「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

There are provided an apparatus and method for growing low dislocation density silicon carbide (SiC).例文帳に追加

低転位密度炭化ケイ素（ＳｉＣ）、並びにこれを成長させる設備及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing a group III-V layer on silicon using a nano-scale orientation pattern.例文帳に追加

配向ナノスケールパターンを用いて、シリコン上にIII−Ｖ族層を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) crystal with high crystallinity.例文帳に追加

結晶性の高いＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）結晶を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

SEED CRYSTAL FOR GROWING SiC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL USING THE SAME例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶成長用種結晶及びこれを用いたＳｉＣ単結晶の製造方法 - 特許庁

METHOD AND ROTARY DISK TYPE REACTOR FOR GROWING UNIFORM EPITAXIAL LAYER ON THE SURFACE OF SUBSTRATE例文帳に追加

基板の表面に均一なエピタキシャル層を成長させる方法および回転ディスク式反応器 - 特許庁

METHOD OF GROWING CRYSTAL OF NITRIDE-BASED CHEMICAL SEMICONDUCTOR, AND GROUP III NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化物系化合物半導体の結晶成長方法およびＩＩＩ族窒化物系半導体 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR SUPPRESSING PIT IN GROWING PROCESS OF COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

化合物半導体結晶の成長過程におけるピット抑制方法およびピット抑制装置 - 特許庁

To provide a method for growing a nitride single crystal having good crystallinity at a faster speed.例文帳に追加

結晶性が良好な窒化物単結晶を速い速度で成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a nanostructure on a substrate using a self-assembled nano-template.例文帳に追加

自己構成ナノテンプレートを用いて、基板上にナノ構造体を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING GROUP III NITRIDE CRYSTAL, GROUP III NITRIDE CRYSTAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶および半導体デバイス - 特許庁

METHOD FOR GROWING GROUP III NITRIDE CRYSTAL, GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板および半導体デバイス - 特許庁

APPARATUS FOR GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

化合物半導体単結晶成長装置及び化合物半導体単結晶の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING CRYSTAL OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法と窒化ガリウム系化合物半導体 - 特許庁

METHOD FOR SCREENING HAIR-GROWING AGENT WITH PROSTAGLANDIN F SYNTHASE AND/OR CARBONYL REDUCTASE-1 AS INDICATOR例文帳に追加

プロスタグランジンＦシンターゼ及び／又はカルボニルリダクターゼ−１を指標とした育毛剤のスクリーニング方法 - 特許庁

To provide a method of growing a carbon nanotube, particularly the matrix of the carbon nanotube.例文帳に追加

本発明は、一種の炭素ナノチューブのマトリックスの成長方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for growing high-quality flat and thick compound semiconductors.例文帳に追加

品質に優れ、平坦で厚い化合物半導体を成長させるための方法を提供する。 - 特許庁

ALUMINUM THIN SHEET PRODUCT HAVING IMPROVED FATIGUE CRACK GROWING RESISTANCE AND ITS PRODUCTION METHOD例文帳に追加

改良された耐疲労割れ成長性を有するアルミニウム薄板製品およびその製造方法 - 特許庁

METHOD OF GROWING CRYSTAL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR, STRUCTURE OF QUANTUM WALL, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

化合物半導体の結晶成長方法、量子井戸構造、及び化合物半導体装置 - 特許庁

METHOD FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL, AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

炭化珪素単結晶の成長方法、炭化珪素種結晶および炭化珪素単結晶 - 特許庁

METHOD FOR GROWING AlxGa1-xN CRYSTAL, AND AlxGa1-xN CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＡｌｘＧａ１−ｘＮ結晶の成長方法およびＡｌｘＧａ１−ｘＮ結晶基板 - 特許庁

To provide a method for growing a nitride semiconductor that constitutes a new nitride semiconductor element.例文帳に追加

新規な窒化物半導体素子を構成する窒化物半導体の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing a compound semiconductor single crystal which exhibits good reproducibility and a high yield.例文帳に追加

再現性がよく収率の高い化合物半導体単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, APPARATUS FOR GROWING THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

窒化ガリウム結晶、窒化ガリウム結晶の結晶成長装置および窒化ガリウム結晶の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING III-V NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法および半導体素子の製造方法 - 特許庁

GROWING METHOD OF SEMICONDUCTOR, MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体の成長方法、半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

The method for growing a single silicon crystal further contains controlling the rotation rate of the single crystal to ≥13 rotations/min.例文帳に追加

(3)単結晶の回転速度を13回転／分以上とする(1)のシリコン単結晶育成方法。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING CRYSTAL OF NITRIDE SEMICONDUCTOR, NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURE OF THE DEVICE例文帳に追加

窒化物半導体の結晶成長方法および窒化物半導体装置並びにその製造方法 - 特許庁

GROWING METHOD OF NITRIDE-BASED III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法および半導体発光素子 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR GROWING EPITAXIAL LAYER OF NITRIDE OF GROUP III ON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

単結晶基板上に第３族窒化物のエピタキシャル層を成長させる方法及びその装置 - 特許庁

TUBULAR SINGLE CRYSTAL GROWING METHOD ON SUBSTRATE AND TUBULAR SINGLE CRYSTAL GROWN ON SUBSTRATE例文帳に追加

基板上の管状単結晶成長方法及び基板上に形成された管状単結晶 - 特許庁

PLANT GROWTH ACTIVATOR AND METHOD FOR GROWING PLANT USING THE SAME PLANT GROWTH ACTIVATOR例文帳に追加

植物成長活性剤およびその植物成長活性剤を用いた植物生育方法 - 特許庁

Organic cultivation is a method of growing plants (grains, vegetables, fruit, etc.) without using agricultural chemicals.例文帳に追加

無農薬栽培とは、農薬を使わずに穀物、野菜、果物などの植物を栽培する方法です。 - Tatoeba例文

To provide a base for use in growing an epitaxial layer, and to provide a method of use thereof.例文帳に追加

本発明は、エピタキシャル層を成長させることに用いるベース及びその使用方法に関する。 - 特許庁

To provide a method which uniforms a film thickness growing on a substrate by using growth conditions.例文帳に追加

成長条件とを駆使し、基板上への成長膜厚を均一にする方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING OPTICAL BIAXIAL SINGLE CRYSTAL AND OPTICAL BIAXIAL SINGLE CRYSTAL PRODUCED BY USING THE METHOD例文帳に追加

光学的二軸性単結晶の育成方法及びこの方法を用いて製造された光学的二軸性単結晶 - 特許庁

METHOD FOR GROWING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE USING THE METHOD例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法及びこの方法を用いた半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING NITRIDE SYSTEM GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 - 特許庁

CRYSTAL GROWING METHOD FOR SINGLE-CRYSTAL GaN, AND SINGLE-CRYSTAL GaN SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

単結晶ＧａＮの結晶成長方法及び単結晶ＧａＮ基板の製造方法と単結晶ＧａＮ基板 - 特許庁

This method for producing the α-SiC crystal comprises growing the α-SiC crystal on a substrate by a sublimation recrystallization method of an SiC powder.例文帳に追加

ＳｉＣ粉末の昇華再結晶法により、基板上にα−ＳｉＣ結晶を成長させる方法である。 - 特許庁

To provide a method for growing and apparatus for growing a low- defect single crystal capable of inhibiting a large number of defects generating from directly upon a seed crystal for example in conventional methods for growing silicon carbide single crystals (SiC).例文帳に追加

例えば従来の炭化珪素単結晶（ＳiＣ）の成長方法において、種結晶直上から多数発生していた欠陥を抑制することができる低欠陥の単結晶の成長方法及び成長装置を提案する。 - 特許庁

To provide a method for growing a carbon fiber at a low temperature capable of growing the carbon fiber at a low temperature of ≤450°C by an organic metal chemical vapor deposition process.例文帳に追加

有機金属化学気相蒸着法によって、４５０℃以下の低温でカーボンファイバを成長させることができるカーボンファイバの低温成長方法を提供する。 - 特許庁

This growing device of the plant has a luminescent member capable of emitting weak intermittent light, and the method for growing the plant comprises irradiating the intermittent weak light to the plant.例文帳に追加

間欠的な弱い光を発することができる発光部材を有する植物の育成装置、及び間欠的な弱い光を植物に照射し、植物を育成する方法。 - 特許庁

To provide a vertical vessel for growing a crystal with which breakage of the bottom part of the vessel due to the weight or falling of a raw material can be suppressed and to provide a method of growing the crystal.例文帳に追加

原料の重みや落下による容器底部の破損を抑制することができる結晶成長用縦型容器及び結晶成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for growing a crystal, which enables improvement of the crystal yield by growing a high quality crystal in a high yield.例文帳に追加

本発明は、高品質の結晶成長を高い歩留で成長させ、結晶歩留の改善を図る結晶成長装置または結晶成長方法に関する。 - 特許庁

The method for manufacturing the SiC single crystal 10 comprises growing a bulk SiC single crystal on the growth surface of an SiC seed crystal 1 in a growing vessel 5.例文帳に追加

成長容器５内でＳｉＣ種結晶１の成長面上にバルク状のＳｉＣ単結晶を成長させて，ＳｉＣ単結晶１０を製造する方法である。 - 特許庁