「etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(398ページ目) - Weblio英語例文検索

The thermal head comprises a plurality of heating resistor layers formed in rows on a substrate, and electrodes provided on respective heating resistor layers in connected therewith wherein a passivation layer is provided beneath each heating resistor layer, an opening is provided in the passivation layer at a position corresponding to the heating resistor part, and a space layer is formed by removing a dummy layer formed beneath the passivation layer from that opening by etching.例文帳に追加

基板上に複数の発熱抵抗体層を列状に形成し、各発熱抵抗体層上に電極をそれぞれ接続してなるサーマルヘッドにおいて、前記各発熱抵抗体層の下部にはパシベーション層を具備し、このパシベーション層の発熱体部に位置する部分に開口部を設け、この開口部からパシベーション層の下部に配したダミー層をエッチング除去して空間層を形成した。 - 特許庁

The manufacturing method of a printed wiring board wherein an interlayer insulating layer formed by dispersing scaly grains into a curing resin is formed on a board, and a wiring pattern and via holes can easily and accurately be transferred to the inter layer insulating layer by an imprint method, using a mold having bumps and dips corresponding to the wiring pattern and the via holes without using an optical transferring method and complicated etching treatment.例文帳に追加

硬化樹脂中に鱗片状粒子を分散させてなる層間絶縁層を基板上に形成し、光学的な転写方法や煩雑なエッチング処理を用いることなく、配線パターンやバイアホールに対応する凹凸を有するモールドを用いたインプリント法によって、配線パターンやバイアホールを層間絶縁層に容易かつ正確に転写できるプリント配線板の製造方法を提案する。 - 特許庁

The method for manufacturing a liquid ejecting head includes: a surface removing step of removing the surface contamination of the pressure generating element by magnetron dry etching; and a wiring step of laying wiring on the pressure generating element, wherein a magnetron application current in the surface removing step is configured based on a surface removal amount of the pressure generating element and a variation in hysteresis characteristic in association with the surface removal.例文帳に追加

液体噴射ヘッドの製造方法は、圧力発生素子の表面汚染をマグネトロンドライエッチングにより除去する表面除去処理工程と、圧力発生素子上に配線を形成する配線工程と、を有し、表面除去処理工程におけるマグネトロン印加電流を、圧力発生素子の表面除去量と表面除去に伴うヒステリシス特性の変化量に基づいて設定する。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light emitting element and its manufacturing method, a low defect region having a defect density of 10^6 cm^-2 or less and a trench region with a recess formed in the surface of a nitride semiconductor substrate and the etching angle θ between the side face of the recess and its bottom side extension line ranges as 75° ≤ θ≤ 140° in a sectional view of the recess.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体発光素子及びその製造方法は、窒化物半導体基板の表面に、欠陥密度が１０^6ｃｍ^-2以下の低欠陥領域と、凹部が形成された掘り込み領域とが設けられ、前記凹部の断面形状において、前記凹部の側面部と前記凹部の底面部延長線との間の角度であるエッチング角度θが、７５度≦θ≦１４０度であることを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing step for the surface light laser with multiple wavelengths, after one surface light laser emitting one wavelength is formed on the substrate, the surface laser is partly removed by etching so that a space to laminate another surface layer is prepared, the surface light laser is wrapped with a protection film, and a different surface light laser emitting a light with different wavelength is formed on the substrate and protection film.例文帳に追加

また、多重波長の表面光レーザ製造工程は一波長の光を照射する１表面光レーザを基板上に形成した後、蝕刻工程を通じてその一部を除去することにより基板上に他の表面光レーザが積層される空間を設け、この１表面光レーザに保護膜を包んだ後で基板及び保護膜上に違う波長の光を照射する異なる表面光レーザを形成する。 - 特許庁

To provide a metal fine particle-containing resin particle, a metal fine particle-containing resin layer and a method for forming the metal fine particle-containing resin layer by which an efficient electroless plating is made possible and a more uniform metal conductive pattern layer is formed by forming a layer which allows an easy control of the etching thickness on the surface of an underlying pattern layer forming a pattern.例文帳に追加

パターンを形成する下地パターン層の表面にエッチングする厚さを容易にコントロールすることができる層を形成することにより、効率的な無電解めっき処理が可能となり、より均一な金属導体パターン層を形成することができる金属微粒子含有樹脂粒子、金属微粒子含有樹脂層および金属微粒子含有樹脂層の形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The machining method for silicon substrate comprises a step for forming a protective film, through thermal oxidation, on a silicon substrate produced from silicon single crystal by Czochralski method, a step for removing the protective film partially, and a step for etching silicon exposed after removal of the protective film wherein the concentration of interstitial oxygen contained in the silicon substrate is set not higher than 14×1017 atoms/cm3.例文帳に追加

チョクラルスキー法で製造したシリコン単結晶から作られたシリコン基板上に、熱酸化法により保護膜を形成する工程と、保護膜を部分的に除去する工程と、除去後に表出するシリコンをエッチングする工程を有するシリコン基板加工において、前記シリコン基板中に含まれる格子間酸素濃度を１４×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下とすることにより実現する。 - 特許庁

To provide a technique for dispensing with a trestle elevation mechanism and a turntable elevation mechanism being provided for improving the damage of a wafer and the poor surface treatment of the wafer, when the turntable on which the wafer is placed is rotated for surface-treating the wafer, for accurately positioning the wafer at an appropriate position, and performing each kind of treatment, such as film formation, etching, and cleaning treatment appropriately.例文帳に追加

ウェハの表面処理を行う為にウェハが載せられているターンテーブルを回転せしめた場合のウェハの損傷やウェハの表面処理の拙さを改善する為に設けられる架台昇降機構とかターンテーブル昇降機構が無くても済み、そしてウェハが問題無い位置に正確に決められ、そして各種の処理（例えば、成膜・エッチング・洗浄処理）を好適に行えるようにする技術を提供する。 - 特許庁

Uniformity of coating of an organic protective film can also be sufficiently secured by applying to make the thickness of the organic protective film 1.5 μm or less in the liquid crystal display element , and etching of a contact hole 42 for connecting the picture element electrode 50 and a TFT source electrode 46 is uniformized, and disconnection failure and dyeing failure between a transistor and the picture element electrode 50 can be minimized.例文帳に追加

また、ここにいう液晶表示素子において有機保護膜の厚さを１．５μｍ以下に塗布することで有機保護膜のコーティングの均一性を充分に確保することができ、画素電極５０とＴＦＴのソース電極４６を接続させるためのコンタクトホール４２のエッチングを均一にしてトランジスタと画素電極５０の間の断線不良及び染色不良を最小化することができる。 - 特許庁

When a semiconductor device provided with at least an organic material film on a semiconductor substrate is etched to form a gate electrode, or the organic material film is etched, or when the dimension of a resist mask pattern is adjusted, a process wherein the organic material film is etched by using an etching gas atmosphere containing oxygen-contained gas, chlorine- contained gas and bromine-contained gas, is contained, thereby solving the problem.例文帳に追加

半導体基板上に少なくとも有機材料膜を有する半導体装置をエッチングしてゲート電極を形成し、又は有機材料膜をエッチングするにあたり、若しくはレジストマスクパターンの寸法を調整するにあたり、酸素含有ガスと塩素含有ガスと臭素含有ガスとを含むエッチングガス雰囲気を用いて、この有機材料膜をエッチングする工程を含むことにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The method includes a step of filling a wiring groove or a contact hole, by stacking a wiring metal in the wiring groove or the contact hole formed on the insulation film on a semiconductor substrate, a step for exposing the insulating film by polishing the wiring metal, a step of cleaning the semiconductor substrate, and a step for recess etching the surface of the wiring metal embedded in the wiring groove or the contact hole.例文帳に追加

半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝又はコンタクト孔に配線金属を堆積して前記配線溝又はコンタクト孔に充填する工程と、前記配線金属を研磨して前記絶縁膜を露出する工程と、前記半導体基板を洗浄する工程と、前記配線溝又はコンタクト孔に埋め込まれた前記配線金属表面をリセスエッチングする工程を有している。 - 特許庁

The etching agent for copper or a copper alloy consists of an aqueous solution containing hydroxylamine keeping the solution alkaline, and suppressing the decomposition of an oxidizer, an oxidizer for oxidizing copper, and accelerating its dissolution into the solution, ammonium salt feeding ammonia ions into the solution, and accelerating the dissolution of copper, and an azole compound suppressing the dissolution of copper in the vertical direction, and accelerating the dissolution of copper in the horizontal direction.例文帳に追加

液をアルカリ性に保って酸化剤の分解を抑制するヒドロキシルアミン、銅を参加して液中への溶解を促進するための酸化剤、液中にアンモニヤイオンを供給して銅の溶解を促進するアンモニウム塩および垂直方向の銅の溶解を抑制し水平方向の銅の溶解を促進するアゾール化合物を含有する水溶液からなる銅または銅合金のエッチング剤ならびにエッチング方法。 - 特許庁

Further the photonic crystal can be manufactured by a method for providing cavities of similar shapes concentric to the in-plane direction by lithography and etching in multiple layer films having a periodic refractive-index structure in a lamination direction or by a method for providing a periodic refractive-index structure of the in-plane and lamination directions by self cloning on a base of a similar shape concentric to the in-plane direction.例文帳に追加

また、本フォトニック結晶は、積層方向の屈折率周期構造を有する多層膜に対して、リソグラフィとエッチングにより面内方向の同心的な相似形状の空洞を設ける方法、または、面内方向の同心的な相似形状を形成したベース上に、自己クローニングにより面内方向と積層方向の屈折率周期構造を設ける方法で製造することができる。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device excellent in element characteristics and reliability with high yield by carrying out dry etching of a multilayer film having an SiGe film containing Si and Ge and an oxide film to form a gate electrode pattern and a gate oxide film pattern, and then sufficiently removing dry etched products or particles adhering to a semiconductor substrate without damaging the SiGe layer or the gate oxide film configuring the gate electrode.例文帳に追加

Ｓｉ及びＧｅを含有するＳｉＧｅ膜と酸化膜とを有する積層膜をドライエッチングしてゲート電極パターン及びゲート酸化膜パターンを形成した後、ゲート電極を構成するＳｉＧｅ層とゲート酸化膜とを損傷させることなく、半導体基板上に付着したドライエッチ生成物やパーティクルを十分に除去し、素子特性および信頼性に優れた半導体装置を歩留りよく製造する。 - 特許庁

The plating-method two-layer copper polyimide laminated film which keeps a metal vapor deposition layer overlying one side or both sides of a polyimide film with a conductive metal layer which is composed of copper overlaying the metal vapor deposition layer to unify them is characterized in that a surface modification depth index after eliminating the conductive metal layer by etching is 25 or smaller and a surface modification strength index is 1.1 or more.例文帳に追加

ポリイミドフィルムの片面または両面に、金属蒸着層を設け、その金属蒸着層上に銅からなる導電性金属層を積層し一体化したメッキ法２層銅ポリイミド積層フィルムであって、その導電性金属層をエッチングにより除去した後の表面改質深さ指数が２５以下であり、そしてその表面改質強度指数が１．１以上のメッキ法２層銅ポリイミド積層フィルム。 - 特許庁

The side surfaces of the grid elemental body 39 is formed into tapered shape by etching, and periodic or regular minute projections are formed on the tapered part 39C, along the extending direction of the grid elemental body 39.例文帳に追加

両面エッチングにより形成された多数のスリット状のビーム透過孔３８を有し、各隣り合うビーム透過孔３８間にテープ状のグリッド素体３９が形成されてなる色選別用マスクがフレーム上に架張され、グリッド素体３９のエッチングによる縁辺側面がテーパ状に形成され、このテーパ部３９Ｃに、グリッド素体３９の延長方向に沿って周期的な、或いは規則的な微小突起が形成されて成る。 - 特許庁

The method of manufacturing an optical fiber probe includes steps of: providing an optical fiber having a coaxial core part and a protective layer; exposing the core part by stripping the protective layer of the optical fiber end; forming a probing end part by etching after immersing the exposed core part in an acid solution; and the stage of forming a metallic layer on the surface of the probing end.例文帳に追加

本発明に係る光ファイバー探針の製造方法は、同軸の芯部及び保護層を有する光ファイバーを提供する段階と、前記光ファイバーの一端の前記保護層を除去して、前記芯部を露出させる段階と、前記露出の芯部を酸性溶液に浸漬させてエッチングして、探測端部を形成する段階と、前記探測端部の表面に金属層を形成する段階と、を含む。 - 特許庁

The photoresist composition has high transmittance at wavelengths of 193 nm and 157 nm, etching resistance, thermal resistance, adhesiveness and low light absorbance, and high affinity to a developer, thereby can improve the LFR.例文帳に追加

本発明はフォトレジスト重合体及びフォトレジスト組成物に関し、より詳しくはフォトレジスト単量体に用いられる下記式（１）の化合物と、これを含むフォトレジスト重合体及びこの重合体を含む本発明のフォトレジスト組成物は １９３ｎｍ及び１５７ｎｍ波長で透過率、エッチング耐性、耐熱性、接着性及び低い光吸収度を有し、現像液に対する親和度が高いので、ＬＥＲを改善させることができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device with a groove for burying gate electrode which can reduce variance in the radius of curvature of corners at the bottom of a gate electrode burying groove and suppress variance in the length of a channel, formed of the bottom part of the gate electrode burying groove, and electric field distribution without having influence of an etching characteristic nor causing bowing.例文帳に追加

エッチング特性の影響を受けることなく、またボーイング化が生じることなく、ゲート電極埋め込み用溝の底部での角部の曲率半径のばらつきを低減でき、ゲート電極埋め込み用溝の底部で形成されるチャンネルの長さや電界分布のばらつきを押さえることができる溝埋め込み用ゲート電極構造を有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of processing a silicon wafer according to the present invention comprises steps of forming a thin film layer having different thicknesses on a silicon wafer, exposing the silicon wafer selectively by removing the thin film layer having different thicknesses successively and forming a plurality of U-shaped grooves each having a different depth corresponding to the thin film layer having different thicknesses by etching the exposed silicon wafer.例文帳に追加

本発明に係るシリコンウェーハの加工方法は、シリコンウェーハに相異なる厚みを持つ薄膜層を形成する工程と、相異なる厚みの前記薄膜層を順次に除去して選択的にシリコンウェーハを露出する工程と、露出されたシリコンウェーハを食刻することにより、相異なる厚みを持つ前記薄膜層に対応して相異なる深さを有する複数のＵ溝を形成する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a new method for efficiently producing monomer useful for introducing a construction unit having a specific butyrolactone ring into an acrylic resin so as to obtain a chemical amplification type photoresist composition having good transparency to ArF excimer laser, exhibiting excellent sensitivity, resist pattern forms, dry etching resistance and adhesiveness and having high affinity to alkalis.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーに対して良好な透明性を有し、優れた感度、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性及び密着性を示し、アルカリに対し高い親和性を有する化学増幅型ホトレジスト組成物を得るため、アクリル系樹脂に、特定のブチロラクトン環をもつ構成単位を導入するが、その導入のために有用な単量体を効率よく製造するための新規な製造方法を提供する。 - 特許庁

An etching device 10 is provided with carrying rollers 12 which carry the wiring board 1 in the direction of its flat surface in the etchant L, upper and lower paired water wheels 14 which transport the etchant L to the front and rear surfaces of the substrate 1 under pressure, and flow straightening plates 22 and 23 respectively positioned on both sides of the water wheels 14 and having curved surfaces 20.例文帳に追加

また、エッチング液Ｌ中において薄板形状の配線基板１をその平面方向に沿って搬送する搬送ローラ１２と、配線基板１の表裏面に対向して配設され、係る表裏面に上記エッチング液Ｌを圧送する上下一対ずつの水車１４と、各水車１４の両側に配置したカーブ面２０を有する整流板２２,２３と、を含む、配線基板の表面エッチング装置１０も提案する。 - 特許庁

Hydrogen chloride and hydrogen fluoride in gas generated by decomposing chlorofluorocarbon containing chlorine or dry etching exhaust gas are collected by a dry process using a multi-stage solid substance layer which makes sodium hydrogencarbonate a major component, wherein chlorine component only is selectively fixed and collected as sodium chloride at the front layer and fluorine component is fixed and collected as sodium fluoride and/or acidic sodium fluoride at the back layer.例文帳に追加

塩素を含有するフロンを破壊処理して生成したガス、または、ドライエッチング排ガス中の塩化水素、および、フッ化水素を、炭酸水素ナトリウムを主成分とする多段の固形物層を用いた乾式法により、前方の層では塩素分だけを選択的に固定化した塩化ナトリウムとして回収し、後方の層ではフッ素分を固定化したフッ化ナトリウム、および／または、酸性フッ化ナトリウムとして回収する。 - 特許庁

A channel plate 12 having a large number of ink channels 14 provided to at least one surface thereof by etching, the actuators related to the ink channels in order to pressurize the ink in the ink channels and a means 10 demarcating the ink sumps communicating with the ink channels are included and the ink sump demarcating means is formed by a base member 10 formed from a substance different from that of the channel plate 12.例文帳に追加

少なくとも１つの表面へエッチングされた複数のインク・チャネル（１４）を有するチャネル・プレート（１２）、インク・チャネルに含まれるインクを加圧するためインク・チャネルの各々に関連づけられたアクチュエータ（２２）、及びインク・チャネルと連通するインク溜め（３２）を画定する手段（１０）を含み、前記インク溜め画定手段が、チャネル・プレート（１２）とは異なった物質から作られたベース部材（１０）によって形成される。 - 特許庁

To provide a cleaning composition, a cleaning method using the same, and a manufacturing method of a semiconductor device, capable of solving a problem particular to a cleaning composition containing a specific detergent adjusted substantially to neutral, preventing corrosion by washing not only a semiconductor substrate and a metal layer but also a silicon, and sufficiently removing a plasma etching residue and an ashing residue generated during a manufacturing process.例文帳に追加

実質的に中性に調整された特定の洗浄剤を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層のみならず、シリコンの洗浄により腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain an etched product which retains flexibility fit for conveyance by a reel-to-reel system and has stabilized etching sizes and shapes of holes, etc., without impairing the flexibility a patterned resin layer mask when a photosensitive resin layer formed on the surface of a polyimide film is irradiated with UV through a photomask and developed to form the patterned resin layer mask and the polyimide film is etched with an alkaline solution.例文帳に追加

ポリイミドフィルム面上に形成された感光性樹脂層に、フォトマスクを用いて紫外線を照射し、かつ、現像して樹脂層パターンマスクを形成した後、アルカリ性液でポリイミドフィルムをエッチングする場合において、樹脂層パターンマスクの可撓性を損わないでリールツーリール方式の搬送等に適した可撓性を保持し、しかも、穴等のエッチング寸法及び形状が安定化したエッチング製品を得ることができるようにする。 - 特許庁

In the production process of a solar cell element comprising a step for forming micro protrusions/recesses on one major surface side of a semiconductor substrate having one conductivity type by dry etching and a step for providing a reverse conductivity type semiconductor region on one major surface side of a semiconductor substrate, the amount being dry etched is limited to 0.015 mg per 1 cm^2 of substrate area.例文帳に追加

一導電型を有する半導体基板の一主面側にドライエッチングで微細な凹凸を形成する凹凸形成工程と、前記半導体基板の一主面側に逆導電型半導体領域を設ける逆導電型半導体形成工程とを具備した太陽電池素子の製造方法において、前記ドライエッチングによりエッチングされる量が、基板面積１ｃｍ^２当たり０．０１５ｍｇを超えないようにした。 - 特許庁

The method for manufacturing the micrometallic structures which forms the conductive layer film on the surface of the PMMA matrix 3 formed with X-ray patterns includes an etching process of roughening the surface of the PMMA matrix 3 by a high chromium acid bath, a sensitizing process, an activating process and an electroless plating process for forming the conductive layer film.例文帳に追加

Ｘ線パターンが形成されたＰＭＭＡ母型３の表面上に導電層膜を形成し電鋳を行う微細金属構造体の製造方法において、ＰＭＭＡ母型３の表面を高クロム酸浴により粗化するエッチング工程と、センサタイジング工程と、アクチベーティング工程と、導電層膜を形成する無電解めっき工程と、を含むことを特徴とする微細金属構造体５の製造方法。 - 特許庁

A slurry composition for chemical mechanical polishing for the polycrystalline silicon and the semiconductor element utilizing it are formed, by a method wherein a trench element separation film is ground with the slurry having the grinding selection ratio with respect to the polycrystalline silicon, which is higher compared with the element separation oxide film of an etching prevention film, to form the self aligned floating gate of the flash memory element.例文帳に追加

本発明は、多結晶シリコン用化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing）のためのスラリー組成物及びこれを利用した半導体素子の形成方法に関し、より詳しくはエッチング防止膜の素子分離酸化膜に比べて多結晶シリコンに対し高い研磨選択比を有するスラリーでトレンチ素子分離膜を研磨し、フラッシュメモリ素子の自己整合浮遊ゲート（Self Align Floating Gate）を形成する半導体素子の形成方法に関する。 - 特許庁

In the plasma etching system, control of plasma density spatial distribution performed by varying the ratio of field strength between an outer upper electrode 36 and an inner upper electrode 38 has substantially no effect on the control of radical density spatial distribution performed by varying the ratio of flow rate of processing gas between central shower heads (62, 56a) and peripheral shower heads (64, 56a).例文帳に追加

このプラズマエッチング装置では、外側上部電極３６と内側上部電極３８との間で電界強度の比率を可変することによって行なわれるプラズマ密度空間分布の制御が、中心シャワーヘッド（６２，５６ａ）と周辺シャワーヘッド（６４，５６ａ）との間で処理ガスの流量の比率を可変することによって行なわれるラジカル密度空間分布の制御に実質的な影響を及ぼさない。 - 特許庁

A recess 40 is formed by etching a planar metallic material 38 having a thickness of several tens μm, a cooling block 11 having a circulation passage 42 being formed by internally matching the recess 40 is fixed to overlap a semiconductor chip 10 or in proximity thereto by bonding the planar metallic material 38, and forced cooling is carried out by circulating cooling water or refrigerant through the circulation passage 42.例文帳に追加

数１０μｍの厚さの板状金属材料３８をエッチングして凹部４０を形成するとともに、上記板状金属材料３８を接合して内部に凹部４０を整合して形成される還流通路４２を有する冷却ブロック１１を半導体チップ１０と重合うか近接するように取付け、上記還流通路４２内に冷却水あるいは冷媒を循環させて強制冷却を行なう。 - 特許庁

In a semiconductor substrate after STI formation as element isolation, a channel dope step is performed on the memory cell of a memory region before gate oxidation, and wet etching is performed for adjusting an STI step using a hydrofluoric acid containing solution in a state with a resist after a predetermined impurity is completely injected, so that a difference between the STI protruding amounts of the memory region and the logic region becomes approximately equal.例文帳に追加

素子分離としてのＳＴＩ形成後の半導体基板において、メモリ領域のメモリセル部に対するチャネルドープ工程をゲート酸化前に行い、所定の不純物注入完了後にレジスト付きの状態にてフッ酸含有の溶液によりＳＴＩ段差を調整するためウエットエッチングを行い、メモリ領域とロジック領域のＳＴＩ突き出し量の差が同程度になるようにした。 - 特許庁

The method of evaluating the SOI wafer having an insulating layer and an active layer in this order on a support substrate comprises forming a pattern on the insulating layer after removing part of the active layer from the insulating layer by wet or dry etching; and evaluating the bonding interface between the active layer and insulating layer by observing whether the pattern peels and/or whether a bonding defect is caused.例文帳に追加

支持基板上に絶縁層と活性層をこの順に有するＳＯＩウェーハの評価方法であって、前記活性層の一部を前記絶縁層上からウェットまたはドライエッチングを施すことによって除去した後、前記絶縁層上にパターンを形成し、前記パターンの剥離および／または接着不良の有無を観察することにより前記活性層と前記絶縁層との貼り合わせ界面を評価する。 - 特許庁

In this semiconductor laser diode with SAS type structure that has a current block layer where a stripe-shaped opening from one resonance end to the other is formed by etching to inject current to an active layer in a specific width, an area near an emission part being located directly below an opening is disordered without disordering the current lock layer.例文帳に追加

活性層に対して所定の幅に電流を注入するように、一方の共振端面から他方の共振端面に至るストライプ状の開口部がエッチングにより形成されてなる電流ブロック層を備えたＳＡＳ型構造の半導体レーザダイオードであって、各共振端面近傍において、電流ブロック層を無秩序化することなく、開口部直下に位置する出射部近傍を無秩序化した。 - 特許庁

A manufacturing method includes the steps for forming a connection hole 32 on an interlayer insulating film 31 with an etching mask of a resist film 41 after the resist film 41 with an opening pattern 42 for forming a connection hole is formed in the interlayer insulating film 31 on a silicon substrate 11, and a step for ion-implanting impurities to the silicon substrate 11 with the ion implanting mask of the resist film 41.例文帳に追加

シリコン基板１１上に形成した層間絶縁膜３１上に接続孔を形成するための開口パターン４２を形成したレジスト膜４１を形成した後、レジスト膜４１をエッチングマスクに用いて層間絶縁膜３１に接続孔３２を形成する工程と、レジスト膜４１をイオン注入マスクに用いてシリコン基板１１に不純物をイオン注入する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

And in the liquid crystal display device, the uniformity of the coating of an organic protective film 48 can be sufficiently secured by applying the protective film having ≤1.5 μm thickness and defects of discontinuity and dyeing between a transistor and a pixel electrode 50 can be minimized by uniformly etching surface to form a contact hole 42 for connecting a source electrode 46 of a TFT with the pixel electrode 50.例文帳に追加

また、ここにいう液晶表示素子において有機保護膜の厚さを１．５μｍ以下に塗布することで有機保護膜４８のコーティングの均一性を充分に確保することができ、画素電極５０とＴＦＴのソース電極４６を接続させるためのコンタクトホール４２のエッチングを均一にしてトランジスタと画素電極５０の間の断線不良及び染色不良を最小化することができる。 - 特許庁

A method for manufacturing an inkjet recording head includes a metal mask formation step of forming a metal mask 19 having a predetermined shape containing a silicide film 16 formed by silicidation of the surface of a flow path forming substrate wafer 110 containing a silicon substrate and a liquid flow path formation step of forming a liquid flow path by anisotropically etching the flow path forming substrate wafer 110 using the metal mask 19 as a mask.例文帳に追加

シリコン基板からなる流路形成基板用ウェハ１１０の表面をシリサイド化させて形成したシリサイド膜１６を含む所定形状のメタルマスク１９を形成するメタルマスク形成工程と、メタルマスク１９をマスクとして流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチングすることにより液体流路を形成する液体流路形成工程と、を有するインクジェット式記録ヘッドの製造方法を採用する。 - 特許庁

To carry out a desired circuit connection in a subsequent wiring forming step and enhance a yield of a semiconductor product in such a manner that, even when a finished dimension of a wiring layer or a diffusion layer fluctuates because of exposure variations and etching variations in a production process, a characteristic fluctuation of a transistor because of its fluctuation is corrected or a decrease in an operating allowance of an internal circuit is prevented.例文帳に追加

製造プロセスでの露光ばらつき、エッチングばらつきによって配線層あるいは拡散層の仕上がり寸法が変動した場合でも、その変動によるトランジスタの特性変動を補正する、あるいは内部回路の動作余裕の減少を防止するように、以後の配線形成工程で所望の回路接続を行うことができ、半導体製品の歩留まりを向上させることができる。 - 特許庁

The method of manufacturing a board for power module includes: a bonding process for bonding a ceramic board 10 to metal plates 11, 12; a circuit forming process for forming circuit patterns 11A by etching the metal plates 11, 12, after the bonding process; and a grooving process for forming grooves 10a by laser machining between the circuit patterns 11A of the ceramic board 10, after the circuit formation process.例文帳に追加

パワーモジュール用基板の製造方法であって、セラミックス基板１０と金属板１１，１２とを接合する接合工程と、前記接合工程の後に、前記金属板１１，１２をエッチングして回路パターン１１Ａを形成する回路形成工程と、前記回路形成工程の後に、前記セラミックス基板１０の前記回路パターン１１Ａ間にレーザー加工で溝１０ａを形成する溝入れ工程と、を有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the light-emitting diode array includes steps of: laminating a semiconductor layer on a substrate 1; forming a plurality of resist layers 100 to align along an X direction on a light emission part forming region 11 of the semiconductor layer; and forming a plurality of mutually-separated island-like light emission parts 10 formed on the semiconductor layer by mesa-etching with the resist layers 100 as masks.例文帳に追加

この発光ダイオードアレイの製造方法は、基板１上に半導体層を積層する工程と、半導体層の発光部形成領域１１上に、Ｘ方向に沿って配列するように、複数のレジスト層１００を形成する工程と、レジスト層１００をマスクとしてメサエッチングすることにより、半導体層に、互いに分離された島状の複数の発光部１０を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

An yttria coating 50 covering a chamber 11 that the substrate treatment apparatus performing plasma etching on the wafer has comprises: an yttria base layer 51 laminated on an internal wall; and an yttria upper layer 52 laminated on at least part of the yttria base layer 51, wherein the structure of the yttria upper layer 52 is coarser than the structure of the yttria base layer 51 since sizes of particles constituting the yttria layer is ≥250 nm.例文帳に追加

ウエハＷにプラズマエッチングを施す基板処理装置が備えるチャンバ１１を被覆するイットリア皮膜５０は、内壁に積層されたイットリア基層５１と、該イットリア基層５１の少なくとも一部に積層されたイットリア上層５２とからなり、イットリア上層５２の構造は、イットリア層を構成する粒子の大きさが２５０ｎｍ以上であることによりイットリア基層５１の構造よりも疎である。 - 特許庁

A specimen having a metallic thin film formed on the upper surface of the transparent electrode is disposed on a specimen stage in a chamber of a parallel flat plasma etching apparatus, a gas containing fluorine atom is introduced into the chamber, and applying a high frequency voltage between the specimen table, and an opposite electrode disposed to be faced to the specimen table so as to etch the metallic thin film with the plasma.例文帳に追加

本発明は、透明電極の上面に形成された金属薄膜を有する試料を平行平板型プラズマエッチング装置のチャンバ内の試料台上に配置し、該チャンバ内にフッ素原子を含むガスを導入し、該試料台と該試料台に対面して設置された対向電極との間に高周波電圧を印加して前記金属薄膜をプラズマエッチングする補助電極の形成方法である。 - 特許庁

A hole 5 that contains a groove cut on the surface of a silicon substrate W as an object of processing is filled through a filling method comprising a titanium film forming process in which a titanium metal film 6 is formed on the surface of the substrate, an etching process in which the surface of the titanium metal film 6 is uniformly removed as thick as prescribed excluding its part that combines with the ground material.例文帳に追加

シリコン基板Ｗよりなる被処理体の表面に形成されている溝を含むホール５を埋め込む埋め込み方法において、前記被処理体の表面にチタン金属膜６を形成するチタン膜形成工程と、前記チタン金属膜の表面を、チタン塩化物ガスをエッチングガスとして下地と化合した部分を除いて所定の厚さだけ略均一に除去するエッチング工程とを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of reducing a leakage current in a storage electrode junction region by forming a gate having a stepped channel, by etching into a predetermined thickness a semiconductor substrate in a portion scheduled for a storage electrode contact and in an adjacent region thereof before the formation of an element isolation film that defines an active region.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特に活性領域を定義する素子分離膜の形成前に格納電極コンタクトに予定されている部分及びその隣接領域の半導体基板を所定厚さにエッチングして段差のあるチャンネルを有するゲートを形成することにより、格納電極接合領域で漏洩電流を低減させて半導体素子のリフレッシュ特性を向上させることができる技術である。 - 特許庁

The surface protective member is provided for partially protecting the crystalline semiconductor substrate against an etchant in the process of etching the crystalline semiconductor substrate in contact with the etchant, the surface protective member includes a base and an adherent resin composition laminated thereupon, wherein the adherent resin composition contains an urethane resin having a polybutadiene skeleton and/or a polyisoprene skeleton and a radical polymerization initiator.例文帳に追加

結晶系半導体基板をエッチング液に接触させてエッチングする工程において、結晶系半導体基板をエッチング液から部分的に保護するための表面保護部材であって、該表面保護部材が基材とその上に積層された粘着性樹脂組成物を含み、該粘着性樹脂組成物が、ポリブタジエン骨格及び／又はポリイソプレン骨格を有するウレタン樹脂及びラジカル重合開始剤を含有することを特徴とする表面保護部材。 - 特許庁