etchingを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 19971件
To provide an etchant and an etching method leaving no bubble of the etchant and no etching residues resulting from the etchant, after an etching and being capable of etching a transparent conductive film with good timing, in the etching of the transparent conductive film.例文帳に追加
透明導電膜のエッチングにおいて、エッチング後、エッチング液の泡およびエッチング剤に由来するエッチング残渣を全く残さず、ジャストタイムでエッチングすることができるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。 - 特許庁
To prevent etching of an etching object film by residual etching gas when exhaust efficiency of the residual etching gas by an etching step can be enhance to a large extent and next an ashing step to be continuously executed is executed.例文帳に追加
エッチングステップによる残留したエッチングガスの排気効率を大幅に高めることができ，次に連続して実行されるアッシングステップを実行したときに，残留したエッチングガスによる被エッチング膜のエッチングを防止する。 - 特許庁
To provide a dry etching method capable of etching precisely by solving the problems wherein etching reaction products are deposited and etching cannot be made precisely for the dry etching method for performing micromachining.例文帳に追加
微細加工を行うドライエッチング方法に関し、エッチング反応生成物が堆積して精度良くエッチングできないという課題を解決し、精度良くエッチングできるドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide an etching method where an etching liquid is uniformly efficiently sprayed on a flexible board so as to perform etching without leaving a fatigued etching liquid, and the etching condition in the central part and the peripheral part in a tape is made uniform.例文帳に追加
フレキシブル基板に均一に効率よくエッチング液を噴射し、疲労したエッチング液を残留させることなくエッチングをし、テープ中央部と周辺部でのエッチング状態を均一にすることを可能とする。 - 特許庁
In a method for etching a gallium nitride compound semiconductor by using a plasma etching device, etching gas including CF4 and SiCl4 is introduced to the plasma etching device and the controllability of the etching rate is improved.例文帳に追加
プラズマエッチング装置を用い、窒化ガリウム系化合物半導体をエッチングする方法において、前記プラズマエッチング装置にＣＦ_4とＳｉＣｌ_4を含むエッチングガスとＯ_2ガスを導入して、エッチングレートの制御性を高める。 - 特許庁
That is, processes from processing of the conductive film to the etching by using the semiconductor etching gas are continuously performed in the same chamber and the etching by using the semiconductor etching gas is performed before removing the etching mask.例文帳に追加
すなわち、導電膜の加工から半導体エッチング用のガスで行うエッチングまでを同一チャンバー内で連続して行い、半導体エッチング用のガスで行うエッチングはエッチングマスクを除去する前に行う。 - 特許庁
To reduce variations in etching due to an etching time by subjecting an accidentally formed layer to an anisotropic etching and to improve controllability for a wraparound etching by etching an optional layer by a constant amount through anisotropic etching.例文帳に追加
偶発的に生成される層を異方性エッチングすることにより、エッチングを行う時間によるエッチングのばらつきを改善し、かつ任意の層を異方性エッチングで一定量エッチングすることにより、回り込みエッチングの制御性の向上を図ることを実現する。 - 特許庁
To provide an etching liquid composition having low effervescence, without generating etching residues.例文帳に追加
低発泡性でかつエッチング残渣が発生しないエッチング液組成物を提供すること。 - 特許庁
AQUEOUS SOLUTION OF CAUSTIC SODA FOR ETCHING SILICON WAFER例文帳に追加
シリコンウエハーエッチング用苛性ソーダ水溶液 - 特許庁
ETCHING DEVICE FOR PRINTED BOARD AND METHOD THEREFOR例文帳に追加
プリント板のエッチング装置およびその方法 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING END POINT OF ETCHING AND DRY ETCHING SYSTEM PROVIDED WITH THE SAME APPARATUS例文帳に追加
エッチング終点検出方法及び装置並びに同装置を備えたドライエッチング装置 - 特許庁
The hard mask 41 is not exposed to the etching gas and prevented from being lessened in thickness while etching is carried out.例文帳に追加
エッチング中に、ハードマスク41はエッチングガスにさらされること無く膜減りが防がれる。 - 特許庁
SYSTEM AND METHOD FOR MANAGING USED AMOUNT OF WATER FOR ETCHING LINE, AND ETCHING LINE例文帳に追加
エッチングラインの水使用量管理システム、エッチングラインの水使用量管理方法、エッチングライン - 特許庁
To provide a method and device for etching a substrate, wherein constant etching is provided.例文帳に追加
均一なエッチングを行うことができる基板のエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁
ETCHING RATE MEASURING APPARATUS AND METHOD例文帳に追加
エッチングレート測定装置および測定方法 - 特許庁
A green color filter 31 in a checkerboard pattern is formed by etching using an etching mask.例文帳に追加
エッチングマスクを用いたエッチングにより、市松状のグリーンカラーフィルタ３１を形成する。 - 特許庁
ETCHING PROCESSING APPARATUS AND METHOD THEREFOR例文帳に追加
エッチング処理装置及びエッチング処理方法 - 特許庁
To provide a dry etching system which can accomplish plasma etching with smaller power consumption.例文帳に追加
より低消費電力でプラズマエッチングが達成できるドライエッチング装置を提供する - 特許庁
DRY ETCHING METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
ドライエッチング方法及びデバイス製造方法 - 特許庁
Dry etching using no bias is preferably used for further etching the back channel portion.例文帳に追加
バックチャネル部を更にエッチングするに際しては無バイアスのドライエッチングを用いることが好ましい。 - 特許庁
STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND ETCHING METHOD例文帳に追加
半導体素子構造およびエッチング方法 - 特許庁
SACRIFICIAL FILM ETCHING METHOD AND ITS DEVICE例文帳に追加
犠牲膜のエッチング方法およびその装置 - 特許庁
The above etching process is carried out using, for instance, a magnetic field-applied plane parallel plate dry etching device.例文帳に追加
このエッチングは、例えば磁場印加型平行平板ドライエッチング装置を用いて行う。 - 特許庁
As an etching device, a magnetic neutral loop discharge plasma etching device is preferably used.例文帳に追加
エッチング装置としては、磁気中性線放電プラズマエッチング装置を用いることが好ましい。 - 特許庁
ETCHING APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING TEMPERATURE THEREOF例文帳に追加
エッチング装置及びその温度制御方法 - 特許庁
ETCHING AGENT OF NATURAL FIBER MATERIAL, METHOD FOR CARRYING OUT ETCHING AND ETCHED NATURAL FIBER MATERIAL例文帳に追加
天然系繊維材料の抜蝕剤、抜蝕加工方法及び抜蝕加工天然系繊維材料 - 特許庁
ETCHING METHOD, PLASMA TREATMENT DEVICE, STORAGE MEDIUM例文帳に追加
エッチング方法、プラズマ処理装置、記憶媒体 - 特許庁
METHOD OF ETCHING INSULATING FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体装置の絶縁膜エッチング方法 - 特許庁
The cleaning by etching is performed in two-stage cleaning steps of different etching rates.例文帳に追加
このエッチングによるクリーニングをエッチングレートが異なる二段階のクリーニング工程で行う。 - 特許庁
To provide a method for etching a dual doped gate structure in a plasma etching chamber.例文帳に追加
プラズマエッチングチャンバ内でデュアルドープゲート構造をエッチングするための方法を提供する。 - 特許庁
The inclined surface is formed through dry etching, and a damaged layer is removed by anisotropic etching.例文帳に追加
傾斜面はドライエッチングにより形成し、異方性エッチングによりダメージ層を除去する。 - 特許庁
To provide a method for forming an etching characteristic in an etching layer on a substrate.例文帳に追加
基板の上のエッチング層内にエッチング特徴を形成するための方法が提供される。 - 特許庁
METHOD FOR SUPPRESSING VARIATION IN DIMENSION IN POLYIMIDE ETCHING例文帳に追加
ポリイミドエッチングの寸法ばらつきを抑える - 特許庁
The vapor-phase etching is performed so that the etching amount may become 10 nm to ≤0.1 μm.例文帳に追加
この気相エッチングを、１０ｎｍ以上、０．１μｍ以下のエッチング量となるように行う。 - 特許庁
To provide an etching agent used for a chemical wet etching method of chemical-resistant crystal material.例文帳に追加
耐薬品性の結晶材料の化学的ウェットエッチング法に用いるエッチング剤の提供。 - 特許庁
ETCHING MASK, BASE MATERIAL WITH ETCHING MASK, FINE WORKPIECE, METHOD OF MANUFACTURING FINE WORKPIECE例文帳に追加
エッチングマスク、エッチングマスク付き基材、微細加工品および微細加工品の製造方法 - 特許庁
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