「etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(396ページ目) - Weblio英語例文検索

This etching agent composition for a thin film having high permittivity is HfO_2 and/or HfSiON being an aqueous solution comprising one or more kinds of organic acid selected from oxalic acid, citric acid, malonic acid and succinic acid, or an inorganic acid being sulfuric acid and/or hydrochloric acid, and a fluorine compound being one or more kinds selected from ammonium fluoride, ammonium hydrogen fluoride and tetramethylammonium fluoride.例文帳に追加

シュウ酸、クエン酸、マロン酸およびコハク酸から選ばれる１種以上の有機酸または硫酸および/または塩酸である無機酸とフッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウムおよびフッ化テトラメチルアンモニウムから選択される１種以上であるフッ素化合物からなる水溶液であるＨｆＯ_２および/またはＨｆＳｉＯＮである高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。 - 特許庁

By applying anticorrosion potential to the emitter electrode 116 in a state that this field emission type electron emission element 100 is immersed in the etching solution 160 having a dissolution ratio of the gate electrode 110 to an unnecessary electron emission material 118 is 1:10 or more, the dissolution of the emitter electrode 116 is suppressed, and the unnecessary electron emission material 118 is dissolved and removed.例文帳に追加

ゲート電極１１０と、不要な電子放出材料１１８との溶解比が１対１０以上のエッチング液１６０中に電界放出型電子放出素子１００を浸した状態で、エミッタ電極１１６に防食電位を印加することによって、エミッタ電極１１６の溶解を抑制するとともに、不要な電子放出材料１１８を溶解し、除去する。 - 特許庁

The platinum is worked to the prescribed shape by dry etching the platinum by a gaseous mixture containing rare gas, gaseous SF6 and gaseous Cl2 and after the platinum is worked to the prescribed shape by the method descried above, the mask is treated with an aqueous acidic solution in order to remove the reaction product derived from the platinum and gaseous mixture sticking to the mask.例文帳に追加

希ガス、ＳＦ_6ガス及びＣｌ_2ガスを含む混合ガスにより、白金をドライエッチングして所定の形状に加工することにより、ならびに前記方法により白金を所定の形状に加工した後、マスクに付着した白金及び混合ガス由来の反応生成物を除去するために、酸性水溶液でマスクを処理することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor laser device comprises a process of forming a laser wafer by laminating a plurality of layers on a substrate, a process of forming a plurality of recesses nearly in parallel with the laser wafer, an etching process of dipping the laser wafer in an etchant, and process of dividing the laser wafer along the recesses into a plurality of bar-like bodies.例文帳に追加

本発明による半導体レーザ素子の製造方法は、基板上に複数の層を積層してレーザウェハを形成する工程と、前記レーザウェハに略平行な複数の溝を形成する工程と、前記レーザウェハをエッチング溶液に浸漬するエッチング工程と、前記レーザウェハを前記溝に沿ってバー状成形体に分割する工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

The method includes steps of: consecutively disposing a phase shift layer pattern and a light shielding layer pattern over a transparent substrate to form a photomask and forming a resist layer over the entire surface of the photomask having a defective pattern causing a bridge between neighboring portions of the phase shift layer pattern; exposing the defective pattern by etching the resist layer; and removing the exposed defective pattern.例文帳に追加

透明基板上に位相反転膜パターン及び光遮蔽膜パターンを順次に配置してフォトマスクを形成し、隣接する位相反転膜パターンをブリッジさせる不良パターンの生じたフォトマスク全面にレジスト膜を形成する段階と、レジスト膜をエッチングして不良パターンを露出させる段階と、露出した不良パターンを除去する段階と、を含む構成とした。 - 特許庁

This method removes in advance a surface oxide layer 22 on a template substrate having a nitride aluminum crystal layer 21 on the surface of a nitride aluminum single crystal substrate or a substrate 23 employing sapphire as a base material through etching by halogen like chlorine gas and then epitaxially grows a group III nitride like a nitride aluminum film 24 on the corresponding substrate to form a group III nitride and a laminated substrate.例文帳に追加

窒化アルミニウム単結晶基板やサファイア等の母材基板２３表面に窒化アルミニウム結晶層２１を表面に有するテンプレート基板の表面を予め塩素ガスなどのハロゲンガスでエッチング処理して表面酸化層２３を除去し、次いで該基板上に窒化アルミニウム膜２４などのIII族窒化物をエピタキシャル成長させてIII族窒化物並びに積層基板を製造する。 - 特許庁

The transparent electromagnetic wave shielding composite material is composed of a resin film, a processed conductive layer consisting of copper 100 to 2000 Å thick formed on the surface of the resin film, and an electrolytic plating copper thin film layer 1 to 20 μm thick formed on the conductive layer, and the overall light transmission of the resin film subjected to etching is 80% or above.例文帳に追加

樹脂フィルム、該樹脂フィルム上に形成された１００乃至２０００Åの厚みの銅から成る導電処理層、該導電処理層上に形成された１乃至２０μｍの厚みの電解めっき処理による銅薄膜層から成り、該樹脂フィルムのエッチング処理後の全光線透過率が８０％以上であることを特徴とする透明電磁波シールド用複合材。 - 特許庁

On the printed board 4, the circuit patterns are formed in the expected pattern width by alternating a process of blowing an etchant from an etching nozzle (liquid chemical nozzle) 1 onto the printed board 4 which is being carried and a process of blowing air from an air nozzle 11 onto the printed board 4 so that the etchant is removed from on the printed board 4.例文帳に追加

搬送状態にあるプリント基板４上にエッチングノズル（薬液ノズル）１よりエッチング液を吹き付ける工程と、該エッチング液がプリント基板４上から除去されるべく、プリント基板４上にエアーノズル１１より気体を吹き付ける工程とが交互に繰返されるようにして、プリント基板４上に回路パターンが所期のパターン幅として形成されるようにしたものである。 - 特許庁

Using a photoresist film 3e, which is a mask for etching/ removing a gate insulating film 7a in a formation region of a relatively thin gate insulating film, an impurity for adjusting the threshold voltage of an n- channel type field effect transistor and p-channel type field effect transistor having a relatively thin gate insulating film, is introduced in batch in a semiconductor substrate 1 exposed there.例文帳に追加

相対的に薄いゲート絶縁膜の形成領域におけるゲート絶縁膜７ａをエッチング除去するためのマスクであるフォトレジスト膜３ｅを用いて、そこから露出する半導体基板１に相対的に薄いゲート絶縁膜を持つｎチャネル型電界効果トランジスタおよびｐチャネル型電界効果トランジスタのしきい値電圧調整用の不純物を一括して導入する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the surface acoustic wave device, first electrode layers 2a on the electrode pad are formed on the piezoelectric substrate 1 through etching operation; after the layers 2a have been formed, electrodes 5a for a surface acoustic wave element are formed by the lift-off method; and an electrode film which comprises second electrode layers 7a and wiring electrodes 7a on the electrode pad are formed.例文帳に追加

圧電基板１上に電極パッドの第１の電極層２ａをエッチングにより形成し、第１の電極層２ａを形成した後に、弾性表面波素子用電極５ａをリフトオフ法により形成し、しかる後電極パッドの第２の電極層７ａ及び配線電極７ｂを有する電極膜を形成する、弾性表面波装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a substrate for manufacturing carbon nanotube which is capable of protecting a catalyst metal from damage caused by plasma, etc., suppressing the aggregation of the catalyst metal and growing the carbon nanotube using the fine catalyst metal exposed by etching with the plasma as a nucleus and a method manufacturing the carbon nanotube using the substrate.例文帳に追加

プラズマなどのダメージから触媒金属を保護し、触媒金属の凝集を抑制するとともに、プラズマを用いたエッチングで触媒金属を微細な状態で露出させ、その露出された微細な触媒金属を核としてカーボンナノチューブを成長させることができるカーボンナノチューブ製造用基板と、このような基板を用いたカーボンナノチューブの製造方法を提供する。 - 特許庁

According to the method of manufacturing semiconductor device, the method of manufacturing semiconductor device using the Ru film as the electrode is characterised by including the steps of coating a resist on the Ru film, forming a pattern of the relevant resist, etching the Ru film based on the pattern, and removing the resist using simple substance of oxygen gas.例文帳に追加

本発明に半導体装置の製造方法によれば、電極としてＲｕ膜を用いた半導体装置の製造方法において、前記Ｒｕ膜上にレジストを塗布する工程と、当該レジストをパターン形成する工程と、該パターンに基づいて前記Ｒｕ膜をエッチングする工程と、酸素単体ガスを用いてレジストを除去する工程とを包含することを特徴とする。 - 特許庁

Since incident ion charges escape through the first and second P-type diffusion layers 7 and 11 at dry etching for the formation of the metal wirings, charge up will not take place on the first and second gate electrodes 4 and 6 or the characteristics will not become unbalanced by charge up and thereby no difference appears in the characteristics between transistors.例文帳に追加

上記構成をとることにより金属配線を形成する時のドライエッチングを行っても、入射イオン電荷が第一のＰ型拡散層７および第二のＰ型拡散層１１を通じて逃れるので第一のゲート電極４と第二のゲート電極６がチャージアップしない、あるいはチャージアップしてもアンバランスが生じないためトランジスタ間の特性に差が発生しない。 - 特許庁

To obtain a low-cost and high-performance semiconductor integrated circuit and its manufacturing method by preventing production of drum shapes in a second insulating layer which insulates conductive layers, by etching in lateral direction in a multilayer wiring construction in which layers including conductive layers as wiring are formed in multilayer, by interposing a first insulating layer made mainly of organic polymer film.例文帳に追加

配線となる導電層を含む層状部分が、有機高分子膜を主材料とする第一絶縁層を介在して多層的に形成された多層配線構造において、横方向エッチングによって導電層間を絶縁する第二絶縁層に太鼓形状が生じることを防止し、低コストで高性能な半導体集積回路およびその製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

The method for preventing bending of an SOI layer comprises a step for forming an SOI substrate including a lower silicon layer 110, a buried silicon oxide layer 111, an SOI layer 123, and a nitrogen containing layer 131 between the buried silicon oxide layer and the SOI layer, and a step for forming an isolation trench by etching the SOI layer.例文帳に追加

下部シリコン層１１０、埋め込み酸化シリコン層１１１、およびＳＯＩ層１２３を含み、かつ前記埋め込み酸化シリコン層と前記ＳＯＩ層との間に窒素含有層１３１を含むＳＯＩ基板を形成する段階と、前記ＳＯＩ層をエッチングして素子分離用トレンチを形成する段階とを含むことを特徴とするＳＯＩ層ベンディング防止方法である。 - 特許庁

This residual liquid for removing the residue existing on the semiconductor substrate after dry etching and/or ashing does not contain a fluorine compound, and contains at least one kind of a neutral organic compound having two or more oxygen atoms which can be coordinated to copper and/or mono alcohol with C4 or more and water, or contains perchlorate and water.例文帳に追加

ドライエッチング及び／又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣の除去液であって、フッ素化合物を含まず、銅に配位し得る２以上の酸素原子を有する中性有機化合物及び／又はＣ４以上のモノアルコールのうち少なくとも１種と、水とを含むことを特徴とする残渣除去液、或いは、過塩素酸塩と水とを含むことを特徴とする残渣除去液に関する。 - 特許庁

This infrared light source device having a filament formed in a micro-bridge shape on a substrate, for emitting an infrared ray by energizing the filament and generating heat therefrom is characterized by being equipped with the etching-formed filament comprising deposited polysilicon to which an impurity is added simultaneously so that the impurity concentration becomes equal in the thickness direction.例文帳に追加

基板にマイクロブリッジ状に形成されるフィラメントを有し、このフィラメントに通電して発熱させることにより赤外線を発光させる赤外線光源装置において、 厚さ方向に不純物濃度が均等になるように不純物が添加されつつ堆積されたポリシリコンからなりエッチング形成されたされてエッチング形成されフィラメントを具備したことを特徴とする赤外線光源装置である。 - 特許庁

This invention relates to a method of separating two material systems, which comprises steps of providing a bulk sapphire; forming a nitride system on the bulk sapphire; forming at least two hollow passages between the bulk sapphire and the nitride system; etching at least one inner surface of the hollow passages; and separating the bulk sapphire and the nitride system.例文帳に追加

本発明の一実施例による二種類の材料系の分離方法は、サファイアバルクを提供するステップと、サファイアバルク上に窒化物系を形成するステップと、サファイアバルクと窒化物系との間に少なくとも二つの中空通路を形成するステップと、中空通路のうち少なくとも内表面をエッチングするステップと、サファイアバルクと窒化物系を分離するステップと、を含む。 - 特許庁

The method for evaluating an octahedral void of a silicon wafer detected as a light scattering body using a light scattering type surface inspection apparatus sequentially and repeatedly performs steps of a) detecting the light scattering body on the silicon wafer, b) forming an oxide film on the silicon wafer, and c) removing the oxide film on the silicon wafer by an acid etching treatment.例文帳に追加

光散乱式表面検査装置を用いて、光散乱体として検出するシリコンウエハの八面体ボイドの評価方法において、ａ）前記シリコンウエハ表面の光散乱体を検出する工程、ｂ）前記シリコンウエハ表面に酸化膜を形成する工程、ｃ）前記シリコンウエハ表面の酸化膜を、酸系エッチング処理により除去する工程の各工程を順次繰り返し行う。 - 特許庁

To provide an opal finishing ink set and a manufacturing method of an opal-finished fabric using it allowing stable and continuous processing by an inkjet method and producing an opal-finished fabric, wherein acid-resistant fiber such as silk and synthetic fiber and cellulose fiber such as cotton and rayon are used together while etching and dyeing are carried out by the inkjet method, with good design.例文帳に追加

インクジェット方式による安定した連続加工が可能であり、かつ、インクジェット方式により抜蝕と染色がなされ、意匠性に優れた、絹や合成繊維等の耐酸性繊維と綿やレーヨン等のセルロース系繊維との混用布帛のオパール加工布帛を得ることが出来る、オパール加工用インクセットおよびそれを用いたオパール加工布帛の製造方法を提供することである。 - 特許庁

In the detector for detecting the movement of gas which is generated in between a comparison chamber with infrared light passing through a sample incident thereon, and a reference chamber with infrared light which is not absorbed by the sample by a flow sensor, the comparison chamber, the reference chamber, and the flow sensor are formed three-dimensionally through etching and pattern formation.例文帳に追加

試料を透過した赤外光が入射される比較室と、前記試料の吸収を受けない赤外光が入射される基準室との間に生じるガスの移動をフローセンサで検出する検出器において、エッチングおよびパターン成形により、前記比較室と前記基準室と前記フローセンサが基板中に立体形成されたことを特徴とする検出器。 - 特許庁

To provide a cleaning composition which can prevent corrosion of the metal layer on a semiconductor substrate, especially of titanium nitride, and can sufficiently remove plasma etching residue or ashing residue produced in the production process thereof by solving a problem peculiar to a cleaning composition containing a hydroxylamine compound adjusted substantially to neutral, and to provide a cleaning method using the cleaning composition and a method of manufacturing a semiconductor element.例文帳に追加

実質的に中性に調整されたヒドロキシルアミン化合物を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning agent for a magnetic disk having proper etching characteristics without deteriorating flatness of a magnetic disk substrate surface, exhibiting good dispersibility of particles eliminated from the substrate surface, achieving excellent particle removing characteristics, and enabling very efficient advanced cleaning allowing improvement of an yield in production and cleaning in a short time.例文帳に追加

磁気ディスク基板表面の平坦性を損ねることなく適度なエッチング性を有すると共に基板表面から脱離したパーティクルの分散性も良好であり、優れたパーティクルの除去性を実現し、製造時における歩留まり率の向上や短時間での洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする磁気ディスク用基板洗浄剤を提供する。 - 特許庁

Further, in the method of producing the aluminum composite material, a surface finish stage where the surface of the aluminum alloy base material 2 after machining is eroded with a prescribed etching liquid 16 is performed, so that the amount of the aluminum alloy base material 2 to be eroded can relatively easily be controlled, and the surface structure 15 in which the lubricative granules 6 are projected to the surface can properly be formed.例文帳に追加

また、このアルミニウム複合材を、機械加工後のアルミニウム合金基材２の表面を、所定のエッチング液１６によって浸食する表面仕上げ工程を行う製造方法としたことにより、比較的容易にアルミニウム合金基材２の浸食量を調整でき、前記の潤滑性粉粒６が表面に突出する表面構造１５を適正に形成できる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can form a sidewall in a predetermined designed width even if an occupied area of a mask in a chip is different according to the type of a device when the sidewall of a MOS transistor is formed with a polysilicon capacity storage electrode of an already formed DRAM used as the mask by anisotropic etching in a logic circuit of a DRAM-containing system LSI.例文帳に追加

ＤＲＡＭ内蔵型システムＬＳＩのロジック回路部において、ＭＯＳトランジスタのサイドウォールを、すでに形成されているＤＲＡＭのポリシリコン容量蓄積電極をマスクとして異方性エッチングで形成する際など、マスクのチップ内占有率がデバイス品種により異なっても、サイドウォールを一定の設計幅に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for laser-aid working comprises the steps of converging and irradiating laser beams 2 to the material 1 to be worked and made of a transparent material, scanning the irradiating positions of the beams 2 in the material 1 by including at least one position disposed on the surface of the material 1, and removing the part irradiated with the beam 2 of the material 1 by etching to form the holes.例文帳に追加

透明材料からなる被加工材料１に対し、レーザビーム２を集光して照射し、このレーザビーム２の照射位置を被加工材料１内において、少なくとも１箇所は被加工材料１の表面上である位置を含めて走査させ、この被加工材料１のレーザビーム２が照射された部分を、エッチング処理により取り除き、孔を形成する。 - 特許庁

The patterned metal oxide thin film or metal oxide composite thin film is formed by using the composition for a metal oxide thin film prepared by dissolving a metal salt of unsaturated carboxylic acid having at least 9 carbon atoms in a solvent, applying the obtained composition on a substrate, irradiating the composition with light, etching with a solvent and then calcining.例文帳に追加

少なくとも炭素数が９以上の不飽和カルボン酸の金属塩を溶媒中に溶解させた金属酸化物薄膜用組成物を用い、この金属酸化物薄膜用組成物を基板に塗布し、光照射して、溶剤によるエッチング後に焼成することにより、パタ−ン化された金属酸化物薄膜または金属酸化物複合体薄膜を形成する。 - 特許庁

In the case of the surface emitting laser, since a problem such as grid mismatching, etc., is generated when an epitaxial layer is grown on an Si substrate, the epitaxial layer 14 is grown on the substrate of a Gas substrate 11, e.g. it is joined onto the Si substrate upside down to form the element 2 and then the block 1 is formed and divided by Si anisotropic etching.例文帳に追加

面発光レーザの場合、エピタキシャル層をＳｉ基板上で成長させると、格子不整合等の問題が生じるため、例えばＧａＡｓ基板１１基板上にエピタキシャル層１４を成長させ、それを逆向きにしてＳｉ基板１７上に接合し、面発光レーザ素子２を成形してから、異方性エッチングによりＳｉ製ブロック１を成形・分割する。 - 特許庁

In the floating gate forming method of a flash memory element, by removing an oxynitride film for hard mask through multi-strip, seams are prevented from occurring in poly deposition for the floating gate, and by blank-etching of poly for the foating gate and making the upper end of the poly for the floating gate round, a void is prevented from occurring in poly deposition for a control gate.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法において、ハードマスク用窒化膜をマルチストリップを通じて除去することにより、フローティングゲート用ポリ蒸着時にシームが発生することを防止し、フローティングゲート用ポリをブランクエッチングしてフローティングゲート用ポリの上端の角部を丸くすることにより、コントロールゲート用ポリ蒸着時にボイドが発生することを防止する。 - 特許庁

A three-dimensional structure 3, having an effective refractive index determined by proportionally distributing a refractive index of a material and that of space based on the area ratio, is formed by preparing a substrate having an electrical insulating layer with a semiconductor material deposited thereon, for example, an SOI (silicon on insulator) substrate composed of silicon wafer/silicon oxide layer/silicon layer, and etching the semiconductor material.例文帳に追加

電気絶縁層の上に半導体材料が成膜された基板、例えば、シリコンウエハ／シリコン酸化層／シリコン層からなるＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）基板を用意し、半導体材料にエッチングを施して、材料の屈折率および空間の屈折率を面積比率で比例配分することにより定まる実効屈折率を有する三次元構造体３を形成する。 - 特許庁

To provide a new polymerizable monomer having a high transparency and a low refraction index in such a wide wavelength range as from a vacuum ultraviolet ray to an optical communication wavelength area and further having high adhesion to substrates, high film-forming property and high etching resistance, which can be attained by allowing a polar group to contain in the same molecule even under a high fluorine content, and to provide a polymer compound using the monomer.例文帳に追加

高いフッ素含量を有しながら、同一分子内に極性基を持たせることで、幅広い波長領域すなわち真空紫外線から光通信波長域にいたるまで高い透明性と低屈折率性を有し、かつ基板への密着性、高い成膜性、エッチング耐性を併せ持つ新規な重合性単量体およびそれを用いた高分子化合物を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the mesh member for screen printing, a plurality of holes are made in the metal foil by etching and the mesh member for screen printing is manufactured in the condition that, after applying the photoresist on the metal foil having the thickness of 5-50 μm, an energy amount when the shape of the hole on an exposure mask is exposed is 120-240 mJ/cm^2.例文帳に追加

本発明のスクリーン印刷用メッシュ部材の製造方法は、エッチングによって金属箔に多数の孔開け加工してスクリーン印刷用メッシュ部材を製造するに当り、厚さが５〜５０μｍの金属箔にフォトレジストを塗布した後に、露光用マスクに描画した孔の形状を露光するときのエネルギー量を１２０〜２４０ｍＪ／ｃｍ^2として操業する。 - 特許庁

A metal film 11 is formed on a prepared wafer 10, etching the metallic film 11 forms IDTs 2 and reflectors 3, the frequency is adjusted by trimming a piezoelectric substrate 10a and the IDTs 2 which are part of the wafer 10, the surface of the IDTs 2 are rapidly modified through heat treatment under an oxygen atmosphere, to form a modified layer so as to stabilize the characteristics.例文帳に追加

ウエハ１０を用意し、ウエハ１０上に金属膜１１を形成し、金属膜１１をエッチングしてＩＤＴ２及び反射器３を形成し、ウエハ１０の一部である圧電基板１０ａ及びＩＤＴ２をトリミングして周波数を調整し、ＩＤＴ３表面を酸素雰囲気中での熱処理により急速に変質させて変質層を形成して特性を安定させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display device, capable of reducing the connection resistance of a pixel electrode and a drain electrode through a interlayer insulating film, and also, capable of satisfactorily patterning an ITO film free from a short circuit between mounted terminals on a single etching processing stage at the time of forming the pixel electrode, as for the liquid crystal display device having a pixel uppermost layer structure.例文帳に追加

画素最上層構造を有する液晶表示装置において、層間絶縁膜を介した画素電極とドレイン電極の接続抵抗を低減できると共に、画素電極形成時に、ＩＴＯ膜を一回のエッチング処理工程で実装端子間に短絡のないかつ良好なパターン形状にパターニングすることのできる液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A substrate-cleaning step of the method includes a first cleaning step of heating a compound semiconductor substrate 1, containing impurities of a first conductivity-type to a temperature range of 250°C and lower and etching a surface of the substrate with a gas of hydrochloric acid, and a second cleaning step after the first cleaning step, of subjecting the compound semiconductor substrate etched with the hydrochloric acid gas to a radical hydrogen treatment.例文帳に追加

第１導電型不純物を含む化合物半導体基板１の温度を２５０℃以下の温度域に加熱にしてその表面を塩酸ガスでエッチングする第１クリーニング工程と、第１クリーニング工程の後、塩酸ガスでエッチングされた化合物半導体基板に対してラジカル水素処理を行う第２クリーニング工程と、を含む基板クリーニング工程を備える。 - 特許庁

A vacuum chamber is evacuated while proper gas is introduced into it so as to keep the inside of the chamber at a proper pressure, a high-frequency power is applied to an electrode 3 to generate a plasma in the chamber, and a processed substrate 2 placed on the electrode 3 is subjected to etching with the plasma, where the surface of a window 8 is covered with a sapphire coating 11.例文帳に追加

真空容器１内に適当なガスを導入しつつ排気を行ない、真空容器１内を適当な圧力に保ちながら、電極３に高周波電力を印加することで、真空容器１内にプラズマを発生させ、電極３上に載置された被処理基板２に対してエッチングを行なうに際して、窓８の表面にサファイアコーティング処理１１を施したものを使用する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a display plate for a display apparatus, after a photosensitive film comprising a photosensitive substance is formed on a substrate including an active region, the photosensitive film is exposed by dividing the active region into a plurality of shots including first and second shots adjacent to each other and developed to form a photosensitive film pattern as an etching mask to form a thin film pattern.例文帳に追加

表示装置用表示板の製造方法では、アクティブ領域を含む基板の上部に、感光性物質からなる感光膜を形成した後、アクティブ領域を互いに隣接した第１ショットと第２ショットを含む複数のショットに分割して感光膜を露光し、現像して薄膜パターンを形成するためのエッチング用マスクである感光膜パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a hose having improved adhesive force between a metal plated layer and an outside resin layer while omitting processes requiring much time for etching and palladium fixture prior to the formation of the metal plated layer by eliminating the need for the resin layer to contain talc when forming the metal plated layer on the outer periphery of the resin layer.例文帳に追加

樹脂層の外周に金属めっき層を形成する場合でも、その樹脂層にタルクを含有する必要がなく、そのため、金属めっき層の形成に先立つエッチングおよびパラジウム定着という時間をかなり要する工程が不要となり、しかも、金属めっき層と外側樹脂層との接着力を向上させることができるホースおよびその製法を提供する。 - 特許庁

The method includes the steps of: depositing a hydrophilic material layer on a substrate; depositing a bank material layer on the hydrophilic material layer; patterning the bank material layer to define a bank forming one or more of the droplet deposition wells; and etching the hydrophilic material layer in a self-aligned process using the patterned bank material layer as a resist.例文帳に追加

前記方法は、基板上に親水性材料層を堆積させる工程、前記親水性材料層の上にバンク材料層を堆積させる工程、前記バンク材料層をパターニングして１または２以上の前記液滴堆積ウェルを形成するバンクを規定する工程、前記パターニングされたバンク材料層をレジストとして使用して自己整合プロセス中において前記親水性材料層をエッチングする工程を含む。 - 特許庁

To provide a light emitting device which reduces and thus facilitates processes of obtaining circuit patterns having bright surfaces by eliminating a plating step or an etching step, enables easy formation of high-density circuit patterns, and enables efficient formation of the circuit patterns having bright surfaces while omitting the bright surfaces where unnecessary.例文帳に追加

めっき加工やエッチング加工を行うことなく光沢面を有する回路パターンを得ることができて工程を数少なくして簡略化することができ、また、高密度の回路パターンを容易に形成することができ、さらに、光沢が不要な回路パターンには光沢面が形成されないようにして、光沢面を有する回路パターンを効率よく形成することができる発光装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a photoresist stripper capable of easily removing a photoresist layer formed on an inorganic substrate, photoresist residue and dust generated in etching in a process for manufacturing various liquid crystal displays or semiconductor devices without corroding various semiconductor layer materials, electrically conductive materials or insulating film materials and to provide a method for stripping a photoresist.例文帳に追加

各種液晶表示素子や半導体素子の製造工程において、無機質基体上に形成されたフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびエッチング時に発生するダスト等を容易に剥離することができ、しかもその際に、使用される各種半導体層材料、導電性材料あるいは絶縁膜材料等を腐食する恐れのないフォトレジスト剥離剤およびフォトレジスト剥離方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein the problems are prevented such as a short circuit, an adhesion failure, and focus deviation etc., due to over-etching of wiring because the areas of overlapping regions for connection are randomly different, in a method for forming fine wiring which is a test pattern and wide leads connected to it on a semiconductor substrate by double exposure using two masks.例文帳に追加

テストパターンである微細配線とそれに繋がる幅広の引き出し配線とを２枚のマスクを用いた２重露光により半導体基板上に形成する方法において、繋ぎ合わせるオーバーラップ領域の面積がランダムに異なっていたため発生していた、配線のオーバーエッチングにより短絡、密着性不良、フォーカスずれ等の諸問題を発生させない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for treating the surface of the metal carbide substrate used in a semiconductor manufacturing process includes a process for forming a carbon surface layer (13) on the metal carbide substrate (10) by selectively etching the surface of the metal carbide substrate (10) by using a reactive gas mixture, and a process for removing the carbon surface layer (13) formed on the metal carbide substrate (10).例文帳に追加

半導体製造プロセスに使用される金属炭化物基体の表面処理方法であって、反応性ガス混合物を用いて金属炭化物基体（１０）の表面を選択的にエッチングし、それにより金属炭化物基体（１０）上に炭素表面層（１３）を形成する工程、および金属炭化物基体（１０）上に形成された炭素表面層（１３）を除去する工程を包含する方法。 - 特許庁

The surface of the substrate 2 is formed in irregularity by etching, the epitaxial layer 3 is formed with its surface formed by allowing epitaxial growth to be performed on the principal plane of the substrate 2, the pn-composition plane 6 of the layer 4a and the layer 5 formed by ion implanting n-type and p-type impurities from the surface of the layer 3 is formed into irregularity.例文帳に追加

エッチングにより半導体基板２の表面を凹凸状に形成し、半導体基板２の主面上でエピタキシャル成長することにより表面が凹凸状のエピタキシャル層３を形成し、Ｎ型およびＰ型の不純物をエピタキシャル層３の表面からイオン注入することにより形成された半導体層４ａおよび半導体層５のＰＮ接合面６を凹凸状に形成する。 - 特許庁

A method for forming the upper electrode in a ferroelectric device includes processes of preparing a silicon substrate; depositing a lower electrode; depositing a ferroelectric material layer; depositing an aluminum upper electrode layer; coating the aluminum layer with photoresist; patterning and developing the photoresist layer; etching the aluminum layer; and completing the ferroelectric device.例文帳に追加

強誘電体デバイスにおいて上部電極を形成する方法は、シリコン基板を準備する工程と、下部電極を堆積する工程と、強誘電体材料の層を堆積する工程と、アルミニウム上部電極層を堆積する工程と、アルミニウム層をフォトレジストで被覆する工程と、フォトレジスト層をパターニングおよび現像する工程と、アルミニウム層をエッチングする工程と、強誘電体デバイスを完成させる工程とを包含する。 - 特許庁