「etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(386ページ目) - Weblio英語例文検索

A resist pattern formation method forms a resist pattern 2, forms a protection film 3 for protecting the resist from ozone ashing on the resist pattern, irradiates the resist pattern with electron beam 4 via the protection film in an atmosphere in which oxygen exists like in the air, and then forms the resist pattern where dry etching resistance is improved by removing the protection film.例文帳に追加

レジストパターン２を形成した後に、前記レジストパターンの上に、オゾンアッシングからレジストを保護する保護膜３を形成し、次に、大気中のように、酸素が存在する雰囲気中において、前記保護膜を介して前記レジストパターンに電子線４を照射し、その後、前記保護膜を除去してドライエッチング耐性が向上した前記レジストパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a metal wiring forming method for a semiconductor element in which a fine metal pattern is prevented from being formed by forming a spacer film on a side wall of a photoresist pattern, and bringing spacers into contact with each other by narrowing the interval between photoresist patterns at a breaking part of metal wiring while forming a fine metal pattern using the spacers as etching masks.例文帳に追加

フォトレジストパターンの側壁にスペーサ膜を形成し、スペーサをエッチングマスクとして用いて微細金属パターンを形成すると同時に、金属配線の断線部分は前記フォトレジストパターン間の間隔を狭めて前記スペーサが接し合うようにし、微細金属パターンが形成されることを防止する半導体素子の金属配線方法の提供。 - 特許庁

Consequently, a discrete track medium (DTM) and a patterned medium (PM), with which recording corresponding to the pattern formed with thermal imprinting is feasible, are manufactured without performing processes such as etching and ashing (that is, without preparing equipment for performing these processes), the magnetic disk with which high density recording is feasible is manufactured with simplicity and at a low cost.例文帳に追加

したがって、熱インプリントで形成されたパターンに応じた記録が可能なディスクリート・トラックメディア（ＤＴＭ）やパターンドメディア（ＰＭ）が、エッチングやアッシングなどの処理を行うことなく（すなわち、これらの処理を行うための設備を用意することなく）製造できるので、高密度記録が可能な磁気ディスクを簡易かつ低コストで製造することができる。 - 特許庁

To provide a residue removing composition capable of removing residues originating in a resist and/or residues originating in metals such as copper and aluminum remaining after dry etching on a semiconductor integrated circuit, a liquid crystal panel, an organic EL panel, a printed circuit board or the like, in particular, a wiring board containing titanium and/or titanium alloy without corroding the titanium and/or titanium alloy.例文帳に追加

半導体集積回路、液晶パネル、有機ELパネル、プリント基板等、特にチタンおよび／又はチタン合金を含有する配線基板で、ドライエッチング後に残存するレジスト由来の残渣物および/または銅やアルミニウムなど金属由来の残渣物を、チタンおよび/又はチタン合金を腐食することなく除去することが出来る残渣除去用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition highly transparent to a light of a wavelength of at most 250 nm, particularly to an ArF excimer laser light, excellent in resist performances such as sensitivity, resolution, adhesion to a substrate and dry etching resistance, and therefore suitable for the far ultraviolet light excimer laser lithography, an electron beam lithography and the like, and a pattern forming method using the resist composition.例文帳に追加

波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマーレーザー光に対して透明性が高く、感度、解像度、基板密着性、ドライエッチング耐性といったレジスト性能に優れ、遠紫外光エキシマーレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適なレジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A data line or a data line and a power supply line in a unit pixel area of the organic electroluminescence element are formed in a trench formed by etching an insulating film, and a 1st electrode as a pixel electrode is formed so as to overlap the data line or the upper part of the data line and power line without causing a defect such as cross/talking.例文帳に追加

本発明は、有機電界発光素子の単位画素領域上のデータラインまたはデータライン及び電源供給ラインを、絶縁膜をエッチングして形成したトレンチ上に形成して画素電極である第１電極を、クロス・トークのような不良発生なくデータラインまたはデータライン及び電源供給ラインの上部にオーバーラップするように形成する。 - 特許庁

The converter 80 is a coil arranged adjacent to switches 16, 18 of the electronic equipment to measure the electromagnetic field, and constituted on a substrate of the electronic circuit by etching, and measures precisely the electromagnetic field in the constitutive component, by measuring a current flowing in the coil with a change of the electromagnetic field, by the measuring unit 82.例文帳に追加

変換器８０は、電磁界を測定すべき電子機器のスイッチ１６、１８に近接して配置され、電子回路の基板上にエッチングにより構成されているコイルであり、該コイルに電磁界の変化により流れる電流を測定ユニット８２が測定することにより、各構成部品の電磁界を高精度で測定することができる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for ionizing cluster capable of increasing the energy per atom constituting the cluster without changing the acceleration voltage when accelerating cluster ions in manufacturing elements or the like, and a method for forming a film using the cluster ionized thereby, an etching method, a surface modification method and a cleaning method.例文帳に追加

素子の製造等においてクラスターイオンを加速するに際し、加速電圧を変えることなくクラスターを構成する原子１個当たりのエネルギーを向上させることが可能となるクラスターのイオン化方法および装置、これらによりイオン化されたクラスターを用いた膜形成方法、エッチング方法、表面改質方法、洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide cleaning liquid for a semiconductor device, for removing stuck matters on the surface of a cleaning object such as photoresist, etching residuals, an antireflective coating and ashing residuals with low environment loads and without corroding an interlayer dielectric; and to provide a cleaning method for the semiconductor device using the cleaning liquid.例文帳に追加

本発明では、環境負荷が低く、層間絶縁膜を腐食することなく、フォトレジスト、エッチング残渣物、反射防止膜、および、アッシング残渣物などの洗浄対象物表面上にある付着物の除去を行うことができる半導体デバイス用の洗浄液、並びに該洗浄液を用いた半導体デバイス用の洗浄方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A semiconductor layer constituting a laser resonator 2 is grown on an n-type GaAs substrate 1 and after a waveguide stripe 3 is formed on the semiconductor layer, the semiconductor layer is etched at a position in a part corresponding to the waveguide stripe 3 not intersecting the surface of the semiconductor layer thus forming a resonator end face 5 of etching end face.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１上にレーザ共振器２を構成する半導体層を成長し、半導体層に導波路ストライプ３を形成した後、導波路ストライプ３に対応する部分における半導体層の表面に交差しない位置で半導体層をエッチングすることにより、エッチング端面からなる共振器端面４，５を形成する。 - 特許庁

To provide a zinc oxide-based transparent conductive film-forming material usable for a target for film formation of a transparent conductive film which holds conductivity endurable for pracrtical use, has weather resistance, and has a suitable etching rate in patterning, a method for manufacturing the same, a target using the same, and a method for forming zinc oxide-based transparent conductive film.例文帳に追加

実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

On one face of the anode 10 having an active material layer 2 containing an element with the high forming ability of a lithium compound, a resist pattern with a number of open holes 12c is formed, and then, portions exposed through the open holes 12c are removed by etching to form a number of through-holes 5 on the active material layer 2 extended in a thickness direction.例文帳に追加

リチウム化合物の形成能の高い元素を含む活物質層２を有する負極１０の一面に、多数の開孔部１２ｃを有するレジストパターンを形成し、次いで開孔部１２ｃを通じて露出している部位をエッチングにより除去して活物質層２にその厚さ方向へ延びる貫通孔５を多数形成する。 - 特許庁

The display device has the electrode of the laminated structure in which transparent conductive films are laminated, and as for the electrode, a first transparent conductive film which does not form the residue in the etching using the weak acidic solution serves as the lowermost layer, and a second transparent conductive film with a work function of 5.0 eV or more serves as the uppermost layer.例文帳に追加

本発明の表示装置は、透明導電膜が積層した積層構造の電極を有する表示装置であり、前記電極は、弱酸性溶液を用いたエッチングにおいて残渣を生じない第１の透明導電膜を最下層とし、仕事関数が５．０ｅＶ以上の第２の透明導電膜を最上層としていることを特徴としている。 - 特許庁

The protruded silicon electrode plate for plasma etching is constituted so that a silicon electrode plate 13 having through small holes 5 and with a small diameter, a silicon electrode plate 14 having through small holes 5 and with a large diameter and a cooling plate 3 having small holes 5 and with a large diameter are concentrically superposed so that the through small holes 5 communicate, and they are fixed by means of bolts 6.例文帳に追加

貫通細孔５を有する小径のシリコン電極板１３と、貫通細孔５を有する大径のシリコン電極板１４と、貫通細孔５を有する大径の冷却板３とを同心円状にかつ前記貫通細孔５が連通するように重ね合わせ、これらをボルト６で固定してなることを特徴とする。 - 特許庁

The source and drain electrode sections are formed by successively etching an insulating film 13, an ohmic-contact source electrode and drain electrode layer 12, and a low- resistance diamond layer 11 which transmits carriers metallically and has a certain degree of doping concentration in one photolithography process after the diamond layer 11, source electrode and drain electrode layer 12, and insulating film 13 are successively formed on the diamond layer 10.例文帳に追加

ソース及びドレイン電極部は、高抵抗ダイヤモンド層１０の上にキャリアの伝導が金属的である程度のドーピング濃度を持つ低抵抗のダイヤモンド層１１と、オーミック接触性のソース電極及びドレイン電極層１２と、絶縁膜１３とが順次積層された後、一回のフォトリソグラフィにより順次エッチングされて形成されている。 - 特許庁

Thus, the side etching is suppressed and the decrease in film thickness of the mask is also suppressed, so that even the conductive film whicih is thick having a thickness of 1 to 10 μm and contains aluminum or aluminum alloy is etched to have the steep slope at the end, to secure the desired film thickness, and to suppress the difference in shape from the mask pattern.例文帳に追加

サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑えることで、膜厚１μｍ以上１０μｍ以下といった厚膜のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜であっても、端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられるようにエッチングすることが可能となる。 - 特許庁

A plating film 11 is deposited on a carbide layer 6 formed on the inner surface of a through-hole 3 bored by laser processing, then the carbide layer 6 is removed together with the plating film 11 by etching, and the inside of the through-hole 3 where the carbide layer 6 and the plating film 11 have been removed is filled up with a conductor by plating.例文帳に追加

レーザ加工により形成された貫通孔３の内面の炭化層６上にめっき膜１１を被着させた後、炭化層６をめっき膜１１とともにエッチング除去し、さらにこの炭化層６およびめっき膜１１が除去された貫通孔３の内部にめっきにより導体を充填して貫通導体４を形成する。 - 特許庁

When the higher harmonic components from the quinary harmonic to the octenary harmonic of the electrode current reach a preset value or larger, an etching treatment having high accuracy in low damage is enabled, and the effect where the yield of the semiconductor device can be improved is displayed, because the generation of charging damage can be prevented by controlling the equipment, to stop the working of the equipment.例文帳に追加

電極電流の５次から８次の高調波成分があらかじめ設定した値以上となった場合、装置の稼動を停止するよう制御することにより、チャージングダメージの発生を未然に防ぐことができるので、低ダメージで高精度なエッチング処理が可能であり、半導体デバイスの歩留まりを向上させることができるという効果がある。 - 特許庁

A transparent layer 46 comprises the protrusions and a flat part 45 which are formed by subjecting a transparent photosensitive resin layer provided on color pixels 42 to exposure treatment via a density distribution mask PM1 and development treatment and parts of a transparent conductive film 43 above the protrusions are removed by photo etching applied to a transparent conductive film provided on the entire upper surface of the transparent layer.例文帳に追加

透明層４６は、着色画素４２上に設けた透明感光性樹脂層への濃度分布マスクＰＭ１を介した露光、現像処理によって形成された突起と平坦部４５からなり、透明導電膜４３は透明層の上面の全面に設けた透明導電膜へのフォトエッチングによって突起上の部分は除去されている。 - 特許庁

This production method of the graphene conductive film includes: a first step of providing a metallic substrate having a first surface and a second surface facing the first surface; a second step of growing a graphene structure on the first surface of the metallic substrate; and a third step of patterning the metallic substrate by etching to form an electrode.例文帳に追加

本発明のグラフェン導電膜の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、エッチングによって、前記金属基材をパターニングして電極を形成させる第三ステップと、を含む。 - 特許庁

An Ellipsometer is arranged in the orienter chamber 55 and by measuring the thickness of ion implemented region (amorphous layer) in a substrate or the thickness of the formed film without exposing a wafer to the atmosphere outside a manufacturing device until a series of processes such as film forming, annealing, and etching is completed, the management of the condition setting of the next process etc. is made possible.例文帳に追加

オリエンターチャンバ５５にエリプソメータが配設され、成膜，アニール，エッチング等の一連のプロセスが終了するまでウエハを製造装置外の大気にさらすことなく、基板内のイオン注入領域（アモルファス層）の厚みや、成膜した膜の厚みなどをエリプソメータにより測定することで、次の処理の条件設定などの管理が可能となる。 - 特許庁

In the compound semiconductor light emitting element provided with a gallium nitride-based compound semiconductor which is formed by successively laminating the n-type layer and p-type layer upon a sapphire substrate in this order and etching the layers so that the electrode forming surface of the n-type layer may be exposed, the surface of the sapphire substrate on the same side as that of the electrode forming surface is exposed.例文帳に追加

サファイア基板上にｎ型層及びｐ型層が順に積層されて、予めｎ型層の電極形成面が露出するようにエッチングされた窒化ガリウム系化合物半導体を前記サファイア基板上に備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記電極形成面と同一面側にサファイア基板面が露出されている。 - 特許庁

In the method for manufacturing a glazed substrate in which a glazed layer 2 is formed on a ceramic base 1 and in addition, a resist film 3 with a specified pattern is formed thereon and after an etching treatment, the resist film 3 is removed, by spraying sodium bicarbonate particles with a particle diameter of at most 250 μm with at least a pressurized liquid from a nozzle 5.例文帳に追加

セラミック基板１上にグレーズ層２を形成し、さらにその上に所定パターンのレジスト膜３を形成して、エッチング処理後にレジスト膜３を除去するグレーズ基板の製造方法において、ノズル５から粒子径が２５０μｍ以下の炭酸水素ナトリウム粒子を少なくとも加圧液体と共に吹付けてレジスト膜３を除去する。 - 特許庁

The actuator substrate 1 comprises the diaphragm 12 and an electrode 14 which are disposed facing with each other via a void 13 formed by the sacrifice layer etching, and the sacrifice layer hole 30 to remove the sacrifice layer is sealed with a silicon oxide film 28 which constitutes a part of the diaphragm 12 as a sealing film, forming a corrosion resistant film 29 on the silicon oxide film 28.例文帳に追加

アクチュエータ基板１は犠牲層エッチングで形成した空隙１３を介して対向する振動板１２と電極１４とを対向して配置し、犠牲層を除去するための犠牲層ホール３０を振動板１２の一部を構成するシリコン酸化膜２８を封止膜に用いて封止し、シリコン酸化膜２８上に耐腐食性膜２９を形成した。 - 特許庁

A metal substrate in which ruggedness in accordance with a transfer pattern in accordance with information to be transferred to the magnetic recording medium is formed on a surface is formed, a master substrate having the prescribed shape is formed by separating from the metal substrate by etching, and a magnetic layer is formed so that at least ruggedness out of the surface of the master substrate is covered with the magnetic layer.例文帳に追加

磁気記録媒体に転写すべき情報に応じた転写パターンに応じた凹凸が表面に形成された金属基板を成形し、金属基板からエッチングによって分離することで所定の形状を有するマスター基板を成形し、マスター基板の表面のうち少なくとも凹凸を覆うように磁性層を形成する。 - 特許庁

This mask cleaning device for an organic EL element for cleaning a mask used for formation of an organic layer of the organic EL element is provided with: a chamber for housing the mask; a gas discharge part arranged in the chamber for discharging an etching gas toward the mask; and a metallic cooling member installed in the chamber, arranged separately from the mask, and facing to the mask.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の有機層の形成に用いられるマスクをクリーニングする有機ＥＬ素子用マスククリーニング装置であって、マスクを収容するチャンバと、チャンバ内に設けられ、マスクに向けてエッチング用ガスを吐出するガス吐出部と、チャンバ内に設けられ、マスクから離隔して配置されるとともに当該マスクと対向する金属製の冷却部材とを備える。 - 特許庁

An insulation film is used, composed of an Si nitride film formed by the low pressure CVD method as an intermediate insulation film 107 which is inserted between insulation films 106, 108 having first and second contact holes 161, 162 and used for a mask in etching the second contact holes 162, and an Si nitride film formed by the plasma CVD method.例文帳に追加

第１及び第２のコンタクト孔１６１、１６２が形成された絶縁膜１０６、１０８間に挿入され、第２のコンタクト孔１６２をエッチングする際のマスクに用いられる中間絶縁膜１０７として減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン窒化膜とプラズマＣＶＤ法により形成されたシリコン窒化膜とから構成された絶縁膜を用いる。 - 特許庁

In a dry etching device which is equipped with an He cooling mechanism for cooling a glass board 1 and a frame-shaped clamp 2 for pressing and fixing the periphery of the glass board all around from it upper side, the clamp 2 is inclined to be thicker from the inside periphery to outside periphery so that the flow of processing gas may be performed smoothly.例文帳に追加

ガラス基板１を冷却するためのＨｅ冷却機構と、ガラス基板１周辺部を全周にわたって上側より押さえ固定する枠状のクランプ２を備えたドライエッチング装置において、クランプ２に、内周部から外周部に向かって肉厚となるような傾斜をつけ、処理ガスの流れがスムーズに行われるようにした。 - 特許庁

In a parallel plate reactive ion etching system, a matching box housing a matching circuit is positioned under a cathode assembly accessory mechanism attached to the external wall surface of a cathode-side vacuum chamber, within an extent containing the center axis line passing through a cathode and an anode, so that an earthing route may become symmetrical with respect to a substrate on the cathode.例文帳に追加

本平行平板式反応性イオンエッチング装置においては、陰極と陽極とを通る中心軸線を含む範囲内でしかもアース経路が陰極上の基板に対して対称形となるように、マッチング回路を収納したマッチングボックスを、陰極側の真空チャンバーの外壁面に取付けられた陰極組立体付属機構の下側に位置決めされる。 - 特許庁

In the case of movably forming the resonator including the movable electrode 34 on the silicon substrate 50, after forming a protection resin 67 around the fixed electrode 32 fixed on the insulation film 51, the lead wires 35, and the connection terminals 36 or the like in advance, the insulation film 51 under the resonator and including the movable electrode 34 is removed by etching.例文帳に追加

可動電極３４を含む共振子をシリコン基板５０上において移動可能に形成する際に、予め絶縁膜５１上に固定される固定電極３２、リード線３５、及び接続端子３６等の周囲に保護樹脂６７を形成してから可動電極３４を含む共振子の下方の絶縁膜５１をエッチングにより除去する。 - 特許庁

(1) The method for forming a conductor interconnection circuit on a semiconductor wafer comprises a step for laying a metal foil for forming interconnection on the side for forming the electrodes of the semiconductor wafer having circuit elements formed on the surface, a step for forming an interconnection pattern on the metal foil, a step for etching the metal foil, and a step for removing resist and forming an interconnection.例文帳に追加

（１）表面に回路素子の形成された半導体ウェハ上の電極形成面側に配線形成用金属箔を積層する工程、該金属箔上に配線パターンを形成する工程、金属箔のエッチングを行う工程、および、レジストを除去して配線を形成する工程を含む、半導体ウェハ上の導体配線回路形成方法。 - 特許庁

The discrimination symbol 16a is provided, by arranging a mask 20 comprising a through-hole 22 for forming the bit mark on the wafer 10, where a photoresist film is formed, which is moved by a prescribed distance in horizontal direction from a reference point for exposure, and then removing by etching the exposed part or its surrounding or laminating a thin film on the part.例文帳に追加

このような識別記号１６ａは、まず、ビットマークを形成するための貫通孔２２を有するマスク２０を、フォトレジスト膜が形成されたウエハ１０上に配置し、基準点から水平方向に所定距離だけ移動させた後、露光させ、次いで、露光部分又はその周囲をエッチング除去するか、あるいは、その部分に薄膜を積層することにより得られる。 - 特許庁

The blank mask includes a light shielding film pattern formed in a region including a light shielding region on a transparent substrate and a phase inversion film formed on the exposed transparent substrate, and the phase inversion film has a phase difference of 160 to 200° relative to exposure light, and the light shielding film pattern and the phase inversion film are etched with the same etching material.例文帳に追加

透明基板上に遮光領域を含む領域に形成された遮光膜パターンと、露出された該透明基板上に形成された位相反転膜とを持ち、位相反転膜は、露光光に対して１６０゜ないし２００゜の位相差を持ち、遮光膜パターン及び位相反転膜は、同じエッチング物質によりエッチングされることを特徴とするブランクマスク。 - 特許庁

To provide a plasma processing device and cleaning method for suppressing etching in an electrode on cleaning to drastically reduce an operation time for cleaning without using a material to protect the electrode; and attaining a high-rank quality in a cleaning operation, by making the improvement of an economic potential through the protection of the electrode compatible with the reduction of the time required for the cleaning operation.例文帳に追加

電極を保護する部材を用いることなく、クリーニング時の電極のエッチングを抑制すると共にクリーニング作業時間を大幅に短縮でき、電極保護による経済性の向上と、クリーニング作業時間の短縮化とを両立させて、クリーニング作業の高品位化を図ったプラズマ処理装置及びそのクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

The gas diffusion layer for a fuel cell is formed by laminating at least two metal plates 3, 4, and 5 each having a plurality of through holes 6 for gas diffusion and a through hole 7 for alignment formed by photo-etching, while aligning the through holes 7 for alignment so that the through holes for gas diffusion continuously run from the separator side to the catalyst layer side.例文帳に追加

フォトエッチングにより複数のガス拡散用貫通孔６、および位置合わせ用貫通孔７が形成された少なくとも１つ以上の金属板３，４，５を、セパレータ側から触媒層側までガス拡散用貫通孔が連続するように、位置合わせ用貫通孔７を合わせて積層させて燃料電池用ガス拡散層を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method for the inkjet recording head includes a process of preparing the Si substrate where the heating elements and an orifice plate with ejection ports for ejecting ink formed therein are set at one primary face side, a process of forming the ink supply ports by etching the other primary face of the Si substrate by the method and by forming through-holes in the Si substrate.例文帳に追加

発熱体とインクを吐出するための吐出口が設けられたオリフィスプレートとが一方の主面側に設けられたＳｉ基板を用意する工程；及びＳｉ基板の他方の主面を前記方法によってエッチングしてＳｉ基板に貫通孔を設けることによりインク供給口を形成する工程を有するインクジェット記録ヘッドの製造方法。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device is characterized in that the contact hole is filled with a conductive material without causing a defect inside when the contact hole is filled with the conductive material in a succeeding stage by removing by anisotropic etching the barrier layer formed in the opening area of the contact hole filled with the conductive material forming the connection line.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、接続線を形成する導電材料を埋め込むコンタクトホールの開口領域に形成されたバリア層を異方性エッチングにより除去することにより、後の工程で導電材料を埋め込むに際して、欠陥を内在させることなくコンタクトホールに導電材料を充填することを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device comprises a step (a) of forming a first insulating film 11 on a substrate 12, a step (c) of selectively removing the first insulating film 11 by wet etching, and a step (d) of forming a second insulating film 17 on a region of the substrate 12 having the insulating film 11 removed therefrom.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、基板１２の上に第１の絶縁膜１１を形成する工程（ａ）と、第１の絶縁膜１１をウェットエッチエッチングにより選択的に除去する工程（ｃ）と、基板１２における第１の絶縁膜１１が除去された領域の上に第２の絶縁膜１７を形成する工程（ｄ）とを備えている。 - 特許庁

The method of manufacturing a liquid ejection head includes a step of forming and patterning a mask 52 containing chromium on another side surface of a channel formation substrate 10 with a piezoelectric actuator 300 formed on its one side surface, and a step of forming a liquid channel 12, etc. by anisotropically etching the channel formation substrate 10 from the another surface side via the mask 52.例文帳に追加

圧電アクチュエーター３００が一方面に形成された流路形成基板１０の他方面にクロムが含有されたマスク５２を形成すると共にパターニングする工程と、前記流路形成基板１０を他方面側から前記マスク５２を介して異方性エッチングすることにより、液体流路１２等を形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

The plasma processing method includes: product etching (step S1: processing of a sample including Ti material); thereafter carbon system deposition discharge for depositing a carbon system film on a Ti reaction product deposited on the surface of the processing chamber (step S2); and thereafter chlorine electric discharge for removing the carbon system film abd the Ti deposited on the surface of the processing chamber (step S3).例文帳に追加

製品エッチング（工程Ｓ１：Ｔｉ材料を含む試料の処理）後に、処理室表面に堆積するＴｉ反応生成物に対してカーボン系膜を堆積させるカーボン系堆積放電（工程Ｓ２）と、その後に処理室表面に堆積するカーボン系膜とＴｉを除去する塩素系放電（工程Ｓ３）とを含むプラズマの処理方法とする。 - 特許庁

A laminate 13 is formed by overlapping a first semiconductor substrate 11 serving as an active layer onto a second semiconductor substrate 12 serving as a support substrate via an oxide film 11a or without it; an active layer 11b is formed by forming a thin film from the first semiconductor substrate 11; and the surface of the active layer 11b is flattened by vapor-phase etching.例文帳に追加

活性層となる第１半導体基板１１を酸化膜１１ａを介して、又は介することなく支持基板となる第２半導体基板１２に重ね合せて積層体１３を形成、この第１半導体基板１１を薄膜化して活性層１１ｂを形成し、更に活性層１１ｂ表面を気相エッチングにより平坦化する。 - 特許庁

A preliminary processing method for a sample used on atom probe apparatus includes the steps of: cutting the desired observing part of the sample into a block using an FIB equipment; transferring the sample block onto a sample substrate and fixing the sample block in place; and processing the sample block fixed onto the sample substrate into a needle-point shape by FIB etching.例文帳に追加

本発明のアトムプローブ装置用試料の予備加工は、ＦＩＢ装置を用いて試料所望観察部位をブロック状に切り出すステップと、該ブロック状の切り出し試料を試料基板上に移送して固定するステップと、該試料基板上に固定されたブロック状の試料をＦＩＢエッチング加工によって針先形状に加工するステップとからなる。 - 特許庁

The fuel cell separator comprises: a stainless steel substrate 11 having recesses 11a, 11b and projections 11c, 11d formed by electrolytic etching; nickel build-up parts 18 formed on surfaces 11e, 11f of the projections 11c, 11d; and gold films 21 formed on the exposed surfaces of the stainless substrate 11 and the nickel build-up parts 18.例文帳に追加

燃料電池セパレータは、電解エッチングによって凹部１１ａ，１１ｂ及び凸部１１ｃ，１１ｄが形成されたステンレス基材１１と、その凸部１１ｃ，１１ｄの頂面１１ｅ，１１ｆに積層されたニッケル肉盛部１８と、ステンレス基材１１及びニッケル肉盛部１８の露出面に形成された金皮膜２１とを備えている。 - 特許庁

To develop such an etching technique that an alloy material composed of a Zr-based amorphous alloy, a quasicrystal alloy, a nanocrystal alloy or a metal glass alloy to which cold forming is extremely difficult since plastic deformation is extremely little such as a ribbon material and a thin sheet material is worked produce a product with an optional shape such as a worked component with a microstructure or the like imparted.例文帳に追加

塑性変形が非常に少ないので、冷間成形加工が非常に困難であるZr基非晶質、準結晶、ナノ結晶、金属ガラス合金からなる合金材、例えば、リボン材や薄板材を加工して、任意の形状の製品、例えば、微細構造など付与された加工部品などを製造するエッチング技術の開発が求められている。 - 特許庁

Thereafter, a sidewall insulating layer is formed on a sidewall located on an inner side of a first gate etched part, the residual part of the film 5 is subjected to second gate etching to bore an opening in the insulating film 5, and reverse type impurities are introduced into the channel formation impurity region 4 through the opening to form a gate impurity region.例文帳に追加

その後は、たとえば第１のゲートエッチング箇所より内側の側壁にサイドウォール絶縁層を形成した後に、第１のゲートエッチング後に残った絶縁膜部分に対し第２のゲートエッチングを行い、絶縁膜５を開口し、この開口から逆導電型の不純物をチャネル形成不純物領域４内に導入して、ゲート不純物領域を形成する。 - 特許庁