「gaas fet」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The main switching elements 22 to 31 use GaAs switches (MOS FET transistors) which are easy to take mutual synchronization of ON/OFF control.例文帳に追加

主スイッチング素子２２〜３１には、相互にＯＮ／ＯＦＦ制御の同期が取り易いＧａＡｓスイッチ（ＭＯＳ ＦＥＴトランジスタ）が使用される。 - 特許庁

To provide a power amplifier with a bias changeover switch employing a GaAs FET used at a microwave band.例文帳に追加

マイクロ波帯で使用するＧａＡｓＦＥＴを用いたバイアス切替スイッチ付き電力増幅装置を提供する。 - 特許庁

To avoid an unstable operation due to a gate current of a switch IC employing a GaAs FET.例文帳に追加

ＧａＡｓ ＦＥＴを用いるスイッチＩＣのゲート電流による動作不安定を回避する小型のバイアス回路内蔵型スイッチＩＣを提供する。 - 特許庁

Improved is a switch circuit using the GaAs-FET switch having the low-speed tail part effect.例文帳に追加

低速尾部効果を有するＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチを用いたスイッチ回路に改良を加えたものである。 - 特許庁

To compensate fluctuation when producing a differential amplifier composed of GaAs depletion field-effect transistors(FET).例文帳に追加

ＧａＡｓ系デプレッション電界効果トランジスタで構成される差動増幅器の製造時の上記変動を補償する。 - 特許庁

GaAs switches (MOS FET transistors) easily taking mutual synchronization for ON / OFF control are adopted for the main switching elements 22 to 31.例文帳に追加

主スイッチング素子２２〜３１には、相互にＯＮ／ＯＦＦ制御の同期が取り易いＧａＡｓスイッチ（ＭＯＳ ＦＥＴトランジスタ）が使用される。 - 特許庁

GaAs switches (MOS FET transistors) easily taking mutual synchronization of ON/OFF control are employed for the main switching elements 22 to 31.例文帳に追加

主スイッチング素子２２〜３１には、相互にＯＮ／ＯＦＦ制御の同期が取り易いＧａＡｓスイッチ（ＭＯＳ ＦＥＴトランジスタ）が使用される。 - 特許庁

In an interstage matching circuit connected between a GaAs-FET Q1 of a first driving source and a GaAs-FET Q2 of a second drive source, an inductance L4 of microstrip lines is formed in a rectangular or circular island-like pattern.例文帳に追加

第１駆動源のＧａＡｓ−ＦＥＴＱ１と第２駆動源のＧａＡｓ−ＦＥＴＱ２の間に接続される段間整合回路において、マイクロストリップラインで形成したインダクタンスＬ４を角形または円形の島状のパターンとして形成した。 - 特許庁

A diode/FET electrode 9 is formed between the diode electrode 8 and the FET gate electrode 5 on the upper surface side of the first GaAs layer 4.例文帳に追加

第１ＧａＡｓ層４の上面側にダイオード電極８とＦＥＴゲート電極５との間で形成されるダイオード／ＦＥＴ電極９が形成されている。 - 特許庁

This circuit is provided with the LED which irradiates the FET switch and a driving circuit which makes the LED emit light for a predetermined time as the GaAs-FET switch shift from the off state to the on state.例文帳に追加

本回路は、ＦＥＴスイッチを照射するＬＥＤと、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチがオフ状態からオン状態に遷移するのに伴って、ＬＥＤを所定の時間発光させる駆動回路とを有することを特徴とするものである。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first GaAs layer 4 formed on the upper surface of an epitaxial substrate layer 1, a first diode electrode 8 formed on the upper surface side thereof, and an FET gate electrode 5.例文帳に追加

エピタキシャル基板層１の上面側に、第１ＧａＡｓ層４と、それの上面側に形成される第１ダイオード電極８と、ＦＥＴゲート電極５とから形成されている。 - 特許庁

In a process for manufacturing a recess-gate type FET, a recess etching process (S105) subjects it to an aqueous solution containing aqueous ammonia for selective etching with GaAs in wet-etching.例文帳に追加

リセスゲート型のＦＥＴ製造工程において、リセスエッチングプロセス（Ｓ１０５）はアンモニア水を含む水溶液でウエットエッチングでＧａＡｓの選択エッチング（リセスエッチング（Ｓ１０５））を行う。 - 特許庁

An MMIC 100 is provided with an FET provided on a GaAs substrate 10, and an MIM capacitor having a dielectric layer 20b interposed between a lower electrode 18b and an upper electrode 22b.例文帳に追加

ＭＭＩＣ１００は、ＧａＡｓ基板１０上に設けられたＦＥＴと、下側電極１８ｂと上側電極２２ｂとの間に誘電体層２０ｂが介在しているＭＩＭキャパシタとを備えている。 - 特許庁

The FET region 108 is grounded via a wiring structure, comprising a wiring layer 112, a source pad 110 on the source via hole 116, and a back metal 118 on the rear surface of the GaAs substrate 102.例文帳に追加

そして，ＦＥＴ領域１０８は，配線層１１２とソースバイアホール１１６上のソースパッド１１０とＧａＡｓ基板１０２裏面のバックメタル１１８とから成る配線構造を介して接地される。 - 特許庁

To provide an emitter-follower type bias circuit which can operate at a low reference voltage suited to a reference voltage generating circuit using a GaAs BiFET (HBT+FET) process.例文帳に追加

ＧａＡｓ系ＢｉＦＥＴ（ＨＢＴ＋ＦＥＴ）プロセスを用いた基準電圧発生回路に適した、低い基準電圧で動作できるエミッタフォロワ型バイアス回路を提供する。 - 特許庁

On the surface of a GaAs substrate 102, a recess 100 in which a source via hole region 106 is formed and an FET region 108 are formed.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０２表面には，ソースバイアホール領域１０６が内部に形成されたリセス１００とＦＥＴ領域１０８とが形成される。 - 特許庁

The J-FET is equipped with an undoped InGaAs channel layer 5 that stores carriers of first-conductivity type, a p^+-type GaAs layer 17 (semiconductor layer) which is formed on the undoped InGaAs channel layer 5 and contains impurities of second-conductivity type, and a gate electrode 18 formed on the p^+-type GaAs layer 17.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係るＪ−ＦＥＴは、第１導電型のキャリアを蓄積するアンドープＩｎＧａＡｓチャネル層５と、アンドープＩｎＧａＡｓチャネル層５上に設けられ、第２導電型の不純物を含有するｐ^＋型ＧａＡｓ層１７（半導体層）と、ｐ^＋型ＧａＡｓ層１７上に設けられたゲート電極１８と、を備えている。 - 特許庁

The FET 1 has an electron supply layer 14 made of AlGaAs, an interface stabilizing layer 15 which is provided on the electron supply layer 14 and contains no Al, an etching stop layer 16 which is provided on the interface stabilizing layer 15 and made of InGaP, and a contact layer 17 which is provided on the etching stop layer 16 and made of GaAs.例文帳に追加

ＦＥＴ１は、AlGaAsからなる電子供給層１４と、電子供給層１４上に設けられた、Alを含まない界面安定化層１５と、界面安定化層１５上に設けられた、InGaPからなるエッチングストップ層１６と、エッチングストップ層１６上に設けられた、GaAsからなるコンタクト層１７と、を備えている。 - 特許庁

For example, an MMIC 100 in which an FET as an active element and an MIM capacitor are provided on a GaAs substrate 10 has a structure in which source and drain electrodes 16a, 16b as ohmic electrodes of the FET and the lower electrode 16c of the MIM capacitor are made of the same metal by simultaneously forming them.例文帳に追加

例えば、ＧａＡｓ基板１０上に、能動素子としてのＦＥＴと、ＭＩＭキャパシタとが設けられたＭＭＩＣ１００では、ＦＥＴのオーミック電極たるソース・ドレイン電極１６ａ・１６ｂと、ＭＩＭキャパシタの下側電極１６ｃとを同時に形成することにより、これらを同じ金属からなる構造とする。 - 特許庁

As a GaAs FET 21 of the transmission amplifier 20, the one of a type for applying positive voltage to gate voltage Vg is used, a source is grounded, and "DC+4V" to be output from a first power supply part 22 is supplied to a drain via a low-pass filter 24.例文帳に追加

送信増幅器２０のGaAsＦＥＴ２１としてゲート電圧Ｖｇに正の電圧を印加するタイプのものを使用し、ソースを接地し、ドレインに第１電源部２２から出力される「ＤＣ＋４Ｖ」をローパスフィルタ２４を介して供給する。 - 特許庁

The mounted substrate of a power amplifier is provided with a glass epoxy substrate 14 where a recessed part (a) is formed, and a copper plate 17 led to a lower surface of the substrate which has an area to enable a GaAs-FET 11 to be mounted on the recessed part and a heat dissipation structure having the configuration of a projection part 17A projecting by the thickness of the substrate.例文帳に追加

電力増幅器の実装基板において、（ａ）凹部が形成されたガラスエポキシ基板１４と、前記凹部にＧａＡｓ−ＦＥＴ１１を搭載可能な面積で、かつ、前記基板厚分の凸部１７Ａの形状の放熱構造を有する、前記基板の下面に導出される銅板１７を設ける。 - 特許庁

A correction gate electrode pad 26 is formed so as to be made adjacent to a gate electrode pad 24 of a gate electrode 22 and arranged like an island on a GaAs substrate 12, so that the characteristic impedance of an FET chip 10 can be controlled by the correction gate electrode pad 26.例文帳に追加

ゲート電極２２のゲート電極パッド２４に隣接し、ＧａＡｓ基板１２上に島状に配設された補正ゲート電極パッド２６を備えたので、補正ゲート電極パッド２６により、ＦＥＴチップ１０の特性インピーダンスを調整できる。 - 特許庁

A constant negative voltage Vgg is divided by a gate bias circuit 3 composed of a serial circuit of a resistor R1 which is a trimmable resistor and a resistor R2 which is a fixed resistor having a positive temperature coefficient, and applied to the gate of a GaAs FET 2 comprising the high frequency amplifier as a gate bias voltage Vgq.例文帳に追加

負の定電圧Ｖggを、トリマブル抵抗である抵抗Ｒ１と正の温度係数を有する固定抵抗である抵抗Ｒ２の直列回路からなるゲートバイアス回路３で分圧して、高周波増幅器をなすＧaＡs ＦＥＴ２のゲートにゲートバイアス電圧Ｖgqとして印加するようにした。 - 特許庁

To provide a switch circuit achieving stable and high-speed switching for a long period even when an LED emits light with sufficient luminance for reducing low-speed tail part effect of a GaAs-FET switch, and a step-up attenuator using the same switch circuit.例文帳に追加

ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチの低速尾部効果を低減するのに十分な輝度でＬＥＤを発光させても、長期間に渡って安定した高速切替が可能なスイッチ回路およびこのスイッチ回路を用いたステップアッテネータを実現することにある。 - 特許庁