「etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(382ページ目) - Weblio英語例文検索

The emboss roll of the invention is characterised in that, on the surface of a metal roll, an embossment comprising projected lines 2 and recessed grooves 1 is formed by an engraving mill method or an etching method, fine ruggedness is formed on the embossed surface by a blast treatment, and fine upper parts of the projected parts formed on the projected lines forming the embossment are half ground.例文帳に追加

本発明のエンボスロールは、金属ロールの表面に彫刻ミル法またはエッチング法により凸条２と凹溝１とからなるエンボスが形成され、該エンボス面にブラスト処理により微細な凹凸が形成され、エンボスを形成する凸条に形成された微細な凸部の上部が半研磨されてなることを特徴とする。 - 特許庁

On the film, a titanium oxide film 8, a metal film 9 containing aluminum , a cap film 15 made up of a second titanium 13 and a second titanium film 14, and an anti-reflection film 16, are laminated in order; patterning is carried out by lithography and etching to form wiring; and the wiring is then heat-treated at some temperature of 385 to 415°C.例文帳に追加

その上に酸化チタン膜８、アルミニウムを含む金属膜９、第二チタン膜１３および第二窒化チタン膜１４からなるキャップ膜１５、反射防止膜１６を順次積層し、リソグラフィおよびエッチングによりパターニングして配線を形成した後、この配線を３８５〜４１５℃程度の温度で熱処理する。 - 特許庁

The aluminum film is similarly formed as second layer aluminum wires in this state, the resist is drawn in a way that the second layer aluminum wires are overlapped on the first layer aluminum wires by using a resist film for a mask, and the first layer aluminum wires and the second layer aluminum wires are joined at the same time the second layer aluminum wires are formed through selective etching by using the reactant gas.例文帳に追加

その状態で、２層目にアルミニウムを同様に成膜し、レジスト膜をマスクとして２層目アルミ配線が１層目アルミ配線と重ね合わさる様にするレジストを描画し、反応ガスを用いて選択エッチングで２層目アルミ配線形成と同時に１層目アルミ配線と２層目アルミ配線を接続させる。 - 特許庁

An N-type GaAs buffer layer, an N-type InGaP clad layer, an InGaAsP barrier layer, an InGaAs active layer, an InGaAsP barrier layer, a P-type InGaP clad layer, a P-type InGaAsP etching stop layer, a P-type InGaP clad layer, and a P-type GaAs contact layer are successively laminated on an N-type GaAs substrate.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板11上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層12、ｎ型ＩｎＧａＰクラッド層13、ＩｎＧａＡｓＰバリア層14、ＩｎＧａＡｓ活性層15、ＩｎＧａＡｓＰバリア層16、ｐ型ＩｎＧａＰクラッド層17、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰエッチングストップ層18、ｐ型ＩｎＧａＰクラッド層19、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層20を順次積層する。 - 特許庁

Due to the heat caused by friction between a projection part of a metal film existing in the face and the polishing pad 4, increase in temperatures is caused locally in the etchant, and the etching rate of the etchant is accelerated, and the projection part of the metal film is selectively etched to flatten, and thereafter it is uniformly etched to remove the metal film.例文帳に追加

被研磨面内に存在する金属膜の凸部と研磨パッド４との摩擦により生じる摩擦熱によって、エッチング溶液に局部的な温度上昇を生じさせて、エッチング溶液のエッチングレートを促進させ、金属膜凸部を選択的にエッチングして平坦化し、その後、一様にエッチングして金属膜を除去する。 - 特許庁

The hybrid element film is manufactured by emitting an ion beam to a heat-resistant resin film, chemically etching the resin film, and filling micro holes of an ion perforated film having several nanometers to several micrometers in diameter with metal, semiconductor or electroluminescent substance.例文帳に追加

ハイブリッド素子膜の製造方法であって、耐熱性樹脂膜に、イオンビームを照射し、その後化学エッチング処理し、得られた孔径数ナノメートル〜数マイクロメートルの微細孔をもつイオン穿孔膜の微細孔に、金属、半導体または電界発光体を充填することから構成される方法、及びそれらの方法により製造されたハイブリッド素子膜。 - 特許庁

To provide an N-type Schottky barrier penetrating transistor of high performance which is stable and has low schottky barrier to electrons by forming a schottky junction on a silicon 111 plane generated through anisotropic etching (in a semiconductor having a crystal structure, a mirror index indicating its crystal orientation).例文帳に追加

異方性エッチングを通じて生成されるシリコン１１１面（結晶構造を有する半導体においてその結晶方向を示すミラー指数）にショットキー接合を形成させることによって、安定的で、且つ電子に対して低いショットキー障壁を有する高性能のＮ−型ショットキー障壁貫通トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide an efficient processing method and its device that realize uniform processing without bluntness of the pattern border area and can perform plural pattern processing at the same time in implementing deposition processing or etching processing of prescribed patterns using the focusing ion beam device.例文帳に追加

本発明の目的課題は、集束イオンビーム装置を用いて所定パターンのデポジション加工またはエッチング加工を施す場合に、パターン境界領域の鈍りが出ない均一な加工を実現し、複数のパターン加工を同時に実行出来る効率的な加工方法並びにその装置を提供することである。 - 特許庁

In a process of manufacturing the diffraction optical element through full plate exposure and dry etching by means of an exposure device, an exposure wavelength used upon the patterning of the diffraction optical element is approximately equal to the wavelength used upon the usage of the finished diffraction optical element.例文帳に追加

回折光学素子を露光装置による一括露光とドライエッチングにより作製するプロセスにおいて、回折光学素子にパターンニングを行う際に使用される露光波長と、出来上がった回折光学素子を使用する際に用いられる波長とが、ほぼ同一であることを特徴とする回折光学素子の作製方法である。 - 特許庁

In the circuit board on which a single layer metal film or a multilayer metal film is formed, a resist film pattern is formed on the board using a photoengraving, and then a recess is formed at the lower part of a resist film end by wet-etching the single layer metal film or the multilayer metal film taking the resist film as a mask.例文帳に追加

基板上に単層金属膜あるいは多層金属膜が形成されている基板において、基板上にレジスト膜のパターンを写真製版技術を用いて形成した後に、前記レジスト膜をマスクとして単層金属膜あるいは多層金属膜のウエットエッチングによりレジスト膜端の下部に窪みを形成する。 - 特許庁

Moreover, the method for manufacturing the substrate for the magnetic recording medium including a coring step of obtaining a plurality of doughnut-shaped substrates having an outer diameter ≤65 mm by coring a monocrystalline silicon wafer having a diameter 150 to 300 mm subjected to the heat history and/or etching at least onc times or more is provided.例文帳に追加

また、本発明は、一回以上の熱履歴及び／又はエッチングを経た直径１５０ｍｍ以上で３００ｍｍ以下の単結晶シリコンウェハをコア抜き加工して外径６５ｍｍ以下の複数のドーナツ状基板を得るコア抜き工程を含んでなる磁気記録媒体用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for preventing plating deposition capable of preventing any deposition of a plating film on the insulating coating part of a plating tool even when using an etching liquid other than the mixture of chromic acid and sulfuric acid, for example, a permanganate aqueous solution, or even when increasing the amount of catalyst deposition.例文帳に追加

クロム酸—硫酸混液以外のエッチング処理液、例えば、過マンガン酸塩水溶液を用いた場合や、触媒付着量を多くした場合であっても、めっき用治具の絶縁性コーティング部分に対するめっき皮膜の析出を防止することが可能なめっき析出阻害用組成物を提供する。 - 特許庁

Furthermore, an etching process to the single crystal silicon layer 10b of a substrate which requires a long time, and film deposition of the piezoelectric material layer 34 by a hydrothermal crystallization method are performed simultaneously, by which time required for one process is shortened, and improvement in production efficiency and reduction in manufacturing cost are attained.例文帳に追加

更に、長時間を要する基板の単結晶シリコン層１０ｂに対するエッチング処理と水熱合成法による圧電体層３４の成膜とを同時に行うことで、一方の工程に要する時間を短縮することが可能となり、生産効率の向上と製造コストの削減とを図ることができる。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes; a resist pattern forming step of forming a resist pattern by forming a resist film on a surface to be processed, with the resist composition, exposing and developing the resist film; and a patterning step of patterning the surface to be processed, by etching through the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工表面上に本発明のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁

Immediately after printing on an article (a copper clad multilayer board or an electronic circuit board) using an ink composition containing a water soluble solvent and a water insoluble solvent where a printed part dries up quickly through contact with water, the article is touched to water thus forming an etching resist film or a marking.例文帳に追加

水溶解性の溶剤および水難溶性の樹脂成分を含み、印刷直後に水と接触することにより、印刷部分が直ちに乾燥するインク組成物を使用し、被印刷物（銅張積層板や電子回路基板）に印刷直後に、水と接触させてエッチングレジスト皮膜やマーキングを形成させる。 - 特許庁

a shift in grating constant and roughening of a surface that the InGaAsP etching stop layer 18 has are therefore prevented and deterioration in crystallinity of a p-type GaAlAs 3rd clad layer 22 which is grown again is prevented to prevent a resistance increase of a current channel nearby a regrowth boundary surface.例文帳に追加

したがって、ＩnＧaＡsＰエッチストップ層１８に発生する格子定数のずれや表面の荒れを防止し、さらに再成長されるｐ型ＧaＡlＡs第３クラッド層２２における結晶性の劣化を防止し、再成長界面付近における電流チャンネルにおける抵抗増大を防止することができる。 - 特許庁

A metal layer 26 is formed on a portion of the conductive film 18 by electrolytic plating for allowing current to flow to the conductive film 18, and the conductive film 18 is etched with the metal layer 26 as a mask by a first etchant having etching operation stronger to the conductive film 18 than the metal layer 26.例文帳に追加

導電膜１８に電流を流して行う電解メッキによって導電膜１８の一部上に金属層２６を形成し、導電膜１８に対して金属層２６に対するよりも強いエッチング作用のある第１のエッチャントによって、金属層２６をマスクとして導電膜１８をエッチングする。 - 特許庁

The etching stop layer 15 has a quantum well structure in which a first thin film 15A of p-GaInP and a second thin film 15B of p-AlGaInP are cyclically laminated, with the composition ratio of aluminum in the second thin film 15B being smaller than the intermediate cladding layer 14 and upper side cladding layer 16.例文帳に追加

エッチングストップ層１５は、ｐ−ＧａＩｎＰからなる第１の薄膜１５Ａとｐ−ＡｌＧａＩｎＰからなる第２の薄膜１５Ｂとが周期的に積層された量子井戸構造を有しており、第２の薄膜１５Ｂのアルミニウムの組成比は中間クラッド層１４及び上側クラッド層１６と比べて小さい。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing overlap of a doped region by cell channel ion implantation with a junction region by source/drain ion implantation and damage of a substrate in isotropic etching for formation of a valve pattern of a valve-shaped recess, improving refreshing characteristics of the element, and stabilizing a process.例文帳に追加

セルチャネルイオン注入によるドーピング領域とソース／ドレインイオン注入による接合領域とのオーバーラップ、及び、バルブ型リセスのバルブパターン形成のための等方性エチング時の基板の損傷を防止し、素子のリフレッシュ特性の改善及び工程の安定化が可能な半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The dopant seed is activated by annealing the substrate, the sacrifice oxide layer is removed by etching the substrate surface, the first subset is set to the height of a first level, and a topology is formed such that the first subset has the first level different from a second level of the marker structure surface part different from the first subset.例文帳に追加

この基板をアニールしてドーパント種を活性化させ、半導体表面をエッチングして犠牲酸化物層を取り除き、第１サブセットを第１レベルの高さにし、第１サブセットが、第１サブセットと異なるマーカ構造表面部分の第２レベルと異なる第１レベルを有するようにトポロジーを生成する。 - 特許庁

Then, a material 57a formed of oxide or nitride is formed on the upper surface of the base material 51 by deposition or the like to cover the wires 53b and the recessed parts 51a, and sidewalls 57 are subsequently formed by removing parts of the material 57a excluding parts adjacent to the wires 53b by etching.例文帳に追加

次に、蒸着などにより、基材５１の上面に、配線５３ｂ及び凹部５１ａを覆うように、酸化物又は窒化物からなる材料５７ａを設け、続いて、エッチングにより、材料５７ａの配線５３ｂに隣接する部分を除いた部分を除去することによって側壁５７を形成する。 - 特許庁

In a roughening device of a substrate for a solar battery wherein the tray for mounting a plurality of substrates for a solar battery is arranged in order to roughen surfaces of the plurality of substrates collectively by using a dry etching method, pads for fixing the substrates which are smaller than the substrates for the solar battery are arranged on the tray.例文帳に追加

複数枚の太陽電池用基板の表面をドライエッチング法で一括して粗面にするために複数枚の太陽電池用基板を載置するトレイを設けた太陽電池用基板の粗面化装置において、前記トレイ上に前記太陽電池用基板より小さい基板固定用パッドを設けた。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a trench gate structure, which is capable of removing a trench forming mask material by etching while protecting a gate insulating film and making cells finer than that in a case where a trench gate electrode is set T-shaped in cross section.例文帳に追加

トレンチゲート構造を有する半導体装置の製造方法において、ゲート絶縁膜を保護しながらトレンチ形成用のマスク材をエッチング除去することができ、かつ、トレンチゲート電極の断面をＴ字形状とした場合よりも、セルを微細化することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gallium nitride compound semiconductor and a method of manufacturing a light-emitting device which can reduce crystal defects, without causing warpages, achieving high perpendicularity on a side (optical resonant surface) relative to a growth plane, and eliminate damages caused by posttreatment, such as etching in the gallium nitride compound semiconductor.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体について、結晶欠陥を低減でき、反りが生じず、成長面に対する側面（光共振面）の垂直性が高く、さらにエッチング等の後加工によるダメージが無い、窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法及び発光素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

When a magnetic tunnel effect type magnetic head 20 having a magnetic tunnel junction element 33 disposed between a pair of magnetic shield layers 25 and 27 via a gap layer is manufactured, a surface to be the medium-facing surface of the magnetic tunnel junction element is subjected to etching machining after polishing machining.例文帳に追加

一対の磁気シールド層２５，２７の間にギャップ層を介して磁気トンネル接合素子３３が配されてなる磁気トンネル効果型磁気ヘッド２０を製造する際に、磁気トンネル接合素子の媒体対向面となる面に対して研磨加工を施した後に、当該媒体対向面となる面に対してエッチング加工を施す。 - 特許庁

That is, a micro crystal defect existing in the surface layer part of the silicon wafer is actualized to be counted, by etching the silicon wafer surface selectively after forming the nitride film on the silicon wafer surface, in this method of inspecting the crystal defect in the surface layer part of the silicon wafer of the present invention.例文帳に追加

すなわち、本発明は、検査対象シリコンウェハ表面に窒化膜を形成した後、該シリコンウェハ表面を選択エッチングすることによりシリコンウェハ表層部に存在する微小な結晶欠陥を顕在化させて計数することを特徴とするシリコンウェハ表層部結晶欠陥検査方法である。 - 特許庁

To provide a piezoelectric vibrator which is a so-called tuning fork type piezoelectric vibrator and is structured to prevent a mechanical strength from being lowered by forming a variant portion caused by etching anisotropy of a piezoelectric material, a piezoelectric device using such a piezoelectric vibrator, a cellular phone and an electronic apparatus using the piezoelectric device.例文帳に追加

所謂音叉型の圧電振動片において、圧電材料のエッチング異方性による異形部の形成に起因して生じる機械強度の低下を防止できる構造とした圧電振動片と、このような圧電振動片を使用した圧電デバイス、ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話と電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide a piezoelectric element that realizes a stable ramen mode vibration by processing an LQ2T-cut crystal substrate having a crystal azimuth, which have had difficulty of processing such as punching by a chemical etching method, to have a prescribed shape with high accuracy in a short time and to provide a manufacturing method for the piezoelectric element.例文帳に追加

化学的エッチング方法では打ち抜き等の加工が困難とされていた水晶の結晶方位を有するＬＱ２Ｔカット水晶基板に対して、短時間に精度よく所定形状に加工することにより、安定したラーメモード振動を実現する圧電素子及びこの圧電素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In dry etching using a resist pattern 13 for patterning a silicon nitride film 12 and a silicon oxide film 11, introduction defects in growth in the silicon substrate 10, which cause conical-pattern defects, are removed by digging a surface part of a separation groove forming region of the silicon substrate 10 at overetching.例文帳に追加

シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁

Since a detecting means 22 housed in a case is nipped from both sides by a pair of boards 24 and 25 provided with printed circuits 41-48 on the outsides, a space for installing the detecting means 22 can be widely taken, formation of through holes is not required on the boards 24 and 25 and etching is sufficient only on one side.例文帳に追加

ケース内に収納された検出手段22を、外面にプリント配線41〜48が設けられた一対の基板24、25によって両側から挟持するようにしたので、検出手段22を配置するための空間を広くとることができ、しかも、基板24、25にスルーホールの形成が不要となり、エッチングも片面のみで充分となる。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, a base layer and flattened film are removed by photolithography and etching around a predetermined region 70, and there is formed a protrusion 51 that not only includes the predetermined region 70 but also has a side surface which is curved or twisted along structures 62, 64 viewed from the thickness direction of the base layer.例文帳に追加

フォトリソグラフィ及びエッチングによって、基体層及び平坦化膜を所定領域７０の周囲において除去し、所定領域７０を含むと共に、基体層の厚み方向から見て、構造物６２，６４に沿うように湾曲又は屈曲した側面を有する凸状部５１を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting device 1 comprising an active layer 3 (light-emitting layer), a current diffusion layer 5 laminated on the active layer 3, and a mesa structure 9 formed by etching the surface of the current diffusion layer 5, a prospective half angle r1 of a top face 9a of the mesa structure 9 is set approximately as the totally reflecting angle.例文帳に追加

活性層３（発光層）と、活性層３に積層された電流拡散層５と、電流拡散層５表面をエッチングすることにより形成されたメサ構造９とを備える半導体発光素子１において、メサ構造９の天面９ａの見込み半角ｒ１を、ほぼ全反射角にした。 - 特許庁

Each of the plurality of recessed sections 40, each being in a roughly circular plane is formed on the top face of the metallic diaphragm 30 at an area opposite to a pressurizing chamber 14 except an area in a center part (driving area) opposite to a discrete electrode 32 in a roughly whole area of the periphery section (follower area) by etching.例文帳に追加

金属製の振動板３０の上面の圧力室１４と対向する領域のうち、個別電極３２と対向する中央部（駆動領域）以外の領域である、外周部（従動領域）のほぼ全域に、ほぼ円形の平面形状を有する複数の凹部４０をエッチングにより形成する。 - 特許庁

The method is provided with a process of introducing gas containing fluorinated silicon-based gas whose F/Si ratio is larger than 0 and smaller than 4 to a vacuum container with gas containing HBr, gas containing O_2 and gas containing NF_3 and/or SF_6 for etching a single crystal silicon film 1 with an insulation film 8 of a prescribed pattern as a mask.例文帳に追加

真空容器中に、ＨＢｒを含有するガス、Ｏ_２を含有するガス、ＮＦ３及び／又はＳＦ_６を含有するガスとともに、Ｆ／Ｓｉ比が０を超えて４未満であるフッ化シリコン系ガスを含有するガスを導入し、所定パターンの絶縁膜８をマスクとして、単結晶シリコン膜１をエッチングする工程を備える。 - 特許庁

For an ECR plasma etching device D1, a mechanism is provided where a movable diaphragm 110 is lifted for a wafer processing vessel 100a to be shielded from a process gas exhaust port 106, and a switching valve 108 allows a gas inlet port 103 to communicate with a high-pressure gas inlet piping 105, while being shielded from a process gas inlet piping 104.例文帳に追加

ＥＣＲプラズマエッチング装置Ｄ１の場合、可動式隔壁１１０を上昇させウェハ処理槽１００ａをプロセスガス排気口１０６から遮断し、切り替えバルブ１０８によりガス導入口１０３を高圧ガス導入配管１０５と導通させプロセスガス導入配管１０４から遮断する機構を備えている。 - 特許庁

By the configuration, in the formation of a desired three-dimensional structure pattern on the substrate, the hard mask layer is the material of a high etching selection ratio to the substrate, so that the step of the hard mask layer corresponding to the three-dimensional structure pattern to be formed can be made smaller than the desired three-dimensional structure pattern.例文帳に追加

本発明の構成によれば、所望する３次元構造パターンを基板に形成する場合、ハードマスク層は基板に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応するハードマスク層の段差は、所望する３次元構造パターンよりも小さくすることが出来る。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having high transparency to radiation as a chemical amplification type resist, excellent in basic physical properties as a resist such as dry etching resistance, sensitivity, resolution and pattern shape, not causing development defects in microfabrication and capable of producing a semiconductor device in a high yield.例文帳に追加

化学増幅型レジストとして、放射線に対する透明性が高く、しかもドライエッチング耐性、感度、解像度、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れるとともに、微細加工時の現像欠陥を生じることがなく、半導体素子を高い歩留りで製造しうる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The metallic layer 9 reduces the difference in level caused by the laser applied area 5a of the insulating layers 11 and 13 on the laser applied area 5a, and further it functions as an etching stop layer when forming the trimming aperture 15, thus improving the controllability of the residual film thickness of the insulating layer 7 on the trimming fuse 5.例文帳に追加

メタル層９は、レーザー照射領域５ａ上の絶縁層１１，１３についてレーザー照射領域５ａに起因する段差を低減し、さらに、トリミング開口部１５を形成する際にエッチングストップ層として機能するので、トリミングヒューズ５上の絶縁層７の残膜厚について制御性を向上させることができる。 - 特許庁

In the manufacture of a braille sign board in which a metallic board is etched to form projections respectively with a prescribed diameter in a specific pattern, the surfaces of the nearly cylindrical projections obtained by the etching are processed by electrolytic polishing and buffing or by buffing alone, forming the cylindrical projections into spherical shapes 3.例文帳に追加

金属板をエッチング処理して所定の直径を有する突起を所定のパターンで設けて点字標示板を製造する方法において、前記エッチング処理して得られたほぼ円柱状突起の表面を電解研磨とバフ研磨、またはバフ研磨のみで処理して該円柱状突起を球面状に形成する。 - 特許庁

An upper electrode unit 60 provided in a vacuum chamber 51 of a plasma etching equipment 50 includes an electrode plate 61 with a disc shape, formed by laminating a silicon layer and a graphite layer, and an electrode support member 62 made of aluminum, supporting the electrode plate 61, and a chilling unit 80 is provided above the upper electrode unit 60.例文帳に追加

プラズマエッチング装置５０の真空チャンバ５１に設けられた上部電極ユニット６０は、シリコン層とグラファイト層とを貼り合わせた円盤状の電極板６１と、電極板６１を支持するアルミニウム製の電極支持部材６２とからなり、この上部電極ユニット６０の上部にはチーリングユニット８０が設けられている。 - 特許庁

Thereafter, the first and second amorphous silicon are removed from the top surface of the silicon oxide film 50 by etching back, the surface of the second amorphous silicon film is subjected to silicon nucleation and thermally treated to accelerate the growth of grains, and a granular silicon crystal 57 is grown in grains from the second amorphous silicon film.例文帳に追加

その後シリコン酸化膜５０上面の第１および第２の非晶質シリコン膜をエッチバックして除去し、第２の非晶質シリコン膜の表面にシリコン核づけおよび粒成長促進のための熱処理を施して、第２の非晶質シリコン膜から粒状シリコン結晶５７を粒成長させる。 - 特許庁

To provide a laminated body for a flexible printed wiring board that comprises a conductor layer formed on a resin film, has an excellent etching characteristic and excellent adhesion between the resin film and the conductor layer, which are particularly held even after a durability test, and thereby has superior reliability.例文帳に追加

樹脂フィルム上に導体層を形成してなるフレキシブルプリント配線板用積層体において、エッチング性に優れ、且つ樹脂フィルムと導体層との密着性にも優れ、特にこれが耐久試験後も保持され、優れた信頼性を示すフレキシブルプリント配線板用積層体を提供することを課題とする。 - 特許庁

In the frequency adjustment method for the SAW chip 110 to adjust the frequency characteristic of the SAW chip 110, resulting from forming an electrode 112 to a crystal substrate 111, the frequency is adjusted by etching an electrode which forms the face of the SAW chip 110 with a mixed gas of an inert gas and oxygen gas.例文帳に追加

水晶基板１１１に電極１１２を形成したＳＡＷチップ１１０の周波数特性を調整するＳＡＷチップ１１０の周波数調整方法において、ＳＡＷチップ１１０における電極形成面を、不活性ガスと酸素ガスの混合ガスによってエッチングすることにより周波数調整を行う。 - 特許庁

To provide an exfoliating liquid for a multistage treatment, with which an exfoliating treatment of etching residual substances formed in a wiring structure forming process of a display panel of a semiconductor multilayered wiring structure, a liquid crystal panel, or the like, is safely carried out without lowering the exfoliating performance in comparison with a conventional exfoliating liquid.例文帳に追加

半導体多層配線構造や液晶パネルなどの表示パネルの配線構造形成工程において形成されるエッチング残渣物を安全に、かつ従来の剥離液に比べて剥離性能を低下させることなく剥離処理を行うことのできる多段階処理用剥離液およびこれを用いた剥離方法を提供する。 - 特許庁

Prior to forming the bottom electrode 121 of the capacitor, a side wall 119 having a positive curvature in the upper part while having a negative curvature in the lower part, is formed between the bottom electrode of the capacitor and the stack cell, using a silicon nitride film deposited by atomic layer deposition wherein a dry etching rate becomes lower in the depthwise direction.例文帳に追加

キャパシタ下部電極１２１形成前に、深さ方向によってドライエッチングレートが低くなる原子層蒸着で成膜されたシリコン窒化膜を用い、キャパシタ下部電極とスタックセル側壁の間に、上部が正の曲率を有し、下部が負の曲率を有する形状のサイドウォール１１９を形成する。 - 特許庁