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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > growing methodに関連した英語例文

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growing methodの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2677



例文

CONTROL PANEL FOR GROWING ARTIFICIAL QUARTZ, METHOD OF MANUFACTURING ARTIFICIAL QUARTZ USING CONTROL PANEL AND ARTIFICIAL QUARTZ BY MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

人工水晶育成用制御板及び当該制御板を用いた人工水晶の製造方法及び当該製造方法による人工水晶 - 特許庁

APPARATUS, PROGRAM AND METHOD OF GROWING SIMULATED PET, AND CALCULATING DEVICE, PROGRAM AND METHOD FOR CONSUMED CALORIE例文帳に追加

擬似ペット育成装置、擬似ペット育成プログラム、擬似ペット育成方法、消費カロリー計算装置、消費カロリー計算プログラム及び消費カロリー計算方法 - 特許庁

The method of growing single crystal and the device for glowing single crystal is characterized in that in the case of growing single crystal by Czochralski method, there is provided a cooling cylinder 11 which is made of Cu or a metal having lager thermal conductivity than the Cu, in the vicinity of crystal growing interface, surrounding the growing single crystal, and cooling the crystal growing interface forcedly by a coolant flowing through the cooling cylinder.例文帳に追加

チョクラルスキー法により単結晶を育成する方法において、少なくとも結晶成長界面近傍に、引上げ中の単結晶を取り囲むように、銅または銅より熱伝導度の大きい金属により形成された冷却筒11を配置し、該冷却筒に冷却媒体を流通することによって、結晶成長界面近傍を強制的に冷却しながら単結晶を育成することを特徴とする単結晶育成方法ならびに単結晶育成装置。 - 特許庁

In the method for growing the AlN crystal 2, the AlN crystal is grown through a sublimation method by using a first AlN seed crystal 1 grown through an HVPE method.例文帳に追加

HVPE法により成長させた第1のAlN種結晶1を用いて、昇華法によりAlN結晶を成長させるAlN結晶2の成長方法。 - 特許庁

例文

To provide a method for growing a ZrB_2 single crystal, which is based on a floating zone melting method (FZ method) and by which a large size and good quality single crystal can be obtained at a low growth temperature.例文帳に追加

育成温度が低く、大型かつ良質の単結晶が得られる浮遊帯域溶融法(FZ法)によるZrB_2単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁


例文

To provide a method for growing plants using a water-absorptive sheet having water-retaining and water-supplying ability for growing a lot of plants, and easily improving the water-retaining properties of soil without troublesome operation such as mixing operation.例文帳に追加

多くの植物を育生するための保水と給水能力を備え、混合するなどの面倒な作業をすることなく容易に土壌の保水性を向上させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plant growing method capable of supplying light suitable for growth of a plant by making effective use of natural light, and an optical member for optical modification used for plant growing material.例文帳に追加

自然光を有効利用して植物の育成に適した光を供給できる植物の育成方法および植物育成資材に用いられる光改質用光学部材を提供すること。 - 特許庁

To provide a liquid phase epitaxial growing device and a method therefor for growing crystal on the whole of a substrate face while crystal growth on the rear face of a substrate is suppressed.例文帳に追加

基板裏面における結晶成長を抑止しつつ、基板表面全体に結晶成長させることが可能な液相エピタキシャル成長装置及び液相エピタキシャル成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a sea weed growing reef effective in a coastal area having progressed withering damage and contributing even to the resolution of withered seashore and provide a method for forming a seaweed bed by using the seaweed growing reef.例文帳に追加

磯枯れ現象の進んだ沿岸域において有効で、しかも磯枯れ現象の解決にも貢献する海藻類造成礁およびこの海藻類造成礁を用いた藻場造成方法を提供する。 - 特許庁

例文

The method for growing the mushroom basidiocarp in an artificial mushroom cultivation comprises carrying out growing the mushroom basidiocarp while moving mushroom cultivation vessels 6, wherein illuminance is varied along a moving path 132.例文帳に追加

人工栽培におけるきのこ子実体の生育方法において、きのこ栽培容器6を移動させながら生育を行い、移動経路132中において照度を変化させることを特徴とする。 - 特許庁

例文

To provide a water swelling pellet-like plant growing medium containing water absorbing resin, and having shape retention when dried and crumbling when absorbing water to become a plant growing medium, and to provide a method for producing the medium.例文帳に追加

吸水性樹脂を含み、乾燥時には保形性があり吸水時にはくずれて植物育成用媒体となる水膨潤性のペレット状植物育成用媒体およびその製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a plant-based compost for growing a farm product capable of processing it without damaging its proper taste and flavor and without using a sterilizing process, and a method for growing a farm product using the compost.例文帳に追加

消毒工程を設けずに野菜本来の味や風味を損なうことなく加工できる作物を栽培するための植物系堆肥と、これを使用する作物の栽培技術を提供することにある。 - 特許庁

To provide a member for an apparatus for growing a single crystal formable of a carbon material having low purity, and including excellent heat shielding effect, in which SIO is hardly cured and coagulated, and to provide a method for producing the member for the apparatus for growing the single crystal.例文帳に追加

純度の低い炭素材で形成することができ、SiOが硬化凝結し難く、優れた遮熱効果を備える単結晶成長装置用部材とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a coating which controls winding and growing or climbing and growing of liana on a architectural structure such as a wire net, fence, concrete, strut, rope, etc., and to provide a method for controlling the growth.例文帳に追加

金網、フェンス、コンクリート、支柱、ロープ等の建築物につる性植物が巻きついて生育したり、はい上がって生育することを抑制する塗料及びその生育抑制方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film treatment device where, even if a growing method in which raw materials are alternatively made to flow for growing a thin film having a satisfactory step coverage is performed, the time for performing the growth of one atomic layer can be reduced.例文帳に追加

段差被覆性の良い薄膜を成長するため原料を交互に流す成長法を行っても1原子層の成長を行う時間を短縮できる薄膜処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing an n-type silicon single crystal of P-dope comprising only performing the addition at a primary stage prior to the crystal growing without the additional addition of a secondary dopant during the crystal growth to uniformalize the resistivity distribution in the crystal axial direction.例文帳に追加

Pドープのn型シリコン単結晶において、副ドーパントを結晶育成中に追加添加せず、結晶育成前の初期添加のみで、結晶軸方向の抵抗率分布を均一化する。 - 特許庁

The method may further include a step of growing a buffer layer having an m-plane hexagonal structure on the sapphire substrate before growing the non-polar m-plane nitride semiconductor.例文帳に追加

前記非極性m面窒化物半導体を成長させる段階の前に、前記サファイア基板上にm面六方晶構造を有する緩衝層を成長させる段階をさらに含んでいてもよい。 - 特許庁

To provide a method for growing a group III-V compound semiconductor capable of growing a group III-V compound semiconductor crystal having a high quality and an organometallic chemical vapor growth device.例文帳に追加

高品質のIII−V族化合物半導体結晶の成長が可能なIII−V族化合物半導体の成長方法および有機金属化学気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a growing method of a nitride-based group III-V compound semiconductor layer capable of growing the nitride group III-V compound semiconductor layer on a substrate with good crystal quality.例文帳に追加

基板上に窒化物系III−V族化合物半導体層を良好な結晶品質で成長させることができる窒化物系III−V族化合物半導体層の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a nitride semiconductor crystal for growing a nitride semiconductor crystal at a reduced cost while keeping good crystallinity and to provide a nitride semiconductor crystal substrate.例文帳に追加

良好な結晶性を維持するとともに、コストを低減して窒化物半導体結晶を成長させる窒化物半導体結晶の成長方法および窒化物半導体結晶基板を提供する。 - 特許庁

This method for synthesizing methanol from methane at a high temperature comprises using a genetic recombination bacterium obtained by transducing a methane oxidase gene growing at a high temperature in a methane assimilating bacterium growing at a low temperature.例文帳に追加

高温で生育するメタン資化菌由来のメタン酸化酵素遺伝子を,低温で生育するメタン資化菌に導入して得られた遺伝子組み換え菌を用いて、高温でメタンからメタノールを合成する方法。 - 特許庁

In a method for growing nitride semiconductor on a substrate, at least two growing interfaces are formed in the nitride semiconductor, thereby relieving difference of stress between the substrate and the nitride semiconductor.例文帳に追加

基板上に窒化物半導体を成長させる方法であって、窒化物半導体内に成長界面を少なくとも2つ有することにより基板と窒化物半導体との応力差を緩和させる。 - 特許庁

To provide a method for producing a germanium single crystal, capable of preventing germanium oxide from depositing on the surface of a growing crystal and growing the germanium single crystal with a low dislocation density or free of dislocation.例文帳に追加

成長結晶表面に酸化ゲルマニウムが付着するのを防ぎ、低転位密度または無転位でゲルマニウムの単結晶を成長させることができるゲルマニウム単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film growing method in which the wiring reliability and the via contact are not adversely affected by excessive heat treatment, and dust is prevented from being caused by unreasonably small heat treatment in a growing chamber.例文帳に追加

薄膜成長方法に関し、過剰な熱処理によって配線の信頼性やビアコンタクトに悪影響を与えることなく、また過少な熱処理による成長チャンバからの発塵を防止する。 - 特許庁

The method comprises: a step for growing a nitride buffer layer 21 including aluminum on a sapphire substrate 20; a step for growing a binary nitride buffer layer 22 on the nitride buffer layer 21; and a step for growing a nitride semiconductor layer 23 on the binary nitride buffer layer 22.例文帳に追加

サファイア基板20の上部にアルミニウムを含む窒化物バッファー層21を成長させる段階と、窒化物バッファー層21の上部に二元系窒化物バッファー層22を成長させる段階と、二元系窒化物バッファー層22の上部に窒化物半導体層23を成長させる段階とで構成される。 - 特許庁

The method for growing the carbon nanotubes includes a process for growing carbon nanotubes by allowing catalytic fine particles, subjected to a heat treatment in an oxidizing atmosphere, to exist in a gaseous atmosphere containing carbon for growing the carbon nanotubes, without exposing the catalytic fine particles to atmosphere.例文帳に追加

カーボンナノチューブの成長方法は、酸化性雰囲気中において加熱処理して得られる触媒微粒子を、大気に曝すことなくカーボンナノチューブ成長用炭素含有ガス雰囲気中に存在させてカーボンナノチューブを成長させる工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of safely and effective using a hair-tonic or hair-growing agent by alternately using a plant extract of the root of Paeonia moutan Sims and a hair-tonic or hair-growing agent of the leaf of Symphytum Officinale Linne since the hair-restoring or hair-growing effect is better than in their single use or in their mixed use and its effect continues.例文帳に追加

ボタンの根の抽出物とコンフリーの葉の養毛・育毛剤を交互に用いることによって、単独あるいは混合した場合よりも優れた発毛・育毛効果を示し、その作用も継続することから、安全かつ効果的な養毛・育毛剤の使用方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises disposing inorganic particles 2 on a surface 1A of a substrate 1 for growing by using a slurry obtained by dispersing the inorganic particles 2 in a medium, and by dipping the substrate 1 for growing into the slurry or by coating or spraying the slurry onto the substrate 1 for growing and drying it.例文帳に追加

無機粒子2を媒体に分散させたスラリーを用いて、該スラリー中へ成長用基板1を浸漬させるか、または該スラリーを成長用基板1上に塗布や噴霧した後、乾燥させることにより、成長用基板1の表面1A上に無機粒子2を配置する。 - 特許庁

To provide a method for growing crystal which can control development of dislocation and cracks, and warpage of a substrate.例文帳に追加

転位およびクラックの発生、並びに、基板の反りを抑制することが可能な結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

In the method for growing a crystal, an undissolved substance may be removed from the melted precursor 3 before the filling up.例文帳に追加

結晶成長方法において、前記充填の前に、前記溶融原料3から不溶解物質を除去してもよい。 - 特許庁

To provide a method of growing a nitride single crystal which has a low electric potential density range having a uniform and large area.例文帳に追加

均一かつ広い面積の低電位密度領域を有する窒化物単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a group III nitride crystal having a low dislocation density with a non-polar plane as a main plane.例文帳に追加

非極性面を主面とする転位密度が低いIII族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a measuring instrument and measuring method, for measuring an elevation angle being a hair growing angle without shaving hair.例文帳に追加

毛剃りなしに、毛髪の生え角である仰角を測定することのできる測定器具および測定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a growing method by which a high quality oxide single crystal can be grown in a good yield.例文帳に追加

酸化物単結晶を、高品質で歩留まりよく製造することができる育成方法の提供を目的とする。 - 特許庁

METHOD FOR EVALUATING HAIR-GROWING MEDICINE USING SONIC HEDGE HOG (SHH) AS INDEX IN CELL AGGREGATION COMPRISING HUMAN HAIR FOLLICLE-CONSTITUTING CELL例文帳に追加

ヒト毛包構成細胞からなる細胞塊においてソニック・ヘッジホッグ(Shh)を指標とする発毛薬剤評価法 - 特許庁

To provide a method for growing a crystal by which a crystal having low dislocation density can be grown with good productivity.例文帳に追加

転位密度の小さな結晶を生産性よく成長させることができる結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a group III nitride crystal which reduces the dislocation density of the whole of the crystal to be grown.例文帳に追加

成長させる結晶全体の転位密度が低減するIII族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an arrangement for vapor phase growth in which the growing speed of a semiconductor thin film is improved.例文帳に追加

半導体薄膜の成長速度の向上が図られた気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a method and device for raising and growing hair without using a wig or a hair tonic using chemical substance.例文帳に追加

かつらや化学物質を用いた育毛剤を使用せずに発毛、育毛を促進する方法および装置を開発する。 - 特許庁

To provide a method of growing an AlN crystal having excellent crystallinity, and an AlN laminate.例文帳に追加

結晶性の良好なAlNを成長させるAlN結晶の成長方法およびAlN積層体を提供する。 - 特許庁

In a growth apparatus, the heating means is controlled by a control means according to the heating temperature pattern based on the growing method.例文帳に追加

育成装置は、上記育成方法に基づく加熱温度パターンにより制御手段で加熱手段を制御する。 - 特許庁

In the method of manufacturing semiconductor crystal, a substrate 1 having a recessed and projecting growing surface and carrying a mask 3 on the recessed surface 12 is used as shown in Fig. (a).例文帳に追加

(a)図に示すように、成長面が凹凸面とされ、凹面12にマスク3が形成された基板1を用いる。 - 特許庁

LOW ALLOY STEEL MATERIAL HAVING AUSTENITE GRAIN INHIBITED FROM GROWING WHEN RE-HEATED, AND METHOD FOR CONTINUOUSLY CASTING STEEL MATERIAL INTO SLAB例文帳に追加

再加熱時のオーステナイト粒成長が抑制された低合金鋼の鋼材および鋼材用鋳片の連続鋳造方法 - 特許庁

SUBSTRATE, METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR USING THE SAME, AND GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

基板及びそれを用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長用方法並びに窒化ガリウム系化合物半導体 - 特許庁

To provide a method of growing a high quality gallium nitride-based compound semiconductor crystal suitable as a blue light-emitting material.例文帳に追加

青色発光材料として好適な良質の窒化ガリウム系化合物半導体結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

The method of producing the epitaxial film is comprised of epitaxially growing a film on an oxide substrate having such a nonmirror surface.例文帳に追加

エピタキシャル膜の製造方法は、そのような非鏡面の酸化物基板上にエピタキシャル膜を製造する方法である。 - 特許庁

To provide a method for growing a high-quality cubic nitride crystal good in reproducibility and surface flatness.例文帳に追加

再現性良く高品質であり表面平坦性のよい立方晶窒化物結晶の成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for growing group III nitride semiconductor capable of reducing the number of surface defects of the group III nitride semiconductor.例文帳に追加

III族窒化物の表面欠陥の数を低減可能な、III族窒化物半導体を成長する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of directly growing a carbon nanotube suitable for uniform electron emission at a low cost.例文帳に追加

均一な電子放出に適したカーボンナノチューブ直接成長を低コストで実現することができ方法を提供する。 - 特許庁

例文

The method for the differentiation induction of animal stem cell comprises contacting the cell with cytokine in only a growing phase appropriate for the cell.例文帳に追加

動物細胞の適切な生育フェーズのみにおいて、該細胞をサイトカインと接触させる、細胞の分化誘導方法。 - 特許庁




  
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