「gate source」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

A source/drain region 106 is formed at both sides of a gate electrode 103 on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００におけるゲート電極１０３の両側にソース／ドレイン領域１０６が形成されている。 - 特許庁

The mounting circuit substrate 10 includes a gate wiring 12, a drain wiring 14 and a source wiring 16.例文帳に追加

実装回路基板１０は、ゲート用配線１２、ドレイン用配線１４およびソース用配線１６を備えている。 - 特許庁

To suppress occurrence of leak current between a gate and a cathode across which a voltage for driving an electron source is applied.例文帳に追加

電子源を駆動するための電圧を印加するゲート−カソード間のリーク電流の発生を抑制する。 - 特許庁

The gate, drain, and source lines of the lead transistor are respectively connected to the cell bit line, the read bit line, and a grounding conductor.例文帳に追加

リードトランジスタのゲート、ドレイン及びソース線は、それぞれ、セルビット線、リードビット線及び接地線に接続されている。 - 特許庁

After that, each gate electrode is patterned, and source and drain regions are formed in the well region 13 by ion implantation of impurities in the well region 13.例文帳に追加

その後、各ゲート電極をパターニングし、不純物のイオン注入によりソース・ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

The source of a transistor 51 is connected to the other end of the resistance 41 and also connected to the gate in a saturation basis.例文帳に追加

トランジスタ５１のソースは、抵抗４１の他端に接続されるとともに、そのゲートに飽和接続されている。 - 特許庁

A gate insulating layer 5 is formed on the channel region between the source region 2 and third insulating layer 6.例文帳に追加

また、ソース領域２と第３の絶縁層６との間のチャネル領域上には、ゲート絶縁膜５が形成される。 - 特許庁

To provide a self-aligned field-effect transistor structure having a self-aligned gate electrode and a source-drain.例文帳に追加

自己整列ゲート電極及びソース/ドレーンを有する自己整列電界効果トランジスタ構造体を提供する。 - 特許庁

The upper surfaces of a source electrode 11 and a drain electrode 12 are formed so as to be higher than the upper surface of a silicide gate electrode 2.例文帳に追加

ソース電極及びドレイン電極１１、１２の上面が、シリサイドゲート電極２上面より高くする。 - 特許庁

A gate electrode G2 of the sub MOSFET 15 is connected to a source electrode S1 of the main MOSFET 14.例文帳に追加

副ＭＯＳＦＥＴ１５のゲート電極Ｇ２は主ＭＯＳＦＥＴ１４のソース電極Ｓ１に接続されている。 - 特許庁

This gate electrode 18 is made with its form being contrived so that it may not subdivide the source layer 15.例文帳に追加

このゲート電極１８は、ソース層１５を細分化しないように、その形状を工夫して形成するようにする。 - 特許庁

The turning on/off of the current between the source 1 and the drain 2 is made possible by adding 1/2 element electric charge to the gate.例文帳に追加

このときのソース１・ドレイン２間電流のオン・オフはゲートに1/2素電荷を加えたことにより可能である。 - 特許庁

A gate electrode is deposited and patterned on the silicon dioxide SiO_2 insulation film, and a source and a drain are formed.例文帳に追加

この二酸化ケイ素SiO_2絶縁膜の上に、ゲート電極をデポジションしてパターニングし、かつ、ソースドレイン形成をする。 - 特許庁

The FET 101 has an n type well 122, a gate electrode 124, a source layer 125 and a drain layer 126.例文帳に追加

ＦＥＴ１０１は、ｎ型ウェル１２２，ゲート電極１２４，ソース層１２５及びドレイン層１２６を有している。 - 特許庁

Furthermore, a choke inductor Lc1-Lc4 is connected between the gate/source of each FET switch TR1-TR4.例文帳に追加

さらに、各々のＦＥＴスイッチＴＲ１〜ＴＲ４のゲート・ソース間にチョークインダクタＬｃ１〜Ｌｃ４を接続する。 - 特許庁

As a result, the gate/source potential of the switching element 130 becomes 0 V and the switching element 130 maintains off.例文帳に追加

その結果、スイッチング素子１３０のゲート／ソース間電位は０Ｖとなり、スイッチング素子１３０はオフ状態を保つ。 - 特許庁

A TFT 220 for precharge is turned on to make gate potential and source potential of a TFT 214 to the same potential.例文帳に追加

プリチャージ用ＴＦＴ２２０をオンして、駆動用ＴＦＴ２１４のゲート電位とソース電位とを同電位にする。 - 特許庁

On the gate electrode 3a and source-drain regions 8, silicide films 12 and 9 are respectively provided.例文帳に追加

ゲート電極３ａ及び高濃度ソース・ドレイン領域８の上には、シリサイド膜１２、９がそれぞれ設けられている。 - 特許庁

Further, the device has a drain electrode, a gate electrode, and a source electrode and an interconnection connected to these electrodes, and all or almost all the electrodes and the interconnection are formed of copper.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体デバイスであって、電極と配線の全部あるいは殆ど全部を銅にする。 - 特許庁

An active stage including a transistor having a gate terminal, a source terminal, and a drain terminal is connected with a tank stage.例文帳に追加

ゲート・ターミナル、ソース・ターミナルおよびドレイン・ターミナルを有するトランジスタを含む能動段は、タンク段に接続している。 - 特許庁

A source terminal layer, a gate terminal layer and a drain terminal layer are arranged on principal planes of a semiconductor substrate which face each other.例文帳に追加

半導体基板の相対向する主面上に、ソース端子層、ゲート端子層、ドレイン端子層を配置する。 - 特許庁

The source region SR is formed on the main surface 12 in the back gate region, and is a first conductivity type one.例文帳に追加

ソース領域ＳＲはバックゲート領域ＢＧ内の主表面１２に形成され、第１導電型である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which ensures an enough gate breakdown voltage and is reduced in source resistance, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ゲート耐圧を確保し、ソース抵抗を低減した半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A current source transistor 441 generates a reference current IR, corresponding to a control voltage VRS applied to the gate.例文帳に追加

電流源トランジスタ４４１は、ゲートに印加される制御電圧ＶRSに応じた基準電流ＩRを生成する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has gate trenches 109 and source trenches 110 formed to intersect perpendicularly to each other.例文帳に追加

半導体装置１００は、ゲートトレンチ１０９とソーストレンチ１１０とを直角に交差させて形成している。 - 特許庁

Therefore, the power consumption between the gate and source can be reduced and a low-loss semiconductor device can be obtained.例文帳に追加

このため、ゲート−ソース間での電力消費を低減でき、低損失な半導体装置とすることができる。 - 特許庁

To improve position controllability among a source region, a drain region and a gate electrode to reduce manufacturing variations.例文帳に追加

ソース領域およびドレイン領域とゲート電極との位置制御性を向上させ、製造バラツキを低減する。 - 特許庁

A source electrode 19a of the Tr7 is connected to the gate electrode of the Tr5 and connected to a line L2.例文帳に追加

また、Ｔｒ７のソース電極１９ａは、Ｔｒ５のゲート電極と接続され、ラインＬ２に接続されている。 - 特許庁

The overvoltage protection circuit 63 includes an N-channel JFET 70 having the drain, the gate and the source and a pull-down resistor 71.例文帳に追加

過電圧保護回路６３は、ドレイン、ゲート及びソースを有するNチャンネルJFET７０と、プルダウン抵抗７１とを備える。 - 特許庁

An input terminal IN is connected to a source of an N-type MOS transistor Q2, and the node GN is connected to its gate and its drain.例文帳に追加

Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ２のソースに入力端子ＩＮを、ゲートとドレインにノードＧＮに接続する。 - 特許庁

A drain of a first transistor M1 is connected to an input terminal 102, and its back gate is connected to its source.例文帳に追加

第１トランジスタＭ１のドレインは入力端子１０２と接続され、そのバックゲートはそのソースに接続される。 - 特許庁

To make a gate signal width variable according to the source potential to be written in order to assure a panel charging time.例文帳に追加

パネル充電時間を確保するために、書き込むべきソース電位に応じてゲート信号幅を可変とする。 - 特許庁

On the compound semiconductor region 2, a gate electrode 6, a source electrode 4 and a drain electrode 5 are formed.例文帳に追加

化合物半導体領域２上に、ゲート電極６、ソース電極４及びドレイン電極５が形成されている。 - 特許庁

The first gate electrode 10 is provided between the source electrode 40 and the drain electrode 50 on the main surface.例文帳に追加

第１ゲート電極１０は、主面上においてソース電極４０とドレイン電極５０との間に設けられる。 - 特許庁

The OFET has single layers of organic molecules formed between a gate electrode and a source electrode, a drain electrode.例文帳に追加

ＯＦＥＴは、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の間に形成された有機分子の単層も有する。 - 特許庁

A device includes a III-nitride transistor 200 having a source electrode 202, a gate electrode 208 and a drain electrode 204.例文帳に追加

ソース電極２０２、ゲート電極２０８およびドレイン電極２０４を有するIII族窒化物トランジスタ２００を含む。 - 特許庁

Between the source electrode and the drain electrode, a gate electrode is arranged on the upper side electron supply layer.例文帳に追加

ソース電極とドレイン電極との間の、上側電子供給層の上に、ゲート電極が配置されている。 - 特許庁

At least one conductive path 34, 36 electrically connects the field plate to the source electrode or the gate.例文帳に追加

少なくとも１つの導電性経路３４，３６が、フィールドプレートをソース電極またはゲートに電気的に接続する。 - 特許庁

A sacrificial layer (314) is formed over the sacrificial first gate, the source and drain, the first region, and the second region.例文帳に追加

犠牲第１ゲート、ソース／ドレイン、第１の領域、および第２の領域の真上に犠牲層（３１４）が形成される。 - 特許庁

The circumference of the source and drain regions are surrounded with the complete isolation region 157b, excluding the gate electrode and its vicinity.例文帳に追加

ソース、ドレイン領域の周辺は、ゲート電極近傍を除いて、完全分離領域１５７ｂで囲まれる。 - 特許庁

This discloses a thin-film transistor, equipped with a sub gate and a Schottky source/drain, and its manufacturing method.例文帳に追加

本発明はサブゲート及びショットキーソース／ドレインを備えた薄膜トランジスタ並びにその製造方法を開示する。 - 特許庁

Each of the plurality of three-terminal switches 215 includes a source terminal 235, a drain terminal 240, and a gate terminal 245.例文帳に追加

複数の三端子スイッチ（２１５）の各々はソース端子（２３５）、ドレイン端子（２４０）及びゲート端子（２４５）を含む。 - 特許庁

The gate and the source of the third active element connect to the second segment and the drain connects to the even number scanning line.例文帳に追加

ゲート及び他の第3能動素子のソースは第2セグメントと接続し、ドレーンは偶数走査線と接続する。 - 特許庁

Programming each cell is effected by voltage biasing a common control gate line and source/drain for a sensing transistor 12.例文帳に追加

セルのプログラミングは、共通の制御ゲートラインと、感知トランジスタのソース／ドレインとをバイアスする電圧により行われる。 - 特許庁

The gate electrode (36) is provided on the electron supply layer, between the source and drain conductors.例文帳に追加

ソース導電体及びドレイン導電体の間の電子供給層の上に、ゲート電極(36)が配置されている。 - 特許庁