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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > first-layerの意味・解説 > first-layerに関連した英語例文

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first-layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 24472



例文

The residual part of the first photoresist layer is removed.例文帳に追加

第1のフォトレジスト層の残りの部分が除去される。 - 特許庁

First, the compound semiconductor layer is formed on a substrate.例文帳に追加

まず、基板上に化合物半導体層を形成する。 - 特許庁

The first carbon layer 1 is formed of many particles.例文帳に追加

第1カーボン層1は、多数の粒子で形成される。 - 特許庁

In one embodiment, the device includes a first module layer movable in a first direction and a second module layer movably connected relative to the first module layer.例文帳に追加

一実施形態において、装置は、第1の方向に移動可能な第1のモジュール層と第1のモジュール層に対して移動可能に接続された第2のモジュール層を含む。 - 特許庁

例文

An insulation layer 2 is formed on the surface of a semiconductor substrate 1 and a first conductivity first semiconductor layer 3 having a first opening 5a is formed on the insulation layer 2.例文帳に追加

半導体基板1の表面に絶縁層2を形成し、第1開口5aを有する第1導電型の第1半導体層3を絶縁層2上に形成する。 - 特許庁


例文

A high dielectric metal oxide film 121-1 in the first layer is formed on a silicon layer(first electrode 12).例文帳に追加

シリコン層(第1電極12)上に1層目の高誘電体金属酸化膜121−1を形成する。 - 特許庁

A hard mask spacer layer and a hard mask layer are formed on an MTJ element, and a first parallel line pattern (first photoresist film) of a first size width is formed on the hard mask layer.例文帳に追加

MTJ素子上に、ハードマスクスペーサ層およびハードマスク層を形成し、ハードマスク層上に第1サイズの幅の第1平行ラインパターン(第1フォトレジスト膜)を形成する。 - 特許庁

The undersurface of the protective material (10) includes a first low-radiation layer.例文帳に追加

保護材(10)の裏面は第一の低放射層を含む。 - 特許庁

A first resist layer 12 is formed on a substrate 10 and then phosphorus ions P+ are injected into the first resist layer 12.例文帳に追加

基板10上に第1のレジスト層12を形成した後、第1のレジスト層12に燐イオンP^+ を打ち込む。 - 特許庁

例文

A first photoresist pattern is formed on the hard mask layer.例文帳に追加

ハードマスク層上に第1フォトレジストパターンを形成する。 - 特許庁

例文

A parallax barrier layer 21 is provided on a first transparent substrate 15.例文帳に追加

第1透明基板15上に視差バリア層21を設ける。 - 特許庁

The second electric resistance value of the second semiconductor layer is larger than the first electric resistance value of the first semiconductor layer.例文帳に追加

該第二半導体層の第二電気抵抗値は該第一半導体層の第一電気抵抗値より大きい。 - 特許庁

The first intermediate layer 121 is composed of the first metal and the active substance, and the second intermediate layer 122 is composed of the active substance.例文帳に追加

第一中間層121は第一金属と活物質とからなり、第二中間層122は活物質からなる。 - 特許庁

The upper clad layer is supported with the first region.例文帳に追加

上部クラッド層は、第1の領域に支持されている。 - 特許庁

The light-emitting device includes a first light source, a light guide body, a light-emitting layer, and a first reflective layer.例文帳に追加

実施形態の発光装置は、第1の光源と、導光体と、発光層と、第1の反射層と、を有する。 - 特許庁

Additionally, the first magnetic pole portion layer 8a is connected with the first yoke portion layer 8b in the extended portion, and is magnetically separated from the first yoke portion layer 8b in the reduction portion.例文帳に追加

さらに、第1磁極部分層8aは、拡張部で第1ヨーク部分層8bと連結し、縮小部では第1ヨーク部分層8bと磁気的に分離されている。 - 特許庁

Fibers 23 are buried in a first insulation layer 21.例文帳に追加

第1絶縁層21には繊維23が埋め込まれる。 - 特許庁

An end surface of a part of the first wiring layer is exposed from the first insulating layer or second insulating layer in a side direction, and all end surfaces of the second wiring layer are covered with the first insulating layer or the second insulating layer.例文帳に追加

前記第1の配線層の一部の端面は、前記第1の絶縁層もしくは前記第2の絶縁層から側方に露出し、前記第2の配線層のすべての端面は、前記第1の絶縁層もしくは前記第2の絶縁層で覆われた。 - 特許庁

The first alignment layer 16A includes a second inorganic layer 162A, which is disposed in the liquid crystal layer 50 side of a first inorganic layer 161A and in contact with the liquid crystal layer 50 and has a columnar structure with an orientation angle thereof different from that of the first inorganic layer 161A.例文帳に追加

第1の配向膜16Aは、第1の無機層161Aの液晶層50側に液晶層50と当接して配置されて第1の無機層161Aと柱状構造の方位角が異なる第2の無機層162Aを有する。 - 特許庁

The semiconductor optical element 1 includes a first DBR reflection layer 4 provided on a semiconductor substrate 3 and having a first semiconductor layer and a second semiconductor layer alternately stacked, a first clad layer 5, an active layer 7, and a second clad layer 10.例文帳に追加

半導体光素子1は、半導体基板3上に設けられ第1半導体層及び第2半導体層が交互に積層された第1DBR反射層4と、第1クラッド層5と、活性層7と、第2クラッド層10とを備える。 - 特許庁

The magnetic recording medium comprises a substrate, a first seed layer formed on the substrate, a second seed layer formed on the first seed layer and made of the same material as the first seed layer and the magnetic recording layer formed on the second seed layer.例文帳に追加

磁気記録媒体であって、基板と、基板上に設けられた第1シード層と、第1シード層上に設けられ、この第1シード層と同一材料から形成された第2シード層と、第2シード層上に設けられた磁性記録層とを含んでいる。 - 特許庁

The first layer post electrode 62A and second layer post electrode 62B are provided on the first layer sealing resin 70A and the second layer sealing resin 70B so that the first layer metal wiring 60A is electrically connected to the second layer metal wiring 60B.例文帳に追加

第2層ポスト電極62Bは外部電極端子としての所望の位置にあり、第1層ポスト電極62Aは配線幅の狭い下層配線2の上方に位置しておらず、第1層ポスト電極62A,第2層ポスト電極62Bは上下方向に一直線に並んでいない。 - 特許庁

The soldering materials 4 have the first metal layer 6 and the second metal layer 5 which have different compositions, the first metal layer is formed into a shape having an axial property drawn in the uniaxial direction, and the first metal layer is coated with the second metal layer so as to surround the axis of the first metal layer.例文帳に追加

これらのハンダ材4は、互いに組成の異なる第1の金属層6と第2の金属層5とを有し、第1の金属層は一軸方向に延伸した軸性を有する形状で、第2の金属層は第1の金属層の軸を包囲するように第1の金属層を被覆する。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting device comprises: a first semiconductor layer 10 of a first conductive type; a second semiconductor layer 20 of a second conductive type; a light-emitting portion 30 provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; a first transparent conductive layer 51; and a second transparent conductive layer 52.例文帳に追加

第1導電形の第1半導体層10と、第2導電形の第2半導体層20と、第1半導体層と第2半導体層との間に設けられた発光部30と、第1透明導電層51と、第2透明導電膜52と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

First and second intermediate layers 3 and 4 are interposed between a first magnetic layer 1 and a second magnetic layer 2, and the first intermediate layer 3 is provided with the same composition as that of the second magnetic layer 2, and the second intermediate layer 4 is provided with the same composition as that of the first magnetic layer 1.例文帳に追加

第1の磁性体層1と第2の磁性体層2との間に第1及び第2の中間層3、4が介在されており、第1の中間層3は、第2の磁性体層2と同一組成を有し、第2の中間層4は、第1の磁性体層1と同一組成を有している。 - 特許庁

The laminated ferromagnetic structure comprises a first ferromagnetic layer (11) positioned above a substrate (1), a second ferromagnetic layer (13) positioned above the first ferromagnetic layer (11), and a first nonmagnetic layer (12) formed between the first ferromagnetic layer (11) and the second ferromagnetic layer (13).例文帳に追加

本発明による積層強磁性構造体は、基板(1)の上方に位置する第1強磁性層(11)と、第1強磁性層(11)の上方に位置する第2強磁性層(13)と、第1強磁性層(11)と第2強磁性層(13)との間に設けられた第1非磁性層(12)とを具備している。 - 特許庁

The optical medium sequentially comprises: a substrate; a first dielectric layer on the substrate; an active layer on the first dielectric layer and absorbing a laser beam; a second dielectric layer on the active layer; a recording layer needing no initialization on the second dielectric layer; and a third dielectric layer on the recording layer needing no initialization.例文帳に追加

光学媒体は、順に、基板と、基板上の第一誘電層と、レーザー光を吸収する第一誘電層上の活性層と、前記活性層上の第二誘電層と、第二誘電層上の初期化不要記録層と、初期化不要記録層上の第三誘電層と、からなる。 - 特許庁

A buffer layer 2, an intermediate layer 3, a first contact layer 4a, a first clad layer 5, an active layer 6, a second clad layer 7 and a second contact layer 4b are formed on a board 1, an insulating film 8 is provided on the surface of the layer 4a and the layer 4b, and an electrode 9 is provided.例文帳に追加

基板1上にバッファ層2、中間層3、第一のコンタクト層4a、第一のクラッド層5、活性層63、第二のクラッド層7、第二のコンタクト層4bを形成し、さらに第一のコンタクト層4aと第二のコンタクト層4bの表面上に絶縁膜8を設け、電極9を設けている。 - 特許庁

An anode layer 102 is formed on a substrate 100, a first mixture layer 202 is formed on the anode layer 102, a mixture layer 200 is formed on the first mixture layer 202, a second mixture layer 204 is formed on the mixture layer 200 and a cathode layer 114 is formed on the second mixture layer 204.例文帳に追加

アノード層102を、基板100の上に形成し、第1混合層202を、アノード層102の上に形成し、混合層200を第1混合層202の上に形成し、第2混合層204を混合層200上に形成し、カソード層114を第2混合層204の上に形成する。 - 特許庁

A first n-type layer, second n-type layer, third n-type layer, active layer having a multiple quantum well structure, a first p-type layer, second p-type layer, third p-type layer and p-type contact layer are laminated in the order on an n-type contact layer and this light-emitting element has a double heterostructure.例文帳に追加

n型コンタクト層の上に、第一のn型層と、第二のn型層と、第三のn型層と、多重量子井戸構造を有する活性層と、第一のp型層と、第二のp型層と、第三のp型層と、p型コンタクト層とが順に積層され、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁

The antireflection layer 130 is composed of a first layer 131, a second layer 132, a third layer 133, a fourth layer 134, a fifth layer 135, a first transparent conductive layer 136 as a sixth layer, a seventh layer 137, a second transparent conductive layer 138 as an eighth layer and a ninth layer 139 which are arranged in the order outward from the lens base 110 side.例文帳に追加

この反射防止層130は、レンズ基材110側から外側に向けて順に配置された第1層131、第2層132、第3層133、第4層134、第5層135、第6層である第1透明導電層136、第7層137、第8層である第2透明導電層138及び第9層139から構成される。 - 特許庁

A first electrode layer and a plurality of first laminates are stacked in this order on the first element substrate.例文帳に追加

第1素子基板の上に、第1電極層および複数の第1積層を順番に積み重ねる。 - 特許庁

A first region of a semiconductor layer is provided with a first trench having a first channel surface.例文帳に追加

半導体層の第1の領域は、第1のチャネル面を有する第1のトレンチが設けられている。 - 特許庁

A first oxide layer 22 is produced on a first main side of a substrate 1 of a first conductivity type.例文帳に追加

第一の導電性タイプの基板1の第一のメインサイドの上に、第一の酸化物層22が作られる。 - 特許庁

A first conductivity-type first base layer 11 having a first surface and a second surface is formed.例文帳に追加

第1面及び第2面を有する第1導電型の第1のベース層11が形成されている。 - 特許庁

A first buried dielectric layer is formed on an inner wall of the first empty space and an inner wall of the first recessed region.例文帳に追加

第1空間の内壁及び第1リセス領域の内壁に第1埋込誘電膜を形成する。 - 特許庁

The first layer has a first face, and a second face opposed to the first face.例文帳に追加

前記第1の層は、第1の面および前記第1の面の反対の側となる第2の面を有する。 - 特許庁

Each of the first electrodes has a first contact portion contacting the first semiconductor layer at the second primary surface side.例文帳に追加

第1電極は、第2主面の側で第1半導体層と接する第1接触部を有する。 - 特許庁

The support member includes an insulation layer 212, a first wiring layer 214 disposed on a side closer to a second face 211B with respect to the insulation layer, and a first plug 216 which is through the insulation layer at a location where the pyroelectric body and a first wiring layer overlap with each other in a plan view, and which connects the first wiring layer and the first electrode.例文帳に追加

支持部材は、絶縁層212と、絶縁層よりも第2面211B側に配置された第1配線層214と、平面視で焦電体及び第1配線層が重なる位置にて前記絶縁層を貫通して第1配線層と第1電極とを接続する第1プラグ216と、を含む。 - 特許庁

The upper electrode includes a first electrode layer (9a) facing the dielectric film and a second electrode layer (9b) which is formed on the upper layer side of the first electrode layer and is electrically connected to a conductive layer through a first contact hole (33) opened in the first electrode layer, the dielectric film, and the first interlayer insulating film.例文帳に追加

上側電極は、誘電体膜に面する第1電極層(9a)と、1電極層よりも上層側に形成され、第1電極層、誘電体膜及び第1層間絶縁膜に開孔された第1コンタクトホール(33)を介して導電層に電気的に接続された第2電極層(9b)とを有する。 - 特許庁

A magnetic shield having a first layer and a second layer and shielding an environmental magnetic field is obtained by manufacturing a first layer composed of a first material and having a hollow part therein and a second layer in a hollow shape composed of a second material differing from the first material, and disposing the second layer in the hollow part of the first layer.例文帳に追加

第1材料で構成され、内部に中空部を有する第1層と、第1材料と異なる第2材料で構成された中空状の部材である第2層とを製造し、第2層を第1層の中空部に配置することで、第1層と第2層とを備え、環境磁場を遮蔽する磁気シールドを得る。 - 特許庁

The package comprises two metal layer bump circuits, a first adhesive layer having some thickness on the first surface of the bump circuit, a first outer conductive layer having some thickness and being bonded to the first adhesive layer, and a second adhesive layer having a thickness substantially equal to that of the first adhesive layer on the second surface of the bump circuit.例文帳に追加

このパッケージは、2つの金属層のバンプ回路と、バンプ回路の第1面上である厚さを有する第1粘着層と、ある厚さを有し、第1粘着層に接合する第1外部導電層と、バンプ回路の第2面上で第1粘着層の厚さとほぼ同じ厚さを有する第2粘着層とを含む。 - 特許庁

The pressure-sensitive adhesive tape includes a fine unevenness-erasing layer 3, a roughness-expressing layer 2, a base material layer 1, a first pressure-sensitive adhesive layer 21, and a second pressure-sensitive adhesive layer 22 in this order.例文帳に追加

微細凹凸消去層3と粗さ発現層2と基材層1と第1粘着剤層21と第2粘着剤層22とをこの順に有する。 - 特許庁

An n+ type cathode layer 32, p- type first base layer 22, n- type base layer 18, n+ type buffer layer 16, and p+ type anode layer 14 constitute an IGBT.例文帳に追加

n^+型カソード層32、p^-型第1ベース層22、n^-型ベース層18、n^+型バッファ層16、p^+型アノード層14によりIGBTが構成されている。 - 特許庁

The first catalytic layer is covered with the electrolyte layer, the electrolyte layer is covered with the second catalytic layer, and the second catalytic layer is covered with the ring electrode.例文帳に追加

第1の触媒層は電解質層で覆われ、電解質層は第2の触媒層で覆われ、第2の触媒層はリング電極で覆われている。 - 特許庁

A first clad layer 12, an active layer 13, a second clad layer 14, a current diffusion layer 15 and a contact layer 16 are laminated sequentially on a substrate 11.例文帳に追加

基板11上に第1クラッド層12、活性層13、第2クラッド層14、電流拡散層15、コンタクト層16が順次積層されている。 - 特許庁

The contact well layer 116w includes a first contact well layer 116w1 on the contact layer side and a second contact well layer 116w3 on the second cladding layer side.例文帳に追加

コンタクトウェル層116wは、コンタクト層側の第1コンタクトウェル層116w1と第2クラッド層側の第2コンタクトウェル層116w3とを含む。 - 特許庁

The resin multilayer substrate includes a component built-in layer (first resin layer) and a thin resin layer (second resin layer) laminated on one surface of the component built-in layer.例文帳に追加

樹脂多層基板は、部品内蔵層(第1樹脂層)と、部品内蔵層の一面に積層してある薄層樹脂層(第2樹脂層)とを備える。 - 特許庁

The resin layer 7 seals the semiconductor element 3, the first heat transfer layer 4, and the second heat transfer layer 5, and the third heat transfer layer 6 is exposed from the resin layer 7.例文帳に追加

樹脂層7は、半導体素子3、第1伝熱層4、第2伝熱層5を封止し、樹脂層7からは第3伝熱層6が表出する。 - 特許庁

例文

An n+ type floating emitter layer 24, p- type first base layer 22, n- type baser layer 18, n+ type buffer layer 16, and p+ type anode layer 14 constitute the thyristor.例文帳に追加

n^+型フローティングエミッタ層24、p^-型第1ベース層22、n^-型ベース層18、n^+型バッファ層16、p^+型アノード層14によりサイリスタが構成されている。 - 特許庁




  
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