「etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(388ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a plasma treatment method and an apparatus thereof, which can suppress dispersion of treatment on the center side section and the peripheral side of a wafer, even without reaction making the weakened or the pressure and a gas flow rate in a chamber being restricted strictly by suppressing the occurrence of plasma at performing of plasma treatment, such as plasma etching and plasma CVD.例文帳に追加

プラズマエッチングやプラズマＣＶＤなどのプラズマ処理を行う場合、プラズマの発生を抑制して反応を弱くしたり、チャンバ内の圧力やガス流量などを厳しく制約しなくても、ウェハの中心部側と周辺部側とにおける処理のバラツキを抑制することができるプラズマ処理方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

This method is characterized by using an ion etching device annexed to a device and a metallic material disposed next to the insulating specimen when a surface of the specimen is thinly filmed with a metallic component not contained in the insulating material within an XPS measurement chamber to prevent electrostatic charge on the surface of the sample, when analyzing the insulating sample by XPS.例文帳に追加

ＸＰＳにより絶縁性試料を分析するに際し、ＸＰＳ測定室内部で該絶縁性試料表面に該絶縁物に含まれていない金属成分を薄く成膜して、該絶縁性試料表面の帯電防止をはかる際に、装置付属のイオンエッチング装置と該絶縁試料に隣接配置した金属材料を用いることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for treating an iron chloride based waste fluid capable of effectively recovering indium as a metal or its alloy from an iron chloride based waste fluid using a nitric acid-containing iron chloride based waste fluid not noticed heretofore as a treatment target in treatment of the iron chloride based waste fluid obtained by the etching or acid washing of a liquid crystal substrate or the like.例文帳に追加

液晶基板等をエッチング又は酸洗した塩化鉄系廃液の処理を行うに際し、これまで着目されていなかった硝酸を含有する塩化鉄系廃液を処理対象とし、当該塩化鉄系廃液からインジウムを金属単体又は合金として効果的に回収することが可能な塩化鉄系廃液の処理方法を提供する。 - 特許庁

Further, a method of manufacturing a BEOL interconnection structure includes (i) a method of forming a high-density TDL in an opening of the ULK dielectric bored by etching, and (ii) a method of arranging the ULK dielectric in a process chamber on a cold chuck, putting a seal agent into the process chamber and further performing an activating step.例文帳に追加

また、後工程相互接続構造の作製方法が開示され、この方法は、（ｉ）超低Ｋ誘電体のエッチングされた開口に高密度薄膜誘電体層を生成する方法、および（ｉｉ）超低Ｋ誘電体を低温チャック上でプロセス・チャンバ中に配置し、封止剤をプロセス・チャンバに加え、さらに活性化ステップを行なう方法を含む。 - 特許庁

To solve the problem in making regrowth for embedding a guide layer, where characteristics of an optical waveguide and a diffraction lattice are varied as an unexpected refractive index difference is produced, because a refractive index of an initial regrowth layer formed in an initial stage of the regrowth is different from a design value and as refractive index differences as a whole are varied according to etching depths.例文帳に追加

ガイド層を埋め込むために再成長させるときに、再成長の初期に作られる再成長初期層の屈折率が設計値と異なるために意図しない屈折率差が発生し、かつエッチング深さによって全体の屈折率差がばらつくために、光導波路や回折格子の特性がばらついてしまうという課題を解決する。 - 特許庁

The pattern manufacturing system comprises exposure to directly draw a resist overlying on a copper foil formed on both the faces of the substrate by using the line width of the pattern line and an exposure amount designated by processing pattern data 100, forming a resist pattern by developing the exposed resist, and forming a pattern by etching the copper foil of both the faces of the substrate forming the resist pattern.例文帳に追加

加工用パターンデータ１００により指定されたパターン線の線幅と露光量を用いて、基板の両面に形成された銅箔上にラミネートされたレジストに直接描画して露光し、露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成して、レジストパターンが形成された基板の両面の銅箔をエッチングしてパターンを形成する。 - 特許庁

Several ten-several hundred variable wavelength laser media are shaped into a stripe shape with a width of 10-50 μm and a thickness of several μm to be parallelly arranged on a substrate 1 with a length of 10-20 mm and, irradiated with ultraviolet laser beam from two directions to form stripe patterns due to interference and cyclical unevennesses (diffraction lattices) are formed by an optical etching method.例文帳に追加

長さ１０〜２０ｍｍの基板１上に可変波長レーザー媒質を幅１０〜５０μｍ、厚さ数μｍのストライプ状に整形して数１０〜数１００本平行にならべ、それぞれに紫外レーザー光を２方向から照射して干渉による縞模様を作り、光エッチング法で周期的な凹凸（回折格子）を作る。 - 特許庁

In the plasma etching electrode plate wherein a fixing hole with a bottom for fixing an electrode plate 1 to an electrode supporting portion 2 is provided at a flat surface of the electrode plate 1, a fixing member 3 which has a cylindrical shape and has screws on the inner peripheral portion and the outer peripheral portion is fixed to the inner peripheral portion of the fixing hole by screwing.例文帳に追加

電極板１を電極支持部２に取付けるための有底の取付孔を電極板１の平面部に設けたプラズマエッチング電極板において、該取付孔の内周部に、円筒状であって内周部及び外周部にネジ部を有する固定部材３が螺合により固定されていることを特徴とするプラズマエッチング電極板。 - 特許庁

This method for regenerating the etchant includes adding a deposition agent such as ammonium chloride, to a fatigued liquid which is discharged when etching a metal (ST2) including at least copper, with an etchant including at least ferric chloride and further hydrochloric acid, ammonium chloride, and the like, of predetermined concentration, and further concentrating and cooling it, to deposit a copper component dissolving in the fatigued liquid (ST3).例文帳に追加

少なくとも塩化第二鉄を含み、さらに所定濃度の塩酸や塩化アンモニウムなどを含むエッチング液を用いて、少なくとも銅を含む金属をエッチング処理した（ＳＴ２）ときに出される疲労液に、塩化アンモニウムなどの析出剤を添加し、さらに濃縮や冷却などを行って、疲労液中に溶解している銅成分を析出させる（ＳＴ３）。 - 特許庁

To provide an electrostatic actuator which has high reliability and can print with high image quality at a low cost, by solving problems inherent in the electrostatic actuator having a gap formed by sacrificial layer etching, and to provide a liquid droplet discharge head, an ink cartridge integrated with the liquid droplet discharge head, and an ink jet recording apparatus mounted with the liquid droplet discharge head.例文帳に追加

犠牲層エッチングによりギャップを形成した静電型アクチュエータ固有の問題を改善することによって、低コストで、信頼性が高く、高画質印字が可能な静電型アクチュエータ、液滴吐出ヘッド、この液滴吐出ヘッドを一体化したインクカートリッジ、及びこの液滴吐出ヘッドを搭載したインクジェット記録装置を提供する。 - 特許庁

The unetched sections are left on the surface of aluminum foil on which an electrically insulating shielding member exists by installing the shielding member closely to the partial surface of the aluminum foil in an electrolytic solution, such as the hydrochloric acid, etc., containing chlorine ions at the time of etching the foil, by dipping the foil in the electrolytic solution and impressing an AC voltage upon the foil.例文帳に追加

アルミニウム箔を塩酸等の塩素イオンを含有する電解液中に浸漬し交流電流を印加してエッチング処理する際に電解液中でアルミニウム箔表面の一部に近接して電気絶縁性の遮蔽部材を設置してエッチングを行うことにより遮蔽部材が存在する表面に未エッチング部分を残存させる。 - 特許庁

The hair-spring is manufactured by photolithography and etching in a strip 3 pre-cut from a quartz monocrystal such that the height h of the spring forms, relative to the crystallographic axis z, an angle theta for adapting the thermal behavior of the hair-spring to that of the balance, thereby reducing the variation of rate due to temperature variations.例文帳に追加

結晶軸ｚに対して角θを形成するように石英単結晶から予めカットした薄辺のフォトリソグラフィおよびエッチング加工によりゼンマイの高さｈのひげゼンマイを製作することによって、ひげゼンマイの熱的振舞いをてんぷの熱的振舞いに適応させ、それによって温度変化による速度変化を減少させる。 - 特許庁

In a periphery part cleaning box 300 for cleaning selectively the periphery part of the wafer W, a second cleaning-liquid feeding nozzle, which feeds an etching liquid to remove slurry from the periphery part of the wafer and to etch an unnecessary thin film around the periphery part, is located around the periphery part of upper/lower surfaces of the wafer W.例文帳に追加

また、ウエハＷの周縁部を選択的に洗浄するための周縁部洗浄ボックス３００には、ウエハＷの上面および下面の周縁部に、その周縁部からスラリーを除去したり、その周縁部の不要な薄膜をエッチングしたりするためのエッチング液を供給するための第２洗浄液供給ノズルが配設されている。 - 特許庁

The substrate for the power module has the circuit layer 2a formed on a top surface of a ceramic substrate 1 by etching an aluminum layer 2 bonded thereupon, and is characterized in that the circuit layer 2a contains 0.7 to 1.2 wt.% Si within a range of ≤200 μm from its bonding interface 6 with the ceramic substrate 1.例文帳に追加

セラミックス基板１の表面に、その上に接合したアルミニウム層２のエッチングにより回路層２ａを形成してなるパワーモジュール用基板であって、前記回路層２ａは、その前記セラミックス基板１との接合界面６から２００μｍ以内のＳｉの含有量が０．７ｗｔ％以上１．２ｗｔ％以下とされていることを特徴とする。 - 特許庁

In a method of reproducing a cleaning member for a semiconductor device, a cleaning layer 2 comprised of a heat resistant resin resulting from heat-curing polyamic acid is provided on at least one side of a wafer 1, and particles stuck on the top layer of the cleaning layer are removed using a dry etching system.例文帳に追加

ウエハ１の少なくとも片面にポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなるクリーニング層２が設けられてなる半導体装置用クリーニング部材の再生方法であって、上記クリーニング層の表層に付着したパーティクルをドライエッチング方式を用いて除去することを特徴とする半導体装置用クリーニング部材の再生方法。 - 特許庁

When a formed n-type amorphous silicon film 43 and an intrinsic amorphous silicon film 41 are subjected to patterning by dry etching using resist films 45a to 45d as a mask, the n-type amorphous silicon film and the intrinsic amorphous silicon film are left unnecessarily under a foreign matter 46 in the existence of the foreign matter 46 on the formed n-type amorphous silicon film 43.例文帳に追加

レジスト膜４５ａ〜４５ｄをマスクとして、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜４３および真性アモルファスシリコン膜４１のパターニングをドライエッチングによって行なうとき、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜４３上に異物４６が存在すると、異物４６下にｎ型アモルファスシリコン膜および真性アモルファスシリコン膜が不要に残存される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a printed wiring board by an electrophotographic process which not only has easy resist stripping characteristics by including the inner wall of a through hole and/or a non-through hole even if the wiring board is manufactured by the electrophotographic process, but also can realize a high resolution in an etching step as compared with a conventional photoresist material.例文帳に追加

電子写真法によるプリント配線板の製造を行うに際しても、貫通孔または／及び非貫通孔の内壁を含めた容易なレジスト剥離特性を有するだけでなく、従来のフォトレジスト材料よりもエッチング工程における高解像力をも実現することが可能な、電子写真法によるプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polyimide film which, when applied for a metal wiring board substrate for a flexible printed circuit, CSP, BGA or TAB tape the surface of which is provided with a metal wiring, shows high elastic modulus, a low coefficient of thermal expansion, excellent alkali etching property and film formability; to provide its manufacturing method; and to provide a metal wiring circuit board comprising it as a substrate.例文帳に追加

その表面に金属配線を施してなる可撓性の印刷回路、ＣＳＰ、ＢＧＡまたはＴＡＢテープ用の金属配線板基材に適用した場合に、高弾性率、低熱膨張係数、アルカリエッチング性、および製膜性に優れたポリイミドフィルム、その製造方法およびそれを基材としてなる金属配線回路板を提供する。 - 特許庁

This preparation method of the sample for atom probe analysis has a step for preparing a ridged and grooved structure by performing etching machining of FIB onto both of a base needle 2 and an implantation sample piece 1, a step for bonding mutual members, and a step for sticking by deposition processing of FIB so that the ridged and grooved structure has an engaged form.例文帳に追加

本発明のアトムプローブ分析用試料の作製方法は、ベース針２と移植試料片１の双方にＦＩＢのエッチング加工によって凹凸構造を作製するステップと、互いの部材を接合させるステップと、前記凹凸構造が噛合い形態となるようにＦＩＢのデポジション加工によって接着するステップとを踏むものとした。 - 特許庁

In etching a silicon film on an insulation film in a plurality of patterns different in size, the film is etched in an initial stage using a plasma pulled in by applying an ac power of a high frequency (13.56 MHz), and then etched using a plasma pulled in by intermittently applying an ac power of a low frequency (380 KHz).例文帳に追加

サイズが異なる複数のパターンにおいて絶縁膜上のシリコン膜をエッチングする際に、初めの段階では、高い周波数（１３．５６ＭＨｚ）の交流電力の印加によって引き込んだプラズマを用いてエッチングを行い、その後、低い周波数（３８０ｋＨｚ）の交流電力の間欠的印加によって引き込んだプラズマを用いてエッチングを行う。 - 特許庁

The method of patterning the conductive tin oxide film using a solution containing a tin compound and a dopant compound soluble in an organic solvent, dissolved in the organic solvent comprises drying a dry film within the range of retaining solubility in a developer, exposing it to a light containing a ultraviolet region to make it insoluble in part and etching a non- exposed portion with the developer.例文帳に追加

有機溶媒に可溶なスズ化合物とドーパント化合物を該有機溶媒に溶解した溶液を用い、該乾燥膜が現像液に対する溶解性を保持する範囲内で乾燥して、紫外領域を含む光により露光することで部分的に不溶にし、現像液で未露光部をエッチングすることを特徴とする導電性酸化スズ膜のパターニング方法。 - 特許庁

Pretreatment using plasma of a reactive ion etching (RIE) mode is applied to at least one surface of a substrate consisting of an antistatic plastic material, and a vapor deposition layer with a thickness of 5-100 nm comprising a metal or an inorganic compound is provided on the treated surface of the substrate to constitute the vapor deposition film strong in adhesion having the antistatic capacity.例文帳に追加

帯電防止性を有するプラスチック材料からなる基材の少なくとも一方の面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）モードのプラズマを利用した前処理を施し、その上に厚さ５〜１００ｎｍの金属もしくは無機化合物からなる蒸着層を設けることを特徴とする帯電防止性能を有する強密着蒸着フィルムである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reflective mask, which can simply form a light shielding region and can achieve highly accurate pattern transfer, without increasing a manufacturing process such as resist coating, drawing, developing and etching, and without needing to prepare a special mask blank; an ion beam device for the reflective mask; and the reflective mask.例文帳に追加

本発明は、レジスト塗布、描画、現像、エッチング等の製造工程を増やすことなく、特殊なマスクブランクを準備する必要もなく、簡便に遮光領域を形成することが可能であり、高精度なパターン転写を実現することが可能な反射型マスクの製造方法、反射型マスク用イオンビーム装置、および反射型マスクを提供することを主目的とする。 - 特許庁

These methods include stages of: forming a thin film 52 of a microlens constituting substance on a substrate 51, forming a photo register pattern 53 on the thin film 52, forming a thin film constituting substance 54 though an etching process using the photo register pattern 53, and forming the microlens by reflow by thermal processing of the thin film constituting structure 54.例文帳に追加

基板５１上にマイクロレンズ構成物質の薄膜５２を形成する段階と、前記薄膜５２上にフォトレジストパターン５３を形成する段階と、前記フォトレジストパターン５３を用いたエッチング工程を通じて薄膜構造物５４を形成する段階と、前記薄膜構造物５４を熱処理してリフローによってマイクロレンズを形成する段階と、を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride gallium substrate includes a step of forming a porous nitride gallium substrate 11a having a thickness of 10 nm to 1000 nm by etching a nitride gallium substrate 11 in an atmosphere of HCl and NH_3 gas in a reaction chamber of an HVPE apparatus, and further includes a step of forming a nitride gallium growth layer 20 in a single reaction chamber by in situ process.例文帳に追加

ＨＶＰＥ装置の反応チャンバ内でＨＣｌ及びＮＨ_３ガス雰囲気で窒化ガリウム基板１１をエッチングして１０〜１０００ｎｍの厚さの多孔性窒化ガリウム層１１ａを形成するステップを含み、ひいては、単一の反応チャンバ内でインシチュで窒化ガリウム成長層２０を形成するステップをさらに含む窒化ガリウム基板の製造方法。 - 特許庁

The above scratching flaws exhibit an anchor effect in performing silver mirror plating to enhance the adhesion property of the silvering layers and therefore the need for forming anchor holes at the resin parts by performing etching by a chromic acid is eliminated and the resin parts of the urethane themselves and the boundaries between these resin parts and the build-up welding are prevented from being damaged by the chromic acid.例文帳に追加

銀鏡メッキを行う際に前記擦り傷がアンカー効果を発揮して銀メッキ層の密着性が高められるので、クロム酸によるエッチングを行って樹脂部品にアンカー孔を形成する必要がなくなり、ウレタン製の樹脂部品自体や、その樹脂部品と肉盛りとの界面がクロム酸により損傷するのを防止することができる。 - 特許庁

A thick-film resist formed by a photolithographic technique and a film represented by a silicon oxide film formed by an etching technique with the resist patterns of the thick-film resist as a mask are laminated as a mask for ion implantation in a semiconductor manufacturing process step, by which the ion implantation mask patterns having fine patterns of a high aspect ratio not possible heretofore are obtained.例文帳に追加

半導体製造工程におけるイオン注入用マスクとして、フォトリソグラフィ技術により形成した厚膜レジストと、この厚膜レジストのレジストパターンをマスクとしてエッチング技術により形成した酸化シリコン膜に代表される膜を積層し、従来にない高アスペクト比の微細パターンを有するイオン注入マスクパターンを得るようにした。 - 特許庁

To manufacture, with good productivity, a buried hetero structure type optical semiconductor element which has a small capacity and is suitable for high speed transmission of light which has a semi-insulating semiconductor block layer and a carrier trap layer by lowering the requirement for a controllability of an etching depth which is required for a mesa narrowing process to reduce the element capacity.例文帳に追加

半絶縁性半導体ブロック層とキャリアトラップ層を有する埋め込みヘテロ構造型光半導体素子において、素子容量低減の為に必要な狭メサ化プロセスに必要とされるエッチング深さの制御性を緩和し、素子容量が小さく高速光伝送に好適な光半導体素子を再現性良く作製することを可能とする。 - 特許庁

The patterns are formed by performing a stage for forming the resist patterns 504 on a printing roll 510, a stage for printing multi-stepped resist patterns 550 on a layer to be etched which is formed on a substrate 520 by using the printing roll 510 and a stage for etching the layer to be etched using the printed resist patterns 550 as a mask.例文帳に追加

印刷ロール５１０にレジストパターン５０４を形成する段階と、前記印刷ロール５１０を使用して基板５２０上に形成されたエッチング対象層上に多段（ｍｕｌｔｉ−ｓｔｅｐｐｅｄ）のレジストパターン５５０を印刷する段階と、該印刷されたレジストパターン５５０をマスクにしてエッチング対象層をエッチングする段階と、を行ってパターンを形成する。 - 特許庁

To provide an etched metal thin sheet for a shadow mask, which is finished to a shadow mask by breaking a half-etching wire by plucking, and removing a margin part, capable of preventing flaw even if the corner part of the margin part or the corner part in the skirt part comes into contact with an image part or rubs the part in plucking the margin part.例文帳に追加

ハーフエッチング線を毟りによって破断して余白部を取り除きシャドウマスクに仕上げるシャドウマスク用エッチング済み金属薄板において、余白部の毟り作業の際に、余白部にある角部、或いはスカート部にある角部が画像面部に接触し、擦れても、傷を発生させることのないシャドウマスク用エッチング済み金属薄板を提供すること。 - 特許庁

This method comprises a non-magnetic material filling process (S104) in which a concave part of the irregular pattern is filled by applying a non-magnetic material on the recording layer formed with the prescribed irregular pattern on a substrate, and a flattening process (S106) in which surplus non-magnetic material on the recording layer is removed by ion beam etching and the surface is flattened.例文帳に追加

基板上に所定の凹凸パターンで形成された記録層上に非磁性材を成膜することにより凹凸パターンの凹部を充填する非磁性材充填工程（Ｓ１０４）と、記録層上の余剰の非磁性材をイオンビームエッチングにより除去して表面を平坦化する平坦化工程（Ｓ１０６）と、を含む構成とした。 - 特許庁

An opening hole is provided on a substrate 30 by performing first plating treatment to the opening hole fills a conductive material 34 for providing the connection terminal, a brazing agent film 40 is provided by performing second plating treatment onto the upper surface of the connection terminal, and the seed electrode of a foundation film 24 used by the first plating treatment is dissolved by electrolyitc etching with the brazing film 40 as a mask.例文帳に追加

基板３０に開口穴を設け、その開口穴に第１メッキ処理を施すことで導電材３４を充填して接続端子を設け、接続端子の上面に第２メッキ処理を施すことで蝋剤膜４０を設け、第１メッキ処理で用いた下地膜２４のシード電極を、蝋剤膜４０をマスクとして電解エッチングにより溶解する。 - 特許庁

This process for producing an electrostatic capacitance-type acceleration sensor comprising a movable electrode 6 also serving as a weight, a beam 5, and a supporting section 4 made of metals, includes the steps of forming a space between a fixed electrode 2 and the movable electrode 6 by photoresist, and forming the supporting section 4, the beam 5, and the movable electrode 6 by photolithography, wet plating process, and etching process.例文帳に追加

錘を兼ねた可動電極６、梁５、および支持部４が金属からなる静電容量型加速度センサの製造方法であって、固定電極２と可動電極６との間隙をフォトレジストにより形成し、支持部４、梁５、および可動電極６をフォトリソグラフィー、湿式めっき法、およびエッチング法により形成する工程を備えている。 - 特許庁

The etching resist ink is obtained from a photosetting composition obtained by emulsifying a composition, containing acid-group containing resin, a reactive prepolymer, and/or a reactive monomer and a photopolymerization initiator with an emulsifier and characterized in that the ink contains a resoluble surface active agent as the emulsifier and the acid group is substantially not neutralized.例文帳に追加

酸性基含有樹脂、反応性プレポリマーおよび／または反応性モノマー、光重合開始剤を含む組成物を、乳化剤によりエマルジョン化した光硬化性組成物から得られるエッチングレジストインクであり、乳化剤として分解性界面活性剤を含有し、かつ実質的には酸性基が中和されていないことを特徴とするエッチングレジストインクである。 - 特許庁

The photoresist composition is effectively used for lithography using a light source of a far- ultraviolet range especially an ArF (193 nm) or VUV (157 nm) light source, because of being not only excellent in etching-resistance, thermostability and an adhesive property and capable of development with tetramethyl ammonium hydroxide(TMAH) in aqueous solution but also low in absorbance at 193 nm and 157 nm.例文帳に追加

該フォトレジスト組成物はエッチング耐性、耐熱性、及び接着性が優れ、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液に現像可能であるだけでなく193nm、及び157nm波長での光吸収度が低いので遠紫外線領域、特にＡｒＦ（193nm）及びＶＵＶ（157nm）光源を利用したリソグラフィー工程に非常に有効に用いることができる。 - 特許庁

A method of manufacturing a crystal oscillator for carrying out the frequency adjustment in units of crystal wafers includes the steps of: measuring the thickness on a predetermined concentric circle of the crystal wafer; etching the thick portion thereof by a processing liquid for selectively dissolving the crystal based on the thickness measurement result; and adjusting the frequency by reducing the thickness of the thick portion.例文帳に追加

水晶ウエハ単位で周波数調整を行う水晶振動子の製造方法であって、該水晶ウエハの所定の同心円上における厚みを測定し、該厚み測定結果に基づいて、厚い部分を選択的に水晶を溶解することができる処理液によりエッチングして、該厚い部分の厚みを減じて周波数調整を行う。 - 特許庁

A first electrode 107, a second electrode 108, and a third electrode 106 are provided in a vacuum treatment chamber; a semiconductor wafer W is subjected to desired etching treatment; then a switch 116 connected to the second electrode 108 is turned off; prescribed high-frequency power is applied to the first electrode 107; and plasma is generated in a vacuum vessel 101.例文帳に追加

真空処理室内に第１電極１０７と第２電極１０８と第３電極１０６を備え、半導体ウエハＷを所望のエッチング処理を行った後、第２電極１０８に接続してあるスイッチ１１６を切断し、所定の高周波電力を第１電極１０７に印加され、真空容器１０１内にプラズマを発生させる。 - 特許庁

For designing the above aluminum alloy, the liquid phase temperature and the solid phase temperature of the above aluminum alloys in variety are measured or calculated, the solid- liquid coexisting temperature range in which the unevenness of etching exceeding an allowable range starts to be generated is investigated, and the respective contents of the above other alloying elements are decided so as to be controlled to this temperature range.例文帳に追加

上記アルミニウム合金を設計するにあたっては、種々の前記アルミニウム合金の液相温度と固相温度を測定するか或いは計算し、許容範囲を超えるエッチングむらが生じ始める固液共存温度範囲を調査し、この温度範囲内となる様に前記他の合金化元素の夫々の含有量を決定すればよい。 - 特許庁

The sensor part of the infrared detection device of thermal-type forms the micro air bridge structure 11 on the SOI substrate 27 by the ICP dry etching process, the semiconductor diode part 18 comprising a plurality of p-n junction diodes in its active region 12 is formed, and the metal reflecting film 15 and the infrared-absorbing layer 14 are provided there, in this order.例文帳に追加

熱型赤外線検出装置のセンサ部は、ＳＯＩ基板２７上にＩＣＰドライエッチングプロセスによってマイクロエアブリッジ構造体１１を形成し、その活性領域１２に複数のｐｎ接合ダイオードからなる半導体ダイオード部１８を形成し、その上面に金属反射膜１５および赤外線吸収層１４を順に設ける。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor device by spin-etching a rear surface 10b of a semiconductor wafer 10 having semiconductor elements 60 formed on an active surface 10a, an angle θ is set to be an acute angle between at least part of the side surface 10c of the semiconductor wafer 10 and the rear surface 10b of the wafer 10.例文帳に追加

本発明は、半導体素子６０が能動面１０ａに形成された半導体ウエハ１０の裏面１０ｂをスピンエッチングによりエッチングする半導体装置の製造方法であって、半導体ウエハ１０の側面１０ｃの少なくとも一部と、半導体ウエハ１０の裏面１０ｂとのなす角度θを鋭角に形成することを特徴とする。 - 特許庁

A p^+ region 4 is formed over an entire upper portion of an n-type epitaxial layer 2 by high-temperature ion implantation, and an n-type region below the p^+ region 4a is partially exposed by selectively etching the p^+ region 4a, thereby forming a p^+ semiconductor projection 4 which is protruded upward from an upper surface of the n-type region.例文帳に追加

ｎ型のエピタキシャル層２の上部全体に高温イオン注入によってｐ^+領域４ａを形成し、当該ｐ^+領域４ａを選択的にエッチングしてｐ^+領域４ａ下のｎ型領域を部分的に露出させることにより、そのｎ型領域の上面より上方へ突出したｐ^+半導体凸部４を形成する。 - 特許庁

To efficiently eliminate the chlorine (Cl) component by rinsing a LiTaO substrate, around electrodes after etching of which the Cl component is attached, with pure water whose insulation resistance is decreased to 0.2 MΩ or below resulting from addition of alcohol through high-speed revolution and to prevent electrostatic breakdown caused between rinse liquid and the substrate through the revolution of the substrate.例文帳に追加

本発明は、エッチング後の電極周辺にＣｌ成分が付着したＬＴ基板をアルコールを添加して絶縁抵抗を０．２ＭΩ以下にした純水で高速回転してリンスすることにより効率よくＣｌ成分を除去するとともに、基板が回転することによってリンス液と基板との間に発生する静電破壊を防止することを目的とする。 - 特許庁

In the method for manufacturing the high-purity tungsten sputtering target, after pressure-sintering high-purity tungsten powder, the obtained sintered compact is processed into a target shape, and then at least one kind of polishing out of rotary polishing and polishing is performed, and finish processing is carried out by performing at least one of polishing out of etching and reverse sputtering.例文帳に追加

また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a thin film pattern forming method for directly forming a thin film circuit pattern using a mask by which a continuous circuit pattern difficult to be formed by mask film deposition can be formed without using any photo-lithography etching process in forming thin film circuit pattern, a pattern forming apparatus using the method, and an electronic circuit device manufactured by the forming apparatus.例文帳に追加

薄膜回路パターン形成において、ホトリソグラフィー・エッチィングプロセスを用いることなく、かつマスク成膜では難しかった連続回路パターン形成を可能とするマスクを用いた薄膜回路パターン直接形成するパターン形成方法とそれを用いたパターン形成装置、さらには該形成装置により製造された電子回路装置を提供する。 - 特許庁

When specified processing, e.g. etching, is performed using a specified processing liquid of alkaline solution, for example, onto a substrate at least the surface part of which is composed of silicon or a silicon oxide, the specified processing is performed by immersing the substrate into a processing bath filled with the processing liquid and applying a specified voltage to the substrate immersed into the processing bath.例文帳に追加

少なくとも表面部がシリコン又はシリコン酸化物からなる基板に対して、例えばアルカリ溶液である所定の処理液を用いて例えばエッチングなどの所定の処理を行う際に、処理液が満たされた処理浴に基板を浸漬して所定の処理を行うと共に、この処理浴中に浸漬された基板に所定の電圧を印加する構成とする。 - 特許庁