「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing a group III nitride substrate of which the variation of carrier in-face concentration is small and a crystal growing rate is high.例文帳に追加

キャリア面内濃度のばらつきが少なく、結晶の成長速度が速いIII族窒化物基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical element processing method prevented from growing in size due to the size of an optical effective region of an optical element to be processed.例文帳に追加

加工対象となる光学素子の光学有効領域の大きさのために加工装置全体が大型化するのを防ぐ。 - 特許庁

To provide a hair tonic adding hair-growing effects to everyone, hardly having side effects, and having high reliability, and further to provide a method for producing the hair tonic.例文帳に追加

誰にでも育毛効果があり、かつ副作用のない信頼性の高い育毛剤及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer for epitaxially growing, with which the formation of SF is suppressed, an epitaxial wafer and a method of producing the same.例文帳に追加

ＳＦ発生を低減したエピタキシャル成長用シリコンウエーハ及びエピタキシャルウエーハ並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a gallium nitride (GaN) substrate free of cracks by reducing bending which may occur in a Gan layer growing process.例文帳に追加

窒化ガリウム層成長時に発生する歪みを減らしてクラックがない窒化ガリウム基板を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor wafer includes an Si-layer formation process, an Si-layer sealing process, a heating process, and a growing process.例文帳に追加

半導体ウエハの製造方法は、Ｓｉ層形成工程と、Ｓｉ層密閉工程と、加熱工程と、成長工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method and a system capable of consistently growing the whole life of firefly over the period from its ovum to imago.例文帳に追加

蛍の卵から成虫までの一生に亘る生育を恒常的に可能とする方法、システムを提案するものである。 - 特許庁

To provide a new method capable of growing a flat, epitaxial ZnO thin film by MOCVD.例文帳に追加

表面が平坦な、エピタキシャルなＺｎＯ薄膜をＭＯＣＶＤにより成長させることのできる新しい方法を提供する。 - 特許庁

MELT OF RAW MATERIAL FOR GROWING MAGNETIC GARNET SINGLE CRYSTAL FILM AND METHOD OF PRODUCING THE MAGNETIC GARNET SINGLE CRYSTAL FILM USING THE SAME例文帳に追加

磁性ガーネット単結晶膜育成用の原料融液、及びこれを用いた磁性ガーネット単結晶膜の製造方法 - 特許庁

To provide a method of growing an artificial quartz crystal having low linear defect density and the artificial quartz crystal having the low linear defect density.例文帳に追加

線状欠陥密度の低い人工水晶の育成方法、及び線状欠陥密度の低い人工水晶を提供する。 - 特許庁

The reproducing method of the first substrate includes a process for homoepitaxially growing the first substrate whose surface is processed.例文帳に追加

また、さらに、表面処理がされた第１の基板をホモエピタキシャル成長させる工程とを含む第１の基板の再生方法。 - 特許庁

To realize an epitaxial growth method, in which a stable growing of an extremely lightly doped and high resistance epitaxial layer can be made.例文帳に追加

非常に低濃度で、高抵抗のエピタキシャル層を安定して成長させることができるエピタキシャル成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing zinc oxide having little crystal defect and being excellent in single crystallinity and flatness on a substrate.例文帳に追加

基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛を成長する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing high quality seed quartz for artificial quartz, which has a low dislocation density.例文帳に追加

本発明の目的は、転移密度の低い、高品質の人工水晶の種水晶の育成方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a vapor deposition system and vapor phase epitaxial growth method which raise a growing speed, without making a wafer rotate at a high speed.例文帳に追加

ウェハを高速回転させずに成長速度を高める気相成長装置および気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a group III nitride crystal in which a large crystal can be grown by a liquid phase process.例文帳に追加

液相法において大型の結晶を成長させることができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

CONTAINER FOR GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL, COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

化合物半導体単結晶成長用容器、化合物半導体単結晶、および化合物半導体単結晶の製造方法 - 特許庁

COPOLYMER FILM, ITS FORMING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE COPOLYMER FILM, AND POLYMER-FILM GROWING APPARATUS例文帳に追加

共重合高分子膜及びその形成方法、共重合高分子膜を用いた半導体装置ならびに高分子膜成長装置 - 特許庁

To provide a greening method capable of readily and inexpensively greening weed-growing places and maintaining green lands for a long period.例文帳に追加

雑草生育地を容易にかつ安価に緑地化でき、さらには、長期間緑地を維持することが可能な緑化方法を提供。 - 特許庁

The epitaxial wafer manufacturing method comprises epitaxially growing a carbon-doped CZ silicon wafer at low temperatures lower than 1000°C A.例文帳に追加

炭素がドープされたＣＺシリコンウエーハに１０００℃未満の温度でエピタキシャル成長を行うエピタキシャルウエーハの製造方法。 - 特許庁

SEED CRYSTAL FOR GROWING 4H SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, 4H SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT, AND METHOD FOR PRODUCING THE SEED CRYSTAL例文帳に追加

４Ｈ型炭化珪素単結晶育成用種結晶と４Ｈ型炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 - 特許庁

To provide a method for growing a gallium nitride crystal, by which setting of a crucible in which an agitation structure is arranged is easily performed.例文帳に追加

攪拌構造体を内部に配置する坩堝のセットを容易とさせることが可能な窒化ガリウム結晶の成長方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for growing a nitride semiconductor layer capable of obtaining a nitride semiconductor layer with good p-type characteristics.例文帳に追加

良好なｐ型特性を持つ窒化物半導体層を得ることが可能な窒化物半導体層の成長方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層の成長方法およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を具備する半導体装置 - 特許庁

SEED CRYSTAL FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT例文帳に追加

炭化珪素単結晶育成用種結晶及び炭化珪素単結晶の製造方法並びに炭化珪素単結晶インゴット - 特許庁

Epitaxial films 6 are formed in the trenches 3 by an epitaxial growing method, and the trenches 3 are filled with epitaxial films 6.例文帳に追加

さらに、エピタキシャル成長法によりトレンチ３内にエピタキシャル膜６を形成してトレンチ３内をエピタキシャル膜６で埋め込む。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR GROWING HIGH QUALITY SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT, SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT GROWN THEREBY AND WAFER PRODUCED FROM THE SINGLE CRYSTAL INGOT例文帳に追加

高品質シリコン単結晶インゴット製造方法，成長装置及び前記方法及び装置から製造されたインゴット，ウエハ - 特許庁

To provide a method of growing crystal by which a seed crystal can be formed and grown using a single laser light source.例文帳に追加

一つのレーザ光源を用いて、種結晶の形成と成長とを行うことが可能な結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a low-temperature insulator which can be withdrawn after use and is reusable as a water holding material for plant growing and to provide a method for reusing it.例文帳に追加

使用後回収して植物育成用保水剤として再利用できる保冷材及び再利用方法を提供する。 - 特許庁

To provide a crucible for growing a silicon crystal, with which the precision of resistance control by a dopant of the silicon crystal is improved, the yield of the silicon crystal is enhanced, and the cost of raw materials is reduced, to provide a method for manufacturing the crucible, and to provide a method for growing the silicon crystal.例文帳に追加

シリコン結晶のドーパントによる抵抗調整精度を向上し、結晶歩留向上と原材料費コストダウンとを実現することができるシリコン結晶成長用ルツボとその製造方法、及びシリコン結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a controlling method of doping concentration for semiconductor thin film crystal capable of controlling doping concentration widely and precisely in the case of growing semiconductor thin film crystal growing by LMBE method, and to provide a semiconductor device controlled in carrier concentration.例文帳に追加

ＬＭＢＥ法による半導体薄膜結晶成長において、ドーピング濃度制御方法を広範囲かつ精密に行うことが出来る半導体薄膜結晶のドーピング濃度制御方法、および、キャリア密度が精密に制御された半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a crystal having good controllability of the outer diameter while efficiently utilizing the raw material by stably maintaining the temperature controlling accuracy of the melt from the beginning of the growth to the finishing of the growth when growing the crystal by a pulling method.例文帳に追加

引上げ法により結晶を成長させる際に、成長初期から成長完了までに亘って、融液の温度制御精度を安定に保ち、原料を無駄なく活用しつつ、外径の制御性の良い結晶を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

This microorganism-separating method for separating and ensuring only the slow growing microorganisms from a sample of microorganisms living in an environment is characterized by adding an anti-microbial agent to the sample to inhibit the proliferation of the quickly growing microorganisms and then neutralizing the anti-microbial agent with a neutralizing agent to preferentially culture the slow growing microorganisms.例文帳に追加

環境中に生存する微生物の試料の中から遅生育微生物のみを分離し、確保する微生物分離方法において、前記試料に抗微生物剤を添加して速生育微生物の増殖を抑制した後、該抗微生物剤を中和剤で中和し、遅生育微生物を優先的に培養する。 - 特許庁

In the ground board that is used for the method of manufacturing a semiconductor by immersing the ground board with a growing surface in the melt solution and growing the semiconductor on the ground board, a crystal growing surface S1 of the ground board includes a groove extending from a forward portion in an immersing direction to a rear direction.例文帳に追加

成長面を有する下地板を半導体融液に浸漬させて、下地板に半導体を成長させる半導体の製造方法に使用する半導体製造用下地板において、半導体製造用下地板の結晶成長面Ｓ１が浸漬方向前方部から後方部に延びる溝を有する。 - 特許庁

This method for growing carbon nanotube comprises a process of growing carbon nanotubes by making catalyst fine particles comprising cobalt loaded on a substrate aluminum thin film obtained by exposing an aluminum thin film to the air, to be present in a gas atmosphere for growing carbon nanotubes containing alcohol vapor.例文帳に追加

カーボンナノチューブの成長方法は、アルミニウム薄膜が大気に曝されて得られる下地アルミニウム薄膜上に担持されたコバルトよりなる触媒微粒子を、アルコール蒸気を含有するカーボンナノチューブ成長用ガス雰囲気中に存在させてカーボンナノチューブを成長させる工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for growing gallium arsenide single crystal, by which the occurrence of cloudiness due to B_2O_3 in liquid encapsulate Czochralski(LEC) method is eliminated, the seeding is facilitated and which is performed with excellent reproducibility.例文帳に追加

ＬＥＣ法によるＢ_2Ｏ_3の白濁の発生を解消し、種付けが容易、且つ再現性良く実施できる砒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for growing an SiC single crystal of high flatness, while restraining three-dimensional growth and convex growth in a solvent method.例文帳に追加

溶液法において三次元成長および凸状成長を抑制して、平坦性の高いＳｉＣ単結晶を成長させる装置および方法を提供する。 - 特許庁

In order to change the growing direction of the crystal in two steps, change of temperatures in the sublimation method or change of gas-flow directions in the HVPE (hydride vapor phase epitaxy) method can be utilized.例文帳に追加

結晶の成長方向を２段階に変更するために、昇華法における温度変更またはＨＶＰＥ法におけるガス流方向の変更が利用され得る。 - 特許庁

To provide a forming method of a nitride thin film for growing an atom layer of high quality in a short time and a manufacturing method of a quantum well device.例文帳に追加

高品位の原子層を短時間で成長させることができる窒化物薄膜の形成方法及び量子井戸デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the method for growing the gallium-nitride-based compound semiconductor on the substrate, a growth speed is changed, and the compound semiconductor is grown at two stages by a hydride vapor-phase epitaxial growth method.例文帳に追加

基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる方法であって、ハイドライド気相エピタキシャル成長法で成長速度を変えて２段階成長させる。 - 特許庁

To provide a method of growing a crystal and a method of manufacturing a semiconductor device, which are capable of heavy p-type doping using a material gas which does not corrode-cambers.例文帳に追加

チャンバを腐食させない原料ガスを用いて、高濃度ｐ型ドーピングを可能とする結晶成長方法および半導体装置生成方法を提供する。 - 特許庁

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT, METHOD OF FORMING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT, METHOD FOR GROWING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR FILM, AND EPITAXIAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体光素子、ＩＩＩ族窒化物半導体光素子を形成する方法、ＩＩＩ族窒化物半導体膜を成長する方法及びエピタキシャル基板 - 特許庁

METHOD OF GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PROVIDED WITH COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER GROWN USING THE METHOD例文帳に追加

化合物半導体結晶の成長方法、その成長方法を用いて成長した化合物半導体結晶の層を備えた半導体装置及び半導体基板 - 特許庁

GROWING METHOD OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL, FABRICATION METHOD OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板 - 特許庁

The method is a method for growing the oriented carbon nanotube on a sample using carbon or the carbon-based target in a deposition chamber where plasma dominantly exists.例文帳に追加

本発明は、プラズマが優位に存在する堆積チャンバー内で炭素あるいは炭素系のターゲットを用いて試料上に配向されたカーボンナノチューブを成長する方法に関する。 - 特許庁