| 意味 | 例文 |
gate terminalの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1743件
The input terminal IN is connected to a source of a P-type MOS transistor Q3 and a node GP is connected to its gate and its drain.例文帳に追加
P型MOSトランジスタQ3のソースに入力端子INを、ゲートとドレインにノードGPを接続する。 - 特許庁
To provide a gate device capable of associating a passenger and a human body communication terminal appropriately with high accuracy.例文帳に追加
通行者と人体通信端末とを高い確度で適正に関係付けできるゲート装置の提供を図る。 - 特許庁
A common connecting point of the 1st resistor 21 and the 2nd resistor 22 is connected to a gate terminal 11g.例文帳に追加
第1の抵抗器21及び第2の抵抗器22の共通接続部はゲート端子11gと接続されている。 - 特許庁
One end of the load element is connected to the gate of the first NMOS transistor and the other end is connected to the second terminal.例文帳に追加
負荷素子は、一端が第1NMOSトランジスタのゲートに接続され、他端が第2の端子に接続される。 - 特許庁
The charging device 5 calculates a toll for the toll road according to the gate information from the terminal device 1.例文帳に追加
課金装置5は、端末装置1からのゲート情報を基に有料道路の通行料金を計算する。 - 特許庁
This circuit 4 receives a gate-voltage reset signal from a reset terminal R provided in the boosting cell 14.例文帳に追加
この電圧リセット回路4は、昇圧回路14に設けたリセット端子Rからゲート電圧リセット信号を受ける。 - 特許庁
The screw 8 is insulated electrically from the metal ring 7A and the gate terminal board 1 by an insulator 9.例文帳に追加
ネジ8は、金属リング7Aおよびゲート端子板1から、絶縁体9によって電気的に絶縁されている。 - 特許庁
An auxiliary transistor M2 which is an impedance element is provided between a back gate of the muting transistor M1 and the ground terminal.例文帳に追加
インピーダンス素子である補助トランジスタM2は、ミュートトランジスタM1のバックゲートと接地端子の間に設けられる。 - 特許庁
A diode-connected transistor 101 is turned off to turn a gate terminal of a first transistor 102 into a floating state.例文帳に追加
ダイオード接続されたトランジスタ101がオフすることによって、第1のトランジスタ102のゲート端子が、フローティング状態となる。 - 特許庁
Between the output terminal of the buffer amplifier 6 and the gate of the first transistor 3, a feedback capacitor 8 is provided.例文帳に追加
バッファアンプ6の出力端子と第1トランジスタ3のゲートとの間には、帰還キャパシタ8が設けられている。 - 特許庁
The AND gate 105 gives the set pulse to a set terminal of the flip flop 101 in accordance with the reset signal B.例文帳に追加
ANDゲート105は、リセット信号Bに従ってセットパルスをフリップフロップ101のセット端子に与える。 - 特許庁
A capacity 1 is formed in the logic cell B, and the capacity 1 and the gate terminal 7 are connected with a wiring 8.例文帳に追加
論理セルB内には容量1を形成し、この容量1とゲート端子7を配線8で接続する。 - 特許庁
An input terminal IN is connected to a source of an N-type MOS transistor Q2, and the node GN is connected to its gate and its drain.例文帳に追加
N型MOSトランジスタQ2のソースに入力端子INを、ゲートとドレインにノードGNに接続する。 - 特許庁
A drain of a first transistor M1 is connected to an input terminal 102, and its back gate is connected to its source.例文帳に追加
第1トランジスタM1のドレインは入力端子102と接続され、そのバックゲートはそのソースに接続される。 - 特許庁
The pin gate E21 of the molds E1 and E2 is positioned on the back surface side of the terminal plate 40 coming into contact with the substrate 20.例文帳に追加
金型E1,E2のピンゲートE21を基板20に当接した端子板40の背面側に位置する。 - 特許庁
A diode 10 is formed inside the logic cell B, and this diode 10 and the gate terminal 7 are connected by wiring 8.例文帳に追加
論理セルB内にはダイオード10を形成し、このダイオード10とゲート端子7を配線8で接続する。 - 特許庁
Capacitors C3 and C4 whose mutual connection points are connected to a gate terminal are connected to a driving TFT: Q10.例文帳に追加
駆動用TFT:Q10に、互いの接続点がゲート端子に接続されるコンデンサC3,C4を接続する。 - 特許庁
In this state, gate voltages of NMOS transistors 14, 17 rise close to a power terminal voltage.例文帳に追加
このときNMOSトランジスタ14及び17のゲート電圧は電源端子電圧付近まで上昇している。 - 特許庁
A Darlington amplifier is constituted by connecting a gate terminal of a second primary stage source grounding MOSFET 53 with a transmission track 2 on the input side, connecting a drain terminal with a gate terminal of a second rear stage source grounding MOSFET 54 and connecting a drain terminal of the second rear stage source grounding MOSFET 54 with a transmission track 4 on the output side.例文帳に追加
第2の初段ソース接地MOSFET53のゲート端子を入力側伝送線路2に接続し、ドレイン端子を第2の後段ソース接地MOSFET54のゲート端子に接続し、第2の後段ソース接地MOSFET54のドレイン端子を出力側伝送線路4に接続し、ダーリントン増幅器を構成する。 - 特許庁
One of two output signals from a signal level conversion circuit is given to respective input terminals of a NAND gate G16 and a NOR gate G17, and the other output signal is given to the other input terminal of the NOR gate G17 and the other input terminal of the NAND gate G16 via an inverter G15.例文帳に追加
信号レベル変換回路の二つの出力信号のうち、一方の信号をNANDゲートG16とNORゲートG17のそれぞれ一方の入力端子に入力し、また他方の信号を、NORゲートG17の他方の入力端子に入力するとともに、NANDゲートG16の他方の入力端子にインバータG15を介して入力する。 - 特許庁
The semiconductor memory device has a potential controlling circuit 100; a transistor 101 with a gate terminal, a source terminal, and a drain terminal; a potential supplying terminal 102; and a memory element 103 having a first and a second terminals.例文帳に追加
半導体記憶装置は、電位制御回路100と、ゲート端子、ソース端子、及びドレイン端子を有するトランジスタ101と、電位供給端子102と、第1端子及び第2端子を有する記憶素子103と、を有する。 - 特許庁
With this, an input terminal of a not-gate NT is connected to the ground through the channel of the terminal piece 31a, the connecting tap blade for grounding 70, and the terminal piece 31b, and therefore, an output becomes "H" level.例文帳に追加
これによりノットゲートNTは入力端が端子片31a,アース極用接続栓刃70,端子片31bの経路を介してグランドに接続されることになり、そのため出力は”H”レベルとなる。 - 特許庁
In a PMOS transistor MP1 with a gate terminal, to which an output of the operational amplifier 2 is input, the input voltage Vin is input to a source terminal, while the output voltage Vout is output from a drain terminal.例文帳に追加
ゲート端子へオペアンプ2の出力が入力されるPMOSトランジスタMP1は、ソース端子へ入力電圧Vinが入力され、ドレイン端子から出力電圧Voutを出力する。 - 特許庁
A drain is connected at a first terminal, a source for the power MOSFET is connected at a second terminal and a high resistance means is connected between a third terminal and a gate for the power MOSFET.例文帳に追加
第1端子にドレインを接続し、第2端子に上記パワーMOSFETのソースを接続し、上記第3端子と上記パワーMOSFETのゲートの間に高抵抗手段を接続する。 - 特許庁
Therefore, by a voltage drop VGS, produced by connecting the terminal GND to the gate of the malfunction preventing transistor Q5, the terminal CS of the overcurrent detection unit 13 has a '+' potential relative to the terminal GND.例文帳に追加
従って、誤動作防止用トランジスタQ5のゲートに端子GNDを接続して生じる降下電圧VGSによって、過電流検出部13の端子CSは端子GNDに対し「+」電位となる。 - 特許庁
Still further, one terminal of a first capacitance element C1 is electrically connected to the gate of the first transistor Tn1, and one terminal of a second capacitance element C2 is electrically connected to the output terminal OUT.例文帳に追加
さらに、第1トランジスタのゲートには第1容量素子C1の一方の端子が電気的に接続され、出力端子OUTには第2容量素子C2の一方の端子が電気的に接続される。 - 特許庁
The second transistor M2 is an enhancement type MOSFET with one terminal connected to the other end of the first transistor M1, and with the other terminal connected to a fixed voltage terminal, with gate drains thereof connected to each other.例文帳に追加
第2トランジスタM2は、その一端が第1トランジスタM1の他端と接続され、その他端が固定電圧端子と接続され、かつそのゲートドレイン間が接続されたエンハンスメント型のMOSFETである。 - 特許庁
Concretely, a gate electrode G, a drain electrode D and a source electrode S of the FET 20 are connected to the control terminal 3, the drain-side input/output terminal 4 and the source-side input/output terminal 5, respectively.例文帳に追加
具体的には、FET20のゲート電極G,ドレイン電極D及びソース電極Sを制御端子3,ドレイン側入出力端子4及びソース側入出力端子5にそれぞれ接続させた。 - 特許庁
A first power source supply terminal 41 of a controller 4 is connected to the node N1, a second power source supply terminal 42 is connected to the node N2, and an output terminal 43 is connected to a gate G of the FET 3.例文帳に追加
制御部4の第1の電源端子41がノードN1に接続され、第2の電源端子42がノードN2に接続され、出力端子43がFET3のゲートGに接続される。 - 特許庁
A pull-up circuit 13 connects the gate terminal 47 to a power terminal 1 when the second detection signal is output, and insulates it from the power terminal 1 when the second detection signal is not output.例文帳に追加
プルアップ回路13は、ゲート端子47を、第2検出信号が出力されているときは電源端子1に接続し、第2検出信号を出力されていないときは電源端子1とは絶縁する。 - 特許庁
In the semiconductor switch element, a drain terminal is connected commonly to one side of terminals of the magnetic resistance elements R22a, R22b, a source terminal is connected to ground, and a gate terminal is connected to a word line WL2.例文帳に追加
半導体スイッチ素子は、ドレイン端子が磁気抵抗素子R22a、R22bの一方の端子に共通に接続され、ソース端子が接地され、ゲート端子がワード線WL2に接続されている。 - 特許庁
Specifically, a NOT gate 12 to which the power source VCC2 is supplied to operate and a NOT gate 13 to which the power source VCC1 is supplied to operate are connected in series and an input terminal of the NOT gate 13 is pulled down by a resistance element 14.例文帳に追加
具体的には、電源VCC2が供給されて動作するNOTゲート12と電源VCC1が供給されて動作するNOTゲート13とを直列に接続し、NOTゲート13の入力端子を抵抗素子14でプルダウンする。 - 特許庁
To provide a liquid crystal display device capable of preventing generation of static electricity by preventing potential differences from being generated among gate wirings at a gate-input side and a gate-terminal side and capable of preventing a luminescent point and a bright-line from being generated.例文帳に追加
ゲート入力側とゲート終端側とでゲート配線間に電位差が生じるのを防止して、静電気の発生を防止することができ、輝点および輝線の発生を防止することができる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁
In passing a ticket gate, the portable terminal or portable telephone is directed to the ticket gate to make radiocommunication with the ticket gate, and if the ticket information stored in the IC card is acceptable or not is determined to determine if the passenger is allowed to pass or not.例文帳に追加
改札機通過の際には、改札機に携帯端末又は携帯電話をかざすことで改札機と無線通信を行ない、ICカードに格納されている切符情報の正否を確認することで通過の確認をする。 - 特許庁
A first drive circuit 6 that supplies a first current I_1, a second drive circuit 7 that supplies a second current I_2, and a voltage monitor 8 that detects a voltage value of a gate terminal 2 are connected to the gate terminal 2 of an IGBT.例文帳に追加
IGBTのゲート端子2に、第1の電流I_1を供給する第1の駆動回路6、第2の電流I_2を供給する第2の駆動回路7、ゲート端子2の電圧値を検知する電圧モニター8が接続されている。 - 特許庁
When the user of the portable terminal B passes an automatic ticket gate E of the transportation company, requested price charged with the portable terminal B by the automatic ticket gate E is settled and processed by electronic money for the transportation company.例文帳に追加
携帯端末Bの利用者が前記交通事業者の自動改札機Eを通過した際に、自動改札機Eにより携帯端末Bにチャージされた請求金額を前記交通事業者用の電子マネーで決済処理する。 - 特許庁
A gate of the transistor (Ynp) is coupled to an output terminal of a gate driver 440 and in a sustain period, the transistor (Ynp) is turned on by using a voltage at a first terminal of a capacitor C1 to supply sustain discharge pulses to the scan electrodes (Cp).例文帳に追加
トランジスター(Ynp)のゲートにゲートドライバー440の出力端を連結し、維持期間にはキャパシタC1の第1端の電圧を用いてトランジスター(Ynp)を導通して維持放電パルスを走査電極(Cp)に供給する。 - 特許庁
A transistor Q10 supplies the second voltage signal Vr to the gate of the transistor Q4 according to the signal of a third input terminal IN3, and the gate is connected with a fourth input terminal IN4 through a capacitor element C3.例文帳に追加
トランジスタQ10は第3入力端子IN3の信号に応じて第2電圧信号VrをトランジスタQ4のゲートに供給し、当該ゲートは容量素子C3を介して第4入力端子IN4と結合される。 - 特許庁
When a predetermined current is supplied to a transistor to set a gate-source voltage of the transistor, a potential of a gate terminal of the transistor is adjusted so as to prevent a current from flowing into a load which is connected to a source terminal of the transistor.例文帳に追加
トランジスタに所定の電流を流してトランジスタのゲート・ソース間電圧を設定する際、トランジスタのソース端子に接続された負荷に電流が流れないようにするため、トランジスタのゲート端子の電位を調整する。 - 特許庁
A transistor switch for power supply comprises an MOSFET, a capacitor provided between a gate of the MOSFET and a first input terminal, and a ferroelectric capacitor provided between the gate of the MOSFET and a second input terminal.例文帳に追加
電源供給用トランジスタスイッチをMOSFETとし、そのMOSFETのゲートと第1入力端子間に設けたコンデンサと、前記MOSFETのゲートと第2入力端子間に設けた強誘電体コンデンサとを備える。 - 特許庁
The microprocessor is provided with a mode setting register 2 which receives the output signal of the AND gate AND1 at its clock terminal and a master mode register group 3 which receives the output signal of the AND gate AND2 at its clock terminal.例文帳に追加
論理積ゲートAND1の出力信号がクロック端子に入力されるモード設定レジスタ2及び論理積ゲートAND2の出力信号がクロック端子に入力されるマスタモードレジスタ群3が設けられている。 - 特許庁
An NMOS transistor M3 is provided between the input terminal of the circuit 2 and the gate of a PMOS transistor M1, and a PMOS transistor M4 is provided between the input terminal and the gate of an NMOS transistor M2.例文帳に追加
スレーブラッチ回路2の入力端子とPMOSトランジスタM1のゲートとの間には、NMOSトランジスタM3が設けられ、入力端子とNMOSトランジスタM2のゲートとの間には、PMOSトランジスタM4が設けられている。 - 特許庁
When the H level signal is input from the potential difference detection circuit 9 to the gate terminal of the switching element 8, the switching element 8 is turned ON, and thus the potential of the gate terminal of the switching element 4 is fixed at a level close to GND.例文帳に追加
電位差検知回路9からスイッチング素子8のゲート端子にHレベルの信号が入力されたとき、同スイッチング素子8がON作動し、これによりスイッチング素子4のゲート端子の電位がGNDに近いレベルに固定される。 - 特許庁
In addition, a resistor 424 is added between a back gate and a substrate of the MOSFET 411 for variable attenuation, capacity 403 is added between a gate and an earth terminal and capacity 425 and a switch 426 are added between the source bias circuit part and the earth terminal.例文帳に追加
また、可変減衰用MOSFET411のバックゲートと基板間に抵抗424を付加し、ゲートと接地端子間に容量403を付加し、ソースバイアス回路部と接地端子間に容量425とスイッチ426を付加している。 - 特許庁
A cascode-connected circuit 11 is composed of a source-grounded transistor M_1, a gate-grounded transistor M_2 and a load resistance R_L, and a first inductor L_1 is disposed between a drain terminal of the source-grounded transistor M_1 and a source terminal of the gate-grounded transistor M_2.例文帳に追加
ソース接地トランジスタM_1、ゲート接地トランジスタM_2、および負荷抵抗R_Lからカスコード接続回路11を構成し、ソース接地トランジスタM_1のドレイン端子とゲート接地トランジスタM_2のソース端子と間に第1のインダクタL_1を設ける。 - 特許庁
More alternatively, a gate driving circuit 41 is mounted on the conductive plate 2 directly or through an insulator and one terminal of the circuit 41 is directly connected to the gate electrodes, with the other terminal of the circuit 41 being connected to the conductive plate 2.例文帳に追加
または、ゲート駆動回路41を直接または絶縁物を介して冷却導電板2に搭載し、ゲート駆動回路41の一方の端子はゲート極に直接接続し、他方の端子は冷却導電板2に接続する。 - 特許庁
On the other hand, when the electric potential provided to the gate electrode 94 becomes to a specified value or higher, the lever 93 is deformed by an electrostatic force between the lever 93 and the gate electrode 94, and the lever 93 is separated from the terminal 92 and the connection between the terminal 91 and the terminal 92 is cut.例文帳に追加
一方、ゲート電極94に付与される電位が所定値以上となると、レバー93とゲート電極94との間の静電気力によりレバー93が変形し、レバー93が端子92から離隔して、端子91と端子92との接続が切断される。 - 特許庁
When the prescribed potential is provided to the gate electrode 94, in the corresponding switch 81, a lever 93 is deformed by an electrostatic force between the lever 93 and the gate electrode 94 to come into contact with the terminal 92, and the terminal 91 and the terminal 92 are connected with each other through a lever 93 (contacting condition).例文帳に追加
ゲート電極94に所定の電位が付与されると、対応するスイッチ81において、レバー93がゲート電極94との間の静電気力によって変形して端子92と接触して、端子91と端子92とがレバー93を介して接続される(接触状態)。 - 特許庁
There is provided the high-frequency switch equipped with: a through transistor connected between a first terminal and a second terminal; and a shunt transistor connected between the second terminal and the ground, characterized in that a gate width of the shunt transistor is narrower as compared with a gate width of the through transistor.例文帳に追加
第1の端子と第2の端子との間に接続されたスルートランジスタと、前記第2の端子と接地との間に接続されたシャントトランジスタと、を備え、前記シャントトランジスタのゲート幅は、前記スルートランジスタのゲート幅に比して狭いことを特徴とする高周波スイッチが提供される。 - 特許庁
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