etchingを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 19971件
DRY ETCHING METHOD, DRY ETCHING GAS, AND METHOD OF MANUFACTURING PERFLUORO-2-PENTYN例文帳に追加
ドライエッチング方法、ドライエッチングガス及びパーフルオロ−2−ペンチンの製造方法 - 特許庁
To provide an etching apparatus which can control generation of an etching product during the etching process and an method using the same etching apparatus.例文帳に追加
エッチング時に発生するエッチング生成物の発生を抑制することにできるエッチング装置およびその装置を用いたエッチング方法を提供する。 - 特許庁
ALUMINIUM HARD MASK FOR DIELECTRIC ETCHING例文帳に追加
誘電体エッチング用アルミニウムハードマスク - 特許庁
PLASMA ETCHING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
プラズマエッチング法及び半導体装置 - 特許庁
Ion beam etching is used as the dry etching method of a continuous recording layer 20.例文帳に追加
連続記録層20のドライエッチング手法としてイオンビームエッチングを用いる。 - 特許庁
METHOD FOR PLASMA-ETCHING SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加
半導体ウェーハのプラズマエッチング方法 - 特許庁
Gas of a fluorine system is used as etching gas in this first etching process step.例文帳に追加
この第1エッチング工程では、エッチングガスとしてフッ素系のガスを用いる。 - 特許庁
PLASMA ETCHING METHOD, CONTROL PROGRAM, COMPUTER STORAGE MEDIUM AND PLASMA ETCHING APPARATUS例文帳に追加
プラズマエッチング方法、制御プログラム、コンピュータ記憶媒体及びプラズマエッチング装置 - 特許庁
PLASMA ETCHING METHOD, PLASMA ETCHING APPARATUS, CONTROL PROGRAM AND COMPUTER STORAGE MEDIUM例文帳に追加
プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム、及びコンピュータ記憶媒体 - 特許庁
FLATTENING FINISH ETCHING LIQUID FOR COPPER AND COPPER ALLOY, AND ETCHING PROCESS THEREFOR例文帳に追加
銅および銅合金の平面仕上げエッチング液およびそのエッチング工法 - 特許庁
ULTRAVIOLET-CURING RESIST COMPOSITION FOR GLASS ETCHING AND GLASS ETCHING PROCESSING METHOD例文帳に追加
ガラスエッチング用紫外線硬化型レジスト組成物及びガラスエッチング処理方法 - 特許庁
CLEANING METHOD OF REACTIVE ION ETCHING (RIE) DEVICE, AND REACTIVE ETCHING DEVICE例文帳に追加
リアクティブイオンエッチング(RIE)装置のクリーニング方法およびリアクティブエッチング装置。 - 特許庁
ETCHING INSPECTION METHOD FOR TITANIUM ALLOY PRODUCT AND TEST PIECE FOR ETCHING INSPECTION例文帳に追加
チタン合金製品のエッチング検査方法ならびにエッチング検査用試験片 - 特許庁
ETCHING METHOD FOR PEROVSKITE OXIDE例文帳に追加
ペロブスカイト型酸化物のエッチング方法 - 特許庁
PLASMA ETCHING METHOD, PLASMA ETCHING DEVICE, CONTROL PROGRAM AND COMPUTER STORAGE MEDIUM例文帳に追加
プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - 特許庁
PLASMA ETCHING APPARATUS, PLASMA ETCHING METHOD, AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM例文帳に追加
プラズマエッチング装置、プラズマエッチング方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 - 特許庁
A total etching time required for each selection-wet etching is determined (S1, S2).例文帳に追加
各選択ウエットエッチングに必要な総エッチング時間を決定する(S1,S2)。 - 特許庁
PLASMA ETCHING METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加
半導体ウエーハのプラズマエッチング方法 - 特許庁
METHOD OF ETCHING SILICON SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加
シリコン半導体ウエハのエッチング方法 - 特許庁
To provide an etching method for precisely and efficiently performing minute etching in the etching method for dissolving a metal, which is close to wet etching.例文帳に追加
ウエットエッチングに近い金属を溶解するエッチング方法でありながら、微細なエッチングを正確且つ効率的に行うことができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁
METHOD OF ETCHING SILICON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND ETCHING APPARATUS USED THEREFOR例文帳に追加
シリコン半導体基板のエッチング方法とこの方法に用いるエッチング装置 - 特許庁
PLASMA ETCHING DEVICE, PLASMA ETCHING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
プラズマエッチング装置、プラズマエッチング方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
To precisely control etching depth when etching by a focused ion beam.例文帳に追加
集束イオンビームによりエッチングする際に精度良くエッチング深さを制御する。 - 特許庁
To provide an etching method of contact hole in which etching stop is not generated even if the aspect ratio increases due to progress of the etching process during the dry-etching of the contact hole.例文帳に追加
コンタクトホールをドライエッチングする際に、エッチングが進行してアスペクト比が増加してもエッチストップが生じないコンタクトホールのエッチング方法を提供する。 - 特許庁
SOFT ETCHING AGENT FOR COPPER-CLADDED LAMINATED BOARD例文帳に追加
銅張積層板用ソフトエッチング剤 - 特許庁
To provide an etching method in which etching process controllability is improved.例文帳に追加
エッチング工程の制御可能性を改善したエッチング方法を提供する。 - 特許庁
To provide an etching method capable of anisotropically etching a copper.例文帳に追加
銅を、異方的にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供すること。 - 特許庁
This characteristic constitution includes a first etching process 13a wherein acid etching is performed in the etching process and a second etching process 13b wherein alkaline etching is performed after the first etching process, and includes a back light polishing process 14 for polishing the uneven part of the back of the wafer which is formed by the first etching process, between the first etching process and the second etching process.例文帳に追加
この特徴ある構成は、エッチング工程が酸エッチングする第1エッチング工程13aとこの第1エッチング工程の後にアルカリエッチングする第2エッチング工程13bとを含み、第1エッチング工程と第2エッチング工程との間に第1エッチング工程で形成されたウェーハ裏面の凹凸の一部を研磨する裏面軽研磨工程14を含む。 - 特許庁
At etching a material using a two step etching method, a first etching step is terminated before a ground layer is exposed and a system moves to a second etching step, with the condition that etching speed be slower than the first etching step.例文帳に追加
二段階エッチング法を用いて被エッチング材のエッチングを行う際に、第1エッチング段階を下地層が露出する前に終了し、エッチング速度が前記第1エッチング段階より遅い条件で第2エッチング段階に移行する。 - 特許庁
The etching method for performing etching by immersing a glass substrate W to be etched in an etching chemical liquid L previously obtains relation of a temperature increase amount of the etching chemical liquid L and an etching amount of the base substance to be etched during etching.例文帳に追加
エッチング薬液Lに被エッチング基体であるガラス基板Wを浸漬してエッチングを行うエッチング方法であって、エッチングの際のエッチング薬液Lの温度上昇量と被エッチング基体のエッチング量との関係を予め得ておく。 - 特許庁
RING FOR ETCHER WITH EXCELLENT ETCHING RESISTANCE例文帳に追加
耐エッチング性に優れたエッチャー用リング - 特許庁
DRY ETCHING METHOD OF INTERLAYER INSULATION FILM例文帳に追加
層間絶縁膜のドライエッチング方法 - 特許庁
METHOD FOR DRY-ETCHING MULTILAYERED FILM MATERIAL例文帳に追加
多層膜材料のドライエッチング方法 - 特許庁
PLASMA ETCHING METHOD AND STORAGE MEDIUM例文帳に追加
プラズマエッチング方法および記憶媒体 - 特許庁
ETCHING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD例文帳に追加
エッチング装置および基板処理方法 - 特許庁
PROCESSING METHOD AND PLASMA ETCHING METHOD例文帳に追加
処理方法およびプラズマエッチング方法 - 特許庁
CONTACT ETCHING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体装置のコンタクトエッチング方法 - 特許庁
ETCHANT COMPOSITION AND ETCHING METHOD例文帳に追加
エッチング液組成物及びエッチング方法 - 特許庁
METHOD FOR ETCHING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM例文帳に追加
透明導電性膜のエッチング方法 - 特許庁
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