「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method capable of manufacturing an SiC high breakdown voltage semiconductor in high yield and throughput by enabling vapor epitaxial growing of a semiconductor single crystal silicon carbide (SiC) film by using a polycrystal silicon carbide (SiC) substrate having ion-implanted impurity atoms as a source in addition to recovering micropipe defects of a single crystal silicon carbide (SiC) in a short time.例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）のマイクロパイプ欠陥を短時間で修復することに加えて、不純物原子をイオン注入した多結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板をソースとして半導体単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）膜を気相エピタキシャル成長することを可能とし、ＳｉＣ高耐圧半導体が高い歩留まりとスループットで生産可能となる方法を提供する。 - 特許庁

Quantum thin lines of various sizes are formed on the single substrate by successively performing the processes of: vapor-depositing an oxide film on the semiconductor substrate; etching the oxide film so that areas where the oxide film is not formed have various sizes; and forming triangular epitaxial structures in the areas where no triangular epitaxial structure is present by using the selective epitaxial growing method.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を蒸着する段階と、酸化膜のない領域が多様な大きさを有するように前記酸化膜をエッチングする段階と、選択的エピタキシャル成長法を利用して前記酸化膜のない領域に三角形のエピタキシャル構造を形成する段階と、を順次行うことで、単一基板に多様な大きさの量子細線を形成する。 - 特許庁

This marine alga growth-promoting method comprises dissolving for growing marine algae living in natural seawater, an additive which contains at least chitin oligomer or chitosan oligomer in the natural seawater followed by mixing, and adopting a technical means which brings the concentration of the additive in the mixed liquid to 0.05-50 μg/ml.例文帳に追加

天然海水中に生息する海藻類を生長せしめるにあたり、キチンオリゴマーまたはキトサンオリゴマーを少なくとも含有してなる添加剤を前記天然海水中に溶解して混合せしめ、この混合液中における添加剤の濃度を０．０５〜５０μｇ／ｍｌにするという技術的手段を採用したことによって、海藻類の生長促進方法を完成させた。 - 特許庁

In a liquid phase epitaxial method of growing a bismuth-substituted iron garnet single crystal on a nonmagnetic garnet single crystal substrate, a bismuth-substituted iron garnet single crystal grown from a melt containing Ca added therein is thermally treated in a short time period in an atmosphere of a mixture of a nitrogen gas and 3-20 vol% of hydrogen gas.例文帳に追加

非磁性ガーネット単結晶基板にビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成する液相エピタキシャル法において、Ｃａを添加した融液から育成したビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を窒素と水素３〜２０ｖｏｌ％の混合ガス雰囲気下で短時間熱処理することで、所望の光損失特性を有するビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を得ることができる - 特許庁

This is a method for measuring the interface position between a fused material and a crystal growing from the fused material, which has a process a) passing an incident light signal to the interface between the fused material and the crystal and a process b) measuring a reflected light signal generated on the interface by the incident light signal for the purpose of the interface position measurement.例文帳に追加

溶融物と前記溶融物から成長する結晶との間の相界面の位置を測定する方法であり、この方法は、ａ）該溶融物と該結晶との間の相界面へ入射光信号を伝える工程と、ｂ）該相界面の該位置を測定するために、該入射光信号によって該相界面で形成された反射光信号を測定する工程とを有する。 - 特許庁

A method includes: a specifying step of specifying the position 8 of the basal plane dislocation 6 on the surface 2a of the semiconductor layer 2; a crystal re-array step of re-arraying crystals at the position 8 specified in the specifying step; and a crystal growth step of crystally growing the semiconductor layer from the surface 2a after the crystal re-array step.例文帳に追加

本発明の方法は、半導体層２の表面２ａにおける基底面内転位６の位置８を特定する特定工程と、特定工程で特定された位置８において結晶の再配列を行う結晶再配列工程と、結晶再配列工程の後に表面２ａから半導体層を結晶成長させる結晶成長工程とを備えている。 - 特許庁

A GaN crystal thin film (especially GaN crystal thin film) 1 of thickness 100 μm or less which is formed as an independent thin film by a solution growth method, or the like, is jointed onto a substrate 2, to provide a crystal growth base material comprising one surface 1b of the thin film as a start surface for growing GaN crystal, on which the GaN crystal is grown.例文帳に追加

溶液成長方法等によって単独の薄膜として形成された厚さ１００μｍ以下のＧａＮ系結晶薄膜（特にＧａＮ結晶薄膜）１を、基板２上に接合し、該薄膜の一方の面１ｂをＧａＮ系結晶を成長させるための出発面として有する結晶成長用基材を得、その上にＧａＮ系結晶を成長させる。 - 特許庁

In the method of growing group III-V compound semiconductor, a second group III-V compound semiconductor containing nitrogen and arsenic (group V component) is grown on a semiconductor region comprising a first group III-V compound semiconductor containing arsenic and phosphorous (group V component), using a first material gas (N source), a second material gas (As source), and a third material gas (Ga source, and In source).例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体を成長する方法では、第１の原料ガス（Ｎソース）、第２の原料ガス（Ａｓソース）および第３の原料ガス（Ｇａソース、Ｉｎソース）を用いて、ヒ素およびリン（Ｖ族構成元素）を含む第１のIII−Ｖ化合物半導体からなる半導体領域上に、窒素およびヒ素（Ｖ族構成元素）を含む第２のIII−Ｖ化合物半導体を成長する。 - 特許庁

To provide a mulching method for preventing water in the planting soil for tree from evaporating, supplying the water to the planted tree by forming dewfall on the surface of a mulching material, supplying nutrient elements required for growing the tree while preventing the damage caused by fertilizer at the time of transplantation by gradually leaching an organic material and the fertilizer components from the surface of the soil, and heightening the fertility of the planting soil.例文帳に追加

樹木の植栽土壌中の水分の蒸発を抑制し且つマルチング材表面で結露を発生させて植栽樹木に水分を供給し、且つ土壌表面から緩やかに有機物や肥料成分を溶脱させて定植時の肥料焼けを防ぎながら樹木の成育に必要な養分を供給すると共に植栽土壌の肥沃度を高めるマルチング方法の提供。 - 特許庁

This method for manufacturing a semiconductor wafer is provided with a process for growing epitaxially an SiGe layer on a surface of a first silicon single crystal wafer, a process for coupling a surface of the SiGe layer with a surface of a second wafer via an oxide film, and a process for thinning the first silicon single crystal wafer coupled with the second wafer and exposing the Si layer including lattice strain.例文帳に追加

第１のシリコン単結晶ウェーハの表面にＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長する工程と、該ＳｉＧｅ層の表面と第２のウェーハの表面とを酸化膜を介して結合する工程と、該第２のウェーハと結合された該第１のシリコン単結晶ウェーハを薄膜化して格子歪みを内在するＳｉ層を露出させる工程と、を有するようにした。 - 特許庁

The method for manufacturing the carbon nanotube assembly is characterized in that catalyst particles are heated to the temperature where the degree of the aggregation of the catalyst particles and the growth rate of the carbon nanotube are balanced in a CVD process of growing carbon nanotubes by the thermal decomposition of an organic compound vapor with the catalyst particles formed on a substrate as a base point.例文帳に追加

本発明のカーボンナノチューブ集合体の製造方法は、基板上に形成された触媒粒子を基点として有機化合物蒸気の熱分解によってカーボンナノチューブを成長させるＣＶＤ工程において、前記触媒粒子を、前記触媒粒子の凝集の程度と前記カーボンナノチューブの成長速度とを平衡させる温度に加熱することを特徴とする。 - 特許庁

In the method of growing a silicon crystal by irradiating an amorphous or polycrystalline silicon with laser light, the laser light has first pulse laser light of a wavelength in an ultraviolet range and second pulse laser light of a wavelength in a visible range, and the first and second pulse laser light are applied onto the crystal at different timing.例文帳に追加

非晶質シリコンまたは多結晶シリコンにレーザ光を照射してシリコン結晶を成長させるシリコン結晶成長方法であって、前記レーザ光は、紫外領域の波長を有する第１パルスレーザと、可視領域の波長を有する第２パルスレーザとからなり、前記第１パルスレーザ及び前記第２パルスレーザを、異なるタイミングで照射することを特徴とするシリコン結晶成長方法。 - 特許庁

A large size KNbO_3 single crystal without cracks is produced by specifying a phase transition stage, a necessary condition at the phase transition stage and a required time in the phase transition stage at a step to cool the crystal after growing to room temperature when the KNbO_3 single crystal is produced by a TSSG (top-sealded solution growth) method.例文帳に追加

ＴＳＳＧ法によりＫＮｂＯ_３単結晶を製造する方法において、結晶成長に引き続き室温へ冷却する過程で、相転移の過程、相転移過程における必要条件を規定し、さらに相転移過程に要する時間を規定することにより、クラックの無い大型ＫＮｂＯ_３単結晶を作成することを特徴とする大型ＫＮｂＯ_３単結晶の製造方法である。 - 特許庁

In the method of manufacturing the single crystal from a semiconductor material, which comprises solidifying a part of a melt, which is maintained in a liquid state by a pulling coil, on a seed crystal while forming a growing single crystal and melting a particulate material so as to maintain the growth of the single crystal, a molten particulate material is introduced with a delay into the melt.例文帳に追加

引き上げコイルにより液状に維持される溶融液の部分を、種結晶上で、成長する単結晶を形成しながら硬化させ、かつ単結晶の成長を維持するために粒状物を溶融する、半導体材料から単結晶を製造する方法において、溶融している粒状物を遅れて溶融液に導入することを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a semiconductor stacked structure which can improve the performance and reliability of a light emitting element or electron traveling element having n-type gallium nitride compound semiconductor layers without degrading the surface flatness and crystallinity of the compound semiconductor layers even when the concentrations of an n-type impurity in the semiconductor layers are increased, a semiconductor device provided with the structure, and a method for growing crystal.例文帳に追加

ｎ型不純物濃度を増加させた場合においてもｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面平坦性や結晶性を損なうことが無く、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を有する発光素子や電子走行素子を高性能化、高信頼化することができる半導体積層構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

In growing carbon nanotube on the surface of a substrate S by introducing a carbon-containing raw material gas into a vacuum chamber 11 and using a plasma CVD method, carbon nanotube is grown on the surface of the substrate by generating plasma so as not to expose the substrate to plasma P, heating the substrate at a required temperature, and contacting the raw material gas decomposed by plasma to the surface of the substrate.例文帳に追加

真空チャンバ１１に炭素含有の原料ガスを導入し、プラズマＣＶＤ法によって、カーボンナノチューブを基板Ｓ表面に気相成長させる際に、基板がプラズマＰに曝されないようにプラズマを発生させ、加熱手段によって基板を所定温度に加熱し、プラズマで分解された原料ガスを基板表面に接触させて基板表面にカーボンナノチューブを成長させる。 - 特許庁

The method comprises using a solvent as an ionic solvent containing a total of 0.1-14 mol% of at least one halide selected from the group consisting of a sodium halide, a potassium halide, and a cesium halide, and containing a lithium halide, when growing the group 13 metal nitride crystal on a seed 6 in a liquid 9 containing a nitrogen element, a group 13 element, and the ionic solvent.例文帳に追加

窒素元素と第１３族金属元素とイオン性溶媒を含む液９中において、シード６上に第１３族金属窒化物結晶を成長させる際に、イオン性溶媒としてハロゲン化ナトリウム、ハロゲン化カリウムおよびハロゲン化セシウムからなる群より選択される１つ以上のハロゲン化物を合計０．１〜１４モル％含有し、かつ、ハロゲン化リチウムを含む溶媒を用いる。 - 特許庁

To provide a substrate for manufacturing carbon nanotube which is capable of protecting a catalyst metal from damage caused by plasma, etc., suppressing the aggregation of the catalyst metal and growing the carbon nanotube using the fine catalyst metal exposed by etching with the plasma as a nucleus and a method manufacturing the carbon nanotube using the substrate.例文帳に追加

プラズマなどのダメージから触媒金属を保護し、触媒金属の凝集を抑制するとともに、プラズマを用いたエッチングで触媒金属を微細な状態で露出させ、その露出された微細な触媒金属を核としてカーボンナノチューブを成長させることができるカーボンナノチューブ製造用基板と、このような基板を用いたカーボンナノチューブの製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, this semiconductor lamination can be manufactured by the manufacturing method comprising the steps of forming the lamination of the SiC single crystal substrate and the graphite layer, by evaporating the Si in at least the uppermost surface of a predetermined surface of the SiC single crystal substrate, and hetero-epitaxially growing the hexagonal boron nitride single crystal film on the graphite layer.例文帳に追加

また、この半導体積層構造は、ＳｉＣ単結晶基板の所定の面の、少なくとも最表面のＳｉを蒸発させて、前記ＳｉＣ単結晶基板とグラファイト層との積層を形成する工程と、前記グラファイト層上に六方晶窒化ホウ素単結晶膜をヘテロエピタキシャル成長させる工程とを有する製造方法により製造することができる。 - 特許庁

The method includes steps of: implanting dopant atoms of a first conductivity type into a first surface of a conductive silicon carbide wafer having the same conductivity type as implanting ions at one or more predetermined dopant concentrations and implant energies to form a dopant profile; annealing the implanted wafer; and growing an epitaxial layer on the implanted first surface of the wafer.例文帳に追加

１つ以上の所定のドーパント濃度及び注入エネルギーで、注入イオンと同じ導電型を有する導電性炭化珪素ウェーハの第一表面中に第一導電型のドーパント原子を注入して、ドーパントプロファイルを形成する工程、その注入されたウェーハをアニールする工程、及びそのウェーハの注入第一表面上にエピタキシャル層を成長させる工程を含む。 - 特許庁

This raw material crystal is surface treated so as to have a higher surface radiation rate than the inside thereof, and is used for growing a semiconductor single crystal by the Czochralski method using a production device for a semiconductor crystal provided with a crucible to be charged with at least the raw material crystal and a heater surrounding the crucible.例文帳に追加

少なくとも原料結晶を充填する坩堝と該坩堝を囲繞するヒータを備えた半導体結晶製造装置を使用するチョクラルスキー法によって半導体単結晶を成長させる際に使われる、前記原料結晶として表面の輻射率が内部よりも大きくなるように表面処理が施された原料結晶及び前記原料結晶を用いることを特徴とする単結晶引き上げ方法である。 - 特許庁

The method for producing the silicon carbide single crystal comprises arranging a seed crystal 6 of the silicon carbide single crystal in a reaction vessel 10, and growing a crystal 7 of the silicon carbide single crystal on the initial surface 60 of the seed crystal 6 by introducing a gaseous mixture 8 comprising a silicon-containing gas containing Si and a carbon-containing gas containing C into the reaction vessel 10.例文帳に追加

反応容器１０内に炭化珪素単結晶よりなる種結晶６を配置し，反応容器１０内にＳｉを含有する珪素含有ガスとＣを含有する炭素含有ガスとを含む混合ガス８を導入することにより，種結晶６の初期表面６０上に炭化珪素単結晶よりなる成長結晶７を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing a metal silver part includes exposing a silver salt-containing layer containing a silver halide as an optical sensor disposed on a substrate and carrying out a developing treatment thereby forming a light transmissive part and a mesh metal silver part, in which the width of a line constituting the mesh is 3 to 18 μm, and an intersection growing rate in intersections of the lines constituting the mesh is >1 and ≤1.5.例文帳に追加

支持体上に設けられた光センサとしてハロゲン化銀を含有する銀塩含有層を露光し、現像処理することにより光透過性部とともにメッシュ状の金属銀部を形成し、前記メッシュを構成する線の線幅が３〜１８μｍであり、かつ、前記メッシュを構成する線の交点における交点太り率が１を超え１．５以下であることを特徴とする、金属銀部の製造方法。 - 特許庁

The method for growing the bulkiness of a nonwoven fabric 1 during conveying the nonwoven fabric 1 includes the following process: the nonwoven fabric 1 under conveyance is wound two or more times around the circumferential surface of a revolving drum 31; subsequently, hot air is blown, from the inside or outside of the revolving drum 31, against the nonwoven fabric 1 under conveyance to grow the bulkiness of the nonwoven fabric 1.例文帳に追加

本発明の不織布の嵩増加方法は、不織布１を搬送する過程においてその嵩を増加させる不織布１の嵩増加方法であり、搬送中の不織布１を、回転ドラム３１の周面に複数回巻き掛け、該回転ドラム３１に巻き掛けて搬送中の該不織布１に対して、該回転ドラム３１の内側又は外側から熱風を吹き付けて該不織布１の嵩を増加させる。 - 特許庁

The method of growing a nitride semiconductor includes a step of forming, through vapor-phase growth, a first concave-convex structure 30 made of nitride semiconductor crystals on a substrate 10; and a step of forming a second concave-convex structure 32, made of nitride semiconductor crystals on the first concave-convex structure 30, by making a nitride semiconductor grow selectively from the tops of the convex portions of the first concave-convex structure 30.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体の成長方法は、気相成長法により、基板１０上に、窒化物半導体の結晶からなる第１凹凸構造３０を形成し、該第１凹凸構造３０の凸部の上部から窒化物半導体を選択的に成長させることにより、前記第１凹凸構造３０上に、窒化物半導体の結晶からなる第２凹凸構造３２を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the organic thin film has a step of forming a first organic molecular layer having a regular molecule arrangement consisting of first organic molecules on the substrate; a step of forming a second organic molecule layer epitaxially growing on the first organic molecule layer; and a step of sublimating, evaporating or dissolving the first organic molecule layer to remove it from the second organic molecule layer.例文帳に追加

基板上に第１の有機分子からなる規則的な分子配列を有する第１の有機分子層を形成する工程と、前記第１の有機分子層の上にエピタキシャル成長する第２の有機分子層を形成する工程と、前記第１の有機分子層を昇華、蒸発あるいは溶解して前記第２の有機分子層から除去する工程を有する有機薄膜の製造方法。 - 特許庁

In this laminated substrate 100 formed by laminating and arranging successively a crystalline GaN layer 10 and a crystalline AlC layer 20 on a sapphire substrate, a silicon carbide substrate or an aluminum nitride substrate as a substrate 1, trimethyl aluminum as aluminum-containing gas and methane as catbon-containing gas are supplied as a growing condition of an aluminum carbide crystal, to thereby promote growth by a metal organic chemical vapor deposition method.例文帳に追加

基板１としてサファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板の上に結晶性のＧａＮ層１０、結晶性のＡｌＣ層２０を順次積層して配置した積層基板１００であって、炭化アルミニウムの結晶の成長条件としては、アルミニウムを含むガスとしてトリメチルアルミニウムと、炭素を含むガスとしてメタンを供給し、有機金属気相成長法により成長させる。 - 特許庁

The method for growing the plant absorbing the CO_2 and the NO_X is characterized by regeneration of a plant body by incorporating a cDNA of an NO_2^- transporter of a cucumber to a vector pBI121 to obtain a recombinant vector, introducing the recombinant vector to an Agrobacterium, infecting a cell of Arabidopsis thaliana with the Agrobacterium to obtain a transformant, and culturing the transformant.例文帳に追加

本発明のＣＯ_２及びＮＯ_Ｘ吸収植物の育成方法は、キュウリのＮＯ_２^−トランスポーターのｃＤＮＡをベクターｐＢＩ１２１に組み込んで組換えベクターを得て、この組換えベクターをアグロバクテリウムに導入し、次いで、このアグロバクテリウムをシロイナズナの細胞に感染させて形質転換体を得て、その後、この形質転換体を培養することにより、植物体を再生させることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of rustproofing allowing sufficiently preventing a rust from growing and sufficiently preventing a rust preventive oil from depositing from a mixture of a chlorine-free refrigerant and a refrigerator oil and preventing physical and chemical properties of the refrigerator oil from changing even when the oil is contaminated into a refrigerant circulating system at the time of rustoproofing the metallic refrigerator parts with using the rust preventive oil.例文帳に追加

さび止め油を用いて金属製の冷凍機部品のさび止め処理を行うに際し、さびの発生を十分に防止するとともに、さび止め油が冷媒循環システム内に混入した場合であっても、非塩素含有冷媒と冷凍機油との混合物からのさび止め油の析出や、冷凍機油の物理的及び化学的性質の変化を十分に防止することが可能なさび止め方法を提供すること。 - 特許庁

In the method of forming the silicon germanium conducting channel 18 under the gate stack 6 of the semiconductor device, comprises the steps of forming a gate stack 6 on a silicon film on an insulating film, growing a silicon germanium film on the silicon film, and forming a silicon germanium conducting channel 18 between the gate stack 6 and the insulating film 2 by heating a semiconductor device and diffusing germanium in the silicon film.例文帳に追加

本発明は、半導体デバイスのゲートスタック６の下方にシリコンゲルマニウム伝導チャネル１８を形成する方法において、ゲートスタック６を絶縁膜上のシリコン膜の上に形成し、シリコン膜上にシリコンゲルマニウム膜を成長させ、半導体デバイスを加熱して、ゲルマニウムをシリコン膜中に拡散させ、シリコンゲルマニウム伝導チャネル１８をゲートスタック６と絶縁膜２との間に形成する工程を有する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and manufacturing device of inorganic microcrystals capable of easily controlling the deposition condition and growth condition of the inorganic microcrystals and optimizing the manufacture condition of the inorganic microcrystals as a result by facilitating temperature control in a process of depositing a crystal nucleus and a crystal growth process of growing the crystal on the basis of the crystal nucleus, etc., at the time of continuously manufacturing the inorganic microcrystals.例文帳に追加

無機微結晶を連続して製造する際に、結晶核の析出過程、結晶核を基に結晶成長させる結晶成長過程等における温度制御を容易にすることにより、無機微結晶の析出条件や成長条件を容易に制御することが可能であり、その結果、無機微結晶の製造条件の最適化が可能な無機微結晶の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide an SOI wafer manufacturing method which is capable of easily growing a silicon epitaxial layer on a SOI layer of a SOI wafer having an oxide film at a terrace portion, suppressing warpage of the SOI wafer manufactured, reducing the occurrence of particles even in subsequent steps of manufacturing a device or the like, and reducing the cost for manufacturing the SOI wafer.例文帳に追加

テラス部に酸化膜を有するＳＯＩウェーハのＳＯＩ層上にシリコンエピタキシャル層を簡単に成長させることができ、製造されるＳＯＩウェーハの反りを抑制することができ、また、デバイス製造等といった後の工程においてもパーティクルの発生を低減することができ、さらにそのようなＳＯＩウェーハ製造のコスト削減を図ることができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a nitride compound semiconductor element includes a growth step for epitaxially growing a nitride compound semiconductor layer consisting at least of group III atoms including gallium atoms and nitrogen atoms on a substrate, and a decomposition step for decomposing a complex of group III holes and hydrogen atoms in the nitride compound semiconductor layer by irradiating the nitride compound semiconductor layer with laser light or the ionization radiation before an element structure is formed.例文帳に追加

基板上に少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と窒素原子とからなる窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長する成長工程と、素子構造形成前に、前記窒化物系化合物半導体層にレーザ光または電離放射線を照射し、前記窒化物系化合物半導体層中のＩＩＩ族空孔と水素原子との複合体を分解する分解工程と、を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon wafer having a strained silicon layer 10 includes steps of at least forming the surface layer of the silicon wafer as an ion injection layer 11 by injecting ion into a silicon wafer 12, and growing the strained silicon layer by vapor phase epitaxy of the silicon on the ion-injected surface of the silicon wafer after distorting lattices in the in-plane direction.例文帳に追加

歪みシリコン層を有するシリコンウェーハの製造方法であって、少なくとも、シリコンウェーハにイオンを注入することによって該シリコンウェーハの表面層をイオン注入層とし面内方向の格子を歪ませた後、前記シリコンウェーハのイオン注入された面上にシリコンを気相成長させることにより歪みシリコン層を成長させることを特徴とする歪みシリコン層を有するシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor substrate manufacturing method comprises a growth process for growing a second monocrystalline semiconductor 12 on a first monocrystalline semiconductor 10, a block layer formation process for forming a block layer 12a on the second monocrystalline semiconductor 12, and a stress relaxation process for producing a defective crystal 15 in a location deeper than the block layer 12, thus relaxing stress to the second monocrystalline semiconductor 12.例文帳に追加

半導体基板の製造方法は、第１単結晶半導体１０の上に第２単結晶半導体１２を成長させる成長工程と、第２単結晶半導体１２に阻止層１２ａを形成する阻止層形成工程と、阻止層１２ａよりも深い部分に結晶欠陥１５を発生させて第２単結晶半導体１２に作用する応力を緩和する緩和工程とを含む。 - 特許庁

The polycrystalline thin film Si depositing method includes a process for depositing a polycrystalline Si thin film serving as a base on a substrate, a process for depositing an amorphous Si layer on the surface of the polycrystalline Si thin film, a process for partially removing the amorphous Si layer and partially exposing polycrystalline Si, and a process for growing crystal Si by setting a part where polycrystalline Si is exposed as a core.例文帳に追加

多結晶薄膜Ｓｉ堆積法において、少なくとも 下地となる多結晶Ｓｉ薄膜を基板上に堆積する工程と 該多結晶Ｓｉ薄膜表面に非晶質Ｓｉ層を堆積する工程と 該非晶質Ｓｉ層を部分的に除去し、多結晶Ｓｉを部分的に露出させる工程と 該多結晶Ｓｉが露出した部分を核として結晶Ｓｉを成長させる工程とを含むことを特徴とする - 特許庁

To provide a method by which a surface oxide film formed on a semiconductor layer made of InGaAs or InGaAsP is effectively removed to form a clean flat surface and at the same time to form a semiconductor layer for relieving lattice distortion to relieve accumulated distortion at a growing interface and then a III-V group compound semiconductor layer having less defects and good crystallinity is regrown.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓもしくはＩｎＧａＡｓＰよりなる半導体層上に形成されている表面酸化膜を効果的に除去し、清浄で平坦な表面を形成すると同時に、格子歪みを緩和する半導体層を形成させて、成長界面に歪みの蓄積がなく、再成長膜に欠陥の発生の少ない結晶性の良好なIII−Ｖ族化合物半導体膜を再成長する方法を提供する。 - 特許庁

In the production method for compound single crystal for epitaxially growing the compound single crystal layer, different from a compound single crystal substrate on the surface of this substrate, at least one part of the substrate surface has a plurality of projections, extending in one direction and each of such projections is provided, so that the defects to be grown with the epitaxial growth of this compound monocrystal layer can mutually meet.例文帳に追加

化合物単結晶基板の表面にこの基板とは異なる化合物単結晶層をエピタキシャル成長させる化合物単結晶の製造方法であって、前記基板表面の少なくとも一部が一方向に延在する複数の起伏を有し、かつこの起伏は前記化合物単結晶層のエピタキシャル成長に伴って成長する欠陥が互いに会合しあうように設けられた方法。 - 特許庁

The method for producing a silicon carbide single crystal includes steps of: supplying a source fine powder 5 for sublimation and a carrier gas 3 to an atmosphere for growing a silicon carbide single crystal, the atmosphere including a silicon carbide seed crystal; heating to sublimate the source fine powder 5 for sublimation; and supplying the sublimated gas onto the silicon carbide seed crystal 2 to grow a silicon carbide single crystal on the silicon carbide seed crystal.例文帳に追加

昇華用原料微粉末５とキャリアガス３を炭化ケイ素種結晶を備える炭化ケイ素単結晶成長雰囲気内に供給する工程と、昇華用原料微粉末５を加熱し昇華させる工程と、昇華したガスを炭化ケイ素種結晶２上に供給し炭化ケイ素種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる工程と、を含む炭化ケイ素単結晶の製造方法。 - 特許庁

This artificial cultivation method of the decorative white or yellow Ganoderma lucidum, to be performed in a housing comprises inoculating hypha of Ganoderma lucidum to cut shiitake log of broadleaf tree followed by growing thick, burying the cut shiitake log into soil in the housing to an extent allowing to see the cut surface, and maintaining the housing to grow carpophore of Ganoderma lucidum in (A)-(C) conditions as follows.例文帳に追加

ハウジング内で行う霊芝の人工栽培において、広葉樹の切断原木に霊芝の菌糸を接種して密生させた後、前記切断原木をハウジング内の土壌に、その切断面が見える程度に埋め込むと共に、前記ハウジング内を、下記の（Ａ）〜（Ｃ）の条件に保持して霊芝の子実体を生育させることを特徴とする観賞用白色ないし黄色鹿角霊芝の栽培方法。 - 特許庁

The method for maturing the plant is suitably carried out by using one or more "culturing group of sphagnum moss in which one or more units of the stem of live sphagnum moss in collected state to collection of fixed dried sphagnum are brought into contact with the collection of the dried sphagnum moss and the growing point of the live sphagnum moss is substantially exposed from the collection of the dried sphagnum moss".例文帳に追加

特に、１個以上の「定形化されている乾燥ミズゴケの集合物に対して、まとまった状態の生長ミズゴケの茎部の１単位以上が、その乾燥ミズゴケの集合物に接触しており、かつ、前記の生長ミズゴケの生長点が、前記の乾燥ミズゴケの集合物から実質的に露出してなる、ミズゴケの栽培基」を用いて、この植物の養生方法を行うことが好適である。 - 特許庁

To provide a method of purifying contamination of soil and ground water which makes it possible to distribute nearly uniformly indigenous microorganisms, usually growing largely in the space of the upper silt layer 3 of the ground water, by causing the pore water to penetrate the layer 3 through a draining material, activate and proliferate the microorganisms with a nutrient source, and purify harmful contaminants with the microorganisms.例文帳に追加

微生物が、地下水の上側シルト層３の間に多く分布しているため、ドレーン材によって、間隙水を上部シルト層３に浸透させることにより、土着している微生物をほぼ均等に分布させることができ、栄養源によって、その微生物を増殖、活性化させることができ、有害汚染物質を微生物によって浄化できる土壌及び地下水の汚染の浄化方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a silicon carbide single crystal includes a process for bringing a silicon carbide single crystal substrate 25 into contact with a lithium flux 23 in which silicon dissolved in a pressure vessel, and a process for growing a 2H silicon carbide single crystal 27 on the single crystal substrate 25 from the lithium flux 23 by introducing methane 26 into the pressure vessel and bringing the methane 26 into contact with the lithium flux 23.例文帳に追加

圧力容器内において、珪素が溶解したリチウムフラックス２３に炭化珪素単結晶基板２５を接触させる工程と、前記圧力容器内にメタン２６を導入し、前記リチウムフラックス２３に前記メタン２６を接触させることにより、前記リチウムフラックス２３から前記単結晶基板２５上に２Ｈ炭化珪素単結晶２７を成長させる工程とを包含する炭化珪素単結晶の製造方法。 - 特許庁

In the method for growing the group III nitride crystal from a solution in which at least an alkali metal, a group III metal raw material and nitrogen are dissolved, the group III nitride crystal 29 is grown by incorporating a substance for increasing the growth speed in the direction parallel to the c-axis of the group III nitride crystal higher than that in the direction perpendicular to the c-axis into the solution.例文帳に追加

少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属原料と窒素とが溶解した溶液からＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法において、前記溶液に、ＩＩＩ族窒化物結晶のｃ軸に平行な方向の成長速度をｃ軸に垂直な方向の成長速度よりも速くさせる物質を含ませて、ＩＩＩ族窒化物結晶２９を成長させる。 - 特許庁

Under a second condition for filling the space between the mixed phase grains by growing the mixed phase grains on the seed crystal, a microcrystalline semiconductor film is stacked on the seed crystal by a plasma CVD method.例文帳に追加

粒径の均一性が高く、且つ高い結晶性を有する混相粒を低い粒密度で与える第１の条件により、非晶質シリコン領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子とを含む混相粒を有する種結晶を絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法により形成した後、当該種結晶上に、混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋める第２の条件で、種結晶上に微結晶半導体膜をプラズマＣＶＤ法により積層形成する。 - 特許庁