「etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(389ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the supporting holes 21, 22 are formed in the single crystal epitaxial layer 19, the supporter 26 can closely contact the first silicon layer 16a being single crystal, and thus, even if a cavity 29 is formed below the first silicon layer 16a due to etching, the first silicon layer 16a can be supported by the supporter 26.例文帳に追加

支持体穴２１，２２を単結晶エピタキシャル領域１９に形成することにより、支持体２６と単結晶である第１シリコン層１６ａとを密着させることができ、エッチングにより第１シリコン層１６ａの下側に空洞部２９ができたとしても、支持体２６によって第１シリコン層１６ａを支持することが可能となる。 - 特許庁

A first diffraction grating 10 is formed by layering a first reflection preventing film 14 composed of a first matching layer 12 and an etching stopping layer 13, a diffraction grating projecting part 15 and a second reflection preventing film 18 composed of a cover layer 16 and a second matching layer 17 sequentially on the surface of a substrate 9 made of glass or the like.例文帳に追加

第一の回折格子１０は、ガラスなどからなる基板９の表面上から順に、第一のマッチング層１２とエッチングストップ層１３とにより構成する第一の反射防止膜１４と、回折格子凸部１５と、カバー層１６と第二のマッチング層１７とにより構成する第二の反射防止膜１８と、を積層したものである。 - 特許庁

The fine-processing method for the glassy carbon comprises the processes of: coating the glassy carbon substrate with an ultraviolet ray-sensitive resin used in the development of a photograph; forming the resin into a desired micropattern by the exposure and development of the resin; dry-etching the resin, to transfer the micropattern onto the glassy carbon substrate.例文帳に追加

本ガラス状カーボンの微細加工方法は、ガラス状カーボン基板に写真現像用の紫外線感光性樹脂を塗布する工程と、紫外線感光性樹脂の露光、現像を行い、紫外線感光性樹脂を所望の微細パターンに成形する工程と、紫外線感光性樹脂にドライエッチングを施し、微細パターンをガラス状カーボン基板へ転写する工程を有する。 - 特許庁

The plasma etching apparatus includes a stage on which a substrate is supported, a plasma generator separated from the stage and movable relative to the stage, a controller connected to the plasma generator to control the conditions of the plasma produced by the plasma generator, and a memory connected to the controller to store the control data for controlling the physical conditions of the plasma.例文帳に追加

本発明のプラズマエッチング装置は、基板が安着されたステージ、前記ステージで離隔されてステージと相対的に移動するプラズマ発生器、前記プラズマ発生器に連結されプラズマ発生器で生成されるプラズマの条件を調節する制御器、前記制御器に連結され、プラズマの物理的条件を調節するための調節データを貯蔵するメモリを含む。 - 特許庁

In the optical semiconductor element carrier M1 where the optical semiconductor element 21 is mounted on a base 10 of single crystal silicon, the base 10 is provided with a through hole 11 made by anisotropic etching penetrating the mounting face A1 and the back A2 of the optical semiconductor element 21, and a lens 12 disposed in the through hole 11.例文帳に追加

単結晶シリコンから成る基台１０上に光半導体素子２１を配設する光半導体素子キャリアＭ１であって、前記基台１０は、光半導体素子２１の配設面Ａ１及びその背面Ａ２を貫通する異方性エッチングで形成した貫通孔１１と、該貫通孔１１内に配設されるレンズ１２とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁

The method includes, after patterning the substrate to form at least one structure extending from the substrate in a direction substantially perpendicular to the plane of a major surface of the substrate, forming locally modified regions 6 at locations in the substrate which are not covered by the at least one structure, thus locally increasing etching resistance of these regions 6.例文帳に追加

基板をパターニングし、基板の第１主表面の平面に実質的に垂直な方向に、基板から延びた、少なくとも１つの構造を形成した後に、少なくとも１つの構造により覆われていない基板の位置に、部分的に変更された領域６を形成し、それらの領域６のエッチング抵抗を部分的に増加させる工程とを含む。 - 特許庁

The micromachining method of the substrate includes each step for forming a magnetic film on the substrate, adding a desired magnetic pattern to the magnetic film, sprinkling magnetic powder onto the magnetic film where the magnetic pattern is given, selectively concentrating the magnetic powder according to the magnetic pattern, and performing reactive ion etching with the centrally arranged magnetic powder as a mask.例文帳に追加

基板の微細加工方法であって、基板上に磁性膜を形成し、磁性膜に所望の磁気パターンを付与し、磁気パターンの付与された磁性膜上に磁性粉を振りかけて、磁性粉を磁気パターンに応じて選択的に集中させ、集中配置された磁性粉をマスクとして反応性イオンエッチングを行なう各ステップを含んでいる。 - 特許庁

In the process for producing electric wiring, a metal layer 25 becoming a conductor is formed on a substrate layer 12, unnecessary portion 26 of the metal layer 25 is removed by laser ablation, and then the residue 27 of unnecessary portion 26 of the metal layer 25 remaining on the substrate layer 12 is removed by etching the metal layer 25 with an etchant.例文帳に追加

本発明の電気配線の製造方法は、基材層１２上に導体となる金属層２５を形成し、レーザアブレーションにより金属層２５の不要部分２６を除去した後、腐食液で金属層２５をエッチング処理することにより、レーザアブレーション後に基材層１２上に残っている金属層２５の不要部分２６の残渣２７を除去する。 - 特許庁

Prior to a pattern boring process by dry etching, a stencil mask substrate 1 on a region 13 of a fine pattern is etched away along the depth to make the substrate film thickness less than that of a region 12, and then even a stencil mask substrate having various pattern sizes can be processed to precise size in the mask surface.例文帳に追加

ドライエッチングによるパターン開口工程に先立って、微細パターンの領域１３上のステンシルマスク基板１をエッチングによりエッチング深さ方向に除去し、基板膜厚を他の領域１２に対し薄膜化することにより、種々のパターン寸法が混在するステンスルマスク基板においてもマスク面内の寸法を精度よく加工することができる。 - 特許庁

The problem is solved by adopting the manufacturing method of the piezoelectric vibrator including steps of: adhering a thin piezoelectric substrate to a thin substrate to which a plurality of holes are formed to form through-holes in order to apply concavity processing to the thin piezoelectric substrate; and applying etching to the through-holes until the thin substrate is extinguished.例文帳に追加

課題を解決するために本発明は、薄板状圧電基板に凹状加工を施すために、複数の孔加工を施し貫通孔を形成した薄板状基板に、該薄板状圧電基板を貼り合わせる工程と、該貫通孔側を該薄板状基板が消滅するまでエッチングを施す工程と、を備えた圧電振動子の製造方法により課題を解決する。 - 特許庁

To provide, in a working process of a substrate in MEMS manufacturing, a coating composition used for forming an organic film for protecting the substrate, a composition applied by evenly plugging silicon wafer steps especially having a high step shape, and also to provide a coating composition available for a protective film in etching processing of a silicon oxide film.例文帳に追加

ＭＥＭＳの製造における基板の加工工程において、基板保護用の有機膜を形成するのに用いる塗布組成物、特に高段差形状を有するシリコンウエハの段差を平坦に埋め込み塗布することができる組成物、またシリコン酸化膜のエッチング加工時の保護膜としても使用できる塗布組成物を提供しようとするものである。 - 特許庁

There are provided a surface microstructure manufacturing method for manufacturing an unevenness P3 of nano meter order through dry etching by seeding a nano diamond fine particle P2 on the test piece surface of a test piece P1 composed of silicon, gallium arsenide, and diamond and using this as a minute hard mask, and a diamond nano electrode manufacturing method using the microstructure.例文帳に追加

シリコン、ガリウム砒素、ダイヤモンドからなる試料Ｐ１の試料表面にナノダイヤモンド微粒子Ｐ２を種付けしてこれを微小ハードマスクとして使用し、ドライエッチングを行うことによりナノメートルオーダーの凹凸Ｐ３を製造することを特徴とする表面微細構造製造方法及びこの微細構造を利用したダイヤモンドナノ電極の製造方法。 - 特許庁

In a manufacturing process of a microelectromechanical device, after forming a groove 20 as a gap by applying a processing using photolithography and etching to the resonator 22 and an Si layer as an electrode 21, the pair of thermal oxidation films 5, 5 of Si are formed on the opposite surfaces of the groove 20 by applying thermal oxidation treatment to the Si layer.例文帳に追加

本発明に係るマイクロエレクトロメカニカルデバイスの製造工程においては、共振子２２と電極２１となるＳｉ層に対し、フォトリソグラフィとエッチングを用いた加工を施して、ギャップとなる溝２０を形成した後、該Ｓｉ層に対し、熱酸化処理を施して、溝２０の対向面に一対のＳｉ熱酸化膜５、５を形成する。 - 特許庁

An auxiliary layer not dissolving in an electrolytic solution is arranged under an heating resistor arranged between a pair of electrodes on the substrate and the protective functional film constituted of Ir having a contact face with an ink arranged on the heating resistor via an insulation layer and the auxiliary layer is used as an electroconductive layer when electrolyzing and etching the protective functional layer in the electrolytic solution.例文帳に追加

基板上の一対の電極間に設けられた発熱抵抗体と、該発熱抵抗体上に絶縁層を介して設けられたインクとの接触面を有するＩｒからなる保護機能膜の下に、電解液中で溶出しない補助層を設け、補助層を電解液中で保護機能層を電解エッチングする時の導電層として使用する。 - 特許庁

A mask pattern 31a covering the surface part for forming an ink supply chamber recess 18 in the silicon substrate 2A includes a large number of rhombic openings 41 formed discretely and the mask pattern 31a is stripped and removed automatically utilizing undercut progressing from the four sides 42-46 of each rhombic opening 41 as etching progresses.例文帳に追加

シリコン基板２Ａにおけるインク供給室用凹部１８を形成するための表面部分を覆っているマスクパターン３１ａを、多数の菱形開口部４１を離散状態に形成したものとし、エッチングの進行に伴って各菱形開口部４１の四辺４２〜４６から進行するアンダーカットを利用して、マスクパターン３１ａを自動的に剥離して除去する。 - 特許庁

The system includes a processor 33 having an element constituted so that the optimum motor bias route for a deep reactive ion etcher 22 is determined on a wafer, a stepper for imprinting a pattern of the gyro in the direction corresponding to the optimum motor bias route calculated to be the nearest to each gyro on the wafer, and a deep reactive ion etcher 37 for etching the gyro on the wafer.例文帳に追加

システムは、ウェハ上で深反応性イオンエッチャ２２用の最適モータバイアス経路を決定するように構成された要素を備えたプロセッサ３３、ウェハ上で各ジャイロに最も近いものと算出された最適モータバイアス経路に対応した向きに該ジャイロのパターンをインプリントするステッパ３５及びウェハにジャイロをエッチングする深反応性イオンエッチャ３７を含む。 - 特許庁

One or more surfaces of a silicon carbide article are altered so that at most 160 pieces of particles per 1 dm^2 can be generated on a semiconductor wafer during wafer processing by carrying out etching based on a fused salt group, laser abrasion, surface blast, coating, oxidization, polishing, machining, and processing based on super-critical carbon dioxide or their combination.例文帳に追加

炭化ケイ素物品を、ウェハ処理中に半導体ウェハ上に１ｄｍ２あたり１６０個以下の粒子を生じさせるように、該炭化ケイ素物品の１以上の表面を融解塩基によりエッチング、レーザアブレーション、表面ブラスト、コーティング、酸化、研磨、機械加工、超臨界二酸化炭素で処理またはそれらの組み合わせによって改変する。 - 特許庁

In the semiconductor device with an antenna in which the antenna 20 for transmitting and receiving a signal and a semiconductor element 12 are connected electrically, the antenna 20 is formed approximately in the same size as the plane shape of the semiconductor element 12 by press working or etching of a metal sheet, and the antenna 20 is jointed integrally with the element surface of the semiconductor element 12.例文帳に追加

信号授受用のアンテナ２０と半導体素子１２とが電気的に接続されたアンテナ付きの半導体装置であって、前記アンテナ２０が、半導体素子１２の平面形状と略同寸法に、金属薄板のプレス加工あるいはエッチング加工により形成され、前記半導体素子１２の素子面に前記アンテナ２０が一体に接合されている。 - 特許庁

This substrate treating device 1 can be improved in foot print, because wafers W are transferred among a load-lock chamber 8, a CVD 13, and an etching section 14 by means of a stage 18a which can move linearly, and a single-shaft articulated robot 19 which is a transporting means without accompanying any revolving motion.例文帳に追加

この基板処理装置１では、回転動作を伴うことなく、直線状に移動可能なステージ１８ａと搬送手段である１軸多関節ロボット１９とによって、ロードロック室８、ＣＶＤ処理部１３及びエッチング処理部１４との間でウェハＷの受け渡しを行っているので、フットプリントの向上を図ることができる。 - 特許庁

For example, after the oxide film is formed on the entire wafer, the oxide film on at least the main surface of the wafer is removed by surface grinding, etching, or wrapping, thus making it possible to produce the wafer which has the oxide film at a chamfered portion contacting at least the main surface of the wafer and no oxide film on the main surface.例文帳に追加

例えば、ウエーハの全面に酸化膜を形成した後、該ウエーハの少なくとも一主面の酸化膜を平面研削、エッチング、またはラッピングにより除去することにより、該ウエーハの少なくとも一主面に接する面取り部分に酸化膜が存在し、かつ該一主面には酸化膜が存在していないウエーハを製造することができる。 - 特許庁

The method for producing a soft magnetic material comprises a stage wherein soft magnetic powder comprising a plurality of soft magnetic particles is prepared; a stage wherein the soft magnetic powder is etched to remove the surface 10a of each soft magnetic particle 10; and a stage wherein, after the etching stage, the powdery soft magnetic powder is heat treated at 400 to 900°C.例文帳に追加

軟磁性材料の製造方法は、複数の軟磁性粒子１０を含む軟磁性粉末を準備する工程と、軟磁性粉末をエッチングすることによって、軟磁性粒子１０の表面１０ａを除去する工程と、エッチングする工程の後、粉末状の軟磁性粉末を４００℃以上９００℃以下の温度で熱処理をする工程とを備える。 - 特許庁

Afterwards, an upper electrode layer 5 is deposited on the ferrodielectric film 3, and the upper electrode layer 3, the ferrodielectric film 3 and the lower electrode layer 2 are successively patterned, and a capacitor 10a having the thick ferrodielectric film 3a is formed in the region formed into a thin film and a capacitor 10b having a thick ferrodielectric film 3b is formed in a region whose etching is not carried out.例文帳に追加

その後、強誘電体膜３の上に上部電極層５を堆積し、上部電極層３、強誘電体膜３及び下部電極層２を順次パターニングして、薄膜化した領域に厚い強誘電体膜３ａを有するキャパシタ１０ａを、エッチングされない領域に厚い強誘電体膜３ｂを有するキャパシタ１０ｂを形成する。 - 特許庁

This method for manufacturing the substrate with the metal pattern comprises developing a photosensitive resin film 4a on the metal film 3a to form a predetermined pattern of the photosensitive resin film, etching the above metal film 3a to form the metal pattern 3b, and then leaving the photosensitive resin pattern as a protective film 4b for the above metal pattern 3b, without removing the photosensitive resin pattern.例文帳に追加

金属膜３ａ上に感光性樹脂膜４ａを所定のパターンに現像して感光性樹脂パターンを形成し、前記金属膜３ａを腐食処理して金属パターン３ｂを形成した後、感光性樹脂パターンを除去することなく、この感光性樹脂パターンを前記金属パターン３ｂの保護膜４ｂとして残すものである。 - 特許庁

To provide a technique by which a metallic oxide film deposited on a metallic surface can be subjected to removing tretment for oxide so that the surface is made smooth and uniform without roughening the metallic surface after the removal of the oxide which has been shown in the conventional etching process, and the metallic oxide film deposited on the metallic surface can be removed even in the case energizing operation is difficult.例文帳に追加

金属表面に形成される金属酸化物被膜を、従来のエッチング法のように酸化物除去後の金属表面が荒らされることなく、表面平滑且つ均一に酸化物の除去処理が行え、通電操作が困難な状態場合でも金属表面に形成された金属酸化物被膜が除去できる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a transparent conductive film or a transparent conductive sheet requiring a short etching time in use for a touch panel, having pen input durability, and eliminating the possibility of breaking a transparent conductive thin film with a load of 5.0 N even in 100,000 sliding tests using a polyacetal pen (the end shape: 0.8 mmR), in particular, and a touch panel using the same.例文帳に追加

タッチパネルに用いた際にエッチング時間が短く、且つ、ペン入力耐久性に優れ、特にポリアセタール製ペン（先端形状：０．８ｍｍＲ）を使用し、５．０Ｎの荷重で１０万回の摺動試験でも透明導電性薄膜が破壊されない、透明導電性フィルムまたは透明導電性シート、及びこれらを用いたタッチパネルを提供する。 - 特許庁

This method for fabricating an acoustic resonator arranged on a substrate (202) provided with a surface (204) includes a process for etching a depression part (206) on the surface (204), a process for filling the depression part (206) with sacrificial material, a process for forming an acoustic resonator provided with an etch hole (220) on the substrate and a process for subsequently removing the sacrificial material.例文帳に追加

表面（２０４）を備えた基板（２０２）上に配置された音響共振器を製造する方法は、表面（２０４）に凹部（２０６）をエッチングする工程と、凹部（２０６）を犠牲材料で充填する工程と、エッチング孔（２２０）を備えた音響共振器を基板上に形成する工程と、その後犠牲材料を除去する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method of repairing a low-dielectric-constant silica-based film which is given a chemical damage by a cleaning liquid used for the purpose of removing residue such as a silica-based denatured substance produced during etching of a low-dielectric-constant silica-based film or a resist decomposed substance produced during ashing, or removing residue such as polishing waste produced during CMP processing.例文帳に追加

低誘電率シリカ系被膜のエッチング加工時に発生するシリカ系変性物やアッシング加工時に発生するレジスト分解物などの残渣除去、あるいはＣＭＰ加工時に発生する研磨屑などの残渣除去を目的として使用される洗浄液によって化学的なダメージを受けた低誘電率シリカ系被膜を修復する方法に関する。 - 特許庁

To provide a polyimide film having an excellent high elastic modulus, low thermal expansion coefficient, alkali etching properties, and film-forming properties when the polyimide film is applied to a metallic wiring plate base for a flexible printing circuit applying a metallic wiring to its surface, CSP, BGA, or a TAB tape, and to provide a manufacturing method of the polyimide film, and a metallic wiring circuit plate using the film as a base.例文帳に追加

その表面に金属配線を施してなる可撓性の印刷回路，ＣＳＰ，ＢＧＡまたはＴＡＢテープ用の金属配線板基材に適用した場合に、高弾性率、低熱膨張係数、アルカリエッチング性、および製膜性にも優れたポリイミドフィルム、その製造方法及びそれを基材としてなる金属配線回路板を提供する。 - 特許庁

To provide a thermosetting composition rich in pigment with a small amount of a resin used, suitable for etching, excellent in spectroscopic characteristics, pattern form's rectangularity and adhesion to lower and upper layers, and capable of thin-film formation, to provide a color filter and an image recording material each using the composition, and to provide a method for producing the color filter.例文帳に追加

エッチングに好適であり、分光特性、パターン形状の矩形性、並びに、下層および上層との密着性に優れ、かつ、薄膜化が可能であり、更に、樹脂の総使用量が少なく高濃度な顔料含有熱硬化性組成物、並びに、これを用いたカラーフィルタ、画像記録材料およびカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

In an electroluminescent element in which a transparent insulating sheet 2, a transparent electrode 3, a luminous substance (EL) layer 4, a dielectric layer 5, and a back plate 6 are laminated, the back plate 6 and a connecting wire 6a to apply a voltage to the back plate are formed by etching a copper foil formed on an insulating substrate.例文帳に追加

透明な絶縁シート２と、透明電極３と、発光体（ＥＬ）層４と、誘電体層５と、背面電極６とが積層されたエレクトロルミネッセンス素子において、前記背面電極６および背面電極に電圧を印加する接続線６ａが、絶縁基板上に形成された銅箔をエッチングすることにより形成されている。 - 特許庁

An upper surface protective film 91 after patterning, NMOSFET gate formation mask 31a, and PMOSFET gate formation mask 31b are used as masks for etching, so that a gate electrode 33 of a transistor of a DRAM memory cell part Rm and lower part electrodes 34a and 34b of each transistor of a CMOS part Rc are formed at the same time.例文帳に追加

次に、パターニングした後の上面保護膜９１、ＮＭＯＳＦＥＴゲート形成用マスク３１ａおよびＰＭＯＳＦＥＴゲート形成用マスク３１ｂをマスクとして用いて、エッチングを行うことにより、ＤＲＡＭメモリセル部Rmのトランジスタのゲート電極３３、ＣＭＯＳ部Rcの各トランジスタの下部電極３４ａ、３４ｂを同時に形成する。 - 特許庁

In the processing steps related to a glass substrate processing step, a lawful means for laminating the laminated sheet for etching a glass substrate is used, a roller pressing is applied, by utilizing a processed mold to etch the stacked sheets, the laminated sheet for a glass substrate which enables a half cut blanking to adhere to the glass substrate is obtained.例文帳に追加

ガラス基板に係わる加工工程において、ガラス基板へのエッチング処理する為の、積層シートのラミネート化する合法的手段を用い、ローラー圧着をかけ、これら重ね合ったシートにエッチング処理となる加工された金型を利用し、これをハーフカット打ち抜きしたものをガラス基板に貼り得るガラス基板用積層シートが得られるものである。 - 特許庁

When a wafer is exposed to a mask pattern through a plurality of exposure shots, a correction exposure amount in each exposure shot is found based upon a previously measured pattern size distribution in each exposure shot after etching, exposure is carried out with respective correction exposure amounts in the respective exposure shots, and the exposed wafer is etched to form the pattern on the wafer.例文帳に追加

ウェハ上にマスクパタンを複数の露光ショットにより露光する際に、予め測定されたエッチング後の各露光ショット内のパタン寸法分布に基づき、各露光ショット内の補正露光量を求め、各露光ショットにおいて、それぞれの補正露光量で露光し、露光されたウェハをエッチングすることにより、ウェハにパタンを形成する。 - 特許庁

After forming an active material thin film 11 for storing and emitting lithium on the collector 10 by accumulation, etching is performed to a low-density range 11b of the active material thin film 11 to form clearances 12 in the thickness direction, and the active material thin film 11 is divided into small ranges by forming these clearances 12.例文帳に追加

リチウムを吸蔵・放出する活物質薄膜１１を集電体１０上に堆積して形成した後、エッチングにより活物質薄膜１１の低密度領域１１ｂをエッチングすることにより、厚み方向に空隙１２を形成し、この空隙１２の形成によって、活物質薄膜１１を微小領域に分割することを特徴としている。 - 特許庁

This acceleration sensor 1 is acquired by forming the supports 3 and the beams 14 on the substrate 2, then sticking a silicon substrate to be base substances for the weights 33, to the supports 3 and the beams 14 together through the connecting portions 34 made of metallic materials, and working the silicon substrate 44 into a structure having the weights 33 by selective etching.例文帳に追加

この加速度センサ１は、基板２上に支持部３とビーム１４とを形成した後、錘３３の基体となるシリコン基板を金属材料からなる連結部３４を介して支持部３およびビーム１４に貼り合わせ、そのシリコン基板４４を選択的なエッチングにより錘３３を有する構造に加工することにより得ることができる。 - 特許庁

A laser irradiation microworking method comprises the steps of placing a metal material in the chemical solution, forming a passivity film on this metal front surface in the chemical solution, removing the passivity film by means of a laser ablation by selectively irradiating a laser beam, and removing a material by performing an etching action by the chemical solution with respect to only a part where the passivity film is removed.例文帳に追加

本発明は、金属材料を化学溶液中に置き、この金属表面に化学溶液中で不動態膜を形成し、そこにレーザー光を選択的に照射することにより、不動態膜をレーザーアブレーションにより除去し、不動態膜が除去された部分のみ化学溶液によるエッチング作用で材料除去を行う。 - 特許庁

In a stage for forming groove patterns on the air bearing surface of a thin film magnetic head slider 15 by photolithography technology, photoresist patterns 2 and 3 used for working are formed in step-shapes corresponding to a shallow pattern 12 and a deep pattern 13 and the photoresist patterns are transferred onto the air bearing surface in one etching step to work the shallow and deep grooves collectively.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドスライダー１５のエアーベアリング面にフォトリソグラフィ技術により溝パターンを形成する工程に際して、加工に用いるフォトレジストのパターン２、３を、浅溝パターン１２及び深溝パターン１３に対応した階段状に形成し、フォトレジストのパターンを、一回のエッチングによりエアーベアリング面上に転写し、浅溝、及び深溝の加工を一括して行う。 - 特許庁

The mesa isolation monolithic light emitting diode comprises an emission layer 14 formed on a substrate 11, and a stopper layer 15 provided on the emission layer 14 wherein intersecting mesa etching trenches are provided in the side of the stopper layer 15 opposite to the substrate and a light emitting part is isolated into a plurality of parts arranged in one or a plurality of rows.例文帳に追加

少なくとも基板１１上に積層された発光層１４と、該発光層１４上に設けられたストッパー層１５とを有し、該ストッパー層１５の基板とは反対側の表面側に相交差するメサエッチング溝を設け、該メサエッチング溝により発光部を一列配置ないしは複数列配置に並ぶように複数個に分離させる。 - 特許庁

To provide a plating pretreatment method capable of uniformly forming a uniform metal film with excellent adhesiveness by the plating treatment on a surface of polymer fiber or carbon fiber without executing any conventional etching treatment, and to provide a manufacturing method of polymer fiber or carbon fiber capable of uniformly forming the uniform metal film with excellent adhesiveness.例文帳に追加

本発明は、従来のエッチング処理を施すことなく、高分子繊維又は炭素繊維の表面にメッキ処理により均一な金属皮膜を均一且つ密着性よく形成することができるメッキ前処理方法及び均一な金属皮膜が均一且つ密着性よく形成されている高分子繊維又は炭素繊維の製造方法を提供する - 特許庁

This method of manufacturing the high-voltage transistor with the extended drain region comprises the formation of a first-conductivity type epitaxial layer 101 on a first-conductivity type substrate 10 and the etching of the epitaxial layer 101 to form a pair of spaced-apart trenches that define the first and second sidewall portions of the epitaxial layer 101.例文帳に追加

拡張ドレイン領域を有する高電圧トランジスタを作製する方法は、第一の導電型である基板１０上に第一の導電型であるエピタキシャル層１０１を形成し、そして、エピタキシャル層１０１をエッチングして、エピタキシャル層１０１の第一及び第二の側壁部を形成する一対の離間した溝部を形成することを含む。 - 特許庁

Next, after form a second interlayer insulating film 111 on the first interlayer insulating film 106, a second opening 113 for plugs is formed, by selectively etching the second interlayer insulating film 111, and the first contact plug 115 is formed subsequently by burying the second conductive film 114 in the second opening 113 for plugs.例文帳に追加

次に、第１の層間絶縁膜１０６の上に第２の層間絶縁膜１１１を形成した後、該第２の層間絶縁膜１１１に対して選択的にエッチングを行なって第２のプラグ用開口１１３を形成し、その後、第２のプラグ用開口１１３に第２の導電膜１１４を埋め込んで第１の接続プラグ１１５を形成する。 - 特許庁

Then, after an upper electrode layer 7 is formed on the dielectric layer 6 by causing a titanium nitride to deposit on the layer 6, pluralities of upper electrode layers 7 and dielectric layers 6 are formed by partially etching the upper electrode layer 7 and dielectric layer 6 except prescribed portions lying on the first and second lower electrode sections 5a and 5b.例文帳に追加

次に、誘電体層６上に窒化チタンを堆積して上部電極層７を形成した後、第１下部電極部５ａ及び第２下部電極部５ｂ上の所定部分上以外の部分の上部電極層７及び誘電体層６をエッチングすることによって、複数の上部電極層７及び複数の誘電体層６を形成する。 - 特許庁

The second thin film 13 is anisotropically etched through the etching masks 15b for the formation of fine patterns 13a, and after a selective oxidation process is carried out using the fine patterns 13a as an oxidation mask, the fine patterns 13a are selectively removed, the first thin film 12a is eliminated, and then a quantum fine wire 17 is epitaxially grown on a part where the semiconductor substrate 11 is exposed.例文帳に追加

エッチングマスク１５bを介して第２薄膜１３を異方性エッチングすることにより形成された微細パターン１３aを酸化用マスクとして選択酸化した後、微細パターン１３aを選択的に除去すると共に、第１薄膜１２aを除去して、半導体基板１１が露出した部分に量子細線１７をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

When a gate electrode 8a is patterned, once a first gate electrode is extended through the upper part of a contact hole to the upper part of a gate insulating film 3 with a first photo resist film 21 as a mask, and then, etching in the transverse direction with a second photo resist film 22 as a mask to retreat a pattern to a desired position, a gate electrode 8a is formed.例文帳に追加

ゲート電極８ａをパターニング形成する際に、一旦、第１のホトレジスト膜２１をマスクにして最初のゲート電極をコンタクト孔上を経てゲート絶縁膜３上まで延在させた後、第２のホトレジスト膜２２をマスクにして横方向にエッチングして、所望位置までパターンを後退させてゲート電極８ａを形成することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the device comprises simultaneously wet etching an overcoat 10 and a color filter 9, subsequently reflowing the overcoat 10 to form gentle inclination covering the side face of a contact hole and forming the shape of the contact hole that is connecting a pixel electrode and a drain electrode, as smoothly varying normally tapered so as to prevent the pixel electrode from being disconnected between levels.例文帳に追加

オーバーコート１０及びカラーフィルター９に対し、同時にウエットエッチングを行った後、オーバーコート１０をリフローさせ、コンタクトホール側面を覆って緩やかな傾斜を形成するようにし、画素電極とドレイン電極とを接続するコンタクトホールの形状を滑らかに変化した順テーパとすることで、画素電極に段切れが生じないようにする。 - 特許庁