「etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(385ページ目) - Weblio英語例文検索

The force of the bending direction can be measured, by incorporating the deviation in the rigidity of the grated part by utilizing a method for changing the shape by changing the tensile shape of an article, in which the deviation of the rigidity is imparted, such as a thin film or an adhesive to the one surface of the grated fiber or changing the shape by polishing or etching the clad part of the fiber.例文帳に追加

そこでグレーティング処理されているファイバの片面に対し、薄膜、接着剤、といった剛性の偏りを与える物を張り付け形状を変える、あるいはファイバのクラッド部分を研磨、エッチング処理し形状を変化させる方法を利用し、グレーティング処理部の剛性に偏りを持たせることで曲げ方向の力の計測を可能とする。 - 特許庁

In a semiconductor apparatus, on an n-channel region 103 on which a second gate electrode material film (a TiN film) 111 contacting a gate insulating film 105 is not formed as a part of a gate electrode 151, a first gate electrode material film (a polysilicon layer) 107 functioning as an overetching absorption layer is previously formed when etching the second gate electrode material film (the TiN film) 111.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０５と接する第２ゲート電極材料膜（ＴｉＮ膜）１１１がゲート電極１５１の一部として形成されないｎチャネル領域１０３上に、第２ゲート電極材料膜（ＴｉＮ膜）１１１のエッチング時にオーバーエッチング吸収層として機能する第１ゲート電極材料膜（ポリシリコン膜）１０７を予め形成しておく。 - 特許庁

When a wiring pattern 5a is formed by etching a metal foil 2 on the surface of a laminate 1, a cut pattern 3a is previously formed around the wiring pattern 2a, a wear plate 10 is superposed on the under surface of the laminate 1, and the laminate 1 is irradiated with a laser beam along the cutting pattern 3a, from the side above the top surface of the laminate 1.例文帳に追加

積層板１の表面の金属箔２をエッチングして配線パターン５ａを形成する際に、配線パターン２ａの回りに切断パターン３ａを形成しておき、積層板１の下面側に当板１０を重ねた状態で積層板１の上面側から切断パターン３ａに沿ってレーザー光線を照射することにより切断する。 - 特許庁

In the method of producing a semiconductor base material, when an etching mask for forming protrusions and recesses on the surface of a semiconductor base material by photolithography processing of a resist film, a transfer mask 100 where the dimensions of a dot-shaped light-shielding portion 104, i.e. a pattern of protrusions and recesses near the region where the exposure shots overlap, are corrected previously.例文帳に追加

半導体基材を製造する方法において、半導体基材の表面に凹凸部を形成するためのエッチングマスクをレジスト膜のフォトリソグラフィ処理により形成する際、転写用マスク１００として、あらかじめ露光ショットの重なる領域付近にある凹凸パターンであるドット状遮光部１０４の寸法を補正した転写用マスクを使用する。 - 特許庁

The preparing method comprises both a process for removing the second metal film 4 including the metallic element to be measured by selective etching and a process for forming the third metal film 5 of the same composition as that of the first metal film 3 except the metallic element to be measured on the first metal film 3 exposed in the removing process and including the metallic element to be measured as an impurity.例文帳に追加

被測定金属元素を含む第２の金属膜４を選択エッチングにより除去する工程と、除去工程により露出した、被測定金属元素を不純物として含む第１の金属膜３上に、被測定金属元素を除いて第１の金属膜３と同一組成の第３の金属膜５を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The production method of the circuit board contains the steps of forming a metal layer on one face or both faces of the substrate via an adhesive sheet containing fluoroplastic, forming a circuit pattern by etching the metal layer, and forming the circuit pattern to then re-adhere the circuit pattern by a thermocompression bonding process.例文帳に追加

本発明に係る回路基板の製造方法は、フッ素樹脂を含む接着シートを介して基材の片面または両面に金属層を形成する工程、金属層をエッチングすることにより回路パターンを形成する工程、および回路パターンを形成した後、熱圧着処理により回路パターンを再接着する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In this noncontact data carrier having a resin base material, a metallic antenna coil 13 formed on one surface of the base material and an IC chip 20 connected to the coil 13, an insulating resist material used for an etching process is left on the surface of an antenna layer as a protective film 14.例文帳に追加

本発明の非接触データキャリアは、樹脂基材と、樹脂基材の一方の面に設けられた金属製アンテナコイル１３と、アンテナコイルに接続されたＩＣチップ２０とを有する非接触データキャリアにおいて、アンテナ層表面にはエッチング工程で使用した絶縁性のレジスト材料が保護膜１４として残存していることを特徴とする。 - 特許庁

The method includes a first step of forming a metal thin film for wiring lines on a glass substrate 11a, a second step of forming a resist pattern on the metal thin film by using a photomask 20 where a pattern for the wiring lines is formed, and a third step of forming the wiring lines by selectively removing the metal thin film by wet etching using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

ガラス基板１１ａ上に、配線用の金属薄膜を形成する第１ステップと、配線用のパターンが形成されたフォトマスク２０を用いて、金属薄膜上に、レジストパターンを生成する第２ステップと、レジストパターンをマスクとして、ウェットエッチングにより金属薄膜を選択的に除去し、配線を形成する第３ステップとを備える。 - 特許庁

The aluminum anode foil for an electrolytic capacitor is obtained by forming a chemical film having a voltage resistance of ≥800 V on etching foil having a mean pit diameter of ≥1.2 μm, preferably, 1.3 μm, and, more preferably 1.4 μm, thus has a voltage resistance of ≥700 V, and satisfactory electrostatic capacitance properties as well.例文帳に追加

本発明の電解コンデンサ用アルミニウム陽極箔は、平均ピット径が１．２μｍ以上、好ましくは１．３μｍ、さらに好ましくは１．４μｍのピットを有するエッチング箔に８００Ｖ以上の化成皮膜を形成しているので、７００Ｖ以上の耐電圧特性を有し、静電容量特性も良好な電解コンデンサ用アルミニウム陽極箔として用いることができる。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate; an interlayer insulating film 101 provided above the semiconductor substrate; and a laminate provided on the interlayer insulating film 101 and constituted of a Ti film 105, a TiN film 107, an AlCu film 109, another Ti film 111, another TiN film 113, and an etching adjusting film 115 which are laminated sequentially.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の上部に設けられている層間縁膜１０１と、この層間絶縁膜１０１上に設けられており、Ｔｉ膜１０５と、ＴｉＮ膜１０７と、ＡｌＣｕ膜１０９と、Ｔｉ膜１１１およびＴｉＮ膜１１３と、エッチング調整膜１１５と、が順に積層されてなる積層体と、を備える。 - 特許庁

The method for making the mold with the protective layer includes making a mold base plate having at least one substantially flat surface, accumulating a mold protective material layer on at least one substantially flat surface, and etching a plurality of cavities on at least one substantially flat surface through the mold protective layer.例文帳に追加

保護層を有する金型を形成する方法が、少なくとも１つの実質的に平坦な面を有する金型基板を形成することと、少なくとも１つの実質的に平坦な面の上に金型保護材料の層を堆積させることと、金型保護層を通って、少なくとも１つの実質的に平坦な面内に複数のキャビティをエッチングすることとを含む。 - 特許庁

To provide a positive radiation sensitive resin composition which excels in application property and radiation sensitivity, provides good pattern form and can form an interlayer insulating film having excellent heat resistance, solvent resistance, light transmittance, dry-etching resistance, and the interlayer insulating film obtained from the composition and a method for forming the film.例文帳に追加

塗布性に優れ、放射線感度、及び良好なパターン形状が得られると共に、耐熱性、耐溶剤性、光線透過率、耐ドライエッチング性に優れた層間絶縁膜を形成することが可能なポジ型感放射線性樹脂組成物、その組成物から得られた層間絶縁膜、並びにその層間絶縁膜の形成方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a compound sensitive to radiations including KrF excimer laser, extreme ultraviolet radiations, electron beams and X-rays, which is a nonpolymeric composition sensitive to such radiations, and producible by a simple process without using any metal catalyst, wherein the composition is highly sensitive, has high resolution, high heat resistance and high etching resistance and is soluble to solvents.例文帳に追加

ＫｒＦエキシマレーザー、極端紫外線、電子線またはＸ線等の放射線に感応する化合物及び感放射線性組成物であり、金属触媒を使用することなくかつ簡単な工程で製造できる、高感度、高解像度、高耐熱性、高エッチング耐性かつ溶剤可溶性の非高分子系感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

The laser beam machining method includes: a laser beam applying step of forming a modified area 50 with the physical properties being modified by forming a superimposed focal spot to the laser beam L, superimposing the focal point on a workpiece 5 through which the laser beam L is transmitted and applying the laser beam L thereto; and an etching step of removing the modified area 50.例文帳に追加

レーザー光Ｌに対して多重焦点を形成し、レーザー光Ｌを透過する被加工物５に多重焦点を重ね合わせレーザー光Ｌを照射して、物性が改質された改質領域５０を形成するレーザー光照射工程と、改質領域５０を除去するエッチング工程と、を有することを特徴とするレーザー加工方法。 - 特許庁

To provide a metal defect detection method capable of highlighting defect through etching treatment of the inspection surface of a metal sample, while when detection of the defect is carried out by imaging the inspection surface with an imaging device, brightness of non-defect parts on the imagery of inspection surface is made to be homogenized and brightened, leading clear defection of defect part.例文帳に追加

金属試料の検査面をエッチング処理して欠陥を現出させ、撮像装置によって検査面を撮像することにより欠陥を検出するに際し、検査面撮像画像における非欠陥部の明度を均一かつ明るくすることにより、欠陥部を明瞭に検出することのできる金属の欠陥検出方法を提供する。 - 特許庁

A thin-film transistor (TFT) manufactured by back surface exposure uses the oxide semiconductor as a channel layer, negative resist on a conductive film is exposed from a back surface side of a substrate using an electrode on the substrate as a mask, and then removed except an exposed part of the negative resist, and the conductive film is etched using the exposed part as an etching mask to process the electrode.例文帳に追加

裏面露光により製造される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）において、チャネル層として酸化物半導体を用い、基板上の電極をマスクとして、基板の裏面側から導電膜上のネガレジストを露光し、ネガレジストの露光部分を残し前記ネガレジストを除去し、露光部分をエッチングマスクとする導電膜のエッチングにより、電極を加工する。 - 特許庁

A dispersion of line widths of a first pattern and a second pattern occurring due to dispersion occurring in resist patterns (an opening 111, an opening 211) due to dispersion of lithography when forming a first pattern and a second pattern in the first region 110 and the second region 210 of an etching object material 105, respectively, is suppressed by adjusting the thickness of a mask material 106.例文帳に追加

被エッチング材１０５の第１領域１１０、第２領域２１０に、それぞれ第１パターン、第２パターンを形成する際に、リソグラフィのばらつきによりレジストパターン（開口部１１１、開口部２１１）に生じるばらつきに起因して発生する、第１パターン、第２パターンの線幅がばらつき、マスク材１０６の厚みを調整することにより抑制する。 - 特許庁

Electronic apparatuses 50, 70 have electrodes which are joined to joint bumps 9, and are characterized in that electrodes 11, 71, 12, and 72 have recess portions K formed on surfaces of the electrodes such that an average vertical distance between bottoms of the recess portions and peak portions which are surfaces of the electrodes other than the recess portions is ≥100 nm, and the recess portions are formed by etching.例文帳に追加

接合バンプ９に接合される電極を有する電子機器５０,７０であって、電極１１，７１，１２，７２に、凹部Ｋが、該凹部の底部と該凹部以外の電極の面である頂部との平均垂直距離が１００ｎｍ以上となるように、該電極の面にわたって形成されており、かつ、凹部がエッチングにより付されたものであることを特徴とする。 - 特許庁

A side wall is formed on the lateral sides of a gate electrode 4 in an n-channel transistor formation schedule region 51n by etching back the insulating film 6, and an n-type impurity introduced region is formed within the n-channel transistor formation scheduled region 51n by introducing an n-type impurity in the top surface of the semiconductor substrate 1 using the side wall as a mask.例文帳に追加

絶縁膜６のエッチバックを行うことにより、ｎチャネルトランジスタ形成予定領域５１ｎ内のゲート電極４の側方にサイドウォールを形成し、ｎチャネルトランジスタ形成予定領域５１ｎ内において、このサイドウォールをマスクとして半導体基板１の表面にｎ型不純物を導入してｎ型不純物導入領域を形成する。 - 特許庁

A patterned Al layer 22 is formed on the surface of a silicon substrate 21 for manufacturing the orifice plate, and the silicon substrate 21 is subjected to dry etching while using an Al layer 22 as a mask, thereby forming a hole 21a serving as a recessed part disposed at the position corresponding to a discharge opening on the surface of the silicon substrate 21 and forming a groove-shaped cut line 21d.例文帳に追加

オリフィスプレートを作製するためのシリコン基板２１の表面に、パターニングされたＡｌ層２２を形成し、Ａｌ層２２をマスクとしてシリコン基板２１のドライエッチングを行うことで、シリコン基板２１の表面における吐出口に対応する位置に配置された、凹部としての穴２１ａ、および溝状の切断ライン２１ｄを形成する。 - 特許庁

To prevent a silicide layer 12b of a wiring layer 12 comprising the silicide layer 12b as an uppermost layer formed on an element isolation insulating film 8a and a polysilicon layer 12a as a lower layer from being overetched to disappear when a contact hole 20a etc., are formed by dry etching in an inter-layer insulating film IL having its surface ground in a CMP step to be flattened.例文帳に追加

ＣＭＰ工程でその表面が研削され、平坦化された層間絶縁膜ＩＬ中にドライエッチングによりコンタクトホール２０ａ等を形成する時、素子分離絶縁膜８ａ上に形成された最上層がシリサイド層１２ｂ、下層がポリシリコン層１２ａからなる配線層１２の、該シリサイド層１２ｂがオーバーエッチングにより消失することを防止する。 - 特許庁

To provide a method for forming patterns on both faces of a transparent substrate, by which even when photoresist films disposed on transparent metal films on both faces of the transparent substrate are simultaneously subjected to different pattern exposure, transparent metal film patterns with good dimensional accuracy can be efficiently and easily formed on both faces of the transparent substrate after etching and peeling treatment.例文帳に追加

透明基材の両面の透明金属膜上に設けたフォトレジスト膜に同時に、両面に異なるパターン露光を行っても、エッチング及び剥離処理後の透明基材の両面に位置精度の良好な透明金属膜パターンを効率よく、簡便に形成することのできる透明基材両面へのパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Projecting parts 41, 42 are formed at positions of a base body 3, corresponding to electrode terminals of a crystal oscillation piece 10 by etching the base body 3; metal films are formed on surfaces of the projecting parts 41, 42; and the metal films are electrically connected to the electrode terminals of the crystal oscillation piece 10 by a conductive adhesive 34.例文帳に追加

ベース体３における水晶振動片１０の電極端子に対応する位置に、ベース体３をエッチングすることにより突起部４１，４２を形成し、この突起部４１，４２の表面に金属膜を成膜し、この金属膜と、前記水晶振動片１０の電極端子とを導電性接着剤３４により電気的に接続する。 - 特許庁

To provide a resist composition containing, as a base material, a molecular material capable of reducing LER and LWR in EUV lithography capable of forming an ultrafine pattern, and giving a resist film which ensures low outgassing in EUV exposure and has high etching resistance, and a resist pattern forming method using the same.例文帳に追加

極微細パターンを形成可能なＥＵＶリソグラフィーにおいて、ＬＥＲ及びＬＷＲの低減が可能な分子性材料を基盤材料として含有するレジスト組成物であって、ＥＵＶ露光時でのアウトガスが低く、またエッチング耐性の高いレジスト膜を与えるレジスト組成物、およびこれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a functional resin composition which has not only excellent transparency and excellent etching resistance but also high sensitivity and high resolution when used as a resist raw material for lithography and which is technically preferable for improving integration density, as regards development of the functional resin composition which is excellent in sensitivity, resolution, alkali developability achieving improvement of line edge roughness, and substrate adhesiveness.例文帳に追加

感度や解像度、ラインエッジラフネスの向上を達成しうるアルカリ現像性や基板密着性に優れた機能性樹脂組成物の開発に関し、リソグラフィー用レジスト原料として、透明性、エッチング耐性に優れるだけでなく、更に高感度、高解像度を有し、集積密度向上に対して技術的に好ましい機能性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

The method of manufacturing the multilayer substrate 400 includes: a process for of forming a junction layer 105 between substrates by bonding first and second crystal substrates 100, 200; and a process for of forming a thin part 205 by etching the first and/or second crystal substrates 100, 200 toward the junction layer 105.例文帳に追加

本発明の積層基板４００の製造方法は、第１及び第２の水晶基板１００，２００を接合し基板間に接合層１０５を形成する工程と、前記第１又は／及び第２の水晶基板１００，２００を前記接合層１０５に向かってエッチングして薄肉部２０５を形成する工程と、からなることを特徴としている。 - 特許庁

The field effect transistor 10 includes a GaN layer 13 formed of i-type GaN, an AlGaN layer 14 formed of i-type AlGaN having a lattice constant different from that of the i-type GaN, and an AlInN layer 15 formed of i-type AlInN having an etching rate smaller than that of the i-type AlGaN formed sequentially on a sapphire substrate 11.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１０では、サファイア基板１１上に、ｉ型のＧａＮからなるＧａＮ層１３と、ｉ型のＧａＮと格子定数が異なるｉ型のＡｌＧａＮからなるＡｌＧａＮ層１４と、ｉ型のＡｌＧａＮよりもエッチングレートが小さいｉ型のＡｌＩｎＮからなるＡｌＩｎＮ層１５とが順に形成されている。 - 特許庁

The method of manufacturing the electrooptical device includes the steps of: forming the conductive layer (9) of the light-reflective conductive material; forming a protective film (19) on the conductive layer; forming resist (60) on the protective film and performing patterning of the resist; and etching the protective film and conductive layer using the patterned resist as a mask.例文帳に追加

電気光学装置の製造方法は、光反射性を有する導電性材料から導電層（９）を形成する工程と、導電層上に保護膜（１９）を形成する工程と、保護膜上にレジスト（６０）を形成し、当該レジストをパターニングする工程と、パターニングされたレジストをマスクとして、保護膜及び導電層に対してエッチングを施す工程とを備える。 - 特許庁

The method includes a pre-baking process of heating the sapphire substrate at a temperature higher than that during the irradiation with the ultraviolet rays after the application of the photoresist and before the irradiation with the ultraviolet rays, and a post-baking process of heating the sapphire substrate at a temperature higher than that during the pre-baking process after the irradiation with the ultraviolet rays and before the dry etching.例文帳に追加

本発明の方法は、フォトレジストを塗布した後、紫外線光を照射する前に前記紫外線光の照射時よりも高い温度で前記サファイア基板を加熱するプリベーク工程と、紫外線光を照射した後、ドライエッチングする前に前記サファイア基板をプリベーク工程よりも高い温度で加熱するポストベーク工程を有する。 - 特許庁

In the production method of the porous glass by etching of a phase separated glass, the phase separated glass is immersed in a bath housing an acid solution, the angle θ between a surface of the phase separated glass to be made porous and the bath liquid surface is adjusted to 10-90°, and the bath is irradiated with ultrasonic waves to thereby etch the phase separated glass.例文帳に追加

分相ガラスをエッチングして多孔質ガラスを製造する方法において、前記分相ガラスを酸溶液を収容した浴中に浸漬させ、前記分相ガラスの多孔質化させたい面と浴液面のなす角度θを１０°以上９０°以下とし、且つ超音波を前記浴中に照射して前記分相ガラスをエッチングする多孔質ガラスの製造方法。 - 特許庁

To prevent cracks in splitting a large-area piezoelectric substrate wafer by sufficiently ensuring the thickness of a circular part surrounding a recess when employing batch processing of the wafer to mass-produce an ultra-small piezoelectric substrate having a vibration part formed by forming the recess by etching on a piezoelectric substrate surface made of an anisotropic piezoelectric crystal material.例文帳に追加

異方性圧電結晶材料から成る圧電基板面にエッチングによって凹陥部を形成することによって振動部を形成した超小型の圧電基板を、大面積の圧電基板ウェハを用いたバッチ処理により量産する場合に、凹陥部を包囲する環状部の肉厚を十分に確保して分割時のひび割れを防止する。 - 特許庁

The etching apparatus includes a plurality of chambers having an opening opened to allow a substrate to be inserted or discharged, a jetting member installed inside each chamber and which jets chemicals, and a shielding member installed to be adjacent to the opening of each chamber and which sucks in a gas that flows through the opening.例文帳に追加

本発明によるエッチング装置は、基板が挿入または排出されるように開放された開口を有する複数のチャンバーと、前記各チャンバーの内部に設置されて、薬液を噴射する噴射部材と、前記各チャンバーの前記開口と隣接するように設置されて、前記開口に流通する気体を吸入する遮断部材と、を含む。 - 特許庁

To provide a plated article which has a polycarbonate resin as a base material and in which a metal plating film having excellent adhesiveness is formed on the base material and can be produced by a simple electroless plating method without spoiling impact resistance of the polycarbonate resin base material and without performing complicated etching treatment or the like.例文帳に追加

本発明は、ポリカーボネイト樹脂を基材とし、その基材上に密着性に優れる金属めっき膜が形成されためっき物であって、ポリカーボネイト樹脂基材の耐衝撃性を損なわず、しかも煩雑なエッチング処理等行うことなく、簡易な無電解めっき法により製造することができるめっき物の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a double-sided photomask having a diffraction optical element pattern formed on a transparent substrate, which is capable of obtaining desired optical characteristics by accurately recognizing the etched state of the transparent substrate to form the diffraction optical element pattern with precise etching depth and pattern dimensions, and to provide the double-sided photomask.例文帳に追加

透明基板に回折光学素子パターンが形成されている両面フォトマスクの作製方法において、透明基板のエッチング状態を正確に把握して、回折光学素子パターンのエッチング深さおよびパターン寸法を高精度に形成し、所望の光学特性を得ることが可能な両面フォトマスクの作製方法および両面フォトマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a surface treatment method of a quartz glass substrate capable of obtaining a quartz glass substrate having a high flatness (subnanometer level) which can meet the demand for a lithography reflection mask substrate using an extreme ultraviolet ray (EUV) in the field of LSI or the like, and a hydrogen radical etching apparatus suitably used for the treatment method.例文帳に追加

本発明は、ＬＳＩ分野の極端紫外線（ＥＵＶ）を用いたリソグラフィ反射マスク基板などに対する要望に応えることができるようにした高平坦度（サブナノメータレベル）石英ガラス基板を得ることができるようにした石英ガラス基板の表面処理方法及びその処理方法に好適に用いられる水素ラジカルエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a polymer having methylol group and a lactone ring, having a suitable hydrophilicity and hydrophobicity, e.g. on using as a resist material, exhibiting an excellent transparency and dry etching resistance, also excellent in alkali-dissolution property and close adhesion with a substrate, and capable of realizing a high resolution, and a positive resist material using the same.例文帳に追加

適度な親水性及び疎水性を有し、例えば、レジスト材料として用いた場合には、優れた透明性及び耐ドライエッチング性を発揮するとともに、アルカリ溶解性や基板密着性に優れ、高解像性を実現できるメチロール基及びラクトン環を有する重合体、並びに、該重合体を用いたポジ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁

After the semiconductor wafers are cut or sliced from ingots, cutting fluid as well as metal and metal oxides from the saws used in the cutting process are cleaned with aqueous alkaline solutions containing one or more kinds of quaternary ammonium hydrooxide, one or more kinds of alkali hydroxide, and one or more kinds of mid-range alkoxylate simultaneously with micro-etching.例文帳に追加

半導体ウェハをインゴットから薄く切り出した後に、切断流体、並びに切断プロセスにおいて使用されるソウから汚染される金属および金属酸化物を、１種以上の水酸化第四級アンモニウムと、１種以上の水酸化アルカリと、１種以上のミッドレンジアルコキシラートとを、含むアルカリ水溶液により清浄化し、同時にマイクロエッチングする。 - 特許庁

In the manufacturing method of a SOI wafer, before the oxide film forming process, a reactive ion etching (RIE) defect annihilation process is performed in which a defect is annihilated that exists in a region having at least up to 5 μm depth from a surface being a bonding surface of a prepared silicon substrate and that is detected by an RIE method by applying a rapid thermal treatment to the prepared silicon substrate.例文帳に追加

酸化膜形成工程の前に、前記準備したシリコン基板に急速熱処理を施すことによって、少なくとも前記シリコン基板の貼り合わせ面となる表面から５μｍの深さまでの領域に存在するＲＩＥ法により検出される欠陥を消滅させるＲＩＥ欠陥消滅工程を行うＳＯＩウェーハの製造方法。 - 特許庁

On a surface of aluminum foil, a roll-pressed mark of the aluminum foil is removed, and multiple recessed parts each having a tip with an acute angle are present, and the colorimetric value (L value of Hunter Lab) on the surface of the aluminum foil is set to 65-80, whereby positive electrode foil high in capacitance can be provided by improving pit density by an etching process and uniformizing pit length.例文帳に追加

アルミニウム箔の表面が、アルミニウム箔の圧延傷が取り除かれて先端が鋭角を有する凹部が多数存在し、かつ該アルミニウム箔の表面の測色値（ハンターＬａｂのＬ値）を６５〜８０とすることにより、エッチング処理によるピット密度の向上とピット長さを均一化し、静電容量の高い陽極箔を得ることができる。 - 特許庁

The mold for molding an optical glass element, having excellent mold releasability from an optical glass element after press molding is obtained by subjecting a molding face formed on the surface of a preform for a mold to etching treatment by a reverse sputtering process to control the surface roughness (Ra^1) of the molding face to 0.01 to 50 nm and further subjecting the molding face to a sputtering process to thereby form a protective layer.例文帳に追加

金型用母材の表面に形成された成形面を逆スパッタリング法によってエッチング処理して、前記成形面の表面粗さ（Ｒａ^１）を０．０１〜５０ｎｍとし、さらにスパッタリング法によって保護層を形成して得た、プレス成形後の光学ガラス素子との離型性に優れる、光学ガラス素子成形用金型。 - 特許庁

Recessed portions H1, H2 having different depths are formed on a mask material 3 by allowing protruded portions T1, T2 having different heights to press a template 1 disposed in a mesa region onto a mask material 3, and aperture portions K1, K2 are formed by etching a substrate 2 by using a mask material 3 on which the protruded portions H1, H2 having different depths are formed, as a mask.例文帳に追加

互いに高さの異なる凸部Ｔ１、Ｔ２がメサ領域に設けられたテンプレート１をマスク材３に押し当てることにより、互いに深さの異なる凹部Ｈ１、Ｈ２をマスク材３に形成し、互いに深さの異なる凹部Ｈ１、Ｈ２が形成されたマスク材３をマスクとして基板２のエッチングを行うことで、開口部Ｋ１、Ｋ２を形成する。 - 特許庁

A method of manufacturing the surface emitting laser element includes: laminating a transparent dielectric layer 111a with an optical thickness of λ/4 on an upper surface of a laminated body; forming, on an upper layer thereof, a first resist pattern 120a defining an outer shape of a mesa structure and a resist pattern 120b protecting a region corresponding to a low reflection rate part included in an emitting region; and etching the dielectric layer 111a.例文帳に追加

積層体の上面に、光学的厚さがλ／４の誘電体層１１１ａを積層し、その上面に、メサ構造体の外形を規定するレジストパターン１２０ａ及び出射領域における反射率が低い部分に対応する領域を保護するレジストパターン１２０ｂを形成・硬化させた後、誘電体層１１１ａをエッチングする。 - 特許庁

The combined lubricative thin film or the low friction characteristic intercalation compound is formed on the uppermost surface layer by carrying out sealing by sputter etching of reverse sputtering after an anodically oxydized film is formed on the core bar surface using aluminum or the aluminum alloy material.例文帳に追加

アルミニウム又はアルミニウム合金材料を用いた芯金表面に陽極酸化皮膜を形成した後に、逆スパッタリングのスパッタリングのスパッタエッチングにより封孔処理を施して、最表層に複合化潤滑性薄膜又は低摩擦性層間化合物をスパッタリングにより形成することを特徴とする上記加熱定着ローラの製造方法。 - 特許庁

After forming the lower pole 1 and the upper pole 2, focused ion beam etching is applied to trim them from the sliding surface to back the depth zero line except their tips 1A, 2A made to fit the recording track in width, to manufacture this head.例文帳に追加

また、下部磁極１及び上部磁極２を形成した後に、下部磁極１及び上部磁極２のうち所定の記録トラック幅となる部分１Ａ，２Ａを除いた部分に対して、収束イオンビームエッチングによりヘッド摺動面から磁気ギャップのデプスゼロラインよりも奥まで後退するようにトリミング処理する工程を行って、上記薄膜磁気ヘッド１０を製造する。 - 特許庁

This pretreating method for a catalyzing treatment is characterized by dipping the resin base material in a glass etching solution containing a fluorine compound, and then in an oxidizing agent solution containing permanganate or chromic acid, before catalyzing the resin base material containing glass fibers or silica-based fillers with a catalyst solution containing palladium compound.例文帳に追加

ガラス繊維やシリカ系フィラーを含有する樹脂基材をパラジウム化合物を含む触媒液で触媒化するのに先立ち、当該樹脂基材をフッ素化合物を含有するガラスエッチング処理液に浸漬し、ついで過マンガン酸塩またはクロム酸を含有する酸化剤液に浸漬することを特徴とする触媒化処理の前処理方法。 - 特許庁