「etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(395ページ目) - Weblio英語例文検索

The peripheral chamfering part of a semiconductor wafer after being subjected to alkali etching is polished into specular surface while the polishing conditions for the chamfered part are changed according to the crystalline azimuth of the wafer, or otherwise specular polishing is performed while the polishing conditions for the chamfered part are changed according to the level of surface roughness of the chamfered part.例文帳に追加

アルカリエッチング後の半導体ウエーハ外周面取り部の鏡面研磨において、前記半導体ウエーハの結晶方位により面取り部の鏡面研磨条件を変更して鏡面研磨する、あるいは前記面取り部の表面粗さのレベルに従い面取り部の鏡面研磨条件を変更して鏡面研磨する半導体ウエーハ外周部の鏡面面取り方法並びに鏡面面取り装置。 - 特許庁

Quantum thin lines of various sizes are formed on the single substrate by successively performing the processes of: vapor-depositing an oxide film on the semiconductor substrate; etching the oxide film so that areas where the oxide film is not formed have various sizes; and forming triangular epitaxial structures in the areas where no triangular epitaxial structure is present by using the selective epitaxial growing method.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を蒸着する段階と、酸化膜のない領域が多様な大きさを有するように前記酸化膜をエッチングする段階と、選択的エピタキシャル成長法を利用して前記酸化膜のない領域に三角形のエピタキシャル構造を形成する段階と、を順次行うことで、単一基板に多様な大きさの量子細線を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a resist pattern forming step of forming a resist pattern by using the above resist composition on a surface to be processed and then applying a resist pattern thickening material to cover the surface of the resist pattern, and a patterning step of patterning the surface to be processed by etching with the thickened resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に前記レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うようにレジストパターン厚肉化材料を塗布することにより該レジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、該厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁

An end face of a resonator having a nitride series semiconductor laser structure is formed by an etching before a joining step for joining an LD1 wafer, comprising the nitride series semiconductor laser structure formed on a GaN substrate 101; an LD1 wafer comprising a gallium phosphide series semiconductor laser structure formed on a GaAs substrate 201, and an LD2 wafer, comprising a gallium phosphide series semiconductor laser structure formed on the GaAs substrate 201.例文帳に追加

GaN基板１０１に形成された窒化物系半導体レーザ構造からなるLD１ウェハとGaAs基板２０１に形成されたガリウム燐系半導体レーザ構造からなるLD１ウェハとGaAs基板２０１に形成されたガリウム燐系半導体レーザ構造からなるLD２ウェハとを接合する接合工程に先立ち、窒化物系半導体レーザ構造の共振器端面をエッチング加工で形成する。 - 特許庁

Following to baking at a temperature of about 200°C, hydrogen gas or mixture gas of hydrogen gas and an inert gas is subjected to plasma excitation and the surface of the resin film 11 is irradiated with hydrogen plasma 13 of hydrogen active species and unwanted resin film 11 on the surface of the cap layer 106 is removed by etching back of the resin film 11, thus forming a dummy plug 12 filling the via hole 110.例文帳に追加

そして、２００℃程度の温度でベーク処理を施した後に、水素ガス、あるいは水素ガスと不活性ガスとの混合ガスをプラズマ励起し、水素活性種である水素プラズマ１３を樹脂膜１１表面に照射して行う樹脂膜１１のエッチバックによりキャップ層１０６表面の不要な樹脂膜１１を除去し、ビアホール１１０を充填するダミープラグ１２を形成する。 - 特許庁

In dry etching for forming a pattern involving isolated pattern regions and dense pattern regions on a substrate having conductive members formed thereon using a hard mask, the thickness of the hard mask is set so that the pattern size of the dry etched hard mask minus the size of a pattern formed on a resist film is less than a specified (allowable) value at the isolated pattern regions and the dense pattern regions.例文帳に追加

導電部材が形成された基板上に、孤立パターンと密集パターンを含むパターンをハードマスクによりドライエッチングする場合に、ハードマスクの厚さを、レジスト膜に形成したパターン寸法からハードマスクをドライエッチングした後のハードマスクのパターン寸法を差し引いた値が、前記孤立パターン領域と前記密集パターン領域とで所定の値（許容値）以下となるような膜厚とする。 - 特許庁

The coarse surface making method of the semiconductor substrate for the solar cell has the steps of: preparing a tape 10 for masks in which predetermined hole patterns are formed; sticking the tape 10 for masks to a front surface of a semiconductor substrate W; and removing the tape 10 for masks, while immersing the semiconductor substrate W in etchant and selectively etching the front surface of the semiconductor substrate W.例文帳に追加

本発明の太陽電池用半導体基板の粗面化方法は、所定の孔パターンが形成されたマスク用テープ１０を準備する工程と、マスク用テープ１０を半導体基板Ｗの表面に貼合する工程と、半導体基板Ｗをエッチング液に浸漬し、半導体基板Ｗ表面を選択的にエッチングするとともに、マスク用テープＷを除去する工程とを有する。 - 特許庁

After a cell is immersed in a solution, which contains at least one immobilizing agent selected from a group consisting of formaldehyde, paraformaldehyde, trioxane, cacodylic acid and glutaraldehyde, to be immobilized, a surfactant solution and/or an alcohol solution and the cell are mixed/stirred to remove lipid from the cell, and ion etching or ultrasonic treatment is subsequently performed to expose a cell skeleton.例文帳に追加

ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、カコジル酸、グルタールアルデヒドからなる群から選択される少なくとも１つの固定化剤を含む溶液に細胞を浸漬して細胞を固定化した後、界面活性溶液及び／又はアルコール溶液と、細胞とを混合・撹拌して細胞の脂質を除去し、その後イオンエッチング又は超音波処理を行って細胞骨格を露出させる。 - 特許庁

Etching treatment using an acid, alkali or fluoride is applied to aluminum metal fittings 2 and chemical forming treatment using alkali metal phosphate is further applied thereto and the vulcanizing adhesion regions of these treated metal fittings 2 thus obtained are coated with an adhesive and predetermined rubber 4 is bonded to the coated regions of the metal fittings under vulcanization to produce a metal fitting-rubber integrated composite product 6.例文帳に追加

アルミ金具２に対して、酸、アルカリ又はフッ化物を用いたエッチング処理を施した後、更にアルカリ金属リン酸塩を用いた化成処理を実施し、次いで、この得られた化成処理金具２を用いて、その加硫接着部位に接着剤を塗布せしめた後、所定のゴム４を加硫接着せしめることにより、金具−ゴム一体複合製品６を製造する。 - 特許庁

The method of manufacturing the flash memory includes the steps of forming gate patterns for cells and gate patterns for selection transistors on a semiconductor substrate, forming a low dielectric film on a resultant including the gate patterns, and etching the low dielectric film so as to leave the low dielectric film only in a space between the gate patterns for cells.例文帳に追加

半導体基板の上部にセル用ゲートパターン及び選択トランジスタ用ゲートパターンを形成する段階と、前記ゲートパターンを含んだ結果物上に低誘電体膜を形成する段階と、前記低誘電体膜をエッチングして前記セル用ゲートパターン間の空間にのみ前記低誘電体膜を残留させる段階とを含む、フラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the production method, by using spherical particulates for an etching mask, a lithography stage is reduced, mask formation is possible in a simple process, and periodic spacing can be controlled at a high precision in accordance with the particle diameter of the particulates, and further, the selection ratio with a base material can be freely controlled and lattice height can be controlled to a high precision in accordance with the material of the particulates.例文帳に追加

エッチングマスクに球状の微粒子を用いることで、リソグラフィ工程を削減し、簡易な工程でマスクの形成ができ、微粒子の粒径で周期間隔を高精度に制御することが可能になるとともに、微粒子の材料により基材との選択比を自由に制御でき、格子高さを高精度に制御することができる製造方法としたものである。 - 特許庁

The present invention provides a manufacturing method comprising: a film formation process which forms vapor phase synthesized diamond film 2 on a main surface of a silicon substrate 1 by a vapor phase deposition method; a routing process which forms a pattern on the vapor phase synthesized diamond film 2 using a laser; and a protrusion process which forms a protrusion on the routed vapor phase synthesized diamond film 2 by a reactive chemical dry etching.例文帳に追加

本発明は、シリコン基板１主面部に気相合成法によって気相合成ダイヤモンド膜２を成膜する成膜工程と、該気相合成ダイヤモンド膜２をレーザーによって外形を切り出す外形工程と、切り出した気相合成ダイヤモンド膜２に反応性化学ドライエッチングによって突起を形成する突起工程を経ることを特徴とするダイヤモンドプローブの製造方法である。 - 特許庁

To provide an underlayer film forming material, the film functions as an underlayer film for a silicon-containing two-layer resist process or as a superior antireflection film, is adaptable to all wavelengths of 248 nm, 193 nm and 157 nm, has optimum n value and k value as compared with polyhydroxystyrene, cresol novolac, naphthol novolac, etc., and is excellent in etching resistance during substrate working, and to provide a pattern forming method.例文帳に追加

珪素含有２層レジストプロセス用下層膜として、優れた反射防止膜として機能し、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍの全ての波長に対応し、ポリヒドロキシスチレン、クレゾールノボラック、ナフトールノボラックなどよりも最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性が優れた下層膜形成材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing the layered capacitor, recessed sections produced by an electrical insulating section are flattened by etching a dielectric layer by performing a step of forming a dielectric, a step of treating the surface of the dielectric, a step of forming a pattern on a metallic electrode, a step of forming the metallic electrode, and a step of treating the surface of the metallic electrode in the same vacuum tank.例文帳に追加

同一真空槽内で、誘電体を形成する工程と、誘電体の表面を処理する工程と、金属電極にパターンを形成する工程と、金属電極を形成する工程と、金属電極表面を処理する工程を有し、誘電体層を蝕刻して電気絶縁部により生ずる凹部を平坦化することを特徴とする積層コンデンサの製造方法。 - 特許庁

A determination method for determining a replacement timing of a focus ring disposed around a substrate to improve in-plane uniformity of a pattern when the pattern is formed by etching a film on the substrate comprises a measurement step of measuring a shape or dimension of the pattern and a determination step of determining a replacement timing of the focus ring based on the shape or dimension of the measured pattern.例文帳に追加

基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する際に、該パターンの面内均一性を高めるために該基板の周囲に配置されるフォーカスリングの交換時期を判定する判定方法において、前記パターンの形状又は寸法を測定する測定工程と、測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記フォーカスリングの交換時期を判定する判定工程とを備える。 - 特許庁

To provide an acrylate or a methacrylate copolymer suitable for use as a resin component of a chemically amplified photoresist composition having high transparency to ArF excimer laser, exhibiting excellent sensitivity, a resist pattern shape, dry etching resistance and adhesion, having a high affinity to an alkali and capable of giving a good resist pattern by paddle development, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーに対する透明性が高く、かつ優れた感度、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性及び密着性を示すとともに、アルカリに対する親和性が高く、パドル現像により良好なレジストパターンを与えうる化学増幅型ホトレジスト組成物の樹脂成分として好適に用いうるアクリル酸若しくはメタクリル酸エステル共重合体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing image sensor includes a step of forming a photo sensitive film for forming a microlens on a color filter, a step of forming a pattern having a predetermined depth from upper plane by exposing the photosensitive film, a step of forming a backup microlens by heat treating the photosensitive film, and a step of forming a microlens by etching the backup microlens.例文帳に追加

実施例に係るイメージセンサの製造方法は、カラーフィルタ層の上にマイクロレンズ形成のための感光膜を形成するステップと、前記感光膜に露光を行って、上部面から所定深さを有するパターンを形成するステップと、前記感光膜に熱処理を行って、予備マイクロレンズを形成するステップと、前記予備マイクロレンズにエッチングを行って、マイクロレンズを形成するステップとを備える。 - 特許庁

A dry etcher having a lower electrode housed in a vacuum vessel for holding a wafer 10 to be processed by introducing an etching gas and applying high-frequency power to generate a discharge plasma, comprises an electrostatic chuck mechanism housed in the vacuum vessel for fixing the wafer and a cover ring 13 housed in a process chamber for covering the upper side of the periphery of the wafer or above it.例文帳に追加

真空容器内に被処理ウェハ10を保持する下部電極を収容し、エッチングガスが導入され、高周波電力が印加されることによって放電プラズマを発生するドライエッチング装置において、真空容器内に収容され、ウェハを固定するための静電チャック機構と、処理容器内に収容され、ウェハの周辺部の上面あるいは上方を覆うカバーリング13とを具備する。 - 特許庁

In an integrated circuit including a buried layer 13 of a predetermined conductivity type in a plane substantially parallel to a plane of a main circuit surface, it is characterized in that a layer portion 15 made of a selectively etchable material is formed, and the layer portion 15 is removed by isotropic etching, and a median portion of the buried layer 13 is filled with a metal-form material.例文帳に追加

主回路表面の平面にほぼ平行である平面内に、所定の導電型の埋込層１３を有する集積回路において、選択的にエッチングできる材料で作られた層部分１５が形成され、等方向性エッチングによって前記層部分１５が取り除かれ、前記埋込層１３の中央部分が金属型材料で埋められることを特徴とする集積回路。 - 特許庁

Dry etching is selectively applied to the first conductive film 35, the second conductive film 37, and the third conductive film 39 to form a first gate electrode composed of the first conductive film 35A and the third conductive film 37A which are patterned, and to form a second gate electrode composed of the second conductive film 37A and the third conductive film 39A which are patterned.例文帳に追加

第１の導電膜３５、第２の導電膜３７及び第３の導電膜３９に対して選択的にドライエッチングを行なって、パターン化された第１の導電膜３５Ａ及び第３の導電膜３７Ａよりなる第１のゲート電極を形成すると共に、パターン化された第２の導電膜３７Ａ及び第３の導電膜３９Ａよりなる第２のゲート電極を形成する。 - 特許庁

The methods for manufacturing a nozzle substrate includes the steps of: highly precisely thinning a silicon substrate 51 by grinding except peripheral edge portions so as to facilitate conveyance and so on; forming the plurality of nozzle substrates 30 by etching thinned portions, thereby forming at least nozzles 31; and separating the plurality of substrates 30 of the silicon substrate 51 into individual ones by cutting or cleaving them.例文帳に追加

搬送等を容易に行えるように、周縁部分を残して研削等によりシリコン基板５１を高精度に薄板化する工程と、薄板化した部分にエッチング等の加工を行って、少なくともノズル３１となる穴を形成し、複数のノズル基板３０を形成する工程と、シリコン基板５１の複数のノズル基板３０を切断、割断等により分離して個片化する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a recycling method that is capable of continuously and efficiently stripping nickel from a nickel-plated copper or copper alloy scrap without using any expensive, short-life stripping solution and without conducting etching after stripping, so as to use the nickel-stripped copper or copper alloy scrap as a material for producing copper or copper alloy, and capable of solving the problem of a waste treatment of the stripping solution.例文帳に追加

高価で寿命の短い剥離液を使用せず、剥離後のエッチングもすることなく、連続して効率良く、ニッケルめっきが施された銅又は銅合金屑からニッケルを剥離して、ニッケルめっきが剥離された銅又は銅合金屑を銅又は銅合金の製造用原料として使用し、しかも剥離液の廃液処理の問題も解消したリサイクル方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a first semiconductor region, made of an amorphous semiconductor on a surface of an insulator, scanning a continuous oscillation laser beam from one end of the first region to the other end, once melting the first region, crystallizing the first region, and thereafter etching the first region, to form an active layer of a TFT to form a second semiconductor region.例文帳に追加

絶縁表面上に、非晶質半導体で成る第１半導体領域を形成し、第１半導体領域の一端から他端に向けて連続発振レーザービームを走査して、第１半導体領域を一旦溶融させて結晶化し、その後、ＴＦＴの活性層を形成するために第１半導体領域をエッチングして第２半導体領域を形成するものである。 - 特許庁

To realize a manufacturing method for a semiconductor optical element in which a mesa structure containing an active layer formed by a selective growth operation is used as a waveguide without being etched, in which a buried structure comprising a current blocking structure can be formed without a need of the strict control of an etching rate and without a need of an alignment operation in a photolithographic operation and whose reproducibility, uniformity and throughout are superior.例文帳に追加

選択成長により形成した活性層を含むメサ構造をエッチングすることなく導波路として用い、なおかつ厳密なエッチングレートの管理やフォトリソグラフィ時の位置合わせを必要せずに電流ブロック構造を有する埋め込み構造を形成できる、再現性、均一性およびスループットに優れた半導体光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The circuit board where a cable layer is tightly bonded on the surface of a substrate 16 can be obtained through the following steps of: coating the surface of the substrate 16 with a conductor layer 14; pattern-etching the conductor layer 14 and forming a number of projecting anchor patterns 15 on the surface of the substrate 16; and laminating the cable layer of the substrate 16 with the anchor patterns 15.例文帳に追加

基板１６の表面に導体層１４を被着形成する工程と、前記導体層１４をパターンエッチングして、基板１６の表面に多数の突起状にアンカーパターン１５を形成する工程と、該アンカーパターン１５が形成された基板１６の配線層を積層する工程とにより、基板１６に配線層が強固に接合された配線基板が得られる。 - 特許庁

A photosensitive glass plate 30 is used as a heat insulation plate, resistance metal foils 10 and 20 with a thin pattern 11 are formed on the upper and lower surfaces of the glass plate 30, and then the photosensitive glass plate 30 is etched according to an etching pattern formed according to a photo work in advance, thus providing a gas circulation hole 31 and at the same time cutting into each sensor pellet.例文帳に追加

熱絶縁板として感光性ガラス板３０を用い、このガラス板３０の上面および下面のそれぞれに細幅パターン１１、２１を有する抵抗金属箔１０、２０を成膜した後、あらかじめフォトワークによって形成しておいたエッチングパターンにしたがい、感光性ガラス板３０をエッチングすることによりガス流通孔３１を設けるとともに個々のセンサペレットに切り離す。 - 特許庁

A transparent layer 46 consists of the alignment controlling depressions and a flat part 45 which are formed by subjecting a transparent photosensitive resin layer provided on color pixels 42 to exposure treatment via a density distribution mask PM1 and development treatment and the parts of a transparent conductive film 43 above the alignment controlling depressions are removed by photo etching of a transparent conductive film provided on the entire upper surface of the transparent layer.例文帳に追加

透明層４６は、着色画素４２上に設けた透明感光性樹脂層への濃度分布マスクＰＭ１を介した露光、現像処理によって形成された配向制御凹みと平坦部４５からなり、透明導電膜４３は透明層の上面の全面に設けた透明導電膜へのフォトエッチングによって配向制御凹み上の部分は除去されている。 - 特許庁

This organic electronic device is manufactured by using: a first process for forming a polymer film from a polymer solution on a first surface of the substrate by casting; a second process for reducing the thickness of the substrate by etching a second surface located on the back side of the first surface of the substrate; and a third process for forming the organic electronic device on the surface of the polymer film formed by casting.例文帳に追加

基板の第一の表面上に高分子溶液から高分子膜をキャスティング成膜する第一工程と、基板の第一の表面の裏側にある第二の表面をエッチングして基板の厚みを薄くする第二工程と、キャスティング成膜した高分子膜の表面に有機電子デバイスを形成する第三工程を用いて有機電子デバイスを製造することとした。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device with which a dielectric film for forming a capacity element can be prevented from being left as an etching residue in the edge part of a wiring pattern for other non-capacitance elements and the yield of the semiconductor device be improved, in the method for a semiconductor device in which transistors such as bipolar transistors, MOS transistors, etc., and capacitance elements coexist for example.例文帳に追加

たとえば、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳトランジスタ等の種々のトランジスタと容量素子が混在する半導体装置の製造方法において、容量素子を形成するための誘電膜が他の非容量素子の配線パターンのエッジ部にエッチング残渣として残ることを確実に防止でき、半導体装置の歩留りを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ceramic substrate having high corrosion resistance without being corroded to the depths even if it is exposed to a reactive gas or halogen gas over a long period of time and preventing the coming off of ceramic particles from the surface and the generation of particles caused by attaching of the ceramic particles to a treating substance such as a silicon wafer even when the treating substance is placed on the surface and treated by etching for example.例文帳に追加

長期間に渡って反応性ガスやハロゲンガスに曝され続けても、その深部まで腐食されることがなく耐腐食性に優れるとともに、その表面にシリコンウエハ等の被処理物を載置してエッチング等の処理を施しても、その表面からセラミック粒子が脱落し、上記シリコンウエハ等の被処理物に付着してパーティクルが発生することがないセラミック基板を提供する。 - 特許庁

Namely, the shape of the microparticle P itself appears as a projection shape on the surface of the phosphor layer 504, thereby eliminating steps for forming a rugged shape on the surface of the phosphor layer 504, for example, for transferring a fine convexoconcave shape onto the surface of the phosphor layer by a stamper, or for applying an etching process to the surface of the phosphor layer.例文帳に追加

すなわち、微小粒子Ｐ自体の形状が蛍光体層５０４表面に突起形状として現れることで、蛍光体層５０４表面に凹凸形状を形成することを目的とする工程、例えば、蛍光体層の表面にスタンパによって微細な凹凸形状を転写する工程や、蛍光体層の表面にエッチング処理を施す工程を、不要とする。 - 特許庁

Projections 41 each having a sharp tip and a profile formed into a mountain-like shape are formed on an insulation material 40 of the wiring board by means of etching, a metal layer 42 comprising a first metal layer 1 and a second metal layer 2 is formed on the formed projections 41, and thus, bumps 7 comprising the projections 41 and the metal layer 42 are formed on this projecting electrode 51.例文帳に追加

配線基板の絶縁基材４０に先端を尖らせた縦断面形状が山形となる突起４１をエッチング処理により形成し、形成した突起４１の上に第１の金属層１及び第２の金属層２からなる金属層４２を形成してこれら突起４１と金属層４２とからなるバンプ７を突起状電極５１上に形成する。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a first interlayer insulating film 20 laminated on a semiconductor wafer 1, a second interlayer insulating film 21 which is laminated on the first interlayer insulating film 20 and has etching characteristic different from that of the film 20, and a capacitor 23 formed in an aperture part 22, which is formed being continuously connected with the first and the second interlayer insulating films 20, 21.例文帳に追加

半導体ウエハ１上に積層された第１の層間絶縁膜２０と、第１の層間絶縁膜２０上に積層され第１の層間絶縁膜２０のエッチング特性と異なるエッチング特性を有する第２の層間絶縁膜２１と、第１及び第２の層間絶縁膜２０、２１に連通して形成された開口部２２内に形成されたキャパシタ２３とを備えたものである。 - 特許庁

The method includes: a step of manufacturing first and second photosensitive layers 52a and 52b laminated at both ends of a laminate 50 having a base material film 32, first and second conductive layers 40 and 45 laminated at both the ends of the base material film, and a light shielding layer laminated on the conductive layers; and a step of etching and patterning the light shielding layer and the conductive layers.例文帳に追加

製造方法は、基材フィルム３２と、基材フィルムの両側に積層された第１および第２の導電層４０，４５と、導電層上に積層された遮光層と、を有する積層体５０の両側に積層された第１および第２の感光層５２ａ，５２ｂを製版する工程と、その後、遮光層および導電層をエッチングしてパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

Polymer-based primer is added to paper made of nonwoven fabric or woven fibers made of heat-resistant synthetic fiber, a middle layer is provided, a base that is formed by impregnating the paper with resin is subjected to thermally mold with copper foil, and the copper foil is subjected to pattern etching, thus obtaining a circuit formation substrate that has excellent copper foil coherency and base interlayer peeling strength.例文帳に追加

耐熱性合成繊維からなる不織布あるいは織布繊維からなるペーパーにポリマー系プライマーを付与し、中間層を設けた後、ペーパーに樹脂を含浸させて形成した基材を銅箔とともに圧熱成型して銅箔基材を形成した後、前記銅箔にパターンエッチングを施すことにより銅箔密着性、基材層間剥離強度に優れた回路形成基板を得る。 - 特許庁

The exposed photoresistor is developed, and the vacuum-deposited two layers of gold (platinum) and titanium (chromium) around the patterned photoresistor are etched in order, and then the desired pattern surface is made smooth by etching the glass surface, and after removing titanium (chromium) and gold (platinum), a nickel plating layer is laminated on a glass substrate, and the nickel plating layer is released from a mold to produce a master.例文帳に追加

露光された前記フォトレジスタを現像し、２層に真空蒸着されたゴールド（白金）、チタニウム（クロム）をパターニングされたフォトレジスタを中心に順次にエッチングした後、ガラス表面をエッチングして所望のパターン表面を滑らかにし、チタニウム（クロム）、ゴールド（白金）を除去してからガラス基板にニッケル鍍金層を積層し、ニッケル鍍金層を離型させてマスターを製作する。 - 特許庁

In the thin film capacitor element 10, since the substrate 1 has a plain surface almost perpendicular to the side end face 6a of the laminate 6 due to anisotropic etching during manufacturing, the insulating resin layer 5 covering a poorly covered part does not lie between the lower electrode 2 and the upper electrode film 41, but lies between the upper extraction electrode 40 and the upper electrode film 41 which are at the same potential.例文帳に追加

この薄膜キャパシタ素子１０は、製造時に異方性エッチングにより積層体６の側端面６ａを基板１と略直交する平坦面となしているので、カバレッジ不良部分を覆う絶縁樹脂層５が、下部電極２と上部電極膜４１との間に介在せず、同電位な上部引出し電極４０と上部電極膜４１との間に介在している。 - 特許庁

The nozzle portion 11 of the silicone substrate 1 is manufactured by coating a polyimide precursor 101a on the portion to be the nozzle portion 11 of a silicone base material 100, forming a polyimide mask 101b for the formation of the nozzle portion by patterning the polyimide precursor 101a into a desired shape, and applying etching on the portion to be the nozzle portion 11 of the silicone base material 100 using the polyimide mask 101b.例文帳に追加

シリコン基板１のノズル部１１は、シリコン基材１００のノズル部１１となる部分にポリイミド前駆体１０１ａを塗布し、このポリイミド前駆体１０１ａを所望の形状にパターニングしてノズル部形成用のポリイミドマスク１０１ｂを形成し、このポリイミドマスク１０１ｂを用いてシリコン基材１００のノズル部１１となる部分をエッチングして製造する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for forming a photosensitive resin layer superior in forming metal printed wiring, by eliminating the problem of tangle to a conveying system by an peeling piece in an etching resist peeling process, in the final stage of a manufacturing process in a printed circuit board manufacture, and to provide a photosensitive transfer material, and a method for manufacturing a printed circuit board which uses it.例文帳に追加

プリント基板製造において、製造工程の最終段階でのエッチングレジスト剥離工程で剥離片による搬送系への絡み付きなどの問題が無く、金属のプリント配線を形成するに良好な感光性樹脂層を形成する感光性樹脂組成物及び感光性転写材料、並びにそれを用いたプリント基板の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The method includes a process of forming an energy-sensitive negative type resin composition film containing at least one kind of polymerizable compound by using an energy-sensitive negative type resin composition, a process of irradiating the energy-sensitive negative type resin composition film with an active energy beam in the shape of an image, and a process of heating the energy-sensitive negative type resin composition film without performing etching operation.例文帳に追加

感エネルギー性ネガ型樹脂組成物を用い、少なくとも１種類の重合可能な化合物を含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜を形成する工程；前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜に画像状に活性エネルギー線を照射する工程；および前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜をエッチング操作を行うことなく加熱する工程を含む。 - 特許庁

The transparent barrier film including a carbon deposition layer having a thickness of 0.5 to 10 nm at least on one face of the substrate comprising a plastic material and laminating an aluminium oxide layer having a thickness of 3 to 500 nm thereon, the transparent barrier film in which the carbon deposition face of the substrate is a treated face utilizing plasma of a reactive ion etching (RIE) mode, and its production method are provided.例文帳に追加

プラスチック材料からなる基材の少なくとも一方の面に、厚さ０．５〜１０ｎｍのカーボン蒸着層を有し、その上に厚さ３〜５００ｎｍの酸化アルミ層を積層した透明バリアフィルムや上記基材のカーボン蒸着面がリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）モードのプラズマを利用した処理済みの面である透明バリアフィルムおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface unevenness formation method comprises: the step of forming an energy-sensitive negative type resin composition containing at lest one or more kinds of polymerizable monomer or oligomer; the step of emitting 0.005 to 1.0J/cm^2 of active energy rays at least one or more times via a mask formed in a pattern; and the step of subjecting to post-heating without an etching operation.例文帳に追加

少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を形成する工程、パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を少なくとも一回以上０．００５〜１．０Ｊ／ｃｍ^２照射する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程を含む表面凹凸形成方法。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display panel including a top-gate TFT as a switching element and a light shielding film shielding the TFT from light, which prevents disappearance of the light shielding film due to over-etching even when Mo is used as a material of the light shielding film and a coating insulating layer of the light shielding film is dry-etched to expose a surface of Mo.例文帳に追加

スイッチング素子としてのトップゲート式ＴＦＴと、前記ＴＦＴを遮光するための遮光膜とが設けられた液晶表示パネルにおいて、遮光膜の材料としてＭｏを採用し、遮光膜の被覆絶縁層にドライエッチング処理を施してＭｏの表面を露出させる場合にも、オーバーエッチングによる遮光膜の消失を防げるようにした液晶表示パネルを提供すること。 - 特許庁

In the solid-state imaging apparatus 10 whereon a plurality of photodiodes in an imaging region and each MOS transistor in its peripheral circuit region are loaded together, a reflection preventing film 7 of a photodiode surface and a sidewall 9 provided to a side wall of a gate electrode 3 of the MOS transistor are formed simultaneously in the same process, by photolithograpy and dry etching by laminating three layers of insulating films 4 to 6.例文帳に追加

撮像領域の複数のフォトダイオードとその周辺回路領域の各ＭＯＳトランジスタが混載された固体撮像装置１０において、フォトダイオード表面の反射防止膜７と、ＭＯＳトランジスタのゲート電極３の側壁に設けられるサイドウォール９とを、３層の絶縁膜４〜６を積層してフォトリソグラフィーとドライエッチングにより同時に同一工程で形成する。 - 特許庁

Electrodes 2a-2f and 3a-3f and a wiring metal layer for connection with a photoelectric converting element are formed on both sides of the insulating substrate 1, and on the side face of a slit-like opening formed previously in the insulating substrate, and a dividing part 9 is formed by removing part of the metal layer formed on the side face of the opening selectively by machining or chemical etching.例文帳に追加

予めスリット状の開口部を形成して絶縁基板１の表裏両面及び前記開口部の側面に光電変換素子へ接続するための電極２ａ〜２ｆ、３ａ〜３ｆ及び配線用の金属層を形成するとともに、前記開口部側面に形成された金属層の一部を機械加工または化学エッチングにより選択的に除去して分断部９を形成する。 - 特許庁