニウム、酸素およびチタニウムまたはアルミニウム、酸素およびジルコニウムを含有する電子写真感光体用基体、並びに該感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置。 - 特許庁

An escape groove is formed in the outer circumference of the reference hole by providing insular correction mask portions at positions opposite to the (111) plane in the opening of the mask in the step of forming the mask, and then removing the correction mask portions 142a and 142c by etching the object substrate anisotropically in the step of forming the escape groove.例文帳に追加

基板に、基準孔よりも広い開口部１４１を有するマスク１４０を、前記開口部が前記基準孔３２に対向するように設けるマスク形成工程と、前記開口部を介して前記基板を異方性エッチングすることにより、前記基準孔の外周に接着剤の逃げ溝３３を形成する逃げ溝形成工程を備え、前記マスク形成工程では、前記マスクの前記開口部内の前記（１１１）面に対向する位置に、島状の補正マスク部を設け、前記逃げ溝形成工程で、当該補正マスク部１４２ａ、１４２ｃは、前記対象基板の異方性エッチングによりエッチングされ除去されることにより、前記基準孔の外周に逃げ溝が形成される。 - 特許庁

Subsequently, the first and second resin base materials 15 thus integrated are cut in a desired thickness, and the first and second resin base materials 17 thus integrated are immersed in etching liquid in order to dissolve the metal wires 19 thus producing a resin base material 18 having a through hole of a minute diameter.例文帳に追加

本発明の一実施形態によれば、第１の樹脂基材１３の一平面に所望の微細径の金属線１９を所望のピッチで配設し、前記金属線１９が配設された第１の樹脂基材１３の一平面と、前記第１の樹脂基材と同じ材質からなる第２の樹脂基材１４の一平面とを、前記第１および第２の樹脂基材の材質を主成分とする接着剤を介して接着して一体化し、一体化された前記第１および第２の樹脂基材１５を所望の厚さに切断し、一体化された前記第１および第２の樹脂基材１７をエッチング液に浸漬して前記金属線１９を溶解すること、を備えることを特徴とする微細径貫通孔を有する樹脂基材１８の製造方法が提供される。 - 特許庁