「etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(387ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a zinc oxide-based transparent conductive film-forming material usable for a target for film formation of a transparent conductive film which holds conductivity endurable for practical use, has weatherability, and has a suitable etching rate in patterning, a method for manufacturing the same, a target using the same, and a method for forming a zinc oxide-based transparent conductive film.例文帳に追加

実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

A cavity plate 15 forming an ink jet head 30 comprises a clad material 16 integrating a first layer 15a and a second layer 15b of different material, and a manifold plate 15c stacked vertically wherein a pressure chamber 18 is formed in the first layer 15a and interconnecting holes 34 and 35 are formed in the second layer 15b, respectively, by etching.例文帳に追加

インクジェットヘッド３０を形成するキャビティプレート１５は、異なる材料の第１の層１５ａと第２の層１５ｂとが一体となったクラッド材１６と、マニホールドプレート１５ｃとが上下に積層されて構成されており、第１の層１５ａには圧力室１８が、第２の層１５ｂには連通孔３４，３５がそれぞれエッチングによって形成されている。 - 特許庁

To provide a stainless steel resin laminate which can do the precision processing of stainless steel by preventing pitting corrosion of stainless steel foil in an aqueous solution containing halogen anions represented by hydrochloric acid treatment in consideration of the fact that in a stainless steel laminate, when the stainless steel foil is etched, it is indispensable to secure adhesion strength of an etching resist and the stainless steel foil.例文帳に追加

ステンレス樹脂積層体において、ステンレス箔のエッチング加工を行なう際、エッチングレジストとステンレス箔の密着強度を確保するために必須となっている、塩酸処理に代表されるハロゲンアニオンを含む水溶液中におけるステンレス箔の孔食を防ぎ、ステンレスの高精度加工が可能となるステンレス樹脂積層体を提供すること。 - 特許庁

To provide a composition for forming a resist underlay film, the composition having excellent storage stability and giving a cured film as a resist underlay film that has high adhesiveness to a resist coating, an excellent etching selection ratio with respect to the resist coating film and to a substrate to be processed, low reflectance and the like, and thereby, exhibits excellent pattern forming property.例文帳に追加

保存安定性に優れるとともに、レジスト下層膜としての硬化膜がレジスト被膜との高い密着性、レジスト被膜及び被加工基板に対する優れたエッチング選択比並びに低反射性等を備えることで、優れたパターン形成性を発揮することができるレジスト下層膜形成用組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a film forming composition for nanoimprint, a photosensitive resist and a nanostructure excellent in etching durability to oxygen gas, preventing a transfer pattern from peeling, solving a problem about a retention time on a substrate and having excellent transferring property, to provide a pattern forming method using the composition or the like, and to provide a program to carry out the pattern forming method.例文帳に追加

酸素ガスに対するエッチング耐性に優れるとともに、転写パターンの剥離を防止し、基板上における保持時間についての問題を解消し、転写性にも優れるナノインプリント用の膜形成組成物及び感光性レジスト、ナノ構造体、これらを用いたパターン形成方法、並びにこのパターン形成方法を実現するためのプログラムを提供する。 - 特許庁

To improve throughput in a thin display panel manufacturing process while reducing manufacturing cost of a glass sheet, and to reduce heat shrinkage of the glass sheet in a p-Si TFT manufacturing process, by inventing an alkali-free glass which is excellent in productivity (in particular, devitrification resistance), ensures a fast etching rate for a hydrofluoric acid-based chemical solution, and has a high strain point.例文帳に追加

生産性（特に耐失透性）に優れると共に、フッ酸系薬液に対するエッチングレートが速く、しかも歪点が高い無アルカリガラスを創案することにより、ガラス板の製造コストを低廉化しつつ、薄型のディスプレイパネルの製造工程において、スループットを向上させ、更にｐ−Ｓｉ・ＴＦＴの製造工程におけるガラス板の熱収縮を低減する。 - 特許庁

In a producing method of a magnetic head by forming an element part having prescribed characteristics through a deposition process of depositing on the surface of the substrate 10 and an etching process of patterning the film formed by the deposition process, the circumference of a region, where each element part on the substrate 10 is formed, is surrounded by an electrically conductive film and worked.例文帳に追加

基板１０の表面に成膜する成膜工程と、成膜工程によって形成された膜をパターンニングするエッチング工程を経て所要の特性を有する素子部を形成する磁気ヘッドの製造方法において、前記基板１０上の各々の素子部が形成される領域の周囲を導体膜で包囲して加工する。 - 特許庁

There are formed on an n-GaAs substrate 101 a multiple distortion quantum well active layer 106, a second conductivity type semiconductor layer group (p-AlGaAs first upper cladding layer 108, p-AlGaAs second upper cladding layer 109, p-GaAs etching stop layer 110, p-AlGaAs third upper cladding layer 111, p-GaAs contact layer 112, and p^+-GaAs contact layer 113).例文帳に追加

ｎ-ＧaＡs基板１０１上に、多重歪量子井戸活性層１０６と第２導電型の半導体層群(ｐ-ＡlＧaＡs第１上クラッド層１０８,ｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９,ｐ-ＧaＡsエッチングストップ層１１０,ｐ-ＡlＧaＡs第３上クラッド層１１１,ｐ-ＧaＡsコンタクト層１１２およびｐ^+-ＧaＡsコンタクト層１１３)を形成する。 - 特許庁

To provide a spot resist film peeling machine which can continuously perform etching added to a quartz substrate 1 and peel a resist film pattern 3' of only a pattern for phase difference measurement without repeating the formation of a resist film, electron beam drawing, and development when it becomes evident that the depth of a shifter is insufficient when a Revenson type phase shift mask 60 is manufactured.例文帳に追加

レベンソン型位相シフトマスク６０の製造において、シフターの深さが不足していることが判明した際に、レジスト膜の形成、電子線描画、現像を繰り返し行うことなく、石英基板１に追加したエッチングを継続して行うことができる、位相差測定用のパターンのみのレジスト膜パターン３’を剥膜するスポットレジスト剥膜機を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectirc capacitor for semiconductor element with which the characteristics of the boundary between a silicon oxide and a metal lower electrode, the metal lower electrode and a ferroelectric substance film, and the ferroelectric substance film and an upper electrode, can be improved, and leakage current is reduced so as to prevent peeling phenomenon of a thin film in the following etching step.例文帳に追加

シリコン酸化物と金属下部電極との界面、金属下部電極と強誘電体膜との界面及び強誘電体膜と上部電極との界面の特性を向上させて、漏れ電流を減少させて後続の蝕刻工程で薄膜剥離現象の発生を防止できる半導体素子の強誘電体キャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a glass substrate for a magnetic disk by which etching by washing does not give influence on the smoothness of a final glass substrate principal surface after a second polishing (mirror-surface polishing) step while an abrasive used in a first polishing (coarsely polishing) step and consisting essentially of a rare earth oxide is effectively removed by washing.例文帳に追加

第１の研磨（粗研磨）工程にて使用した、希土類酸化物を主成分とする研磨材を、洗浄によって効果的に除去しつつ、洗浄によるエッチングが、第２の研磨（鏡面研磨）工程後の最終的なガラス基板主表面の平滑性にも影響を与えない磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The disclosure is directed to a method for forming nanostructures on a substrate including silicon comprising the steps of: (a) depositing a layer of transition metal on the surface of the substrate; (b) annealing the layer of the transition metal to form a patterned transition metal layer; and (c) etching the substrate to form the nanostructures on the substrate surface.例文帳に追加

本開示は、ケイ素を含む基板上にナノ構造を提供する方法であって、（ａ）前記基板の表面上に遷移金属の層を堆積させるステップと、（ｂ）前記遷移金属の層をアニールして、パターン化遷移金属層を形成させるステップと、（ｃ）前記基板をエッチングして、前記基板表面上にナノ構造を形成させるステップとを含む方法に関する。 - 特許庁

In a method of forming storage electrodes of a semiconductor device and also a method of forming a semiconductor, the composition and vapor-deposition conditions of each of a bit line hard mask nitride film and a bit line nitride film spacer are varied so that the two nitride films are formed to have different compositions and also to have different etching ratios.例文帳に追加

本発明は半導体素子の格納電極形成方法に関し、ビットラインハードマスク窒化膜と窒化膜スペーサそれぞれの成分と蒸着条件を変化させることにより、前記２つの窒化膜の組成が異なるよう形成され互いに異なる食刻比率を有するようにする半導体素子の形成方法に関するものである。 - 特許庁

In the method for manufacturing the synthetic quartz glass substrate for the polysilicon TFT formed by multistage polishing consisting of a lapping process and a polishing process, the end surface of the substrate is subjected to mirror surface finishing just prior to the final polishing process of the polishing process and after subjecting the substrate to etching.例文帳に追加

ラッピング工程とポリッシュ工程からなる多段研磨により形成されるポリシリコンＴＦＴ用合成石英ガラス基板の製造方法において、前記ポリッシュ工程は複数の研磨工程からなり、該ポリッシュ工程の最終の研磨工程の直前、かつ、前記基板にエッチングを施した後に前記基板の端面に鏡面加工を施す。 - 特許庁

One part in the medium facing surface and the other part are formed of the plurality of conductive materials different from each other, so that the medium facing surface different in height of both parts is easily formed by a surface removal process by polishing, etching, or the like from the medium facing surface side on the basis of the difference in the materials.例文帳に追加

媒体対向面の内の一の部分と他の部分とが互いに異なる複数の導電材料から形成されているので、このような媒体対向面は、媒体対向面側から研磨やエッチング等による表面除去工程により、一の部分と他の部分との高さの差が材料の違いに基づいて容易に形成される。 - 特許庁

To provide a multilayered laminated body in which substrate internal stress is relaxed, thereby alleviating the warp after circuit forming and improving the product yield by suppressing a resin from releasing its stress through contraction after removing a copper foil of an outermost layer etching or the like, in a circuit forming process, and a resin which has lost the support of the copper foil.例文帳に追加

回路形成工程において、最外層の銅箔がエッチング等により除去され、銅箔の支えを失った樹脂が収縮することにより応力を開放しようとするのを抑制する、すなわち基板内部応力を緩和することで、回路成形後の反りを軽減し、製品歩留まりを向上できる多層積層体を提供する。 - 特許庁

A method for forming holes into a circuit wiring board provided with a conductive layer 11 and an insulating layer 12 includes a step of forming a metallic mask layer 13 having a thickness of ≤2 μm on an insulator layer 12, a step of etching the insulator layer 12 by using the mask layer 13 as a mask, and a step of removing the mask layer 13.例文帳に追加

導電体層１１と絶縁体層１２とを備える回路配線板に孔を形成する方法であって、絶縁体層１２上に、厚みが２μｍ以下のメタルマスク層１３を形成する工程と、メタルマスク層１３をマスクとして絶縁体層１２をエッチングする工程と、メタルマスク層１３を除去する工程とを含む。 - 特許庁

To prevent current leak from a junction interface between a P-layer and an N-layer which are exposed in a side wall of a trench or a vertical hole when electrochemically etching a semiconductor board from a trench, or a vertical hole part formed in a wafer with an N-type epitaxial layer on a P-type semiconductor board in a manufacturing method of a semiconductor pressure sensor.例文帳に追加

半導体圧力センサの製造方法において、Ｐ型半導体基板上にＮ型エピタキシャル層を有するウエハに形成されたトレンチもしくは垂直穴部分から半導体基板を電気化学エッチングする際に、トレンチもしくは垂直穴の側壁に露出するＰ層とＮ層との接合界面からの電流リークを防止する。 - 特許庁

The micro-etching agent for copper and the copper alloy contains the following component (A) to (D): a compound (A) selected from the group consisting of sulfuric acid, alkanesulfonic acids, alkanolsulfonic acids and derivatives thereof, a peroxide (B), a compound (C) selected from the group consisting of tetrazoles and derivatives thereof, and ions (D) of metal with nobler potential than copper.例文帳に追加

次の成分（Ａ）〜（Ｄ）；（Ａ）硫酸、アルカンスルホン酸およびアルカノールスルホン酸ならびにそれらの誘導体よりなる群から選ばれた化合物（Ｂ）過酸化物（Ｃ）テトラゾールおよびそれらの誘導体よりなる群から選ばれた化合物（Ｄ）銅よりも電位が貴である金属イオンを含有することを特徴とする銅および銅合金用のマイクロエッチング剤である。 - 特許庁

High vacuum is kept in the upper and lower chambers 2, 5 of an etching chamber through a highly heat insulating O-ring 4 and only the side wall of the upper chamber 2 is heated by a heating source 3 to set a temperature difference between the upper and lower chambers 2, 5 before a wafer 6 is placed on the upper chamber 2 side of higher temperature.例文帳に追加

エッチングチャンバーの上部チャンバー２及び下部チャンバー５内部を断熱性の高いＯリング４によって高真空に保持するとともに、加熱源３によって上部チャンバー２の側壁のみを加熱し、上部チャンバー２と下部チャンバー５とに温度差を設け、さらに温度の高い上部チャンバー２側にウェハー６を配置させるようにする。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises: (1) forming a first oxide film 3 including a groove 7 on a semiconductor substrate 1; (2) depositing a second oxide film 9 by means of HDP-CVD on the resultant substrate and tapering the groove 7, so that its inner side surface becomes narrow toward the bottom; and (3) etching back the second oxide film 9.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、（１）半導体基板１上に、溝部７を有する第１の酸化膜３を形成し、（２）得られた基板上に、ＨＤＰ−ＣＶＤ法によって第２の酸化膜９を堆積して、前記溝部７をその内側面が底方向に狭くなるテーパー形状にし、（３）第２の酸化膜９をエッチバックすることからなる。 - 特許庁

A sample stand (rotative stand) 1 is mounted on a precision rotation axis 32 continuously rotating the sample stand in high precision, and an optional rotation-symmetric three-dimensional fine structure is manufactured by applying an FIB deposition in an FIB chamber while making the sample stand 1 rotate continuously, or applying cutting work on upper surface or side surface like a general lathe through an FIB etching.例文帳に追加

試料台（回転台）１を高精度で連続回転する精密回転軸３２に取りつけ、ＦＩＢチャンバー内で、試料台１を連続回転させながらＦＩＢデポジションさせたり、あるいはＦＩＢエッチングで一般的な旋盤のように側面あるいは上面から切削加工を行ったりすることで任意の回転対称である構造物を作製する。 - 特許庁

The method for processing a silicon-based insulating film 2 formed on a silicon substrate 1 and having a hole k comprises a step for deforming the hole k by sputter etching using inert gas to which CxHyFz-based reactive gas (x>0, y≥0, z>0) is added, and suppressing generation of a space (Void) in the silicon-based insulating film 2.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成された、孔部ｋを有するシリコン系絶縁膜２の加工方法であって、不活性ガスにＣｘＨｙＦｚ系の反応性ガス（ｘ＞０，ｙ≧０，ｚ＞０）を添加したガスを用いたスパッタエッチングにより孔部ｋを変形させて、シリコン系絶縁膜２内に空間部（Ｖｏｉｄ）が発生するのを抑制する工程を含む。 - 特許庁

In this method for the piezoelectric vibrater 14, as a minute vibrating part 26 can be formed by etching which enables precise removal processing, a more compact and higher frequency piezoelectric vibrator 14 can be made compared to that made by the existing manufacturing method which forms the vibrating part 26 by grinding.例文帳に追加

このように、この圧電体振動子１４の製造方法においては、精密な除去加工が可能なエッチング加工で微細な振動部２６を形成することができるため、研磨加工で振動部２６を形成する従来の製造方法で作製された圧電体振動子よりも小型で高周波の圧電振動子１４を作製することができる。 - 特許庁

The method of manufacturing the solar cell element has steps of preparing a silicon substrate containing a first conductivity-type semiconductor impurity, performing reactive ion etching on a first surface of the silicon substrate, forming the antireflection film on the first surface of the silicon substrate, and printing and sintering silver paste on the antireflection film.例文帳に追加

本発明の太陽電池素子の製造方法は、第1の導電型半導体不純物を含有するシリコン基板を準備する工程と、シリコン基板の第1の面に反応性イオンエッチングを行う工程と、シリコン基板の第1の面に反射防止膜を形成する工程と、反射防止膜に銀ペーストを印刷し焼成する工程と、を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing a probe card includes steps of bonding a thermoplastic resin substrate to one surface of the probe head; forming a plurality of terminals on the other surface of the probe head; bonding a metal substrate to the thermoplastic resin substrate; and selectively etching the metal substrate to form probe chips.例文帳に追加

プローブヘッドの一面に熱可塑性樹脂基板を接合する工程と、上記プローブヘッドの他面に複数の端子を形成する工程と、上記熱可塑性樹脂基板に金属基板を接合する工程と、上記金属基板を選択的にエッチングしてプローブチップを形成する工程と、を含むことを特徴とするプローブカードの製造方法を提供する。 - 特許庁

The solid electrolytic capacitor has grooves for separating an anode and a cathode formed on both surfaces of electrode foil by mechanically removing etching layers of the electrode foil, and the permeation of a resist material is improved by forming the grooves on both the surfaces plane-asymmetrically with respect to the electrode foil to securely separate the anode and the cathode.例文帳に追加

電極箔のエッチング層を機械的に除去し、陽極部と陰極部を分離するための溝部を電極箔の両面に形成した固体電解コンデンサであって、両面の溝部は互いに電極箔に対して面非対称に設けられることでレジスト材の浸透を向上させて陽極部と陰極部との分離が確実である。 - 特許庁

This invention includes a step of etching the object to be processed using the resist pattern as a mask, a step of irradiating the resist pattern through a photomask with light within a photosensitive wavelength region of the photosensitizer, and a step of removing the resist pattern on the object to be processed.例文帳に追加

また、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁

The method involves selectively depositing a hot melt ink resist containing rosin resins and waxes on a silicon dioxide or silicon nitride layer coating a semiconductor, followed by etching uncoated portions of the silicon dioxide or silicon nitride layer with an inorganic acid etchant to expose the semiconductor and simultaneously inhibit undercutting of the hot melt ink resist.例文帳に追加

半導体をコーティングする二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素上にロジン樹脂およびワックスを含むホットメルトインクレジストを選択的に堆積させ、次いで二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素層のコーティングされていない部分を無機酸エッチング剤でエッチングして半導体を露出させ、同時にホットメルトインクレジストのアンダーカットを阻害することを含む。 - 特許庁

To suppress irregularities on the end face of a resonator and etching bottom face while enhancing the operational characteristics, the lifetime and the utilization efficiency of a substrate.例文帳に追加

共振器端面に発生する凹凸およびエッチング底面に発生する凹凸を低減することができ、動作特性の向上および長寿命化を図ることができ、基板利用効率の向上を図ることができる半導体発光素子およびその製造方法、ならびに、そのような半導体発光素子を有する光電子集積回路およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The additive for suppressing side etching contains one or more kinds selected from the group consisting of heterocyclic compounds having a carbonyl group or a carboxy group, glycols having a triple bond or compounds obtained by adding ethylene oxide to the active hydrogen of glycols having a triple bond, alkylsarcosines or the alkali metal salts of alkylsarcosines and the anhydrides of aromatic carboxylic acid.例文帳に追加

カルボニル基またはカルボキシル基を有する複素環式化合物、三重結合を有するグリコール類または三重結合を有するグリコール類の活性水素にエチレンオキサイドを付加させた化合物、アルキルサルコシンまたはアルキルサルコシンのアルカリ金属塩および芳香族カルボン酸の無水物から成る群より選択される１種または２種以上を含む。 - 特許庁

This pretreatment method for the magnesium alloy member comprises contacting the magnesium alloy member with a metal powder, heating the metal powder and the magnesium alloy member contacted with the metal powder, and etching the surface of the magnesium alloy member by the solid state diffusion of magnesium in the magnesium member contacted with the metal powder into the metal powder.例文帳に追加

マグネシウム合金部材の前処理方法は、マグネシウム合金部材を金属粉末と接触させ、金属粉末とこの金属粉末に接触したマグネシウム合金部材とを加熱し、金属粉末と接触したマグネシウム部材のマグネシウムを金属粉末へ固体拡散することによって、マグネシウム合金部材の表面をエッチングすることを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing the hydrophilic cubic boron nitride film includes: a step of performing low pressure plasma etching under a hydrogen gas atmosphere while applying a substrate bias voltage to a film which is formed on a substrate whose entire component or main component is a metal or silicon, wherein the entire component or main component of the film is a cubic boron nitride (cBN) containing fluorine atoms.例文帳に追加

親水性立方晶窒化ホウ素膜の作製方法は、金属またはケイ素を全成分または主成分とする基板上に成膜されたフッ素原子を含有する立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）を全成分または主成分とする膜に対して、基板バイアス電圧を印加しながら水素ガス雰囲気下で低圧プラズマエッチングを行う工程を含む。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which is thoroughly developed, has high sensitivity, high resolution, good adhesion to a substrate and excellent etching resistance, can be developed with a dilute aqueous alkali solution and makes stripped pieces small in stripping with an aqueous alkali solution and to provide a photosensitive resin laminate and a method for producing the same.例文帳に追加

現像残りがなく高感度、高解像度を有し、基板に対する密着性が良好で、かつ耐エッチング性に優れ、さらに希アルカリ水溶液を用いて現像可能で、アルカリ水溶液による剥離において剥離片形状が細片となる感光性樹脂組成物および感光性樹脂積層体とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To protect the gate oxide film of an input cell transistor against damages caused by electric charge generated, when a multilayer metal interconnection is formed through an RIE(reactive ion etching) method in a semiconductor integrated circuit device, where output cells and input cells are connected through a multilayer metal interconnection.例文帳に追加

本発明は、出力用セルと入力用セルとの間を、多層メタル配線により接続してなる構成の半導体集積回路装置において、ＲＩＥによって多層メタル配線を形成する際に生じる電荷により、入力用セルのトランジスタのゲート酸化膜が破壊されるのを防止できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

Buffer layers are formed on an Si substrate, thereby orienting or epitaxially growing metal thin films and ferroelectric thin films through the buffer layers one after another, and the Si substrate and buffer layers are partly removed to form a small ferroelectric thin film element having a superior performance using various etching techniques.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にバッファ層を形成することによって、これらのバッファ層を介して金属薄膜と強誘電体薄膜を順次、配向またはエピタキシャル成長させ、続いて各種エッチング技術を用いてＳｉ基板やバッファ層を部分的に除去することによって小型で優れた性能を有する強誘電体薄膜素子を形成する。 - 特許庁

The method of forming an element isolating structure comprises an etching process of cutting the trenches 5 in a semiconductor substrate for isolating an element, a surface treating process of making the semiconductor substrate undergo plasma processing, and an embedding process of embedding the insulating film 7 in the trenches 5.例文帳に追加

半導体基板に素子分離のためのトレンチ部５を形成するエッチング工程と、前記トレンチ部に絶縁膜７を埋め込む、埋め込み工程とを有する素子分離構造形成方法であって、前記埋め込み工程の前に、前記半導体基板をプラズマ処理する表面処理工程を設けたことを特徴とする素子分離構造形成方法。 - 特許庁

To provide; a method of manufacturing a microlens sheet, which obtains a microlens sheet of high reliability and a projection screen or the like using the same by surely forming holes for etching by a beam like laser and surely forming each microlens; a method of manufacturing a projection screen using the microlens sheet; and a projection screen.例文帳に追加

レーザ等のビームによるエッチング用穴の形成を確実に行うとともに、各マイクロレンズを確実に形成して、信頼性の高いマイクロレンズシートおよびそれを用いた投写スクリーン等を得ることのできるマイクロレンズシートの製造方法およびそのマイクロレンズシートを用いた投写スクリーンの製造方法、並びに投写スクリーンを提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition having high transparency to light with wavelength ≤250 nm, especially to ArF excimer laserbeam and resist performance such as high sensitivity, excellent in dry etching tolerance, and suitable for far-ultraviolet light excimer laser lithography, electronic beam lithography, etc., and to provide a method for forming fine patterns using the composition.例文帳に追加

波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマーレーザー光に対して透明性が高く、高感度であるといったレジスト性能を有し、ドライエッチング耐性に優れ、遠紫外光エキシマーレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適なレジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いた微細なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a nitride-semiconductor light emitting element, which emits light in a wavelength range wider than 430 nm, whose behavior and lifetime is improved by forming its light emitting edge face through etching and forming an adequate coat film onto that edge face, and to reduce behavior and lifetime variations from element to element, thus improving reliability.例文帳に追加

４３０ｎｍより長い波長領域で発光する窒化物半導体発光素子において、光出射端面をエッチングで形成してその端面に適切なコート膜を形成することによって、特性および寿命が改善された素子を提供し、また素子間の特性および寿命のばらつきを低減して素子の信頼性を高める。 - 特許庁

To provide a diffraction optical element having microgroove structures which are excellent in reproducibility and processing accuracy even when a hardly processable material is used in a processing stage using RIE and to provide a diffraction optical element having the structures which are high in an etching rate in the processing stage and provide a high degree of freedom in element design.例文帳に追加

ＲＩＥを用いた加工工程において、難加工性材料を使用した場合にも再現性及び加工精度に優れた微細溝構造を有する回折光学素子を提供すること、及び加工工程におけるエッチングレートが早く、素子設計の自由度に富む構造を有する回折光学素子を提供することである。 - 特許庁

In the halftone phase shifting mask blank having a phase shifter film for forming a phase shifter portion on a transparent substrate, the phase shifter film comprises a film containing ≤10 at.% metal and using the metal, silicon, oxygen and nitrogen as principal constituent elements and an etching stopper film formed between the above film and the transparent substrate.例文帳に追加

透明基板上に前記位相シフター部を形成するための位相シフター膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記位相シフター膜が、金属を１０原子％以下含有する、金属、珪素、酸素、及び窒素を主構成要素とする膜、及び、前記膜と透明基板との間に形成されたエッチングストッパー膜とからなることを特徴とする。 - 特許庁

To prevent wafer damage by a ceramic jig mounted on a chuck table with a work having one of various outer diameters to be held and processed, when the ceramic jig corresponding to the outer diameter of the work is mounted on the chuck table within the chamber of an etching system to hold the work via the jig and then to etch the work.例文帳に追加

種々の外径の被加工物を保持してエッチングするために、エッチング装置のチャンバー内のチャックテーブルに被加工物の外径に対応したセラミックス治具を搭載し、そのセラミックス治具を介して被加工物を保持する場合において、チャックテーブルに搭載されたセラミックス治具と保持しようとする被加工物とを対応させることにより、ウェーハの損傷を防止する。 - 特許庁

To provide a process for producing an aluminium material for the electrode of an electrolytic capacitor having excellent etching characteristics by solving the problem of treatment with aqueous solution of nitric acid being carried out before final annealing in conventional production process of the aluminium material for an electrolytic capacitor thereby stabilizing an aluminium surface layer oxide film being formed after removing the aluminium surface layer furthermore.例文帳に追加

従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造における最終焼鈍前の硝酸水溶液による処理の問題点を解決し、アルミニウム表面層を除去した後生成するアルミニウム表層酸化膜をより安定なものとすることにより優れたエッチング特性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method includes lens pattern forming steps of: forming a pattern of an inorganic lens material film 16 on a flattening film 15; and deforming the pattern of the inorganic lens material film 16 by sputter etching using gas having reactive gas of CxHyFz (x>0, y≥0, z>0) added to inert gas, to form many condenser lenses.例文帳に追加

平坦化膜１５上に無機のレンズ材料膜１６のパターンを形成するレンズパターン形成工程と、不活性ガスにＣｘＨｙＦｚ系の反応性ガス（ｘ＞０，ｙ≧０，ｚ＞０）を添加したガスを用いたスパッタエッチングにより、無機のレンズ材料膜１６のパターンを変形させて多数の集光レンズを形成するレンズ形成工程とを含む。 - 特許庁