「gate source」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, a drain voltage of the MOS transistor 21 becomes a voltage that is higher by a voltage between a gate and a source of the MOS transistor 23.例文帳に追加

更に、ＭＯＳトランジスタ２１のドレイン電圧は、ＭＯＳトランジスタ２３のゲート・ソース間電圧だけ高い電圧となる。 - 特許庁

A part 61 of the gate electrode 32 is arranged as bent and extended so as to wrap the end of a source electrode 33a.例文帳に追加

ソース電極３３ａの端部を包むようにしてゲート電極３２の曲折して延在する部分６１を配置する。 - 特許庁

An insulated gate electrode is positioned so as to cover a channel region between the source and drain regions.例文帳に追加

前記ソース領域と前記ドレイン領域との間のチャネル領域を覆うように絶縁されたゲート電極が配置される。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with a transistor composed of a gate electrode 2, a source/drain region 3, and a channel 4.例文帳に追加

半導体装置は、ゲート電極２、ソース・ドレイン領域３及びチャネル部４により構成されたトランジスタを有する。 - 特許庁

The input terminal 101 is connected with a source and bulk of a MOS transistor M1 and a gate and bulk of a MOS transistor M2.例文帳に追加

入力端子１０１には、ＭＯＳトランジスタＭ１のソース、バルク、ＭＯＳトランジスタＭ２のゲート、バルクが接続されている。 - 特許庁

The output from an auxiliary pulse generation circuit DRV is connected between the gate and source of the third auxiliary switching element TR5.例文帳に追加

第三の補助スイッチ素子ＴＲ５のゲート・ソース間に、補助パルス発生回路ＤＲＶの出力が接続される。 - 特許庁

A gate is connected to a drain of the nMOS transistor 55b, and a source of the nMOS transistor 55b is connected to the ground.例文帳に追加

ゲートはｎＭＯＳトランジスタ５５ｂのドレインと接続され、ｎＭＯＳトランジスタ５５ｂのソースはグランドと接続されている。 - 特許庁

As a result, the voltage obtained by adding a threshold voltage and data voltage will be applied between the gate and the source of the drive transistor Tdrp.例文帳に追加

この結果、駆動トランジスタＴdrpのゲート・ソース間には、閾値電圧とデータ電圧とを加算した電圧が印加される。 - 特許庁

These MOSFET is a normal enhancement type element which is turned on sufficiently by power source voltage Vcc for a gate.例文帳に追加

これらのＭＯＳＦＥＴはゲートへの電源電圧Ｖｃｃで十分オンする通常のエンハンスメント型の素子である。 - 特許庁

In this semiconductor device, one source region 4 is formed for opposing two gate regions 9.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、対向する２つのゲート領域９に対して１つのソース領域４を形成している。 - 特許庁

A first transistor M1 has its source connected to a ground terminal P2 and inputs an input digital signal S1 at its gate.例文帳に追加

第１トランジスタＭ１は、ソースが接地端子Ｐ２に接続され、ゲートに入力デジタル信号Ｓ１が入力される。 - 特許庁

A voltage is applied between a second source/drain region 15 and the gate electrode 19.例文帳に追加

そして、前記電界効果トランジスタの他方のソース・ドレイン領域１５と前記ゲート電極１９との間に電圧が印加される。 - 特許庁

The second capacitor is connected between one of source and drain regions of the transistor and a gate electrode.例文帳に追加

上記トランジスタのソース領域またはドレイン領域の一方とゲート電極の間に第２の容量が接続されている。 - 特許庁

For the entire element region on the source side of the gate electrode 15 a signal storage region 13 of a photodiode is arranged.例文帳に追加

ゲート電極１５のソース側の素子領域の全体には、フォトダイオードの信号蓄積領域１３が配置される。 - 特許庁

In the transistor 19, the source and the gate are connected with the input/output terminal 21 and its drain is connected with the ground terminal 23.例文帳に追加

トランジスタ１９はソースとゲートが入出力端子２１に接続され、ドレインが接地端子２３に接続されている。 - 特許庁

Then silicide layers 27a, 27b are formed on the gate electrode 23, and the p-type source/drain region 26.例文帳に追加

そして、ゲート電極２３及びＰ型ソース・ドレイン領域２６上には、シリサイド層２７ａ、２７ｂが形成されている。 - 特許庁

The hierarchical levels of the gate wiring, source wiring and drain wiring are respectively determined, based on the measured sensitivities (Step ST22).例文帳に追加

この感度に基づいて、ゲート配線、ソース配線およびドレイン配線の階層レベルを各々決定する（ステップＳＴ２２）。 - 特許庁

The buffer 82 has an input terminal connected with a +5V power supply and a gate terminal connected with a pulse voltage source 55.例文帳に追加

また、バッファ８２の入力端子は＋５Ｖ電源に接続され、ゲート端子７２はパルス電圧源５５に接続されている。 - 特許庁

The gate-source voltage of the drive switching element is set with a different threshold level for each region.例文帳に追加

この場合、それぞれの領域で、駆動スイッチング素子のゲート−ソース間電圧に別々の閾値に対する制限制御を行う。 - 特許庁

In the manufacturing method of a semiconductor device, a JFET210 as a variable impedance element is connected between the gate of a main JFET100 and a source.例文帳に追加

主たるＪＦＥＴ（１００）のゲート・ソース間に、可変インピーダンス素子としてのＪＦＥＴ（２１０）を接続する。 - 特許庁

The source drivers and the at least one gate driver are disposed on the glass substrate using, for example, chip-on-glass technology.例文帳に追加

ソースドライバおよび少なくとも１つのゲートドライバは、例えばチップオンガラス技術を使用してガラス基板上に配置される。 - 特許庁

This driving circuit of a liquid crystal display panel 10 is constituted by two chip configuration of a source driver module 20 and a gate driver module 30.例文帳に追加

液晶表示パネル１０の駆動回路は、ソースドライバモジュール２０及びゲートドライバモジュール３０の２チップ構成で成る。 - 特許庁

A capacitive element 129 is added to a gate terminal G of a light-emission control transistor 122 and a source terminal S of a driving transistor 121.例文帳に追加

発光制御トランジスタ１２２のゲート端Ｇと駆動トランジスタ１２１のソース端Ｓに容量素子１２９を追加する。 - 特許庁

Moreover, the gate of an amplifier transistor AMP and the source of a reset transistor RS are connected to the floating diffusion FD.例文帳に追加

フローティングディフュージョンＦＤには、また、増幅トランジスタＡＭＰのゲートおよびリセットトランジスタＲＳのソースが接続されている。 - 特許庁

The write transistor is made non-conductive, after the gate-source potential Vgs converged to the threshold voltage Vth.例文帳に追加

そして、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈに収束したら、書き込みトランジスタを非導通状態にする。 - 特許庁

A thin film transistor 1 includes a gate electrode 22, a source region 24, a drain region 25, and a channel region 26.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１は、ゲート電極２２と、ソース領域２４、ドレイン領域２５及びチャネル領域２６を含んでいる。 - 特許庁

A constant current source 6, which is provided in the solid-state imaging element, is formed as an insulated gate field effect transistor.例文帳に追加

また、定電流源６を固体撮像素子内に備え、定電流源は絶縁ゲート電界効果トランジスタで構成される。 - 特許庁

The gate length of the source follower transistor 120 is made larger than that of the transfer transistor 100.例文帳に追加

このとき、ソースフォロワトランジスタ１２０のゲート長が転送トランジスタ１００のゲート長よりも長くなるように構成される。 - 特許庁

Thereby, a potential of a source of the MOS transistor TR2 is raised, a gate of a MOS transistor TRW0 is charged.例文帳に追加

これにより、ＭＯＳトランジスタＴＲ２のソースの電位が上昇し、ＭＯＳトランジスタＴＲＷ０のゲートを充電する。 - 特許庁

The timing controller 100 generates a plurality of driver control signals to be supplied to a source driver 4 and a gate driver 6.例文帳に追加

タイミングコントローラ１００は、ソースドライバ４およびゲートドライバ６に供給すべき複数のドライバ制御信号を発生する。 - 特許庁

A unit element 9 provided with a gate electrode 4 and a source/drain 5 is supported in a hollow state at the center of wiring 8.例文帳に追加

ゲート電極４、ソース・ドレイン５を設けた単位素子９は、配線８の中心部に中空状態で支持されている。 - 特許庁

The element has an interlayer insulating film 6 between a pixel electrode 4 and a gate line 1, a source line 2 and a TFT 3.例文帳に追加

ゲート配線１、ソース配線２、およびＴＦＴ３と、画素電極４との間に、層間絶縁膜６を備えてなる。 - 特許庁

Heat energy is transferred to an amorphous silicon layer 106 by rapidly heating a gate metal and a source/drain metal 110.例文帳に追加

ゲート金属およびソース／ドレイン金属１１０を急速に加熱して、熱エネルギーをアモルファスシリコン層１０６へ伝達する。 - 特許庁

A source region 403 and a drain region 404 are formed in the fin at the opposite sides of the gate electrode 363.例文帳に追加

ゲート電極３６３の両側においてフィン内にソース領域４０３及びドレイン領域４０４が形成される。 - 特許庁

To provide a power supply method capable of supplying a power source a driving motor by making use of conductivity of lattice members themselves constituting an expansion gate door.例文帳に追加

伸縮門扉を構成する格子材自体の電導性を利用して電源を駆動用モータに給電する。 - 特許庁

Thus, the gate voltage of a final output section 12 is slowly risen and a current flow between a drain and a source is made slow.例文帳に追加

つまり最終出力部１２のゲート電圧は緩やかに立ち上がり、ドレイン−ソース間電流も緩やかに流れる。 - 特許庁

The transistor QF has a gate connected to an input node N1, and a control signal CF is applied to a source and a drain thereof.例文帳に追加

トランジスタＱＦは、ゲートが入力ノードＮ１に接続され、ソース・ドレインに制御信号ＣＦが印加されている。 - 特許庁

In a MOS type transistor, a metal silicide film 34 is formed on the upper surface of a source 26, a drain 28 and a gate 32.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタにおいて、ソース２６、ドレイン２８およびゲート３２の上面に金属シリサイド膜３４を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 7 is provided in the region between the source electrode 5 and the drain electrode 6 on the barrier layer 4.例文帳に追加

バリア層４上におけるソース電極５とドレイン電極６との間の領域にはゲート電極７が設けられている。 - 特許庁

A control circuit for the MEMS (electromechanical system) has a semiconductor switch having a source, drain, and gate.例文帳に追加

ＭＥＭＳ（微小電気機械システム）のための制御回路は、ソースとドレインとゲートとを有する半導体スイッチを有する。 - 特許庁

A source electrode ohmic-connected to the electron transit layer and a drain electrode are arranged on both sides of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の両側に、電子走行層とオーミック接続されたソース電極及びドレイン電極が配置されている。 - 特許庁

Then, gold thin electrodes used as a source electrode and a drain electrode are formed on the substrate in which a gate insulating film is formed.例文帳に追加

次に、ゲート絶縁膜を形成した基板の上に、ソース電極及びドレイン電極となる金薄電極を形成する。 - 特許庁

A metal film is deposited to cover the tops of the drain/source regions and the gate electrode and the exposed sidewalls.例文帳に追加

ドレイン／ソース領域とゲート電極の上面および露出した側壁部を覆うように金属膜を堆積させる。 - 特許庁

The nickel silicide film 16 is formed on the gate electrodes 6a and 6b, the source region and the drain region.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート電極６ａ、６ｂ、ソース領域およびドレイン領域にニッケルシリサイド膜１６を形成する。 - 特許庁

Boron ions 13 for a source/drain region formation are injected by using the sidewall 12 and the gate electrode 6a as masks.例文帳に追加

サイドウォール１２及びゲート電極６ａをマスクとしてソース／ドレイン領域形成用のボロンイオン１３を注入する。 - 特許庁